Cedula de Sanidad que concede el Santo Hospital General de Valencia à muchas de las Poesias, que adornaron las calles ... en la passada Fiesta de la tercera Centuria de la Canonizacion de San Vicente Ferrer, celebrada en 29 de Junio de 1755

Tít. tomado de principio de texto

Demostracion del establecimiento del Hospital Militar de Convalecencia titulado de S. Fernando de la Ciudad de Valencia : y de los donativos hechos por este ilustre vecindario para su habilitacion

Alcance y contenido: Incluye Oficio de remisión manuscrito que acompañaba a la "Demostracion...", firmado por José Canga Argüelles, Intendente en Comisión por el rey, y dirigido al Presidente y vocales de la Junta Superior, indicándo que junto al oficio le envía 40 ejemplares del mencionado impreso y fechado en Valencia a 16 de noviembre de 1809.

La Conquista de Valencia por el Rey D. Jayme

Según Palau III, 57942 : En las Actas del Ayuntamiento de Valencia de 1778 consta ser el autor Mariano González Valls

Primera [-segunda] parte de los famosos romances del gigante cananeo San Christoval : dase cuenta como por orden de Jesu-Christo dexò de ser general de los exercitos del rey Dagno ... y como el mismo Christo le dio el nombre de Christoval ...

Sign.: []2

Crónica: Los servicios de arquitectura del Ayuntamiento de La Habana. La I Exposición de Bellos Oficios y una Exposición hipotética de mobiliario popular. Al pasar en el tren. El castillo de la Mota

Los servicios de arquitectura del Ayuntamiento de La Habana. La I Exposición de Bellos Oficios y una Exposición hipotética de mobiliario popular. Al pasar en el tren. El castillo de la Mota

