920 resultados para graded
Resumo:
“Teamwork” is one of the abilities most valued by employers. In [16] we describe the process of adapting to the ECTS methodologies (for ongoing assessment), a course in computer programming for students in a technical degree (Marine Engineering, UPM) not specifically dedicated to computing. As a further step in this process we have emphasized cooperative learning. For this, the students were paired and the work of each pair was evaluated via surprise tests taken and graded jointly, and constituting a substantial part of the final grade. Here we document this experience, discussing methodological aspects, describing indicators for measuring the impact of these methodologies on the educational experience, and reporting on the students’ opinion of it.
Resumo:
In this work, one-dimensional arrays of cylindrical adaptive liquid crystal lenses were manufactured and characterized; and test devices were filled with nematic liquid crystal. Comb interdigitated electrodes were designed as a mask pattern for the control electrode on the top glass substrates. A radial graded refractive index along each microsized lens was achieved by fabricating a layer of high resistance sheet deposited as a control electrode. These tunable lenses were switched by applying amplitude and frequency optimized waveforms on the control electrode. Phase profiles generated by the radial electric field distribution on each lens were measured by a convectional interferometric technique.
Resumo:
El deporte de la esgrima no siempre ha sido considerado como actualmente se conoce, ni tampoco el empleo de las armas ha sido el mismo en las diferentes épocas de la historia. Si nos centramos en la española, podemos decir que se hablaba de una forma particular de hacer esgrima, la cual era muy apreciada por el resto de los países europeos. También lo era la que se hacía en Italia. Como cualquier actividad que se desarrolla a lo largo del tiempo debe generarse desde unos comienzos. Estos comienzos siempre están en relación a alguna causa. Para centrarnos en nuestro estudio, los comienzos del manejo de la espada, de una manera lógica y razonada, se une en la persona y en la vida de Jerónimo Sánchez Carranza porque hasta que él no se decide a estudiar en profundidad la ciencia de las armas, no se ve con claridad si todo lo que se hacía con ellas era correcto o no y si todo lo que la inmensa mayoría hacía cuando tenía que utilizarlas estaba revestido de cierta coherencia y fundamento, es decir, tenía su verdad que se pudiera demostrar. Carranza estudia la esgrima que se empleaba en su época y en las anteriores y se da cuenta que tiene que dar una nueva visión de la forma de usar las armas, diferente a lo que la gran mayoría entendía hasta entonces. A Carranza se le ha considerado por muchos autores como el inventor de la esgrima española, hecho que se puede leer con bastante facilidad si se hojea algún tratado que hable de la esgrima española, sin embargo también se habla de Luis Pacheco de Narváez asignándole el mismo calificativo, aunn- ;o es posteriora Carranza. or tanto nuestro estudio se ha centrado en la vida de Jerónimo Sánchez Carranza y en ueva forma de emplear las armas por lo que hace que la tesis sea una tesis biográfica de dicho personaje, donde se ha resaltado mucho más el aspecto del manejo de las armas, de la Destreza. Partimos de las siguientes hipótesis: Carranza es el que sienta los principios técnicos dando forma y coherencia a la escuela de esgrima española gracias a sus aportaciones en los distintos aspectos metodológicos, técnicos y tácticos. La escuela de esgrima española tiene una estructura interna, responde a unas características determinadas y sirve de base a la esgrima que posteriormente se practica. Para que el estudio se pudiera llevar a cabo tuvimos que diseñar un esquema donde se pudieran recoger todos los aspectos que estuvieran relacionados con nuestro autor, de ahí surge el porqué de cada uno de los capítulos que hemos confeccionado. Dicho esquema responde a la visión actual de diferentes facetas de lo que hoy se estudia en diversas ciencias y que cuando Carranza vivía aún no se conocían. Para recoger información sobre su persona y su obra tuvimos en cuenta los distintos lugares donde se podía localizar la documentación necesaria, sobre todo Bibliotecas y Archivos, para ir confeccionando el método de trabajo que consistió en la recopilación de fuentes de todo tipo referidas al tema, pasando luego a la interpretación de las mismas. Esto nos dio una visión de conjunto que hizo que nos adentráramos en aquellos aspectos que más tarde tendríamos que analizar con mucho más detenimiento. En la tesis se puede observar dos partes bien diferenciadas que son las relacionadas; por un lado, a su vida y su tratado y, por otro, al contenido de sus teorías que son realmente las que se deben analizar necesariamente bajo unos conocimientos específicos de la actividad de la esgrima. En cuanto a su vida, se han destacado y estudiado los hechos más importantes de los que hay que resaltar, sobre todo, el que fuera considerado como el inventor de la destreza y de la manera tan particular de concebir dicho arte, diferente a lo que hasta ahora se venía haciendo y que dio paso a lo que se entendió por esgrima científica, quedando plasmada de tal manera que dio pie a la creación de una doctrina y una nueva forma de entender la esgrima la cual generó una línea de actuación que fue continuada por numerosos seguidores. Para todo ello tuvo mucho que ver el que Carranza fuera militar, la cultura y los estudios que poseía, así como la situación en la que se encontraba España además de la gente con quien se relacionaba, que por lo general, era gente culta y de clase social alta. Se ha estudiado también dentro del mismo apartado de su vida unos hechos que se le imputan y que en nuestra opinión son erróneos. Hemos considerado como más relevantes el que Carranza no fue quien riñó con Quevedo como se afirma en algunas de las obras que hemos tratado, sino que fue Pacheco quien tuvo dicha riña, ya que más bien Quevedo se mostraba partidario de las enseñanzas de Carranza, estando en contra de Pacheco. Tampoco fue quien inventó el florete como se dice en algunas ocasiones, ya que el florete aparece posteriormente como un arma de estudio de la técnica de la esgrima. Con respecto al apartado de su obra, se debe decir que tan solo escribió un único tratado que se publicó en 1582, aunque estaba acabado desde el año 1569. En el apartado de su escuela se debe destacar los fundamentos en los que basó sus postulados para que la destreza alcanzara el mismo nivel de las demás artes liberales y que lo hizo a través del estudio de la propia destreza. A lo largo del estudio que hemos realizado se puede apreciar cómo se está generando un arte que hasta ahora no había sido estudiado, viéndose los problemas que ello suponía, desde la organización de la materia a tratar, hasta cómo se debía enseñar, pasando a veces a tener que denominar conceptos de nueva aparición o renombrar y modificar antiguos que estaban anclados en puntos de partida equivocados, siendo éstos los que mayor trabajo le supuso. Diferencia bien dos aspectos básicos que debían existir en cualquier arte y más concretamente en la destreza que son: la teoría y la práctica, ambas deben estar en base a la razón ya que sería una de las formas por la que la destreza perduraría en el tiempo, junto con que esta razón estuviera apoyada en otras ciencias y con los principios de ellas. Carranza fue de la opinión de que el diestro debía conocer mediante el estudio, los elementos fundamentales con los que había que trabajar la destreza, estos elementos son el cuerpo del diestro y las armas, porque ambos van a intervenir en cualquier gesto o acción que se vaya a realizar. Del cuerpo estudió cada una de las partes que más importancia tiene cada vez que el diestro interviene y lo hace sobre todo en base a la medicina, relacionándolo con las matemáticas para poder sacar el máximo provecho, aconsejando que por el conocimiento del propio cuerpo, como el del contrario, se podrá emplear en determinadas situaciones, que si no se supiera de ello, no se sacaría el mismo resultado. De las armas lo que más resaltó fue, por un lado, que la espada debía ser el único arma que el diestro debía utilizar y, por otro, el hecho de que la espada la graduara para poder demostrar que no se hacia todo igual con las distintas partes de la misma porque no todo el arma tenía las mismas propiedades cuando se actuaba con ella. Una de las recomendaciones que dio fue que con la parte más próxima a la empuñadura se debía practicar la defensa por tener más fuerza con esta parte que con la punta y lo demostró con principios matemáticos. Se puede ver con la lectura de la tesis cómo Carranza aporta una nueva forma de trabajo en la que le da mucha importancia a la aplicación de los conocimientos, que previamente se han adquirido y para ello, es importante conocer bien los puntos fuertes y débiles del adversario. La adquisición de la práctica se debe realizar a través de la repetición para crear el hábito necesario que haga que el gesto salga fluido en cada uno de los movimientos que el diestro ejecute. Todo esto no sería posible si quien lo enseña no conoce cada uno de los elementos que intervienen en la destreza, por tanto, a la figura del maestro le da un lugar de una gran relevancia, ya que va a ser él quien tenga que guiar a los alumnos que enseñe. Lo primero que debe hacer los maestros es procurar saber lo máximo de la materia que va a enseñar, por lo que el maestro debe saber casi todo sobre la teoría y la práctica de la destreza, pero además esta teoría y práctica debe ser la correcta. Carranza persigue con su estudio, establecer los principios de la destreza, por lo menos, los más importantes, aunque fueran elementales, para que posteriormente se siguiera trabajando sobre ellos y poder conseguir que la destreza tenga cuerpo y forma de arte liberal, pudiéndose estudiar como cualquier otra, así de esta manera se haría un bien público, ya que los jóvenes se instruirían eficazmente en el uso de las armas, aunque el verdadero fin se encuentra en la conservación de la vida como manda la Fe Católica, siendo la destreza uno de los medios más eficaces para conseguirlo. Hemos dedicado un apartado de técnica y de táctica donde se refleja todo lo relacionado