On the production of N-2(+) ions at the N 1s edge of the nitrogen molecule

The N+2 ion yield of the N2 molecule has been measured at the N 1s → Rydberg excitations. It displays Fano-type line shapes due to interference between direct outer-valence photoionization and participator decay of the core-excited Rydberg states. The N+2 ion yield is compared with the total intensity of the outer-valence photoelectron lines obtained recently with electron spectroscopy (Kivimäki et al 2012 Phys. Rev. A 86 012516). The increasing difference between the two curves at the higher core-to-Rydberg excitations is most likely due to soft x-ray emission processes that are followed by autoionization. The results also suggest that resonant Auger decay from the core–valence doubly excited states contributes to the N+2 ion yield at the photon energies that are located on both sides of the N 1s ionization limit.

Interband absorption of photons by extended states in intermediate band solar cells

This paper considers sub-bandgap photon absorption in an InAs/GaAs quantum dot matrix. Absorption coefficients are calculated for transitions from the extended states in the valence band to confined states in the conduction band. This completes a previous body of work in which transitions between bound states were calculated. The calculations are based on the empirical k·p Hamiltonian considering the quantum dots as parallelepipeds. The extended states may be only partially extended?in one or two dimensions?or extended in all three dimensions. It is found that extended-to-bound transitions are, in general, weaker than bound-to-bound transitions, and that the former are weaker when the initial state is extended in more coordinates. This study is of direct application to the research of intermediate band solar cells and other semiconductor devices based on light absorption in semiconductors nanostructured with quantum dots.

User Experience in Human-Technology Interaction. Communication, context and evaluation methodology