El jardín clásico en España : un análisis arquitectónico

Si bien se han ido realizando análisis sistemáticos desde el punto de vista arquitectónico de los diferentes jardines nacionales europeos, el jardín clásico español, a pesar del importante incremento de bibliografía operado en la última década, no ha sido todavía estudiado desde los criterios compositivos y espaciales propios de la disciplina arquitectónica. Responde el jardín clásico español a una organización perspectiva que proviene de las construcciones espaciales originadas y desarrolladas en Italia durante los siglos XV y XVI; establece, además, una importante conexión con la arquitectura de jardines contemporánea, es decir, las grandes corrientes europeas –desde el jardín renacentista italiano al barroco francés-, que asume, interpreta e incluso supera en cuanto a organización unitaria e integración con su entorno en varios ejemplos señeros. Pero esta imbricación europea se ve puntualizada por una influencia primordial: el concepto islámico del espacio arquitectónico, caracterizado por la fragmentación y la pérdida de la axialidad, que en España se extiende de forma generalizada. Fusionada con los principios perspectivos provenientes de Italia, esta concepción espacial proporciona a los jardines –y demás edificios- una gran riqueza espacial que, poco analizada y mal comprendida, se ha considerado habitualmente como falta de pericia compositiva. Este hecho ha negado a los jardines españoles originalidad alguna –otorgada, en cambio, a los hispanomusulmanes- y una clasificación periférica en la historia de la disciplina. El jardín clásico español presenta tres etapas principales: una primera, durante los siglos XVI y XVII, que se podría denominar renacentista; una segunda, en la primera mitad del siglo XVIII, de ascendencia barroca francesa, y, por último, en la segunda mitad del Ochocientos, el jardín neoclásico, que en buena medida retoma la organización formal de la primera etapa renacentista. Las tres influencias preponderantes en el jardín renacentista español son la hispanomusulmana, procedente de la ocupación islámica en España desde el siglo VIII hasta el XV, cuya estela se mantiene durante todo el desarrollo del jardín clásico; una flamenca, de menor calado y cuyo origen está en los contactos políticos de la corona española con Flandes, y, por último, la italiana, de donde procederá la espacialidad perspectiva propia del Renacimiento, extendida por toda Europa y conocida en España asimismo por vínculos políticos y culturales. El jardín hispanomusulmán va a proporcionar los rasgos distintivos de la jardinería española posterior, derivados de la necesaria adaptación compositiva a un medio físico poco idóneo para la implantación de jardines. Esta cuestión se soluciona tradicionalmente de forma perfecta con el patio y el apoyo de una serie de elementos arquitectónicos de carácter ligero articulados aleatoriamente con la vivienda para organizar su entorno, operación que produce un organismo superior asimétrico y estructurado a partir de pequeños fragmentos ordenados por ejes quebrados, cuyo crecimiento no presupone un cambio en las cualidades espaciales del jardín. Esta ordenación quebrada y la fragmentación espacial tienden a embarazar la unidad perspectiva renacentista, de tal forma que el jardín español no presenta grandes ejes visuales ni espacios fugados, sino pequeñas piezas independientes –adaptadas mejor a la corrección climática y al riego- que se agregan sin intención de regularidad o simetría, pues buscan la ambigüedad espacial mediante la ofuscación de la percepción y orientación en el jardín, como sucedía en las obras hispanomusulmanas. El jardín renacentista español tendrá una doble vertiente dependiendo del medio físico donde se asiente: si este es poco propicio a la implantación de jardines, se recuperará la ordenación espacial medieval musulmana como respuesta compositiva a dicho entorno remiso, pues los ensayos de jardines basados en elementos arquitectónicos, ante la dificultad de estructurar el espacio del jardín en España con las componentes naturales –topografía, vegetación y agua-, se realizaron con éxito y se reutilizaron en siglos posteriores, e incluso alcanzan el momento actual; contemporáneamente, en territorios propicios a la creación de jardines –generalmente, riberas de ríos-, se podrá desarrollar el espacio perspectivo unitario italiano, que producirá ejemplos de gran calidad. Así, Felipe II creará de forma simultánea jardines muy diferentes según su ubicación. Entre los de carácter más medieval destacan los del Alcázar de Madrid y Valsaín –con el antecedente de Yuste, promovido por Carlos V-, y de los plenamente renacentistas, la Casa de Campo, El Escorial y Aranjuez, éstos últimos de Juan Bautista de Toledo. Los dos primeros se organizan con varios recintos independientes articulados por ejes quebrados y ordenados a partir de elementos ligeros –galerías, torreones, miradores- que se proyectan hacia el exterior para dar forma al entorno inmediato del palacio. Los últimos, en cambio, utilizan las posibilidades del medio natural para estructurar los jardines, y establecen magníficos ejes de raigambre renacentista, origen de espacios perspectivos unitarios de gran interés, dado su tamaño y temprana fecha de creación. Así, en la Casa de Campo la villa se articula con un jardín llano cuya