con las posiciones y movimientos que debe realizar el diestro para llegar a conseguir su objetivo, que es herir sin ser herido. Se han analizado las distintas tretas y el porqué de cada una desde el punto de vista del gesto y del movimiento. Si lo que se hace en destreza se relaciona con el adversario, nos adentramos en el terreno de la táctica donde se han estudiado como más importantes los conceptos del tiempo y la distancia, así como las energías que debe conservar el diestro para poder llevar a cabo un combate y del mismo salir victorioso sin llegar al agotamiento. Concluimos diciendo que de todo el estudio que se ha realizado, se ha podido comprobar que Carranza fue quien dotó a la destreza de unos principios técnicos, tácticos y metodológicos, por su forma de concebir este nuevo arte, así como que por la manera en que estableció sus teorías hizo que la destreza que se practicaba en España disfrutara de una estructura interna coherente que perduró a través de los años. SUMMARY The sport of fencing has not always been the respected sport that we know it to be today ñor has the use of weapons been the same throughout history. If we concéntrate on Spainish weapons, we can say that one particular type of sword ¡s spoken about. this sword being very respected by outher European countries, it was also the one that was respected and used in Italy. As with any activity that develops in time, it must evlove from some simple beginnings. Such basics beginnings are always in relation to a cause. To concéntrate on our study, the beginnings are, the use of the sword in a reasoned and logical manner, brought together in the life and times of Jerónimo Sánchez Carranza because until he decided to study in depth the science of weapons, we cannot see with calrity if their use was correct or not and if the vast majority , when they had to use them, used any foundation or coherence, that ¡s to say if any exactness of logical use could be demonstrated. Carranza studied the sword used in his time and those that had gone before, bearing in mind that he had a new visión of the form of use of weapons, different to what the vast majority had until then understood. Carranza has been considered by many historians as the inventor of the Spanish sword, a fact which can be seen with relative ease if one flicks through any work which deals with the Spanish sword, however, they also speak of Luis Pacheco de Narváez affording him the same title, even though he followed Carranza. In ar H our study has been centred on the life of Jerónimo Sánchez Carranza and his ne-" use of weapons. In effect this thesis is a biographical thesis of the said wherein the aspect of the use of weapons stands out more than their mastery. Given the following hypothesis: It was Carranza who evolved the first techniques giving form and coherence to the .Spanish School of Fencing, thanks to his contributions to the different aspects of method, íechnique and tactic. The Spanish School of Fencing had an ¡nternal structure anaswerable to pre-detremined characteristics and served as a base for the fencing that was to, in later days, be practised. For this study to come to a head, we had to design a plan wherein we could collate all of the aspects we could, related to our inventor. From there springs the reason for each of the chapters that we have put together. The said plan responding to the actual visión of different facets that are studied today in different sciences, that were not known in Carranza's lifetime. To collect information on his person and his works we bore in mind the different places in which we could lócate the necessary documentation, above all in libraries and archives. Developing the work-method that consisted in extracing from every source, every thing relative to the theme, re-writing later our interpretation of the same. This brought us closer and made us focus of those aspects that much later we would have to analize in greater detail. In the thesis one can observe two defferent parts that are related; on the one hand his life and works and on the other his theories, which are those that should be really analised and as such, necessarily analised within the confines of a specific knowledge of fencing. In that his life has been isolated and studied the most important facts that stand out above all, is that he was considered to be the inventor of swordmanship and the particular manner of interpreting the said art, different to its interpretaion uptil then. It gave a footing to what they understood as scientific fencing, giving shape and form to the creation of a doctrine and a new form of fencing which developed a line of action that was continued by numerious followers. For all that, much had to do with the facts that Carranza was a military man, the culture, the level of studies he had and the situation in which he found himself. What's more the people with whom he mixed were, in general, cultured and of high social standing. We have also seen in the same article on his life some dubious facts which in our opinión are erróneos. We have considered the most relevent to be that it wasnt Carranza who was in dispute with Quevedo as is stated in some of the works with which we have dealt but rather it was with Pacheco he had such disputes. What's more Quevedo demonstrated his partiality to the teachings of Carranza, going against Pacheco ñor was it him who invented The Florete, a famous Spanish sword, as was said on some ocassions, eventhough the florete appeared later as a weapon in the study of fencing technique. With respect to the article on his works, we must say that there was only one article which was published in 1582, even though it was finished in 1569. In the article on his life one must distinguish between the foundations on which he based his teachings in which swordmanship reached the same levéis as other libral art forms and what he did through the study of the self same mastery. Throughout the study which we have done, one can appreciate how he was developing an art which uptill then had not been studied, seeing for himself the problems he had fortold, from the organisation of materials at hand to how it should be taught, at times having to domínate comparative concepts again or clarify and modify ones which were anchored in erróneos points of a fencing match, feeling these to be the main forseeable jobs-at-hand. Differenciating between two basic concepts which must exist in whatever arte form and more concretly in the skill that is; the theory and practice , both being fundamental to the reason why the skill endured through time, together with this reason he was supported by other sciences and the beginnings of such. Carranza was of the opinión that the swordsman must acquired by way of study, the fundemental elements with which he had to work, these elements being the body of the swordsman and the weapons, because both were going to intervene in whatever movement or action that was going to be taken. The body studied, each of the parts having more importance each time the skill intervened and above all what it did based on medicne relating it to matemathics to exact the máximum advantage, one could employ in certain circumstances, that if they were not employed, the same advantages would not result. On weapons, what resulted best was, on the one hand, the sword should be the only weapon that the swordsman should use and on the other hand, the sword should be graded to show that one cannot do the same with the different parts of the same because not all of the weapon had the same properties when used. One of the recomendations he made was that the part nearest to the hand-guard should be used for defence because one could use more forcé with it than the point and he demonstrated this with mathematical principies. One can see on reading this thesis how Carranza brought forth a new work form, in which he put much importance on the application of experience that had previously been acquired and because of it, it was important to know well the strenghts and weaknesses of an adversery. The acquisition of technique should be realised through repetition to form the habit necessary for movement to flow freely each time the swordsman executed a movement. None of this would be possible if whoever was teaching did not know each one of the elements that intervened, affording the fencing master a great reverence, in that it was he who had to guide the students he was to teach. The first thing that the master had to do was to make sure he had the maximun knowledge over which he was going to teach, to that end, the master had to know almost everything about the theory and practice of the skill of fencing but what's more that such theory and practice had to be the correct one. Carranza persued his studies, establishing the principies of technique, at least, the most important ones even though they were elementary, so that later they could continué working on them and it could be seen that the technique had a shape and form of any other art form, allowing it to be studied like any other form, as such it had a good following, even young people could be instructed in the correct use of weapons, however the real end could be found in the conservaron of life as ordered by the Catholic Church, feeling that skill with the sword was one of the most effective methods for assuring it. We have dedicated an article to technique and tactics wherein is reflected everything related to positions and movement that the swordsman must do to achieve his objective, that is, wound without being wounded. We have analised the different tricks and the reasons from every point of view of movement and action. If what is done by technique is related with the adversery we enter in the territory of tactics wherein we have studied, most importantly, the concepts of time and distance just as, the energy the swordsman muse conserve to bring to a head a bout and arrive victorious without being exhausted. We conclude by saying that everything that has been realised by this study, has shown that it was Carranza who gave to the skill, the first basic techniques, tactics and methodology, by his conception of this new art form, just as the manner in which he established his theories, made possible the tecnhiques practiced in Spain would enjoy an intemal coherent structure, which would endure throughout the years.