En esta Tesis se presentan dos líneas de investigación relacionadas y que contribuyen a las áreas de Interacción Hombre-Tecnología (o Máquina; siglas en inglés: HTI o HMI), lingüística computacional y evaluación de la experiencia del usuario. Las dos líneas en cuestión son el diseño y la evaluación centrada en el usuario de sistemas de Interacción Hombre-Máquina avanzados. En la primera parte de la Tesis (Capítulos 2 a 4) se abordan cuestiones fundamentales del diseño de sistemas HMI avanzados. El Capítulo 2 presenta una panorámica del estado del arte de la investigación en el ámbito de los sistemas conversacionales multimodales, con la que se enmarca el trabajo de investigación presentado en el resto de la Tesis. Los Capítulos 3 y 4 se centran en dos grandes aspectos del diseño de sistemas HMI: un gestor del diálogo generalizado para tratar la Interacción Hombre-Máquina multimodal y sensible al contexto, y el uso de agentes animados personificados (ECAs) para mejorar la robustez del diálogo, respectivamente. El Capítulo 3, sobre gestión del diálogo, aborda el tratamiento de la heterogeneidad de la información proveniente de las modalidades comunicativas y de los sensores externos. En este capítulo se propone, en un nivel de abstracción alto, una arquitectura para la gestión del diálogo con influjos heterogéneos de información, apoyándose en el uso de State Chart XML. En el Capítulo 4 se presenta una contribución a la representación interna de intenciones comunicativas, y su traducción a secuencias de gestos a ejecutar por parte de un ECA, diseñados específicamente para mejorar la robustez en situaciones de diálogo críticas que pueden surgir, por ejemplo, cuando se producen errores de entendimiento en la comunicación entre el usuario humano y la máquina. Se propone, en estas páginas, una extensión del Functional Mark-up Language definido en el marco conceptual SAIBA. Esta extensión permite representar actos comunicativos que realizan intenciones del emisor (la máquina) que no se pretende sean captadas conscientemente por el receptor (el usuario humano), pero con las que se pretende influirle a éste e influir el curso del diálogo. Esto se consigue mediante un objeto llamado Base de Intenciones Comunicativas (en inglés, Communication Intention Base, o CIB). La representación en el CIB de intenciones “no claradas” además de las explícitas permite la construcción de actos comunicativos que realizan simultáneamente varias intenciones comunicativas. En el Capítulo 4 también se describe un sistema experimental para el control remoto (simulado) de un asistente domótico, con autenticación de locutor para dar acceso, y con un ECA en el interfaz de cada una de estas tareas. Se incluye una descripción de las secuencias de comportamiento verbal y no verbal de los ECAs, que fueron diseñados específicamente para determinadas situaciones con objeto de mejorar la robustez del diálogo. Los Capítulos 5 a 7 conforman la parte de la Tesis dedicada a la evaluación. El Capítulo 5 repasa antecedentes relevantes en la literatura de tecnologías de la información en general, y de sistemas de interacción hablada en particular. Los principales antecedentes en el ámbito de la evaluación de la interacción sobre los cuales se ha desarrollado el trabajo presentado en esta Tesis son el Technology Acceptance Model (TAM), la herramienta Subjective Assessment of Speech System Interfaces (SASSI), y la Recomendación P.851 de la ITU-T. En el Capítulo 6 se describen un marco y una metodología de evaluación aplicados a la experiencia del usuario con sistemas HMI multimodales. Se desarrolló con este propósito un novedoso marco de evaluación subjetiva de la calidad de la experiencia del usuario y su relación con la aceptación por parte del mismo de la tecnología HMI (el nombre dado en inglés a este marco es Subjective Quality Evaluation Framework). En este marco se articula una estructura de clases de factores subjetivos relacionados con la satisfacción y aceptación por parte del usuario de la tecnología HMI propuesta. Esta estructura, tal y como se propone en la presente tesis, tiene dos dimensiones ortogonales. Primero se identifican tres grandes clases de parámetros relacionados con la aceptación por parte del usuario: “agradabilidad ” (likeability: aquellos que tienen que ver con la experiencia de uso, sin entrar en valoraciones de utilidad), rechazo (los cuales sólo pueden tener una valencia negativa) y percepción de utilidad. En segundo lugar, este conjunto clases se reproduce para distintos “niveles, o focos, percepción del usuario”. Éstos incluyen, como mínimo, un nivel de valoración global del sistema, niveles correspondientes a las tareas a realizar y objetivos a alcanzar, y un nivel de interfaz (en los casos propuestos en esta tesis, el interfaz es un sistema de diálogo con o sin un ECA). En el Capítulo 