unidad espacial no tiene parangón en la Italia del momento; en Aranjuez, el Jardín de la Isla, independiente en su trazado del palacio que lo propicia, presenta una superposición de dos ejes con gradientes en sentido contrario, y una ordenación a escala territorial, las Huertas de Picotajo, con una malla focalizada de doble simetría adaptada a un difícil meandro del río Jarama y con capacidad de extensión ilimitada en la vega de Aranjuez, que es contemporánea pero mucho más evolucionada que los primeros tridentes creados en Italia y anterior en un siglo a las formalizaciones de Versalles. Frente a estas realizaciones reales, en España los jardines nobiliarios responden a una clara influencia medieval, como los del duque de Alcalá en Bornos, el marqués de Mondéjar, Bellaflor en Sevilla, la Casa del Rey en Arganda o el cigarral de Buenavista en Toledo. Pero en paralelo con éstos y promovidos por nobles conectados con Italia, se están implantando jardines de hispanomusulmana-, en fechas incluso anteriores a los construidos por la corona. Así, el marqués de Villena construye en Cadalso de los Vidrios un jardín con una tempranísima ordenación en terrazas que se integra con su entorno; el duque de Alba en Abadía realiza la misma operación con mayor desarrollo espacial; y en Béjar por el duque de esta ciudad salmantina se establece otro jardín de clara espacialidad italiana, pero con la casa fuera de la ordenación. El siglo XVII supone, en los escasos ejemplos construidos, la prolongación de la espacialidad renacentista introducida por Juan Bautista de Toledo. Hay una clara continuidad en los jardines aterrazados, como La Zarzuela y La Florida, mientras en el ejemplo llano principal, el Buen Retiro, se atiende más a la fragmentación hispana y a una adaptación de los sistemas de extensión al aumento de escala. Así había sucedido en Italia, donde los jardines de malla ortogonal se convirtieron en grandes parques focalizados, con avenidas arboladas y remates perspectivos, elementos que se repiten en el jardín madrileño, aunque sin la unidad conseguida en los precedentes mediante la focalización. El siglo XVIII va a conocer la nueva dinastía de los Borbones y el jardín barroco francés, que supondrá un cambio radical en la concepción espacial del jardín, aunque la influencia hispana no dejará de producirse. El tamaño de estos jardines, su coste de implantación y mantenimiento y la falta de adaptación al medio físico español serán los factores principales del escaso desarrollo que el jardín de Le Nôtre alcanzó en España. A pesar de los proyectos realizados - algunos de gran calidad, como los de Robert de Cotte para el Buen Retiro, los del Palacio Real Nuevo, el de Riofrío y el del castillo de Villaviciosa de Odón-, sólo se van a construir escasos parterres de los denominados urbanos. Entre ellos hay que destacar los del Buen Retiro, Aranjuez y palacios de Liria, Buenavista y Altamira en Madrid, Piedrahita para los duques de Alba, el convento de Santa Bárbara, Migas Calientes –algunos de éstos quedaron en proyecto-, a los que se añade un gran jardín con todos los componentes, que es San Ildefonso de La Granja. En La Granja se puede encontrar un parque completo a la francesa, que responde en mayor medida a los principios establecidos en el tratado de Dezallier d'Argenville que a la influencia directa de las obras de Le Nôtre. Pero la ordenación canónica de jardín barroco francés se particulariza mediante los dispositivos proyectuales de origen hispano, pues se desjerarquizan los ejes principales impidiendo su continuidad, que queda truncada por desarrollos paralelos, interrupciones perspectivas y ejes quebrados. En la segunda mitad del siglo XVIII, los propios monarcas Borbones recuperarán los jardines regulares de los Austrias, cuyos tipos llano y aterrazado tuvieron un importante desarrollo con Felipe II y Juan Bautista de Toledo y gozaban de un merecido prestigio. Ya con Fernando VI se introdujeron ordenaciones de inspiración renacentista, como en el Jardín del Príncipe de Aranjuez; pero será con su hermano Carlos III cuando se revisen las actuaciones filipinas. Juan de Villanueva fue el autor de los principales jardines del momento -entre ellos, las Casitas realizadas para el príncipe de Asturias, el futuro Carlos IV y su hermano el infante Don Gabriel- aunque Ventura Rodríguez realizó en esos años un magnífico epílogo del jardín aterrazado en España: el palacio para el infante Don Luis en Boadilla del Monte, así como proyectos para el parque del Palacio Real Nuevo. En las Casitas de El Escorial –en menor medida en El Pardo-, Villanueva recoge una larga tradición de jardines aterrazados que, además, inserta magistralmente en su entorno, dentro de la secular tradición española de adaptación al medio físico. Lejos de presentar una lectura canónica, aunque utilizando todos los recursos del tipo, el arquitecto consigue la ambigüedad espacial hispana mediante la superposición en el eje longitudinal de dos gradaciones de dirección contraria, accesos quebrados e interrupción de las visuales y el viario, sin prescindir de una ordenación clásica. También de Villanueva son el proyecto definitivo del Jardín Botánico, de gran claridad compositiva y orden científico, y, para el Palacio Real Nuevo y su entorno, el jardín previo a las Reales Caballerizas y una remodelación de la Casa de Campo y su acceso.

