840 resultados para MOS structures


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In this paper the behavior of matter waves in suddenly terminated potential structures is investigated numerically. It is shown that there is no difference between a fully quantum mechanical treatment and a semiclassical one with regards to energy redistribution. For the quantum case it is demonstrated that there can be substantial reflection at the termination. The neglect of backscattering by the semiclassical method brings about major differences in the case of low kinetic energies. A simple phenomenological model is shown to partially explain the observed backscattering using dynamics of reduced dimensionality.

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In this work the adiabatic approximation is applied to the propagation of matter waves in confined geometries like those experimentally realized in recent atom optical experiments. Adiabatic propagation along a channel is assumed not to mix the various transverse modes. Nonadiabatic corrections arise from the potential squeezing and bending. Here we investigate the effect of the former. Detailed calculations of two-dimensional propagation are carried out both exactly and in an adiabatic approximation. This offers the possibility to analyze the validity of adiabaticity criteria. A semiclassical (sc) approach, based on the sc Massey parameter is shown to be inadequate, and the diffraction due to wave effects must be included separately. This brings in the Fresnel parameter well known from optical systems. Using these two parameters, we have an adequate understanding of adiabaticity on the system analyzed. Thus quantum adiabaticity must also take cognizance of the intrinsic diffraction of matter waves.

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The reliable evaluation of the flood forecasting is a crucial problem for assessing flood risk and consequent damages. Different hydrological models (distributed, semi-distributed or lumped) have been proposed in order to deal with this issue. The choice of the proper model structure has been investigated by many authors and it is one of the main sources of uncertainty for a correct evaluation of the outflow hydrograph. In addition, the recent increasing of data availability makes possible to update hydrological models as response of real-time observations. For these reasons, the aim of this work it is to evaluate the effect of different structure of a semi-distributed hydrological model in the assimilation of distributed uncertain discharge observations. The study was applied to the Bacchiglione catchment, located in Italy. The first methodological step was to divide the basin in different sub-basins according to topographic characteristics. Secondly, two different structures of the semi-distributed hydrological model were implemented in order to estimate the outflow hydrograph. Then, synthetic observations of uncertain value of discharge were generated, as a function of the observed and simulated value of flow at the basin outlet, and assimilated in the semi-distributed models using a Kalman Filter. Finally, different spatial patterns of sensors location were assumed to update the model state as response of the uncertain discharge observations. The results of this work pointed out that, overall, the assimilation of uncertain observations can improve the hydrologic model performance. In particular, it was found that the model structure is an important factor, of difficult characterization, since can induce different forecasts in terms of outflow discharge. This study is partly supported by the FP7 EU Project WeSenseIt.

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Este trabalho apresenta o LIT, uma ferramenta de auxílio ao projeto de circuitos integrados analógicos que utiliza a técnica da associação trapezoidal de transistores (TAT) sobre uma matriz digital pré-difundida. A principal característica é a conversão de cada transistor simples de um circuito analógico em uma associação TAT equivalente, seguido da síntese automática do leiaute da associação séria-paralela de transistores. A ferramenta é baseada na matriz SOT (sea-of-transistors), cuja arquitetura é voltada para o projeto de circuitos digitais. A matriz é formada somente por transistores unitários de canal curto de dimensões fixas. Através da técnica TAT, entretanto, é possível criar associações série-paralelas cujo comportamento DC aproxima-se dos transistores de dimensões diferentes dos unitários. O LIT é capaz de gerar automaticamente o leiaute da matriz SOT e dos TATs, além de células analógicas básicas, como par diferencial e espelho de corrente, respeitando as regras de casamento de transistores. O cálculo dos TATs equivalentes também é realizado pela ferramenta. Ela permite a interação com o usuário no momento da escolha da melhor associação. Uma lista de possíveis associações é fornecida, cabendo ao projetista escolher a melhor. Além disso, foi incluído na ferramenta um ambiente gráfico para posicionamento das células sobre a matriz e um roteador global automático. Com isso, é possível realizar todo o fluxo de projeto de um circuito analógico com TATs dentro do mesmo ambiente, sem a necessidade de migração para outras ferramentas. Foi realizado também um estudo sobre o cálculo do TAT equivalente, sendo que dois métodos foram implementados: aproximação por resistores lineares (válida para transistores unitários de canal longo) e aproximação pelo modelo analítico da corrente de dreno através do modelo BSIM3. Três diferentes critérios para a escolha da melhor associação foram abordados e discutidos: menor diferença de corrente entre o TAT e o transistor simples, menor número de transistores unitários e menor condutância de saída. Como circuito de teste, foi realizado o projeto com TATs de um amplificador operacional de dois estágios (amplificador Miller) e a sua comparação com o mesmo projeto utilizando transistores full-custom. Os resultados demonstram que se pode obter bons resultados usando esta técnica, principalmente em termos de desempenho em freqüência. A contribuição da ferramenta LIT ao projeto de circuitos analógicos reside na redução do tempo de projeto, sendo que as tarefas mais suscetíveis a erro são automatizadas, como a geração do leiaute da matriz e das células e o roteamento global. O ambiente de projeto, totalmente gráfico, permite que mesmo projetistas analógicos menos experientes realizem projetos com rapidez e qualidade. Além disso, a ferramenta também pode ser usada para fins educacionais, já que as facilidades proporcionadas ajudam na compreensão da metodologia de projeto.

