(n)nc-Si:H/(p)c-Si异质结中载流子输运性质的研究

采用常规等离子体增强化学气相沉积工艺，以高H_2稀释的SiH_4作为反应气体源和PH_3作为磷原子的参杂剂，在p���(100)单晶硅C(p)c-Si)衬底上，成功地生长了施主掺杂型纳米硅膜C(n)nc-Si:H),进而制备了(n)nc-Si;H/(p)c-Si异质结，并在230-420K温度范围内实验研究了该异质结的I-V特性。结果表明，(n)nc-Si:H/(p)c-Si异质结为一典型的突变异质结构，具有良好的温度稳定性和整流特性。正向偏压下，该异质结的电流输运机理为复合－隧穿模型。当正向偏压V_F<0.8V时，电流输运过程由复合机理所支配；而当V_F>1.0V时由隧穿机理决定。反向偏压下，该异质结具有良好的反向击穿持性。

在p-Si(100)上溅射法生长ZnO的结构和光学特性

室温下在p-Si(100)上采用直流反应磁控溅射法外延生长了ZnO薄膜。XRD测量表明了ZnO是高度c轴单一取向生长的，XRC测量则表明了ZnO的高质量。在室温下的PL测量中见到了带边发射，其强度与晶体质量有关。

2.5G DFB量子阱激光器p���欧姆接触电极的研究

于2010-11-23批量导入

P���GaN和AlGaN外延材料的制备

研究了MOVPE方法外延P���GaN和Al0.13 Ga0.87N的生长工艺，包括掺杂剂量和热退火条件，对材料电学性质的影响。得到了性能优良的P���材料，并研制了InGaN/AlGaN双异质结蓝光发光二极管。

In_（0.49）Ga_（0.51）P���缺陷的俘获行为

于2010-11-23批量导入

快速退火对SiGe/Si多量子阱p-i-n光电二极管的影响（英文）

利用光电流谱，结合X射线双晶衍射研究了快速退火对Si_(1-x)Ge/Si多量子阱p-i-n光电二极管的影响。由于应变SiGe的部分弛豫和Si-Ge互扩散，退火后的二极管的截止波长有显著的减小。但是，在750-850℃范围内，波长蓝移量随着退火温度的增加而变化缓慢，而样品的光电流强度却随温度是先减弱而后又增强，这可能主要是由于在不同温度退火过程中失配位错的产生和点缺陷的减小造成的。

低压金属有机化合物气相外延生长的 （Al_x Ga_（1-x））_（0 .5 1）In_（0 .49）P���射率测量（英文）

采用测量反射谱方法确定了低压金属有机化合物气相外延生长的GaAs衬底匹配(Al_xGa_(1-x))_(0.51)In_(0.49)P���延材料的折射率。实验中测量的反射谱波长范围为05-2.5μm。在拟合实验数据过程中采用了单振子模型。折射率数据用于分析应变量子阱GaInP/AlGaInP���见光激光二极管波导，计算出的器件远场图与实验数据吻合很好。

Carrier Depth Profile of Si/SiGe/Si n-p-n HBTStructural Materials Characterized by Electrochemical Capacitance- Voltage Method

于2010-11-23批量导入

δ掺杂硅n-i-p-i结构多量子阱吸收边的漂移

该文报告了在δ掺杂硅n-i-p-i结构多量子阱中使用光电流技术观测到吸收边的场驱动蓝移，它不同于在GaAs和GeSi超晶格中观察到的结果。这个新现象能够被载流子注入引起有效带隙的展宽所解释。基于有效质量近似，计算了自洽势和有效带隙随额外载流子浓度的变化，理论结果证实了实验结果的正确性。

Pt-Ni/p-InP���阻欧姆接触的机理研究

利用X射线衍射和AES(俄歇)方法，深入地研究了RF磁探溅射淀积的Pt-Ni/p-InP(100)非合金膜系在热退火过程中Pt和Ni与衬底InP���的In和P���成稳定化合物的行为，揭示了比接触电阻降低于3×10~(-6)Ω·cm~2的根本原因。

In_(0.5)Ga_(0.5)P/GaAs 材料系中有序结构的研究

于2010-11-23批量导入

In_xGa_(1-x)As/InP���变多量子阱P-i-N结构的GSMBE生长及X射线双晶衍射研究

国家863计划

Zn扩散工艺在降低VCSEL p���DBR串联电阻中的应用

于2010-11-23批量导入