De vita et morb. Ignatii Loiolae qui Societatem Iesu fundavit libri III [Texto impreso]

Colofón

MOVPE growth of III-V semiconductors on silicon for third generation solar cells

Esta Tesis trata sobre el desarrollo y crecimiento -mediante tecnología MOVPE (del inglés: MetalOrganic Vapor Phase Epitaxy)- de células solares híbridas de semiconductores III-V sobre substratos de silicio. Esta integración pretende ofrecer una alternativa a las células actuales de III-V, que, si bien ostentan el récord de eficiencia en dispositivos fotovoltaicos, su coste es, a día de hoy, demasiado elevado para ser económicamente competitivo frente a las células convencionales de silicio. De este modo, este proyecto trata de conjugar el potencial de alta eficiencia ya demostrado por los semiconductores III-V en arquitecturas de células fotovoltaicas multiunión con el bajo coste, la disponibilidad y la abundancia del silicio. La integración de semiconductores III-V sobre substratos de silicio puede afrontarse a través de diferentes aproximaciones. En esta Tesis se ha optado por el desarrollo de células solares metamórficas de doble unión de GaAsP/Si. Mediante esta técnica, la transición entre los parámetros de red de ambos materiales se consigue por medio de la formación de defectos cristalográficos (mayoritariamente dislocaciones). La idea es confinar estos defectos durante el crecimiento de sucesivas capas graduales en composición para que la superficie final tenga, por un lado, una buena calidad estructural, y por otro, un parámetro de red adecuado. Numerosos grupos de investigación han dirigido sus esfuerzos en los últimos años en desarrollar una estructura similar a la que aquí proponemos. La mayoría de éstos se han centrado en entender los retos asociados al crecimiento de materiales III-V, con el fin de conseguir un material de alta calidad cristalográfica. Sin embargo, prácticamente ninguno de estos grupos ha prestado especial atención al desarrollo y optimización de la célula inferior de silicio, cuyo papel va a ser de gran relevancia en el funcionamiento de la célula completa. De esta forma, y con el fin de completar el trabajo hecho hasta el momento en el desarrollo de células de III-V sobre silicio, la presente Tesis se centra, fundamentalmente, en el diseño y optimización de la célula inferior de silicio, para extraer su máximo potencial. Este trabajo se ha estructurado en seis capítulos, ordenados de acuerdo al desarrollo natural de la célula inferior. Tras un capítulo de introducción al crecimiento de semiconductores III-V sobre Si, en el que se describen las diferentes alternativas para su integración; nos ocupamos de la parte experimental, comenzando con una extensa descripción y caracterización de los substratos de silicio. De este modo, en el Capítulo 2 se analizan con exhaustividad los diferentes tratamientos (tanto químicos como térmicos) que deben seguir éstos para garantizar una superficie óptima sobre la que crecer epitaxialmente el resto de la estructura. Ya centrados en el diseño de la célula inferior, el Capítulo 3 aborda la formación de la unión p-n. En primer lugar se analiza qué configuración de emisor (en términos de dopaje y espesor) es la más adecuada para sacar el máximo rendimiento de la célula inferior. En este primer estudio se compara entre las diferentes alternativas existentes para la creación del emisor, evaluando las ventajas e inconvenientes que cada aproximación ofrece frente al resto. Tras ello, se presenta un modelo teórico capaz de simular el proceso de difusión de fosforo en silicio en un entorno MOVPE por medio del software Silvaco. Mediante este modelo teórico podemos determinar qué condiciones experimentales son necesarias para conseguir un emisor con el diseño seleccionado. Finalmente, estos modelos serán validados y constatados experimentalmente mediante la caracterización por técnicas analíticas (i.e. ECV o SIMS) de uniones p-n con emisores difundidos. Uno de los principales problemas asociados a la formación del emisor por difusión de fósforo, es la degradación superficial del substrato como consecuencia de su exposición a grandes concentraciones de fosfina (fuente de fósforo). En efecto, la rugosidad del silicio debe ser minuciosamente controlada, puesto que éste servirá de base para el posterior crecimiento epitaxial y por tanto debe presentar una superficie prístina para evitar una degradación morfológica y cristalográfica de las capas superiores. En este sentido, el Capítulo 4 incluye un análisis exhaustivo sobre la degradación morfológica de los substratos de silicio durante la formación del emisor. Además, se proponen diferentes alternativas para la recuperación de la superficie con el fin de conseguir rugosidades sub-nanométricas, que no comprometan la calidad del crecimiento epitaxial. Finalmente, a través de desarrollos teóricos, se establecerá una correlación entre la degradación morfológica (observada experimentalmente) con el perfil de difusión del fósforo en el silicio y por tanto, con las características del emisor. Una vez concluida la formación de la unión p-n propiamente dicha, se abordan los problemas relacionados con el crecimiento de la capa de nucleación de GaP. Por un lado, esta capa será la encargada de pasivar la subcélula de silicio, por lo que su crecimiento debe ser regular y homogéneo para que la superficie de silicio quede totalmente pasivada, de tal forma que la velocidad de recombinación superficial en la interfaz GaP/Si sea mínima. Por otro lado, su crecimiento debe ser tal que minimice la aparición de los defectos típicos de una heteroepitaxia de una capa polar sobre un substrato no polar -denominados dominios de antifase-. En el Capítulo 5 se exploran diferentes rutinas de nucleación, dentro del gran abanico de posibilidades existentes, para conseguir una capa de GaP con una buena calidad morfológica y estructural, que será analizada mediante diversas técnicas de caracterización microscópicas. La última parte de esta Tesis está