Resumo:
Permanent displacements of a gas turbine founded on a fine, poorly graded, and medium density sand are studied. The amplitudes and modes of vibration are computed using Barkan´s formulation, and the “High-Cycle Accumulation” (HCA) model is employed to account for accumulated deformations due to the high number of cycles. The methodology is simple: it can be easily incorporated into standard mathematical software, and HCA model parameters can be estimated based on granulometry and index properties. Special attention is devoted to ‘transient’ situations at equipment´s start-up, during which a range of frequencies – including frequencies that could be similar to the natural frequencies of the ground – is traversed. Results show that such transient situations could be more restrictive than stationary situations corresponding to normal operation. Therefore, checking the stationary situation only might not be enough, and studying the influence of transient situations on computed permanent displacements is needed to produce a proper foundation design
Self assembled and ordered group III nitride nanocolumnar structures for light emitting applications
Resumo:
El objetivo de este trabajo es un estudio profundo del crecimiento selectivo de nanoestructuras de InGaN por epitaxia de haces moleculares asistido por plasma, concentrandose en el potencial de estas estructuras como bloques constituyentes en LEDs de nueva generación. Varias aproximaciones al problema son discutidas; desde estructuras axiales InGaN/GaN, a estructuras core-shell, o nanoestructuras crecidas en sustratos con orientaciones menos convencionales (semi polar y no polar). La primera sección revisa los aspectos básicos del crecimiento auto-ensamblado de nanocolumnas de GaN en sustratos de Si(111). Su morfología y propiedades ópticas son comparadas con las de capas compactas de GaN sobre Si(111). En el caso de las columnas auto-ensambladas de InGaN sobre Si(111), se presentan resultados sobre el efecto de la temperatura de crecimiento en la incorporación de In. Por último, se discute la inclusión de nanodiscos de InGaN en las nanocolumnas de GaN. La segunda sección revisa los mecanismos básicos del crecimiento ordenado de nanoestructuras basadas en GaN, sobre templates de GaN/zafiro. Aumentando la relación III/V localmente, se observan cambios morfológicos; desde islas piramidales, a nanocolumnas de GaN terminadas en planos semipolares, y finalmente, a nanocolumnas finalizadas en planos c polares. Al crecer nanodiscos de InGaN insertados en las nanocolumnas de GaN, las diferentes morfologias mencionadas dan lugar a diferentes propiedades ópticas de los nanodiscos, debido al diferente carácter (semi polar o polar) de los planos cristalinos involucrados. La tercera sección recoge experimentos acerca de los efectos que la temperatura de crecimiento y la razón In/Ga tienen en la morfología y emisión de nanocolumnas ordenadas de InGaN crecidas sobre templates GaN/zafiro. En el rango de temperaturas entre 650 y 750 C, la incorporacion de In puede modificarse bien por la temperatura de crecimiento, o por la razón In/Ga. Controlar estos factores permite la optimización de la longitud de onda de emisión de las nanocolumnas de InGaN. En el caso particular de la generación de luz blanca, se han seguidos dos aproximaciones. En la primera, se obtiene emisión amarilla-blanca a temperatura ambiente de nanoestructuras donde la región de InGaN consiste en un gradiente de composiciones de In, que se ha obtenido a partir de un gradiente de temperatura durante el crecimiento. En la segunda, el apilamiento de segmentos emitiendo en azul, verde y rojo, consiguiendo la integración monolítica de estas estructuras en cada una de las nanocolumnas individuales, da lugar a emisores ordenados con un amplio espectro de emisión. En esta última aproximación, la forma espectral puede controlarse con la longitud (duración del crecimiento) de cada uno de los segmentos de InGaN. Más adelante, se presenta el crecimiento ordenado, por epitaxia de haces moleculares, de arrays de nanocolumnas que son diodos InGaN/GaN cada una de ellas, emitiendo en azul (441 nm), verde (502 nm) y amarillo (568 nm). La zona activa del dispositivo consiste en una sección de InGaN, de composición constante nominalmente y longitud entre 250 y 500 nm, y libre de defectos extendidos en contraste con capas compactas de InGaN de similares composiciones y espesores. Los espectros de electroluminiscencia muestran un muy pequeño desplazamiento al azul al aumentar la corriente inyectada (desplazamiento casi inexistente en el caso del dispositivo amarillo), y emisiones ligeramente más anchas que en el caso del estado del arte en pozos cuánticos de InGaN. A continuación, se presenta y discute el crecimiento ordenado de nanocolumnas de In(Ga)N/GaN en sustratos de Si(111). Nanocolumnas ordenadas emitiendo desde el ultravioleta (3.2 eV) al infrarrojo (0.78 eV) se crecieron sobre sustratos de Si(111) utilizando una capa compacta (“buffer”) de GaN. La morfología y eficiencia de emisión de las nanocolumnas emitiendo en el rango espectral verde pueden ser mejoradas ajustando las relaciones In/Ga y III/N, y una eficiencia cuántica interna del 30% se deriva de las medidas de fotoluminiscencia en nanocolumnas optimizadas. En la siguiente sección de este trabajo se presenta en detalle el mecanismo tras el crecimiento ordenado de nanocolumnas de InGaN/GaN emitiendo en el verde, y sus propiedades ópticas. Nanocolumnas de InGaN/GaN con secciones largas de InGaN (330-830 nm) se crecieron tanto en sustratos GaN/zafiro como GaN/Si(111). Se encuentra que la morfología y la distribución espacial del In dentro de las nanocolumnas dependen de las relaciones III/N e In/Ga locales en el frente de crecimiento de las nanocolumnas. La dispersión en el contenido de In entre diferentes nanocolumnas dentro de la misma muestra es despreciable, como indica las casi identicas formas espectrales de la catodoluminiscencia de una sola nanocolumna y del conjunto de ellas. Para las nanocolumnas de InGaN/GaN crecidas sobre GaN/Si(111) y emitiendo en el rango espectral verde, la eficiencia cuántica interna aumenta hasta el 30% al disminuir la temperatura de crecimiento y aumentar el nitrógeno activo. Este comportamiento se debe probablemente a la formación de estados altamente localizados, como indica la particular evolución de la energía de fotoluminiscencia con la temperatura (ausencia de “s-shape”) en muestras con una alta eficiencia cuántica interna. Por otro lado, no se ha encontrado la misma dependencia entre condiciones de crecimiento y efiencia cuántica interna en las nanoestructuras InGaN/GaN crecidas en GaN/zafiro, donde la máxima eficiencia encontrada ha sido de 3.7%. Como alternativa a las nanoestructuras axiales de InGaN/GaN, la sección 4 presenta resultados sobre el crecimiento y caracterización de estructuras core-shell de InGaN/GaN, re-crecidas sobre arrays de micropilares de GaN fabricados por ataque de un template GaN/zafiro (aproximación top-down). El crecimiento de InGaN/GaN es conformal, con componentes axiales y radiales en el crecimiento, que dan lugar a la estructuras core-shell con claras facetas hexagonales. El crecimiento radial (shell) se ve confirmado por medidas de catodoluminiscencia con resolución espacial efectuadas en un microscopio electrónico de barrido, asi como por medidas de microscopía de transmisión de electrones. Más adelante, el crecimiento de micro-pilares core-shell de InGaN se realizó en pilares GaN (cores) crecidos selectivamente por epitaxia de metal-orgánicos en fase vapor. Con el crecimiento de InGaN se forman estructuras core-shell con emisión alrededor de 3 eV. Medidas de catodoluminiscencia resuelta espacialmente indican un aumento en el contenido de indio del shell en dirección a la parte superior del pilar, que se manifiesta en un desplazamiento de la emisión de 3.2 eV en la parte inferior, a 3.0 eV en la parte superior del shell. Este desplazamiento está relacionado con variaciones locales de la razón III/V en las facetas laterales. Finalmente, se demuestra la fabricación de una estructura pin basada en estos pilares core-shell. Medidas de electroluminiscencia resuelta espacialmente, realizadas en pilares individuales, confirman que la electroluminiscencia proveniente del shell de InGaN (diodo lateral) está alrededor de 3.0 eV, mientras que la emisión desde la parte superior del pilar (diodo axial) está alrededor de 2.3 eV. Para finalizar, se presentan resultados sobre el crecimiento ordenado de GaN, con y sin inserciones de InGaN, en templates semi polares (GaN(11-22)/zafiro) y no polares (GaN(11-20)/zafiro). Tras el crecimiento ordenado, gran parte de los defectos presentes en los templates originales se ven reducidos, manifestándose en una gran mejora de las propiedades ópticas. En el caso de crecimiento selectivo sobre templates con orientación GaN(11-22), no polar, la formación de nanoestructuras con una particular morfología (baja relación entre crecimiento perpedicular frente a paralelo al plano) permite, a partir de la coalescencia de estas nanoestructuras, la fabricación de pseudo-templates no polares de GaN de alta calidad. ABSTRACT The aim of this work is to gain insight into the selective area growth of InGaN nanostructures by plasma assisted molecular beam epitaxy, focusing on their potential as building blocks for next generation LEDs. Several nanocolumn-based approaches such as standard axial InGaN/GaN structures, InGaN/GaN core-shell structures, or InGaN/GaN nanostructures grown on semi- and non-polar substrates are discussed. The first section reviews the basics of the self-assembled growth of GaN nanocolumns on Si(111). Morphology differences and