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One of the Main Subjects to Be Discussed, in Order to Adjust Latin American Economies to a Regional Integration Network, as Imposed By Mercosul or Other Economic Common Markets, is Related to the Employment and Other Labor Markets Public Policies. the Question to Be Posed Is: Having in Mind the Characteristics of Different Labor Markets and Labor Forces, What are the Impacts of Governmental Measures Presented in the Diverse Economic Conditions of Those Countries. Having in Mind These Impacts, This Paper Aims to Examine the Requisites to Adjust the Labor Structure Standards of Latin American Countries and What Would Be the Reforms to Be Performed By These Countries in Order to Prepare These Markets and Labor Forces to Adapt to Regional Integration Networks Represented By Mercosul, Alca or Other Common Markets. There are Evaluated the Impacts of the Globalization Process, Economic Stabilization and Reform Policies Undertaken By Some Selected Latin American Countries Since the Eighties on the Labor Structure Standards, Considering the Specific Adjustment Measures to Cope With the Negative Effects of These Policies. Next, Some Cases of Europe Union (Eu) Countries Measures to Prepare to Integration is Examined, in Order to Provide Some Elements to Better Understand the Possibilities to Handle With the Extensive Changes in External Conditions. in Sequence Some Statistical Indicatives of the Impacts of These Measures on the Occupational Structuring are Analyzed For a Group of Selected Latin American and Eu Countries.

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Considerando a lavagem das mãos como uma importante medida de controle de infecção hospitalar, objetivou-se investigar as razões que impulsionam os trabalhadores de enfermagem a lavar ou não as mãos. Optou-se pela pesquisa qualitativa e pela técnica de grupo focal para a coleta dos dados. O grupo consolidou-se com seis sujeitos (três enfermeiros e três técnicos de enfermagem), selecionados através dos critérios de voluntariedade e interesse pela temática. A coleta de dados transcorreu em cinco encontros semanais, estendendo-se pelos meses de novembro e dezembro de 2002. Utilizando a análise de enunciação, verificou-se que os profissionais mostram conhecimento teórico sobre o tema, entretanto percebeu-se que a prática da lavagem das mãos é influenciada pelas diferentes situações, como de surtos, emergências e isolamentos. As dificuldades como a superlotação do hospital, distância das pias, recursos (in)disponíveis e/ou (in)adequados, entre outros, interferem na execução desse procedimento, mas não o determinam. Essas condições, associadas à forma como o trabalho é organizado e à cultura que privilegia a cura em detrimento da prevenção, levam à negligência com a lavagem das mãos, que acaba por ser considerada uma prática paralela e secundária ao trabalho da enfermagem. Outras questões foram consideradas para analisar a lavagem das mãos, como sua relação com o uso de luvas, que evidenciou ambos como procedimento/equipamento de proteção individual, e com a fricção higiênica das mãos, que se mostrou pouco aceita pelos sujeitos. Sinaliza-se a necessidade de se trabalhar esse tema junto aos profissionais da saúde para que se possa efetivar a lavagem das mãos como medida preventiva de infecções hospitalares.