dedicada al estudio de las propiedades fotovoltaicas de la célula inferior. En ella se analiza la evolución de los tiempos de vida de portadores minoritarios de la base durante dos etapas claves en el desarrollo de la estructura Ill-V/Si: la formación de la célula inferior y el crecimiento de las capas III-V. Este estudio se ha llevado a cabo en colaboración con la Universidad de Ohio, que cuentan con una gran experiencia en el crecimiento de materiales III-V sobre silicio. Esta tesis concluye destacando las conclusiones globales del trabajo realizado y proponiendo diversas líneas de trabajo a emprender en el futuro. ABSTRACT This thesis pursues the development and growth of hybrid solar cells -through Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE)- formed by III-V semiconductors on silicon substrates. This integration aims to provide an alternative to current III-V cells, which, despite hold the efficiency record for photovoltaic devices, their cost is, today, too high to be economically competitive to conventional silicon cells. Accordingly, the target of this project is to link the already demonstrated efficiency potential of III-V semiconductor multijunction solar cell architectures with the low cost and unconstrained availability of silicon substrates. Within the existing alternatives for the integration of III-V semiconductors on silicon substrates, this thesis is based on the metamorphic approach for the development of GaAsP/Si dual-junction solar cells. In this approach, the accommodation of the lattice mismatch is handle through the appearance of crystallographic defects (namely dislocations), which will be confined through the incorporation of a graded buffer layer. The resulting surface will have, on the one hand a good structural quality; and on the other hand the desired lattice parameter. Different research groups have been working in the last years in a structure similar to the one here described, being most of their efforts directed towards the optimization of the heteroepitaxial growth of III-V compounds on Si, with the primary goal of minimizing the appearance of crystal defects. However, none of these groups has paid much attention to the development and optimization of the bottom silicon cell, which, indeed, will play an important role on the overall solar cell performance. In this respect, the idea of this thesis is to complete the work done so far in this field by focusing on the design and optimization of the bottom silicon cell, to harness its efficiency. This work is divided into six chapters, organized according to the natural progress of the bottom cell development. After a brief introduction to the growth of III-V semiconductors on Si substrates, pointing out the different alternatives for their integration; we move to the experimental part, which is initiated by an extensive description and characterization of silicon substrates -the base of the III-V structure-. In this chapter, a comprehensive analysis of the different treatments (chemical and thermal) required for preparing silicon surfaces for subsequent epitaxial growth is presented. Next step on the development of the bottom cell is the formation of the p-n junction itself, which is faced in Chapter 3. Firstly, the optimization of the emitter configuration (in terms of doping and thickness) is handling by analytic models. This study includes a comparison between the different alternatives for the emitter formation, evaluating the advantages and disadvantages of each approach. After the theoretical design of the emitter, it is defined (through the modeling of the P-in-Si diffusion process) a practical parameter space for the experimental implementation of this emitter configuration. The characterization of these emitters through different analytical tools (i.e. ECV or SIMS) will validate and provide experimental support for the theoretical models. A side effect of the formation of the emitter by P diffusion is the roughening of the Si surface. Accordingly, once the p-n junction is formed, it is necessary to ensure that the Si surface is smooth enough and clean for subsequent phases. Indeed, the roughness of the Si must be carefully controlled since it will be the basis for the epitaxial growth. Accordingly, after quantifying (experimentally and by theoretical models) the impact of the phosphorus on the silicon surface morphology, different alternatives for the recovery of the surface are proposed in order to achieve a sub-nanometer roughness which does not endanger the quality of the incoming III-V layers. Moving a step further in the development of the Ill-V/Si structure implies to address the challenges associated to the GaP on Si nucleation. On the one hand, this layer will provide surface passivation to the emitter. In this sense, the growth of the III-V layer must be homogeneous and continuous so the Si emitter gets fully passivated, providing a minimal surface recombination velocity at the interface. On the other hand, the growth should be such that the appearance of typical defects related to the growth of a polar layer on a non-polar substrate is minimized. Chapter 5 includes an exhaustive study of the GaP on Si nucleation process, exploring different nucleation routines for achieving a high morphological and structural quality, which will be characterized by means of different microscopy techniques. Finally, an extensive study of the photovoltaic properties of the bottom cell and its evolution during key phases in the fabrication of a MOCVD-grown III-V-on-Si epitaxial structure (i.e. the formation of the bottom cell; and the growth of III-V layers) will be presented in the last part of this thesis. This study was conducted in collaboration with The Ohio State University, who has extensive experience in the growth of III-V materials on silicon. This thesis concludes by highlighting the overall conclusions of the presented work and proposing different lines of work to be undertaken in the future.