optical properties are compared to those of GaN layer grown directly on Si(111). The effects of the growth temperature on the In incorporation in self-assembled InGaN nanocolumns grown on Si(111) is described. The second section reviews the basic growth mechanisms of selectively grown GaNbased nanostructures on c-plane GaN/sapphire templates. By increasing the local III/V ratio morphological changes from pyramidal islands, to GaN nanocolumns with top semi-polar planes, and further to GaN nanocolumns with top polar c-planes are observed. When growing InGaN nano-disks embedded into the GaN nanocolumns, the different morphologies mentioned lead to different optical properties, due to the semipolar and polar nature of the crystal planes involved. The third section reports on the effect of the growth temperature and In/Ga ratio on the morphology and light emission characteristics of ordered InGaN nanocolumns grown on c-plane GaN/sapphire templates. Within the growth temperature range of 650 to 750oC the In incorporation can be modified either by the growth temperature, or the In/Ga ratio. Control of these factors allows the optimization of the InGaN nanocolumns light emission wavelength. In order to achieve white light emission two approaches are used. First yellow-white light emission can be obtained at room temperature from nanostructures where the InGaN region is composition-graded by using temperature gradients during growth. In a second approach the stacking of red, green and blue emitting segments was used to achieve the monolithic integration of these structures in one single InGaN nanocolumn leading to ordered broad spectrum emitters. With this approach, the spectral shape can be controlled by changing the thickness of the respective InGaN segments. Furthermore the growth of ordered arrays of InGaN/GaN nanocolumnar light emitting diodes by molecular beam epitaxy, emitting in the blue (441 nm), green (502 nm), and yellow (568 nm) spectral range is reported. The device active region, consisting of a nanocolumnar InGaN section of nominally constant composition and 250 to 500 nm length, is free of extended defects, which is in strong contrast to InGaN layers (planar) of similar composition and thickness. Electroluminescence spectra show a very small blue shift with increasing current, (almost negligible in the yellow device) and line widths slightly broader than those of state-of-the-art InGaN quantum wells. Next the selective area growth of In(Ga)N/GaN nanocolumns on Si(111) substrates is discussed. Ordered In(Ga)N/GaN nanocolumns emitting from ultraviolet (3.2 eV) to infrared (0.78 eV) were then grown on top of GaN-buffered Si substrates. The morphology and the emission efficiency of the In(Ga)N/GaN nanocolumns emitting in the green could be substantially improved by tuning the In/Ga and total III/N ratios, where an estimated internal quantum efficiency of 30 % was derived from photoluminescence data. In the next section, this work presents a study on the selective area growth mechanisms of green-emitting InGaN/GaN nanocolumns and their optical properties. InGaN/GaN nanocolumns with long InGaN sections (330-830nm) were grown on GaN/sapphire and GaN-buffered Si(111). The nanocolumn’s morphology and spatial indium distribution is found to depend on the local group (III)/N and In/Ga ratios at the nanocolumn’s top. A negligible spread of the average indium incorporation among different nanostructures is found as indicated by similar shapes of the cathodoluminescence spectra taken from single nanocolumns and ensembles of nanocolumns. For InGaN/GaN nanocolumns grown on GaN-buffered Si(111), all emitting in the green spectral range, the internal quantum efficiency increases up to 30% when decreasing growth temperature and increasing active nitrogen. This behavior is likely due to the formation of highly localized states, as indicated by the absence of a complete s-shape behavior of the PL peak position with temperature (up to room temperature) in samples with high internal quantum efficiency. On the other hand, no dependence of the internal quantum efficiency on the growth conditions is found for InGaN/GaN nanostructures grown on GaN/sapphire, where the maximum achieved efficiency is 3.7%. As alternative to axial InGaN/GaN nanostructures, section 4 reports on the growth and characterization of InGaN/GaN core-shell structures on an ordered array of top-down patterned GaN microrods etched from a GaN/sapphire template. Growth of InGaN/GaN is conformal, with axial and radial growth components leading to core-shell structures with clear hexagonal facets. The radial InGaN growth (shell) is confirmed by spatially resolved cathodoluminescence performed in a scanning electron microscopy as well as in scanning transmission electron microscopy. Furthermore the growth of InGaN core-shell micro pillars using an ordered array of GaN cores grown by metal organic vapor phase epitaxy as a template is demonstrated. Upon InGaN overgrowth core-shell structures with emission at around 3.0 eV are formed. With spatially resolved cathodoluminescence, an increasing In content towards the pillar top is found to be present in the InGaN shell, as indicated by a shift of CL peak position from 3.2 eV at the shell bottom to 3.0 eV at the shell top. This shift is related to variations of the local III/V ratio at the side facets. Further, the successful fabrication of a core-shell pin diode structure is demonstrated. Spatially resolved electroluminescence measurements performed on individual micro LEDs, confirm emission from the InGaN shell (lateral diode) at around 3.0 eV, as well as from the pillar top facet (axial diode) at around 2.3 eV. Finally, this work reports on the selective area growth of GaN, with and without InGaN insertion, on semi-polar (11-22) and non-polar (11-20) templates. Upon SAG the high defect density present in the GaN templates is strongly reduced as indicated by TEM and a dramatic improvement of the optical properties. In case of SAG on non-polar (11-22) templates the formation of nanostructures with a low aspect ratio took place allowing for the fabrication of high-quality, non-polar GaN pseudo-templates by coalescence of the nanostructures.
Resumo:
Esta Tesis trata sobre el desarrollo y crecimiento -mediante tecnología MOVPE (del inglés: MetalOrganic Vapor Phase Epitaxy)- de células solares híbridas de semiconductores III-V sobre substratos de silicio. Esta integración pretende ofrecer una alternativa a las células actuales de III-V, que, si bien ostentan el récord de eficiencia en dispositivos fotovoltaicos, su coste es, a día de hoy, demasiado elevado para ser económicamente competitivo frente a las células convencionales de silicio. De este modo, este proyecto trata de conjugar el potencial de alta eficiencia ya demostrado por los semiconductores III-V en arquitecturas de células fotovoltaicas multiunión con el bajo coste, la disponibilidad y la abundancia del silicio. La integración de semiconductores III-V sobre substratos de silicio puede afrontarse a través de diferentes aproximaciones. En esta Tesis se ha optado por el desarrollo de células solares metamórficas de doble unión de GaAsP/Si. Mediante esta técnica, la transición entre los parámetros de red de ambos materiales se consigue por medio de la formación de defectos cristalográficos (mayoritariamente dislocaciones). La idea es confinar estos defectos durante el crecimiento de sucesivas capas graduales en composición para que la superficie final tenga, por un lado, una buena calidad estructural, y por otro, un parámetro de red adecuado. Numerosos grupos de investigación han dirigido sus esfuerzos en los últimos años en desarrollar una estructura similar a la que aquí proponemos. La mayoría de éstos se han centrado en entender los retos asociados al crecimiento de materiales III-V, con el fin de conseguir un material de alta calidad cristalográfica. Sin embargo, prácticamente ninguno de estos grupos ha prestado especial atención al desarrollo y optimización de la célula inferior de silicio, cuyo papel va a ser de gran relevancia en el funcionamiento de la célula completa. De esta forma, y con el fin de completar el trabajo hecho hasta el momento en el desarrollo de células de III-V sobre silicio, la presente Tesis se centra, fundamentalmente, en el diseño y optimización de la célula inferior de silicio, para extraer su máximo potencial. Este trabajo se ha estructurado en seis capítulos, ordenados de acuerdo al desarrollo natural de la célula inferior. Tras un capítulo de introducción al crecimiento de semiconductores III-V sobre Si, en el que se describen las diferentes alternativas para su integración; nos ocupamos de la parte experimental, comenzando con una extensa descripción y caracterización de los substratos de silicio. De este modo, en el Capítulo 2 se analizan con exhaustividad los diferentes tratamientos (tanto químicos como térmicos) que deben seguir éstos para garantizar una superficie óptima sobre la que crecer epitaxialmente el resto de la estructura. Ya centrados en el diseño de la célula inferior, el Capítulo 3 aborda la formación de la unión p-n. En primer lugar se analiza qué configuración de emisor (en términos de dopaje y espesor) es la más adecuada para sacar el máximo rendimiento de la célula inferior. En este primer estudio se compara entre las diferentes alternativas existentes para la creación del emisor, evaluando las ventajas e inconvenientes que cada aproximación ofrece frente al resto. Tras ello, se presenta un modelo teórico capaz de simular el proceso de difusión de fosforo en silicio en un entorno MOVPE por medio del software Silvaco. Mediante este modelo teórico podemos determinar qué