7 se presenta una evaluación empírica del sistema descrito en el Capítulo 4. El estudio se apoya en los mencionados antecedentes en la literatura, ampliados con parámetros para el estudio específico de los agentes animados (los ECAs), la auto-evaluación de las emociones de los usuarios, así como determinados factores de rechazo (concretamente, la preocupación por la privacidad y la seguridad). También se evalúa el marco de evaluación subjetiva de la calidad propuesto en el capítulo anterior. Los análisis de factores efectuados revelan una estructura de parámetros muy cercana conceptualmente a la división de clases en utilidad-agradabilidad-rechazo propuesta en dicho marco, resultado que da cierta validez empírica al marco. Análisis basados en regresiones lineales revelan estructuras de dependencias e interrelación entre los parámetros subjetivos y objetivos considerados. El efecto central de mediación, descrito en el Technology Acceptance Model, de la utilidad percibida sobre la relación de dependencia entre la intención de uso y la facilidad de uso percibida, se confirma en el estudio presentado en la presente Tesis. Además, se ha encontrado que esta estructura de relaciones se fortalece, en el estudio concreto presentado en estas páginas, si las variables consideradas se generalizan para cubrir más ampliamente las categorías de agradabilidad y utilidad contempladas en el marco de evaluación subjetiva de calidad. Se ha observado, asimismo, que los factores de rechazo aparecen como un componente propio en los análisis de factores, y además se distinguen por su comportamiento: moderan la relación entre la intención de uso (que es el principal indicador de la aceptación del usuario) y su predictor más fuerte, la utilidad percibida. Se presentan también resultados de menor importancia referentes a los efectos de los ECAs sobre los interfaces de los sistemas de diálogo y sobre los parámetros de percepción y las valoraciones de los usuarios que juegan un papel en conformar su aceptación de la tecnología. A pesar de que se observa un rendimiento de la interacción dialogada ligeramente mejor con ECAs, las opiniones subjetivas son muy similares entre los dos grupos experimentales (uno interactuando con un sistema de diálogo con ECA, y el otro sin ECA). Entre las pequeñas diferencias encontradas entre los dos grupos destacan las siguientes: en el grupo experimental sin ECA (es decir, con interfaz sólo de voz) se observó un efecto más directo de los problemas de diálogo (por ejemplo, errores de reconocimiento) sobre la percepción de robustez, mientras que el grupo con ECA tuvo una respuesta emocional más positiva cuando se producían problemas. Los ECAs parecen generar inicialmente expectativas más elevadas en cuanto a las capacidades del sistema, y los usuarios de este grupo se declaran más seguros de sí mismos en su interacción. Por último, se observan algunos indicios de efectos sociales de los ECAs: la “amigabilidad ” percibida los ECAs estaba correlada con un incremento la preocupación por la seguridad. Asimismo, los usuarios del sistema con ECAs tendían más a culparse a sí mismos, en lugar de culpar al sistema, de los problemas de diálogo que pudieran surgir, mientras que se observó una ligera tendencia opuesta en el caso de los usuarios del sistema con interacción sólo de voz. ABSTRACT This Thesis presents two related lines of research work contributing to the general fields of Human-Technology (or Machine) Interaction (HTI, or HMI), computational linguistics, and user experience evaluation. These two lines are the design and user-focused evaluation of advanced Human-Machine (or Technology) Interaction systems. The first part of the Thesis (Chapters 2 to 4) is centred on advanced HMI system design. Chapter 2 provides a background overview of the state of research in multimodal conversational systems. This sets the stage for the research work presented in the rest of the Thesis. Chapers 3 and 4 focus on two major aspects of HMI design in detail: a generalised dialogue manager for context-aware multimodal HMI, and embodied conversational agents (ECAs, or animated agents) to improve dialogue robustness, respectively. Chapter 3, on dialogue management, deals with how to handle information heterogeneity, both from the communication modalities or from external sensors. A highly abstracted architectural contribution based on State Chart XML is proposed. Chapter 4 presents a contribution for the internal representation of communication intentions and their translation into gestural sequences for an ECA, especially designed to improve robustness in critical dialogue situations such as when miscommunication occurs. We propose an extension of the functionality of Functional Mark-up Language, as envisaged in much of the work in the SAIBA framework. Our extension allows the representation