Oliveros de Castilla [Texto impreso] : Historia de los nobles, y esforçados caualleros Oliveros de Castilla, y su buen amigo, y hermano en armas Artus de Algarve

Sign.: A-F8, G4

Tomus III Operum D. Aurelii Augustini Hipponensis Episcopi : [Texto impreso] complectens Ta didaktika hoc est quae proprie ad docendum pertinent ad veterum codicum collationem per theologos louanienses emendatus

Colofón

Academia de Valencia : En celebración de la gloriosa entrada en los dominios de España y feliz cumplimento de años del Rey Nuestro Señor Don Felipe IV ... executada en la casa de la Diputacion del Reyno de Valencia el dia 2. de febrero 1704 ...

Hay un ejemplar encuadernado con: Las fiestas de Valencia (XVIII/4276).

Discurso pronunciado por el Excmo. Sr. D. Rafael Portaencasa Baeza, Rector Magnífico de la Universidad Politécnica de Madrid, en el Acto celebrado con motivo de la festividad de Santo Tomás de Aquino 1988-89

Discurso ofrecido por D. Rafael Portaencasa, en calidad de Rector de la Universidad Politécnica de Madrid, con motivo de la festividad de Santo Tomás de Aquino. Se menciona a D. Fernando Ruíz García, Catedrático de la Escuela Universitaria de Ingeniería Técnica Agrícola, recientemente jubilado, y a D. José Antonio Martín Pereda, entre otras personalidades destacadas de la UPM. El autor reflexiona posteriormente sobre la situación que se vive en Europa y en España en 1989 y cómo la universidad debe ofrecer un servicio de calidad a la sociedad

[Copia del Bando de Fernando VII de 1790 prohibiendo la petición de limosnas en el Reino de Valencia, Murcia, Provincia de la Mancha y otros territorios agregados, publicado en la Audiencia de Valencia. Certificado por D. Vicente Esteve] [Texto impreso]

Hay un ejemplar encuadernado con: La Real Compañia formada por S.M. para llevar a efecto el canal de navegación y riego del reyno de Murcia, las... experiencias de que informa D. Domingo Aguirre... le han confirmado en los abusos y fraudes que hacen muchos... (XVIII/4279).