Room-temperature dual-wavelength erbium-doped fibre laser based on a sampled fibre Bragg grating and a photonic Robin Hood

With the assistance of a kind of photonic Robin Hood that is originated from four-wave mixing in a dispersion-flattened high-nonlinearity photonic-crystal fibre, a novel dual-wavelength erbium-doped fibre (EDF) laser is proposed and demonstrated by using a sampled fibre Bragg grating. The experiments show that, due to the contribution of the photonic Robin Hood, the proposed fibre laser has the advantage of excellent uniformity, high stability and stable operation at room temperature. Our dual-wavelength EDF laser has the unique merit that the wavelength spacing remains unchanged when tuning the two wavelengths of laser, and this laser is simpler and more stable than the laser reported by Liu et al. [Opt. Express, 13 142 (2005)].

Cr~(3+)对土壤脲酶活性特征的影响

采用模拟方法对Cr3+的土壤脲酶效应进行了研究,结果表明,土壤pH对Cr3+的生态毒性有重要影响;酸性土壤脲酶受到显著抑制,活性及动力学特征参数与Cr3+浓度间达显著或极显著负相关,而且模型U=β0(/β1×C+1)揭示其间机理为完全抑制,动力学则进一步细化为非竞争性抑制;获得土壤轻微和中度污染时的生态剂量ED10和ED50分别为50.59和865.7 mg.kg-1;酸性土壤中脲酶活性、Vmax、k可作为土壤Cr3+污染的监测指标之一,而碱性土壤则反应不敏感,其随铬浓度增加,脲酶活性及动力学参数呈先增加后降低的规律性变化,总体变幅较小;两类土壤的差别可能主要是由于土壤环境引起了不同价态铬转变的缘故。

黄土高原沟壑区王东沟流域土地利用效益评价

依据黄土高原沟壑区王东沟流域1986-2007年生态经济系统演变过程调查、监测资料和研究成果,建立了黄土高原沟壑区王东沟流域土地利用效益评价指标体系。运用层次分析法确定指标权重,对黄土高原沟壑区王东沟流域1986-2007年的土地利用效益进行了定量评价和动态分析。结果表明:区域土地利用效益在这20余年中呈增长态势,分别于1991年、1998年、2003年达到峰值点。影响区域土地利用效益值的主要因素为区域的果业和第三产业。

黄土高原旱区长期施肥条件下土壤钾素形态空间分布特征及有效性研究

在黄土高原南部旱地长期肥料定位试验的基础上研究了土壤钾素空间分布特征及其有效性。结果表明:长期施肥后土壤中特殊吸附性钾(SAK)和非特殊吸附性钾(NSAK)储量增加,但水溶性钾(WSK)和非交换性钾(NEK)则有明显的下降,单施N水溶性钾下降了48.24%,单施P下降32.32%,NP配施和NPK配施分别下降10.61%和17.93%,非交换性钾降幅为8.56%~24.91%。增施钾肥可以缓解因长期施肥作物生长所携出的钾素,增加耕层土壤中的水溶性钾、非特殊吸附性钾及特殊吸附性钾。相关分析结果表明,土壤不同形态钾素对速效钾的重要性依次为WSK>NSAK>SAK>NEK,土壤速效钾与水溶性钾、非特殊吸附性钾呈显著相关,与特殊吸附性钾和非交换性钾无显著相关性。

栽培和施肥模式对黄土区旱地土壤微生物量及可溶性有机碳、氮的影响

以黄土高原南部地区的两个定位试验为基础,研究了旱地不同栽培和施肥模式对土壤微生物量碳、氮和可溶性有机碳、氮的影响。结果表明,秸秆覆盖显著提高土壤微生物量氮(SMBN)含量,地膜覆盖使SMBN含量显著降低;秸秆和地膜覆盖显著降低小麦拔节期和灌浆期土壤可溶性有机氮(SON)含量。适量施用化学氮肥(120kg/hm2)有利于小麦生长后期SMBN含量的升高,而过量施用(240 kg/hm2)显著降低SMBN含量。与不施肥处理相比,土地经长期撂荒后0-10 cm土层SMBC,SMBN,SOC和SON含量显著提高;氮磷钾配施有机肥显著提高小麦各生育期0-10,10-20 cm土层SMBC,SMBN,SOC和SON的含量;单施氮磷钾肥对土壤SMBC,SMBN含量无明显影响,提高土壤SOC,SON的平均含量。土壤SMBC,SMBN,SOC和SON含量两两之间呈极显著正相关关系,四者含量与土壤有机碳、全氮含量间的正相关关系也达显著或极显著水平。