of communication acts that carry intentions that are not for the interlocutor to know of, but which are made to influence him or her as well as the flow of the dialogue itself. This is achieved through a design element we have called the Communication Intention Base. Such r pr s ntation of “non- clar ” int ntions allows th construction of communication acts that carry several communication intentions simultaneously. Also in Chapter 4, an experimental system is described which allows (simulated) remote control to a home automation assistant, with biometric (speaker) authentication to grant access, featuring embodied conversation agents for each of the tasks. The discussion includes a description of the behavioural sequences for the ECAs, which were designed for specific dialogue situations with particular attention given to the objective of improving dialogue robustness. Chapters 5 to 7 form the evaluation part of the Thesis. Chapter 5 reviews evaluation approaches in the literature for information technologies, as well as in particular for speech-based interaction systems, that are useful precedents to the contributions of the present Thesis. The main evaluation precedents on which the work in this Thesis has built are the Technology Acceptance Model (TAM), the Subjective Assessment of Speech System Interfaces (SASSI) tool, and ITU-T Recommendation P.851. Chapter 6 presents the author’s work in establishing an valuation framework and methodology applied to the users’ experience with multimodal HMI systems. A novel user-acceptance Subjective Quality Evaluation Framework was developed by the author specifically for this purpose. A class structure arises from two orthogonal sets of dimensions. First we identify three broad classes of parameters related with user acceptance: likeability factors (those that have to do with the experience of using the system), rejection factors (which can only have a negative valence) and perception of usefulness. Secondly, the class structure is further broken down into several “user perception levels”; at the very least: an overall system-assessment level, task and goal-related levels, and an interface level (e.g., a dialogue system with or without an ECA). An empirical evaluation of the system described in Chapter 4 is presented in Chapter 7. The study was based on the abovementioned precedents in the literature, expanded with categories covering the inclusion of an ECA, the users’ s lf-assessed emotions, and particular rejection factors (privacy and security concerns). The Subjective Quality Evaluation Framework proposed in the previous chapter was also scrutinised. Factor analyses revealed an item structure very much related conceptually to the usefulness-likeability-rejection class division introduced above, thus giving it some empirical weight. Regression-based analysis revealed structures of dependencies, paths of interrelations, between the subjective and objective parameters considered. The central mediation effect, in the Technology Acceptance Model, of perceived usefulness on the dependency relationship of intention-to-use with perceived ease of use was confirmed in this study. Furthermore, the pattern of relationships was stronger for variables covering more broadly the likeability and usefulness categories in the Subjective Quality Evaluation Framework. Rejection factors were found to have a distinct presence as components in factor analyses, as well as distinct behaviour: they were found to moderate the relationship between intention-to-use (the main measure of user acceptance) and its strongest predictor, perceived usefulness. Insights of secondary importance are also given regarding the effect of ECAs on the interface of spoken dialogue systems and the dimensions of user perception and judgement attitude that may have a role in determining user acceptance of the technology. Despite observing slightly better performance values in the case of the system with the ECA, subjective opinions regarding both systems were, overall, very similar. Minor differences between two experimental groups (one interacting with an ECA, the other only through speech) include a more direct effect of dialogue problems (e.g., non-understandings) on perceived dialogue robustness for the voice-only interface test group, and a more positive emotional response for the ECA test group. Our findings further suggest that the ECA generates higher initial expectations, and users seem slightly more confident in their interaction with the ECA than do those without it. Finally, mild evidence of social effects of ECAs was also found: the perceived friendliness of the ECA increased security concerns, and ECA users may tend to blame themselves rather than the system when dialogue problems are encountered, while the opposite may be true for voice-only users.