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Dispositivos microeletrônicos como células solares e circuitos integrados MOS em satélites, estão sujeitos ao bombardeamento de partículas de alta energia, especialmente os uxos de prótons. Os danos causados pela irradiação de prótons podem ser facilmente simulados usando as técnicas implantação iônica, uma vez que os estudos de con abilidade dos dispositivos em condições reais (no espaço) são despendiosos. A proposta deste trabalho é usar capacitores MOS para estudar a in uência do bombardeamento de prótons na degradação do tempo de vida de portadores minoritários, na mudança de corrente de fuga através do SiO2 e na mudança da carga efetiva na interface SiO2/Si. Assim como o tempo de vida está relacionado aos defeitos criados na estrutura cristalina devido às colisões das partículas com os átomos de Si, a corrente de fuga caracteriza a estabilidade do dielétrico e a carga efetiva mostra o quanto a tensão de limiar dos transistores MOS (VT) é afetada. Uma combinação de formação de zona desnuda na região de depleção e gettering por implanta ção iônica na face inferior das lâminas garantiu o melhoramento do tempo de vida nos capacitores MOS. Os aceleradores de íons do Laboratório de Implantação Iônica da UFRGS foram usados para produzir bombardeamentos de prótons com energias de 100keV , 200keV , 600keV e 2MeV , e doses no intervalo de 1x10 9 cm-2 a 3x10 12 cm-2 O tempo de vida de geração foi obtido através do método C-t (Zerbst modificado), a corrente de fuga através do método I-V e a carga criada no óxido através do método C-V de alta freqüência. A literatura apresenta dados de uxos de prótons no espaço possibilitando a conexão entre os efeitos simulados por implantação iônica e o espectro solar real. Como eventos solares apresentam variabilidade, alguns casos de atividade solar proeminente foram estudados. Foi de nida a função (x) que relaciona a concentração defeitos eletricamente ativos com a profundidade e foi feito um cálculo para estimar as conseqüências sobre o tempo de vida dos portadores minorit ários. Os resultados mostram que um dia de atividade solar expressiva é su ciente para degradar o tempo de vida intensamente, tendo como conseqüência a destruição de uma célula solar sem blindagem.

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Promover a atividade empreendedora é hoje mais do que nunca uma prioridade para as economias em desenvolvimento. Em diferentes partes do mundo, empreendedores têm sido reconhecidos como verdadeiros agentes de transformação, e as novas empresas que eles criam tornam-se condutoras de inovação, que ao final pode ser difundida ao resto da economia. Teorias de economia urbana, que analisam a dinâmica da relação entre aglomeração urbana e atividade econômica, enfatizam a importância da concentração espacial das indústrias num mesmo setor industrial. Entender os incentivos que dão início à atividade empreendedora é algo novo e o foco desses estudos tem sido principalmente em alguns poucos casos de economias industrializadas. Não obstante, o sucesso de um punhado de clusters de alta tecnologia, como o Vale do Silício, por exemplo, na Califórnia, Estados Unidos, não pode ser replicado, e as condições locais devem ser consideradas a fim de entender a surgimento desses ecossistemas. Este estudo pretende investigar os critérios em que os empreendedores fundamentam suas decisões quando selecionam as localizações do seu negócio. Especificamente, a pesquisa explora o recente movimento dos ecossistemas de empreendedores na Cidade do México e em São Paulo, as duas maiores áreas metropolitanas da América Latina, à luz das teorias de economia urbana. A fim de chegar aos resultados, a pesquisa segue o método baseado sobre uma análise comparativa de estudo de casos em dois bairros: Vila Leopoldina em São Paulo e a Colônia Roma Norte na Cidade do México. Os resultados consolidados baseados em entrevistas qualitativas realizadas nos dois bairros revelam que o lugar/sitio urbano, definido em termos de laços locais assim como da atmosfera geral do ambiente, continua sendo importante para os atores apesar das comunicações de alta velocidade que produzem mais interações entre as regiões do mundo. Além disso, a relação entre o empreendedor e o seu entorno é altamente dependente do estágio de desenvolvimento e da natureza da atividade da empresa; redes informais revelam-se essenciais para identificar as oportunidades de negócio antes de serem progressivamente substituídas por relações instituídas com fundos de capital de risco ou incubadoras. Estes dois ecossistemas nascentes geram suas próprias características, o que já pode sugerir suas futuras evoluções.