condiciones experimentales son necesarias para conseguir un emisor con el diseño seleccionado. Finalmente, estos modelos serán validados y constatados experimentalmente mediante la caracterización por técnicas analíticas (i.e. ECV o SIMS) de uniones p-n con emisores difundidos. Uno de los principales problemas asociados a la formación del emisor por difusión de fósforo, es la degradación superficial del substrato como consecuencia de su exposición a grandes concentraciones de fosfina (fuente de fósforo). En efecto, la rugosidad del silicio debe ser minuciosamente controlada, puesto que éste servirá de base para el posterior crecimiento epitaxial y por tanto debe presentar una superficie prístina para evitar una degradación morfológica y cristalográfica de las capas superiores. En este sentido, el Capítulo 4 incluye un análisis exhaustivo sobre la degradación morfológica de los substratos de silicio durante la formación del emisor. Además, se proponen diferentes alternativas para la recuperación de la superficie con el fin de conseguir rugosidades sub-nanométricas, que no comprometan la calidad del crecimiento epitaxial. Finalmente, a través de desarrollos teóricos, se establecerá una correlación entre la degradación morfológica (observada experimentalmente) con el perfil de difusión del fósforo en el silicio y por tanto, con las características del emisor. Una vez concluida la formación de la unión p-n propiamente dicha, se abordan los problemas relacionados con el crecimiento de la capa de nucleación de GaP. Por un lado, esta capa será la encargada de pasivar la subcélula de silicio, por lo que su crecimiento debe ser regular y homogéneo para que la superficie de silicio quede totalmente pasivada, de tal forma que la velocidad de recombinación superficial en la interfaz GaP/Si sea mínima. Por otro lado, su crecimiento debe ser tal que minimice la aparición de los defectos típicos de una heteroepitaxia de una capa polar sobre un substrato no polar -denominados dominios de antifase-. En el Capítulo 5 se exploran diferentes rutinas de nucleación, dentro del gran abanico de posibilidades existentes, para conseguir una capa de GaP con una buena calidad morfológica y estructural, que será analizada mediante diversas técnicas de caracterización microscópicas. La última parte de esta Tesis está dedicada al estudio de las propiedades fotovoltaicas de la célula inferior. En ella se analiza la evolución de los tiempos de vida de portadores minoritarios de la base durante dos etapas claves en el desarrollo de la estructura Ill-V/Si: la formación de la célula inferior y el crecimiento de las capas III-V. Este estudio se ha llevado a cabo en colaboración con la Universidad de Ohio, que cuentan con una gran experiencia en el crecimiento de materiales III-V sobre silicio. Esta tesis concluye destacando las conclusiones globales del trabajo realizado y proponiendo diversas líneas de trabajo a emprender en el futuro. ABSTRACT This thesis pursues the development and growth of hybrid solar cells -through Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE)- formed by III-V semiconductors on silicon substrates. This integration aims to provide an alternative to current III-V cells, which, despite hold the efficiency record for photovoltaic devices, their cost is, today, too high to be economically competitive to conventional silicon cells. Accordingly, the target of this project is to link the already demonstrated efficiency potential of III-V semiconductor multijunction solar cell architectures with the low cost and unconstrained availability of silicon substrates. Within the existing alternatives for the integration of III-V semiconductors on silicon substrates, this thesis is based on the metamorphic approach for the development of GaAsP/Si dual-junction solar cells. In this approach, the accommodation of the lattice mismatch is handle through the appearance of crystallographic defects (namely dislocations), which will be confined through the incorporation of a graded buffer layer. The resulting surface will have, on the one hand a good structural quality; and on the other hand the desired lattice parameter. Different research groups have been working in the last years in a structure similar to the one here described, being most of their efforts directed towards the optimization of the heteroepitaxial growth of III-V compounds on Si, with the primary goal of minimizing the appearance of crystal defects. However, none of these groups has paid much attention to the development and optimization of the bottom silicon cell, which, indeed, will play an important role on the overall solar cell performance. In this respect, the idea of this thesis is to complete the work done so far in this field by focusing on the design and optimization of the bottom silicon cell, to harness its efficiency. This work is divided into six chapters, organized according to the natural progress of the bottom cell development. After a brief introduction to the growth of III-V semiconductors on Si substrates, pointing out the different alternatives for their integration; we move to the experimental part, which is initiated by an extensive description and characterization of silicon substrates -the base of the III-V structure-. In this chapter, a comprehensive analysis of the different treatments (chemical and thermal) required for preparing silicon surfaces for subsequent epitaxial growth is presented. Next step on the development of the bottom cell is the formation of the p-n junction itself, which is faced in Chapter 3. Firstly, the optimization of the emitter configuration (in terms of doping and thickness) is handling by analytic models. This study includes a comparison between the different alternatives for the emitter formation, evaluating the advantages and disadvantages of each approach. After the theoretical design of the emitter, it is defined (through the modeling of the P-in-Si diffusion process) a practical parameter space for the experimental implementation of this emitter configuration. The characterization of these emitters through different analytical tools (i.e. ECV or SIMS) will validate and provide experimental support for the theoretical models. A side effect of the formation of the emitter by P diffusion is the roughening of the Si surface. Accordingly, once the p-n junction is formed, it is necessary to ensure that the Si surface is smooth enough and clean for subsequent phases. Indeed, the roughness of the Si must be carefully controlled since it will be the basis for the epitaxial growth. Accordingly, after quantifying (experimentally and by theoretical models) the impact of the phosphorus on the silicon surface morphology, different alternatives for the recovery of the surface are proposed in order to achieve a sub-nanometer roughness which does not endanger the quality of the incoming III-V layers. Moving a step further in the development of the Ill-V/Si structure implies to address the challenges associated to the GaP on Si nucleation. On the one hand, this layer will provide surface passivation to the emitter. In this sense, the growth of the III-V layer must be homogeneous and continuous so the Si emitter gets fully passivated, providing a minimal surface recombination velocity at the interface. On the other hand, the growth should be such that the appearance of typical defects related to the growth of a polar layer on a non-polar substrate is minimized. Chapter 5 includes an exhaustive study of the GaP on Si nucleation process, exploring different nucleation routines for achieving a high morphological and structural quality, which will be characterized by means of different microscopy techniques. Finally, an extensive study of the photovoltaic properties of the bottom cell and its evolution during key phases in the fabrication of a MOCVD-grown III-V-on-Si epitaxial structure (i.e. the formation of the bottom cell; and the growth of III-V layers) will be presented in the last part of this thesis. This study was conducted in collaboration with The Ohio State University, who has extensive experience in the growth of III-V materials on silicon. This thesis concludes by highlighting the overall conclusions of the presented work and proposing different lines of work to be undertaken in the future.
Resumo:
Differential Phase Shift Keying (DPSK) modulation format has been shown as a robust solution for next-generation optical transmission systems. One key device enabling such systems is a delay interferometer, converting the phase modulation signal into the intensity modulation signal to be detected by the photodiodes. Usually, a standard Mach-Zehnder interferometer (MZI) is used for demodulating a DPSK signal. In this paper, we develop an MZI which is based on all-fiber Multimode Interference (MI) structure: a multimode fiber (MMF) with a central dip, located between two single-mode fibers (SMFs) without any transition zones. The MI based MZI (MI-MZI) is more stable than the standard MZI as the two arms share the same MMF, reducing the impact of the external effects, such as temperature and others. Performance of this MI-MZI is analyzed theoretically and experimentally from transmission spectrum. Experimental results shows that high interference extinction ratio is obtained, which is far higher than that obtained from a normal graded-index based MI-MZI. Finally, by software simulation, we demonstrate that our proposed MI-MZI can be used for demodulating a 40 Gbps DPSK signal. The performance of the MI-MZI based DPSK receiver is analyzed from the sensitivity. Simulation results show that sensitivity of the proposed receiver is about -22.3 dBm for a BER of 10-15 and about -23.8 dBm for a BER of 10-9.