日光温室豇豆产量和品质对水分和氮素水平的响应

依据在日光温室条件下的田间试验,研究了水分和氮素水平对豇豆产量和品质的影响,以期筛选较佳水分和氮素控制指标,为豇豆优质高产提供依据。结果表明:同一氮肥处理下,豇豆产量随土壤水分含量增加而显著增加,达到土壤相对含水量(RH)75%~85%时产量最高,豇豆高产较佳的水分和养分组合为:氮肥120 kg/hm2,壤RH为60%~85%。水分对豇豆鲜菜可溶性糖含量影响不明显;在水分充足条件下氮肥能提高豇豆的可溶性糖含量;水分有助于提高豇豆的Vc含量,水分、氮肥适宜豇豆可获得较高的Vc含量。豇豆硝酸盐含随施氮量增加显著增大。在氮素水平为60~120 kg/hm2条件下,水分对豇豆硝酸盐含量影响不明显,在氮素水平为180kg/hm2条件下,水分明显增加豇豆硝酸盐含量。按照蔬菜中硝酸盐含量安全标准,在氮水平为60~120 kg/hm2条件下豇豆的硝酸盐含量均在250 mg/kg以下,达到一级安全标准。氮水平120 kg/hm2是较佳的豇豆安全施肥量。综合考虑水分和氮肥对豇豆安全品质、营养品质以及产量的效应,建议豇豆生产中氮肥用量为120 kg/hm2左右,田间持水量保持在60%~85%。

TCNQ电荷转移配合物薄膜的制备和表征

TCNQ电荷转移配合物作为一种新型有机材料具有很多特殊的物理、化学性质，由于它在材料研究方面的特殊贡献而成为研究热点。本论文在此领域的主要研究内容如下： 1. C18TCNQ和TMB电荷转移配合物LB膜的制备和表征 利用LB技术制备了TMB•C18TCNQ LB膜，与LB-Doping法相比省略了电子给体的液相掺杂步骤，简单、易行。研究结果表明，与TMB•C18TCNQ LB-Doping膜比较，LB膜的结构和表面形貌都发生了很大变化，LB膜中TMB和C18TCNQ的环面分别垂直于基底表面，脂肪烃链有向垂直于基底表面方向变化的趋势，5层LB膜的表面形貌是由许多堆积在一起的六边形片状微晶组成。所以，通过选择制备方法获得具有不同结构的配合物薄膜是可能的。 2. TMB•TCNQ和硬脂酸混合LB膜的制备和表征 利用LB技术组装了TMB•TCNQ和硬脂酸的混合LB膜。研究发现：本身没有两亲性的TMB•TCNQ可以通过硬脂酸的夹带作用转移到基底上。混合LB膜中硬脂酸与TMB•TCNQ是物理混合，很容易被除去，而且，可以根据实际应用需要来决定混合LB膜中硬脂酸的比例。 3. TMB•TCNQ和硬脂酸混合LB膜的热稳定性研究 利用变温红外光谱研究TMB•TCNQ和硬脂酸的混合LB膜的热稳定性。结果显示，混合LB膜中硬脂酸相变发生70-72 oC，TMB•TCNQ在142-144 oC发生反掺杂（分解）。 4. TCNQ和TMB电荷转移配合物自组装膜的制备和表征 利用layer-by-layer法制备了TMB•TCNQ自组装膜。结果表明，通过三氯锗丙酸的中介作用成功地将TMB和TCNQ组装到基底上并形成电荷转移配合物，电荷转移度约为0.48。 5. 利用红外光谱研究硬脂酸镉LB膜的亚晶胞堆积类型 利用红外光谱研究了沉积在CaF2基底上的1，3，5，7-层硬脂酸镉（CdSt）LB膜的亚晶胞堆积形式，以及交替沉积LB膜中氘代硬脂酸镉（d-CdSt）LB膜对1，2，3-层硬脂酸镉LB膜的亚晶胞堆积的影响。结果表明：1-层CdSt LB膜的亚晶胞是六方堆积，而厚度超过3层的CdSt LB膜的亚晶胞是正交堆积。只有相同种类的CdSt LB膜层与层之间的相互作用才会影响碳氢长链的堆积形式，而不同种类的CdSt LB膜和d-CdSt LB膜之间的相互作用不会影响碳氢长链的堆积形式，不论这种作用是亲水头基之间的还是疏水长链之间的。 6. 近红外光谱分辨率对定量分析的影响 利用近红外光谱分析方法建立了多组分混合物中对乙酰氨基苯酚和乙水杨胺的定量分析模型。研究发现，光谱分辨率对定量分析模型有重要影响，针对具体样品的特定组分，需要选择合适的光谱分辨率，进而获得最佳的定量分析结果。