Modelización de reacciones químicas en presencia de un campo electromagnético variable

En esta tesis se aborda el estudio del proceso de isomerización del sistema molecular LiNC/LiCN tanto aislado como en presencia de un pulso láser aplicando la teoría del estado de transición (TST). Esta teoría tiene como pilar fundamental el hecho de que el conocimiento de la dinámica en las proximidades de un punto de silla de la superficie de energía potencial permite determinar los parámetros cinéticos de la reacción objeto de estudio. Históricamente, existen dos formulaciones de la teoría del estado de transición, la versión termodinámica de Eyring (Eyr38) y la visión dinámica de Wigner (Wig38). Ésta última ha sufrido recientemente un amplio desarrollo, paralelo a los avances en sistemas dinámicos que ha dado lugar a una formulación geométrica en el espacio de fases que sirve como base al trabajo desarrollado en esta tesis. Nos hemos centrado en abordar el problema desde una visión fundamentalmente práctica, ya que la teoría del estado de transición presenta una desventaja: su elevado coste computacional y de tiempo de cálculo. Dos han sido los principales objetivos de este trabajo. El primero de ellos ha sido sentar las bases teóricas y computacionales de un algoritmo eficiente que permita obtener las magnitudes fundamentales de la TST. Así, hemos adaptado con éxito un algoritmo computacional desarrollado en el ámbito de la mecánica celeste (Jor99), obteniendo un método rápido y eficiente para la obtención de los objetos geométricos que rigen la dinámica en el espacio de fases y que ha permitido calcular magnitudes cinéticas tales como el flujo reactivo, la densidad de estados de reactivos y productos y en última instancia la constante de velocidad. Dichos cálculos han sido comparados con resultados estadísticos (presentados en (Mül07)) lo cual nos ha permitido demostrar la eficacia del método empleado. El segundo objetivo de esta tesis, ha sido la evaluación de la influencia de los parámetros de un pulso electromagnético sobre la dinámica de reacción. Para ello se ha generalizado la metodología de obtención de la forma normal del hamiltoniano cuando el sistema químico es alterado mediante una perturbación temporal periódica. En este caso el punto fijo inestable en cuya vecindad se calculan los objetos geométricos de interés para la aplicación de la TST, se transforma en una órbita periódica del mismo periodo que la perturbación. Esto ha permitido la simulación de la reactividad en presencia de un pulso láser. Conocer el efecto de esta perturbación posibilita el control de la reactividad química. Además de obtener los objetos geométricos que rigen la dinámica en una cierta vecindad de la órbita periódica y que son la clave de la TST, se ha estudiado el efecto de los parámetros del pulso sobre la reactividad en el espacio de fases global así como sobre el flujo reactivo que atraviesa la superficie divisoria que separa reactivos de productos. Así, se ha puesto de manifiesto, que la amplitud del pulso es el parámetro más influyente sobre la reactividad química, pudiendo producir la aparición de flujos reactivos a energías inferiores a las de aparición del sistema aislado y el aumento del flujo reactivo a valores constantes de energía inicial. ABSTRACT We have studied the isomerization reaction LiNC/LiCN isolated and perturbed by a laser pulse. Transition State theory (TST) is the main tool we have used. The basis of this theory is knowing the dynamics close to a fixed point of the potential energy surface. It is possible to calculate kinetic magnitudes by knowing the dynamics in a neighbourhood of the fixed point. TST was first formulated in the 30's and there were 2 points of view, one thermodynamical by Eyring (Eyr38) and another dynamical one by Wigner (Wig38). The latter one has grown lately due to the growth of the dynamical systems leading to a geometrical view of the TST. This is the basis of the work shown in this thesis. As the TST has one main handicap: the high computational cost, one of the main goals of this work is to find an efficient method. We have adapted a methodology developed in the field of celestial mechanics (Jor99). The result: an efficient, fast and accurate algorithm that allows us to obtain the geometric objects that lead the dynamics close to the fixed point. Flux across the dividing surface, density of states and reaction rate coefficient have been calculated and compared with previous statistical results, (Mül07), leading to the conclusion that the method is accurate and good enough. We have widen the methodology to include a time dependent perturbation. If the perturbation is periodic in time, the fixed point becomes a periodic orbit whose period is the same as the period of the perturbation. This way we have been able to simulate the isomerization reaction when the system has been perturbed by a laser pulse. By knowing the effect of that perturbation we will be able to control the chemical reactivity. We have also studied the effect of the parameters on the global phase space dynamics and on the flux across the dividing surface. It has been prove that amplitude is the most influent parameter on the reaction dynamics. Increasing amplitude leads to greater fluxes and to some flux at energies it would not if the systems would not have been perturbed.