Resumo:
El objetivo principal de esta tesis ha sido el diseño y la optimización de receptores implementados con fibra óptica, para ser usados en redes ópticas de alta velocidad que empleen formatos de modulación de fase. En los últimos años, los formatos de modulación de fase (Phase Shift keying, PSK) han captado gran atención debido a la mejora de sus prestaciones respecto a los formatos de modulación convencionales. Principalmente, presentan una mejora de la eficiencia espectral y una mayor tolerancia a la degradación de la señal causada por la dispersión cromática, la dispersión por modo de polarización y los efectos no-lineales en la fibra óptica. En este trabajo, se analizan en detalle los formatos PSK, incluyendo sus variantes de modulación de fase diferencial (Differential Phase Shift Keying, DPSK), en cuadratura (Differential Quadrature Phase Shift Keying, DQPSK) y multiplexación en polarización (Polarization Multiplexing Differential Quadrature Phase Shift Keying, PM-DQPSK), con la finalidad de diseñar y optimizar los receptores que permita su demodulación. Para ello, se han analizado y desarrollado nuevas estructuras que ofrecen una mejora en las prestaciones del receptor y una reducción de coste comparadas con las actualmente disponibles. Para la demodulación de señales DPSK, en esta tesis, se proponen dos nuevos receptores basados en un interferómetro en línea Mach-Zehnder (MZI) implementado con tecnología todo-fibra. El principio de funcionamiento de los MZI todo-fibra propuestos se asienta en la interferencia modal que se produce en una fibra multimodo (MMF) cuando se situada entre dos monomodo (SMF). Este tipo de configuración (monomodo-multimodo-monomodo, SMS) presenta un buen ratio de extinción interferente si la potencia acoplada en la fibra multimodo se reparte, principal y equitativamente, entre dos modos dominantes. Con este objetivo, se han estudiado y demostrado tanto teórica como experimentalmente dos nuevas estructuras SMS que mejoran el ratio de extinción. Una de las propuestas se basa en emplear una fibra multimodo de índice gradual cuyo perfil del índice de refracción presenta un hundimiento en su zona central. La otra consiste en una estructura SMS con las fibras desalineadas y donde la fibra multimodo es una fibra de índice gradual convencional. Para las dos estructuras, mediante el análisis teórico desarrollado, se ha demostrado que el 80 – 90% de la potencia de entrada se acopla a los dos modos dominantes de la fibra multimodo y se consigue una diferencia inferior al 10% entre ellos. También se ha demostrado experimentalmente que se puede obtener un ratio de extinción de al menos 12 dB. Con el objeto de demostrar la capacidad de estas estructuras para ser empleadas como demoduladores de señales DPSK, se han realizado numerosas simulaciones de un sistema de transmisión óptico completo y se ha analizado la calidad del receptor bajo diferentes perspectivas, tales como la sensibilidad, la tolerancia a un filtrado óptico severo o la tolerancia a las dispersiones cromática y por modo de polarización. En todos los casos se ha concluido que los receptores propuestos presentan rendimientos comparables a los obtenidos con receptores convencionales. En esta tesis, también se presenta un diseño alternativo para la implementación de un receptor DQPSK, basado en el uso de una fibra mantenedora de la polarización (PMF). A través del análisi teórico y del desarrollo de simulaciones numéricas, se ha demostrado que el receptor DQPSK propuesto presenta prestaciones similares a los convencionales. Para complementar el trabajo realizado sobre el receptor DQPSK basado en PMF, se ha extendido el estudio de su principio de demodulación con el objeto de demodular señales PM-DQPSK, obteniendo como resultado la propuesta de una nueva estructura de demodulación. El receptor PM-DQPSK propuesto se basa en la estructura conjunta de una única línea de retardo junto con un rotador de polarización. Se ha analizado la calidad de los receptores DQPSK y PM-DQPSK bajo diferentes perspectivas, tales como la sensibilidad, la tolerancia a un filtrado óptico severo, la tolerancia a las dispersiones cromática y por modo de polarización o su comportamiento bajo condiciones no-ideales. En comparación con los receptores convencionales, nuestra propuesta exhibe prestaciones similares y además permite un diseño más simple que redunda en un coste potencialmente menor. En las redes de comunicaciones ópticas actuales se utiliza la tecnología de multimplexación en longitud de onda (WDM) que obliga al uso de filtros ópticos con bandas de paso lo más estrechas posibles y a emplear una serie de dispositivos que incorporan filtros en su arquitectura, tales como los multiplexores, demultiplexores, ROADMs, conmutadores y OXCs. Todos estos dispositivos conectados entre sí son equivalentes a una cadena de filtros cuyo ancho de banda se va haciendo cada vez más estrecho, llegando a distorsionar la forma de onda de las señales. Por esto, además de analizar el impacto del filtrado óptico en las señales de 40 Gbps DQPSK y 100 Gbps PM-DQPSK, este trabajo de tesis se completa estudiando qué tipo de filtro óptico minimiza las degradaciones causadas en la señal y analizando el número máximo de filtros concatenados que permiten mantener la calidad requerida al sistema. Se han estudiado y simulado cuatro tipos de filtros ópticos;Butterworth, Bessel, FBG y F-P. ABSTRACT The objective of this thesis is the design and optimization of optical fiber-based phase shift keying (PSK) demodulators for high-bit-rate optical networks. PSK modulation formats have attracted significant attention in recent years, because of the better performance with respect to conventional modulation formats. Principally, PSK signals can improve spectrum efficiency and tolerate more signal degradation caused by chromatic dispersion, polarization mode dispersion and nonlinearities in the fiber. In this work, many PSK formats were analyzed in detail, including the variants of differential phase modulation (Differential Phase Shift Keying, DPSK), in quadrature (Differential Quadrature Phase Shift Keying, DQPSK) and polarization multiplexing (Polarization Multiplexing Differential Quadrature Phase Shift Keying, PM-DQPSK), in order to design and optimize receivers enabling demodulations. Therefore, novel structures, which offer good receiver performances and a reduction in cost compared to the current structures, have been analyzed and developed. Two novel receivers based on an all-fiber in-line Mach-Zehnder interferometer (MZI) were proposed for DPSK signal demodulation in this thesis. The operating principle of the all-fiber MZI is based on the modal interference that occurs in a multimode fiber (MMF) when it is located between two single-mode fibers (SMFs). This type of configuration (Single-mode-multimode-single-mode, SMS) can provide a good extinction ratio if the incoming power from the SMF could be coupled equally into two dominant modes excited in the MMF. In order to improve the interference extinction ratio, two novel SMS structures have been studied and demonstrated, theoretically and experimentally. One of the two proposed MZIs is based on a graded-index multimode fiber (MMF) with a central dip in the index profile, located between two single-mode fibers (SMFs). The other one is based on a conventional graded-index MMF mismatch spliced between two SMFs. Theoretical analysis has shown that, in these two schemes, 80 – 90% of the incoming power can be coupled into the two dominant modes exited in the MMF, and the power difference between them is only ~10%. Experimental results show that interference extinction ratio of 12 dB could be obtained. In order to demonstrate the capacity of these two structures for use as DPSK signal demodulators, numerical simulations in a completed optical transmission system have been carried out, and the receiver quality has been analyzed under different perspectives, such as sensitivity, tolerance to severe optical filtering or tolerance to chromatic and polarization mode dispersion. In all cases, from the simulation results we can conclude that the two proposed receivers can provide performances comparable to conventional ones. In this thesis, an alternative design for the implementation of a DQPSK receiver, which is based on a polarization maintaining fiber (PMF), was also presented. To complement the work made for the PMF-based DQPSK receiver, the study of the demodulation principle has been extended to demodulate PM-DQPSK signals, resulting in the proposal of a novel demodulation structure. The proposed PM-DQPSK receiver is based on only one delay line and a polarization rotator. The quality of the proposed DQPSK and PM-DQPSK receivers under different perspectives, such as sensitivity, tolerance to severe optical filtering, tolerance to chromatic dispersion and polarization mode dispersion, or behavior under non-ideal conditions. Compared with the conventional receivers, our proposals exhibit similar performances but allow a simpler design which can potentially reduce the cost. The wavelength division multiplexing (WDM) technology used in current optical communications networks requires the use of optical filters with a passband as narrow as possible, and the use of a series of devices that incorporate filters in their architecture, such as multiplexers, demultiplexers, switches, reconfigurable add-drop multiplexers (ROADMs) and optical cross-connects (OXCs). All these devices connected together are equivalent to a chain of filters whose bandwidth becomes increasingly narrow, resulting in distortion to the waveform of the signals. Therefore, in addition to analyzing the impact of optical filtering on signal of 40 Gbps DQPSK and 100 Gbps PM-DQPSK, we study which kind of optical filter minimizes the signal degradation and analyze the maximum number of concatenated filters for maintaining the required quality of the system. Four types of optical filters, including Butterworth, Bessel, FBG and FP, have studied and simulated.