全同1，2－聚丁二烯的合成及用~(13)C-NMR方法研究1，2－聚丁二烯的序列结构

采用Cr／Al催化体系，成功地合成了全同1，2－聚丁二烯（PBD），并用DSC方法、X－射线衍射、红外光谱及~(13)C－NMR的方法进行结构与物性测定，得如下结果：全同1，2－PBD的熔点为124.3℃；三角晶系中，分子链成了螺旋，晶胞参数为a＝17.3A，c＝ 6.5A；在红外光谱中，其特征谱带出现在694.4 cm~(-1)处；在~(13)C－NMR谱中仅出现四条谱峰，其化学位移分别为142.51、111.56、39.26、37.43 ppm。全同1，2－PBD的~(13)C－NMR谱提供的实验数据表明，在~(13)C－NMR谱中1，2－PBD－CH二碳十个五元组谱峰的归属是有别于Elgert、Kumar已有的归属。它属于一种新的归属，与半经验方法所推演的结果相符。它恰巧同聚丙烯侧甲基五元组谱峰的归属一致。采用半经验方法研究了1，2－PBD的~(13)C－NMR增中CH二碳五元组、CH_2－碳四元组及六元组共振谱峰，同时讨论了模型链的链长、温度以及立构序列的排列对各立构序列键概率的影响，求得了相应的r值。同时采用经验方法对1，2－PBD的~(13)C－NMR谱中CH_2=碳、CH－碳五元组及CH_2－碳四元组谱峰做了归属。两种方法对CH_2－碳谱峰的归属得到了一致的结果。

CHARACTERIZATION OF HIGH FLUENCE NEUTRON-INDUCED DEFECT LEVELS IN HIGH-RESISTIVITY SILICON DETECTORS USING A LASER DEEP-LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY (L-DLTS)

Neutron irradiated high resistivity (4-6 kOMEGA-cm) silicon detectors in the neutron fluence (PHI(n)) range of 5 X 10(11) n/cm2 to 1 X 10(14) n/cm2 have been studied using a laser deep level transient spectroscopy (L-DLTS). It has been found that the A-center (oxygen-vacancy, E(c) = 0.17 eV) concentration increases with neutron fluence, reaching a maximum at PHI(n) almost-equal-to 5 X 10(12) n/cm2 before decreasing with PHI(n). A broad peak has been found between 200 K and 300 K, which is the result of the overlap of three single levels: the V-V- (E(c) = 0.38 eV), the E-center (P-V, E(c) = 0.44 eV), and a level at E(c) = 0.56 eV that is probably V-V0. At low neutron fluences (PHI(n) < 5 X 10(12) n/cm2), this broad peak is dominated by V-V- and the E-centers. However, as the fluence increases (PHI(n) greater-than-or-equal-to 5 X 10(12) n/cm2), the peak becomes dominated by the level of E(c) = 0.56 eV.

A novel noise optimization technique for inductively degenerated CMOS LNA

This paper proposes a novel noise optimization technique. The technique gives analytical formulae for the noise performance of inductively degenerated CMOS low noise amplifier (LNA) circuits with an ideal gate inductor for a fixed bias voltage and nonideal gate inductor for a fixed power dissipation, respectively, by mathematical analysis and reasonable approximation methods. LNA circuits with required noise figure can be designed effectively and rapidly just by using hand calculations of the proposed formulae. We design a 1.8 GHz LNA in a TSMC 0.25 pan CMOS process. The measured results show a noise figure of 1.6 dB with a forward gain of 14.4 dB at a power consumption of 5 mW, demonstrating that the designed LNA circuits can achieve low noise figure levels at low power dissipation.