Fotodiodos basados en (Zn,Mg)O para la detección de luz ultravioleta

La presente tesis fue ideada con el objetivo principal de fabricar y caracterizar fotodiodos Schottky en capas de ZnMgO y en estructuras de pozo cuántico ZnMgO/ZnO para la detección de luz UV. La elección de este material semiconductor vino motivada por la posibilidad que ofrece de detectar y procesar señales simultáneamente, en un amplio margen de longitudes de onda, al igual que su más directo competidor el GaN. En esta memoria se da en primer lugar una visión general de las propiedades estructurales y ópticas del ZnO, prestando especial atención a su ternario ZnMgO y a las estructuras de pozo cuántico ZnMgO/ZnO. Además, se han desarrollado los conocimientos teóricos necesarios para una mejor compresión y discusión de los resultados alcanzados. En lo que respecta a los resultados de esta memoria, en esencia, estos se dividen en dos bloques. Fotodiodos desarrollados sobre capas delgadas de ZnMgO no-polar, y sobre estructuras de pozo cuántico de ZnMgO/ZnO no-polares y semipolares Fotodiodos de capas delgadas de ZnMgO. Es bien conocido que la adición de Mg a la estructura cristalina del ZnO desplaza el borde de absorción hacia energías mayores en el UV. Se ha aprovechado esto para fabricar fotodiodos Schottky sobre capas de ZnMgO crecidas por MOCVD y MBE, los cuales detecten en un ventana de energías comprendida entre 3.3 a 4.6 eV. Sobre las capas de ZnMgO, con diferentes contenidos de Mg(5.6-18.0 %), crecidas por MOCVD se han fabricado fotodiodos Schottky. Se han estudiado en detalle las curvas corrientevoltaje (I-V). Seguidamente, se ha realizado un análisis de la respuesta espectral bajo polarización inversa. Tanto los valores de responsividad obtenidos como el contraste UV/VIS están claramente aumentados por la presencia de ganancia. Paralelamente, se han realizado medidas de espectroscopia de niveles profundos (DLOS), identificándose la presencia de dos niveles profundos de carácter aceptor. El papel desempeñado por estos en la ganancia ha sido analizado meticulosamente. Se ha demostrado que cuando estos son fotoionizados son responsables directos del gran aumento de la corriente túnel que se produce a través de la barrera Schottky, dando lugar a la presencia de la ganancia observada, que además resulta ser función del flujo de fotones incidente. Para extender el rango detección hasta 4.6 eV se fabricaron fotodiodos sobre capas de ZnMgO de altísima calidad cristalina crecidas por MBE. Sobre estos se ha realizado un riguroso análisis de las curvas I-V y de las curvas capacidad-voltaje (CV), para posteriormente identificar los niveles profundos presentes en el material, mediante la técnica de DLOS. Así mismo se ha medido la respuesta espectral de los fotodetectores, la cual muestra un corte abrupto y un altísimo contraste UV/VIS. Además, se ha demostrado como estos son perfectos candidatos para la detección de luz en la región ciega al Sol. Por otra parte, se han fabricado fotodiodos MSM sobre estas mismas capas. Se han estudiado las principales figuras de mérito de estos, observándose unas corrientes bajas de oscuridad, un contraste UV/VIS de 103, y la presencia de fotocorriente persistente. Fotodiodos Schottky de pozos cuánticos de ZnO/ZnMgO. En el segundo bloque de esta memoria, con el objeto final de clarificar el impacto que tiene el tratamiento del H2O2 sobre las características optoelectrónicas de los dispositivos, se ha realizado un estudio detallado, en el que se han analizado por separado fotodiodos tratados y no tratados con H2O2, fabricados sobre pozos cuánticos de ZnMgO/ZnO. Se ha estudiado la respuesta espectral en ambos casos, observándose la presencia de ganancia en los dos. A través de un análisis meticuloso de las características electrónicas y optoeletrónicas de los fotodiodos, se han identificado dos mecanismos de ganancia internos diferentes en función de que la muestra sea tratada o no-tratada. Se han estudiado fotodetectores sensibles a la polarización de la luz (PSPDs) usando estructuras de pozo cuántico no-polares y semipolares sobre sustratos de zafiro y sustratos de ZnO. En lo que respecta a los PSPDs sobre zafiro, en los cuales el pozo presenta una tensión acumulada en el plano, se ha visto que el borde de absorción se desplaza _E _21 meV con respecto a luz linealmente polarizada perpendicular y paralela al eje-c, midiéndose un contraste (RE || c /RE c)max _ 6. Con