Resumo:
Se ha procedido al análisis estadístico de un banco de datos de algo más de nueve mil probetas de tamaño estructural ensayadas a lo largo de la década final del s. XX y la inicial del s. XXI, provenientes de masas forestales de coníferas españolas. Las especies estudiadas (pinus sylsvestris, p. halepensis, p. pinaster, p. radiata, p. nigra) representan más del 80% de la superficie forestal española cubierta por coníferas, y ninguna especie de relevancia por volumen potencial de corta a medio plazo ha quedado excluida (quizá con la única excepción de p. pinea, y, con matices juniperus thurifera). Por lo tanto, puede considerarse una información razonablemente representativa de la población de coníferas españolas (en adelante, población objetivo), si bien los procedimientos de muestreo presentan marcadas diferencias en función de las especies. Los procedimientos de ensayo se han atenido, esencialmente, a la normativa europea de referencia, así como a la normativa española de clasificación de madera aserrada, básicamente UNE 56544, con los matices propios de las sucesivas ediciones de las indicadas normas durante un período de unos veinte años. El estudio se ha realizado con el objeto de caracterizar el estado de naturaleza de los principales parámetros resistentes la población objetivo (densidad, módulo de elasticidad longitudinal, y tensión de rotura en flexión pura), así como identificar posibles inconsistencias en la normativa vigente relacionada. Los resultados se han elaborado de forma operativa para su utilización, en una primera aproximación, en la ejecución de cálculos directos de fiabilidad estructural, tal como se plantean en las normativas ISO 2394, ISO 12491, ISO 13822, UNE EN 1990, Código Técnico de la Edificación español y Código Modelo Probabilístico. Inequívocamente, las variables resistentes de referencia de las coníferas españolas susceptibles de uso estructural presentan una variabilidad significativamente superior a la habitual en coníferas de origen en el Centro y Norte de Europa, así como en Norteamérica (en adelante, poblaciones de comparación). Esta diferencia es extrema en el caso de la resistencia, importante en el caso de la rigidez, y prácticamente testimonial en el caso de la densidad. Por otra parte, la rigidez y la densidad de la población objetivo es mucho mayor, para el mismo valor de la resistencia, que las de las poblaciones de comparación. Asimismo, las correlaciones entre las tres variables básicas son inferiores en la población objetivo respecto a la de comparación. Estos hechos llevan a que la aplicación del sistema de clases resistentes en uso conduzca a situaciones de dimensionado poco racionales, y marcadamente antieconómicas. Si bien el objeto del estudio no es el establecimiento de una “jerarquía” estructural de especies, sí deben subrayarse algunos aspectos particulares por especies. El p. nigra tiene los mayores valores centrales y los menores de dispersión de toda la población objetivo, y mayores valores centrales que cualquier referencia de la población de comparación: para la misma fiabilidad objetivo en supuestos habituales, en p.nigra puede ser necesario en torno a un 20% menos de volumen de madera que en p. sylvestris, y en torno a un 40% que en p. radiata . El p. radiata y el p. pinaster presentan los menores valores de centralidad y los mayores de dispersión, de toda la muestra objetivo en formatos aserrados (con la excepción de la densidad: el p. radiata presenta valores muy bajos, pero atípicamente baja variabilidad). Especies habitualmente “no consideradas” como el p. pinea, presentan valores notablemente altos de centralidad, especialmente en la variable densidad. Otro caso de interés es p. halepensis, con prestaciones estructurales muy elevadas, teniendo en cuenta la proveniencia de masas carentes de un manejo adecuado (a efectos de producción maderable). Al contrario que en las poblaciones de comparación, la densidad de las coníferas españolas se representa claramente por distribuciones lognormales, frente a las distribuciones normales que se consideran en la literatura para la misma variable básica. Esto no tiene consecuencias relevantes en la fiabilidad estructural de las uniones, debido a los bajos coeficientes de variación (entre el 10 y 13%, típicamente). Para la tensión de rotura en flexión, parece haber una marcada diferencia entre el tipo de distribución que representa a las poblaciones no clasificadas o rechazadas (que es claramente Lognormal) y la que representa a las poblaciones clasificadas (que parece ser de tipo Weibull de tres parámetros). La distinción va más allá de la sutileza matemática: si la distribución fuese lognormal para todos los casos, la ineficiencia de la aplicación del sistema de clases resistentes aún sería más acusada que lo anteriormente indicado. La distribución normal, sólo representa adecuadamente el estado de naturaleza del módulo de elasticidad y la tensión de rotura de maderas no escuadradas (cilindradas, descortezadas, o simplemente desramadas), y del módulo de elasticidad de las muestras rechazadas. Las coníferas no clasificadas, arrojan valores relativamente elevados de resistencia, lo que hace pensar en la conveniencia de la definición de un “protocolo de mínimos” para posibilitar su uso en el marco normativo actual. Se ha ejemplificado cómo de la aplicación de técnicas probabilísticas utilizando como fundamento los resultados del análisis realizado, resulta un ahorro material potencialmente notable en la población objetivo (en la horquilla del 30 al 60%, dependiendo del estado límite que gobierne el dimensionamiento), respecto a la aplicación directa de los protocolos normativos a partir de la aplicación de la norma de clasificación española. Complementariamente, se han elaborado modelos de variabilidad de los parámetros de las distribuciones propuestas, al objeto de facilitar la aplicación de técnicas de actualización bayesiana. Estas técnicas tienen particular relevancia en el entorno español, por dos razones. Una de ellas, es que suponen, de hecho, la única manera de tratar la cuestión de la seguridad de estructuras prexistentes en un marco matemático-formal consistente con la normativa. La otra, es que permiten la utilización de maderas procedentes de medios de producción con niveles de control de calidad mínimos, incluso casi inexistentes, con inversiones en coste de ensayos comparativamente irrelevantes. ABSTRACT A group of databases making a total of ca. 9.000 beams produced by sawing coniferous species from Spain, tested according EN 384 (1) and visually graded according Spanish standards were analyzed. The main goal was to reach a detailed comprehension about the true state of nature of the three reference structural properties (density, MOR and MOE), in the conditions the material reaches the real market. This goal has been addressed through the detailed adjustment of the proper probabilistic model to the data available. The most important outcome has been the proposal of a set of distribution parameters for the target species, ready to be used in direct probabilistic calculation. This use is exemplified through structural reliability calculations, establishing a priori data for Bayesian reliability updating, Spanish code calibration suggestions, and parameters proposal for the Probabilistic Model Code (2).
