Transporte eletrônico e quiralidade molecular: um estudo de dispositivos orgânicos em sistemas de dois terminais

No presente trabalho, investigamos o transporte eletrônico molecular em dois compostos orgânicos, o Ponceau SS (PSS) e o Oligo-(para)fenileno-vinileno (PPV) através de cálculos ab initio e função de Green de não equilíbrio (FGNE). Estes métodos demonstraram equivalência para a descrição destes dispositivos moleculares. Fizemos cálculos quânticos para o Hamiltoniano derivado de Hartree-Fock (HF) e obtivemos as propriedades de corrente-voltagem (I-V) para as duas estruturas moleculares. Com o método FGNE conseguimos modelar o transporte através de um sistema de multiníveis eletrônicos obtendo a corrente descrevendo as regiões de ressonância e a assimetria do sistema. Como resposta o PSS demonstrou assimetria para polarizações direta e reversa e a ressonância é alcançada mostrando que o dispositivo opere como um transistor molecular bi-direcional. Para o PPV investigamos também as propriedades geométricas através da conexão entre transporte eletrônico e o grau de quiralidade molecular que foi calculado usando o índice quiral que depende apenas das posições atômicas. Obtivemos que moléculas quirais e propriedades estruturais podem induzir uma assimetria no transporte eletrônico, resultando num processo de retificação. Também obtivemos que a resposta elétrica (I-V) e momento de dipolo elétrico são proporcionais ao grau de quiralidade molecular. Estes resultados sugerem que o transporte eletrônico neste sistema pode ser explorado na avaliação do seu grau de quiralidade.

Microwave switchable frequency selective surface with high quality factor resonance and low polarization sensitivity

We present a microwave switchable frequency selective surface with high quality factor transmission resonance. The high quality resonance is achieved by excitation of the trapped-mode in array with two concentric metal rings in a cell on a silicon substrate. Optical activation of the silicon substrate permits to switch off the transmission band.

Analysis of electronic structure of boron nitride nanotubes with different positions of intrinsic impurities

The pristine boron nitride nanotubes have a large direct band gap around 5 eV. This band gap can be engineered by doping. We investigate electronic structure of the doped hexagonal boron nitride (5,5) nanotubes using the linearized augmented cylindrical wave method. In particular, this work focuses on systematical study of the band gap and the density of states around the Fermi-level when the nanotubes are doped by intrinsic impurities of two substitutional boron atoms in a super cell and a comparative analysis of the relative stability of three structures studied here. This corresponds to 3.3% of impurity concentration. We calculate 29 configurations of the nanotubes with different positions of the intrinsic impurities in the nanotube. The band gap and density of states around the Fermi level show strong dependence on the relative positions of the impurity atoms. The two defect sub bands called D^∏(B) appear in the band gap of the pristine nanotube. The doped nanotubes possess p-type semiconductor properties with the band gap of 1.3-1.9 eV.

Filmes finos ferroelétricos do tipo PBCT, PBST e PCST: estudo experimental e teórico

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

MÉTODOS DA ELETRORESISTIVIDADE E DA POLARIZAÇÃO INDUZIDA APLICADOS NO ESTUDO DO ATERRO

Investigações geofísicas, pelos métodos geoelétricos de eletrorresistividade e polarização induzida (IP), através das técnicas de sondagem elétrica vertical e caminhamento elétrico (configurações Schlumberger e dipolo-dipolo), foram executadas na área do aterro controlado da cidade de Piracicaba (SP), com o objetivo de avaliar as potencialidades da integração dos métodos na caracterização geoelétrica da área. A área sobre a qual está assentado o aterro de Piracicaba é constituída por sedimentos da Formação Corumbataí (sedimentos argilosos e/ou silto-argilosos, com intercalações de arenitos). A interpretação conjunta da resistividade e da polarizabilidade permitiu mapear zonas de percolação de chorume e identificar os diferentes litotipos das formação, identificando materiais arenosos e siltosos. Ficou evidente que a polarizabilidade é sensível à presença de resíduos urbanos e que o efeito de IP é relacionado a materiais polarizáveis dispostos na cava, como latas, papéis, restos eletrônicos e materiais de empréstimo utilizados para a cobertura dos resíduos. Além disso, o método de IP pode ser mais indicado para o mapeamento de zonas de resíduos onde não exista contraste de resistividade entre o meio natural e os resíduos. Palavras-chave: Eletrorresisitividade, polarização induzida, aterro sanitário.

Estudo do efeito da composição e da nanoestrutura de nanopartículas de 'PT''NI' suportadas em carbono na eletrocatálise da reação de redução do oxigênio

Pós-graduação em Química - IQ

Teds-easy - descrição automática de transducer electronic data sheet

Pós-graduação em Engenharia Elétrica - FEIS

Measurements of t(t)over-bar Spin Correlations and Top-Quark Polarization Using Dilepton Final States in pp Collisions at root s=7 TeV

Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)

First-Principles Study of Pressure-Induced Phase Transitions and Electronic Properties of Ag2MoO4

Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)

Structural, electronic and optical properties of Fe(III) complex with pyridine-2,6-dicarboxylic acid: A combined experimental and theoretical study

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

Insight into the Effects of Fe Addition on the Local Structure and Electronic Properties of SrTiO3

Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)