respecto a los PSPDs crecidos sobre ZnO, los cuales tienen el pozo relajado, se ha obtenido un 4E _30-40, y 21 meV para las heteroestructuras no-polar y semipolar, respectivamente. Además el máximo contraste de responsividad fue de (RE || c /RE c)max _ 6 . Esta sensibilidad a la polarización de la luz ha sido explicada en términos de las transiciones excitónicas entre la banda de conducción y las tres bandas de valencia. ABSTRACT The main goal of the present thesis is the fabrication and characterization of Schottky photodiodes based on ZnMgO layers and ZnMgO / ZnO quantum wells (QWs) for the UV detection. The decision of choosing this semiconductor was mainly motivated by the possibility it offers of detecting and processing signals simultaneously in a wide range of wavelengths like its main competitor GaN. A general overview about the structural and optical properties of ZnO, ZnMgO layers and ZnMgO/ZnO QWs is given in the first part of this thesis. Besides, it is shown the necessary theoretical knowledge for a better understanding of the discussion presented here. The results of this thesis may be divided in two parts. On the one hand, the first part is based on studying non-polar ZnMgO photodiodes. On the other hand, the second part is focused on the characterization of non-polar and semipolar ZnMgO / ZnO QWs Schottky photodiodes. ZnMgO photodiodes. It is well known that the addition of Mg in the crystal structure of ZnO results in a strong blue-shift of the ZnO band-gap. Taking into account this fact Schottky photodiodes were fabricated on ZnMgO layers grown by MOCVD and MBE. Concerning ZnMgO layers grown by MOCVD, a series of Schottky photodiodes were fabricated, by varying the Mg content from 5.6% to 18 %. Firstly, it has been studied in detail the current-voltage curves. Subsequently, spectral response was analyzed at reverse bias voltage. Both the rejection ratio and the responsivity are shown to be largely enhanced by the presence of an internal gain mechanism. Simultaneously, measurements of deep level optical spectroscopy were carried out, identifying the presence of two acceptor-like deep levels. The role played for these in the gain observed was studied in detail. It has been demonstrated that when these are photoionized cause a large increase in the tunnel current through the Schottky barrier, yielding internal gains that are a function of the incident photon flux. In order to extend the detection range up to 4.6 eV, photodiodes ZnMgO grown by MBE were fabricated. An exhaustive analysis of the both I-V and CV characteristics was performed. Once again, deep levels were identified by using the technique DLOS. Furthermore, the spectral response was measured, observing sharp absorption edges and high UV/VIS rejections ratio. The results obtained have confirmed these photodiodes are excellent candidates for the light detection in the solar-blind region. In addition, MSM photodiodes have also been fabricated on the same layers. The main figures of merit have been studied, showing low dark currents, a large UV/VIS rejection ratio and persistent photocurrent. ZnMgO/ZnO QWs photodiodes. The second part was focused on ZnMgO/ ZnO QWs. In order to clarify the impact of the H2O2 treatment on the performance of the Schottky diodes, a comparative study using treated and untreated ZnMgO/ZnO photodiodes has been carried out. The spectral response in both cases has shown the presence of gain, under reverse bias. Finally, by means of the analysis of electronic and optoelectronic characteristics, two different internal gain mechanisms have been indentified in treated and non-treated material. Light polarization-sensitive UV photodetectors (PSPDs) using non-polar and semipolar ZnMgO/ZnO multiple quantum wells grown both on sapphire and ZnO substrates have been demonstrated. For the PSPDs grown on sapphire with anisotropic biaxial in-plain strain, the responsivity absorption edge shifts by _E _21 meV between light polarized perpendicular and parallel to the c-axis, and the maximum responsivity contrast is (RE || c /RE c)max _ 6 . For the PSPDs grown on ZnO, with strain-free quantum wells, 4E _30-40, and 21 meV for non-polar and semipolar heterostructures, and maximum (R /R||)max _10. for non-polar heterostructure was achieved. These light polarization sensitivities have been explained in terms of the excitonic transitions between the conduction and the three valence bands.