Resumo:
A pesquisa trata do estudo da implantação de uma incubadora de empresas no município de Santana de Parnaíba em 2005. Duas perguntas estruturaram a investigação: Quais fatores ou indicadores econômicos e sociais, conforme previsto no Programa Nacional de Apoio à Implantação de Incubadoras de Empresas, se evidenciaram como viabilizadores, ou não, para a escolha do tipo de incubadora implantada no município? A incubadora de Santana de Parnaíba configurou-se ou não como espaço articulado de desenvolvimento econômico e social? Essas questões norteadoras determinaram o objetivo geral do estudo e os objetivos específicos, quais foram: investigar se houve ou não a aplicação do Estudo de Viabilidade Técnica e Econômica/SEBRAE; levantar o perfil socioeconômico do empreendedor local e, identificar o perfil das empresas graduadas quanto à geração de postos de trabalho. Para atender aos objetivos optou-se pela realização de pesquisa qualitativa de caráter exploratório e descritivo. A estratégia da observação participante foi seguida a partir da consulta aos diários de campo e às fontes primárias e secundárias, com a leitura e consulta de documentos e registros da implantação nos arquivos da FIESP. Como parte da estratégia de coleta de dados foi aplicado, junto ao universo da pesquisa, empreendedores e coordenador executivo do Programa de Incubadoras da FIESP, roteiro semiestruturado de questões. As informações foram analisadas mediante a técnica de análise de conteúdo, seguindo a metodologia do Estudo de Caso. Serviu de motivo condutor a constatação de que a notável evolução de tecnologias propiciada pelo sistema capitalista, o avanço dos processos produtivos e o aumento da produtividade nas grandes corporações ocorreram e continuam ocorrendo em ritmo sensivelmente superior à dinâmica de capacitação e qualificação da mão de obra em países em desenvolvimento, o que faz crescer o desemprego e a informalidade. A recente crise americana, em 2008, configura a oportunidade para melhor compreensão do conceito de incubadoras de empresas e demais empreendimentos solidários. Os resultados da pesquisa indicam que todos os empreendedores receberam informações de marketing e finanças. O apoio de consultorias especializadas, a participação em feiras e o desenvolvimento do plano de negó cios ao longo da incubação contemplaram as expectativas dos empreendimentos de tecnologia difundida. A pesquisa indica que, nos empreendimentos de base tecnológica, a incubadora não concretizou apoio efetivo às demandas por novos processos e novos produtos. Disso decorreu o atendimento deficitário às metas de geração de emprego na localidade pelas três empresas de base tecnológica instaladas na incubadora. Os resultados indicam que, apesar da significativa quantidade de documentos de conteúdo normativo que tratam da prevenção de insucessos de políticas públicas de apoio à implantação de incubadoras e ao empreendedorismo, não foi possível constatar indícios de articulação entre desenvolvimento econômico e desenvolvimento social nem de Estudo de Viabilidade Técnica e Econômica precedendo a implantação da incubadora no município estudado.(AU)
Resumo:
A pesquisa trata do estudo da implantação de uma incubadora de empresas no município de Santana de Parnaíba em 2005. Duas perguntas estruturaram a investigação: Quais fatores ou indicadores econômicos e sociais, conforme previsto no Programa Nacional de Apoio à Implantação de Incubadoras de Empresas, se evidenciaram como viabilizadores, ou não, para a escolha do tipo de incubadora implantada no município? A incubadora de Santana de Parnaíba configurou-se ou não como espaço articulado de desenvolvimento econômico e social? Essas questões norteadoras determinaram o objetivo geral do estudo e os objetivos específicos, quais foram: investigar se houve ou não a aplicação do Estudo de Viabilidade Técnica e Econômica/SEBRAE; levantar o perfil socioeconômico do empreendedor local e, identificar o perfil das empresas graduadas quanto à geração de postos de trabalho. Para atender aos objetivos optou-se pela realização de pesquisa qualitativa de caráter exploratório e descritivo. A estratégia da observação participante foi seguida a partir da consulta aos diários de campo e às fontes primárias e secundárias, com a leitura e consulta de documentos e registros da implantação nos arquivos da FIESP. Como parte da estratégia de coleta de dados foi aplicado, junto ao universo da pesquisa, empreendedores e coordenador executivo do Programa de Incubadoras da FIESP, roteiro semiestruturado de questões. As informações foram analisadas mediante a técnica de análise de conteúdo, seguindo a metodologia do Estudo de Caso. Serviu de motivo condutor a constatação de que a notável evolução de tecnologias propiciada pelo sistema capitalista, o avanço dos processos produtivos e o aumento da produtividade nas grandes corporações ocorreram e continuam ocorrendo em ritmo sensivelmente superior à dinâmica de capacitação e qualificação da mão de obra em países em desenvolvimento, o que faz crescer o desemprego e a informalidade. A recente crise americana, em 2008, configura a oportunidade para melhor compreensão do conceito de incubadoras de empresas e demais empreendimentos solidários. Os resultados da pesquisa indicam que todos os empreendedores receberam informações de marketing e finanças. O apoio de consultorias especializadas, a participação em feiras e o desenvolvimento do plano de negó cios ao longo da incubação contemplaram as expectativas dos empreendimentos de tecnologia difundida. A pesquisa indica que, nos empreendimentos de base tecnológica, a incubadora não concretizou apoio efetivo às demandas por novos processos e novos produtos. Disso decorreu o atendimento deficitário às metas de geração de emprego na localidade pelas três empresas de base tecnológica instaladas na incubadora. Os resultados indicam que, apesar da significativa quantidade de documentos de conteúdo normativo que tratam da prevenção de insucessos de políticas públicas de apoio à implantação de incubadoras e ao empreendedorismo, não foi possível constatar indícios de articulação entre desenvolvimento econômico e desenvolvimento social nem de Estudo de Viabilidade Técnica e Econômica precedendo a implantação da incubadora no município estudado.(AU)
Resumo:
The molecular mechanisms underlying long-term potentiation in the hippocampus have received much attention because of the likely functional importance of synaptic plasticity for information storage and the development of neuronal connectivity. Surprisingly, it remains unclear whether activity modifies the strength of individual synapses in a digital (all-or-none) or analog (graded) manner. Here we characterize step-like all-or-none transitions from baseline synaptic transmission to potentiated states following protocols for inducing potentiation at putative single CA3-CA1 synaptic connections. Individual synapses appear to have all-or-none potentiation indicative of highly cooperative processes but different thresholds for undergoing potentiation. These results raise the possibility that some forms of synaptic memory may be stored in a digital manner in the brain.
Resumo:
The circadian clock in the suprachiasmatic nucleus (SCN) of the hypothalamus organizes behavioral rhythms, such as the sleep–wake cycle, on a near 24-h time base and synchronizes them to environmental day and night. Light information is transmitted to the SCN by direct retinal projections via the retinohypothalamic tract (RHT). Both glutamate (Glu) and pituitary adenylyl cyclase-activating peptide (PACAP) are localized within the RHT. Whereas Glu is an established mediator of light entrainment, the role of PACAP is unknown. To understand the functional significance of this colocalization, we assessed the effects of nocturnal Glu and PACAP on phasing of the circadian rhythm of neuronal firing in slices of rat SCN. When coadministered, PACAP blocked the phase advance normally induced by Glu during late night. Surprisingly, blocking PACAP neurotransmission, with either PACAP6–38, a specific PACAP receptor antagonist, or anti-PACAP antibodies, augmented the Glu-induced phase advance. Blocking PACAP in vivo also potentiated the light-induced phase advance of the rhythm of hamster wheel-running activity. Conversely, PACAP enhanced the Glu-induced delay in the early night, whereas PACAP6–38 inhibited it. These results reveal that PACAP is a significant component of the Glu-mediated light-entrainment pathway. When Glu activates the system, PACAP receptor-mediated processes can provide gain control that generates graded phase shifts. The relative strengths of the Glu and PACAP signals together may encode the amplitude of adaptive circadian behavioral responses to the natural range of intensities of nocturnal light.
Resumo:
In the cytoplasm of cells of different types, discrete clusters of inositol 1,4,5-trisphosphate-sensitive Ca2+ channels generate Ca2+ signals of graded size, ranging from blips, which involve the opening of only one channel, to moderately larger puffs, which result from the concerted opening of a few channels in the same cluster. These channel clusters are of unknown size or geometrical characteristics. The aim of this study was to estimate the number of channels and the interchannel distance within such a cluster. Because these characteristics are not attainable experimentally, we performed computer stochastic simulations of Ca2+ release events. We conclude that, to ensure efficient interchannel communication, as experimentally observed, a typical cluster should contain two or three tens of inositol 1,4,5-trisphosphate-sensitive Ca2+ channels in close contact.
Resumo:
Spatial learning requires the septohippocampal pathway. The interaction of learning experience with gene products to modulate the function of a pathway may underlie use-dependent plasticity. The regulated release of nerve growth factor (NGF) from hippocampal cultures and hippocampus, as well as its actions on cholinergic septal neurons, suggest it as a candidate protein to interact with a learning experience. A method was used to evaluate NGF gene-experience interaction on the septohippocampal neural circuitry in mice. The method permits brain region-specific expression of a new gene by using a two-component approach: a virus vector directing expression of cre recombinase; and transgenic mice carrying genomic recombination substrates rendered transcriptionally inactive by a “floxed” stop cassette. Cre recombinase vector delivery into transgenic mouse hippocampus resulted in recombination in 30% of infected cells and the expression of a new gene in those cells. To examine the interaction of the NGF gene and experience, adult mice carrying a NGF transgene with a floxed stop cassette (NGFXAT) received a cre recombinase vector to produce localized unilateral hippocampal NGF gene expression, so-called “activated” mice. Activated and control nonactivated NGFXAT mice were subjected to different experiences: repeated spatial learning, repeated rote performance, or standard vivarium housing. Latency, the time to complete the learning task, declined in the repeated spatial learning groups. The measurement of interaction between NGF gene expression and experience on the septohippocampal circuitry was assessed by counting retrogradely labeled basal forebrain cholinergic neurons projecting to the hippocampal site of NGF gene activation. Comparison of all NGF activated groups revealed a graded effect of experience on the septohippocampal pathway, with the largest change occurring in activated mice provided with repeated learning experience. These data demonstrate that plasticity of the adult spatial learning circuitry can be robustly modulated by experience-dependent interactions with a specific hippocampal gene product.