València (regne). Mapas generales

Inscripción en la parte superior izquierda: "Pl. 27"

València (regne). Mapas generales

Escala en el ángulo superior derecho expresada en varias unidades

Two-photon photocurrent and voltage up-conversion in a quantum dot intermediate band solar cell

It has been proposed that the use of self-assembled quantum dot (QD) arrays can break the Shockley-Queisser efficiency limit by extending the absorption of solar cells into the low-energy photon range while preserving their output voltage. This would be possible if the infrared photons are absorbed in the two sub-bandgap QD transitions simultaneously and the energy of two photons is added up to produce one single electron-hole pair, as described by the intermediate band model. Here, we present an InAs/Al 0.25Ga 0.75As QD solar cell that exhibits such electrical up-conversion of low-energy photons. When the device is monochromatically illuminated with 1.32 eV photons, open-circuit voltages as high as 1.58 V are measured (for a total gap of 1.8 eV). Moreover, the photocurrent produced by illumination with photons exciting the valence band to intermediate band (VB-IB) and the intermediate band to conduction band (IB-CB) transitions can be both spectrally resolved. The first corresponds to the QD inter-band transition and is observable for photons of energy mayor que 1 eV, and the later corresponds to the QD intra-band transition and peaks around 0.5 eV. The voltage up-conversion process reported here for the first time is the key to the use of the low-energy end of the solar spectrum to increase the conversion efficiency, and not only the photocurrent, of single-junction photovoltaic devices. In spite of the low absorption threshold measured in our devices - 0.25 eV - we report open-circuit voltages at room temperature as high as 1.12 V under concentrated broadband illumination.

València (regne). Mapas generales

Escala en el ángulo superior derecho expresada en varias unidades

Urbanism and dictatorship: perspectives of the field of urban studies

In 1933 public letter to Wilhelm Furtwängler, Joseph Goebbels synthesized the official understanding of the link between politics, art and society in the early steps of the Third Reich. By assuming the ethos of art, politics acquired a plastic agency to mold its objects —population and the state— as a unified entity in the form of a ‘national-popular community’ (Volksgemeinschaft); in turn, by infusing art with a political valence, it became part of a wider governmental apparatus that reshaped aesthetic discourses and practices. Similar remarks could be made about the ordering of cities and territories in this period. Dictatorial imaginations mobilized urbanism —including urban theory, urban design and planning— as a fundamental tool for social organization. Under their aegis the production of space became a moment in a wider production of society. Many authors suggest that this political-spatial nexus is intrinsic to modernity itself, beyond dictatorial regimes. In this light, I propose to use dictatorial urbanisms as an analytical opportunity to delve into some concealed features of modern urban design and planning. This chapter explores some of these aspects from a theoretical standpoint, focusing on the development of dictatorial planning mentalities and spatial rationalities and drawing links to other historical episodes in order to inscribe the former in a broader genealogy of urbanism. Needless to say, I don’t suggest that we use dictatorships as mere templates to understand modern productions of space. Instead, these cases provide a crude version of some fundamental drives in the operationalization of urbanism as an instrument of social regulation, showing how far the modern imagination of sociospatial orderings can go. Dictatorial urbanisms constituted a set of experiences where many dreams and aspirations of modern planning went to die. But not, as the conventional account would have it, because the former were the antithesis of the latter, but rather because they worked as the excess of a particular orientation of modern spatial governmentalities — namely, their focus on calculation, social engineering and disciplinary spatialities, and their attempt to subsume a wide range of everyday practices under institutional structuration by means of spatial mediations. In my opinion the interest of dictatorial urbanisms lies in their role as key regulatory episodes in a longer history of our urban present. They stand as a threshold between the advent of planning in the late 19th and early 20th century, and its final consolidation as a crucial state instrument after World War II. We need, therefore, to pay attention to these experiences vis-à-vis the alleged ‘normal’ development of the field in contemporary democratic countries in order to develop a full comprehension thereof.

Intermediate Band Solar Cell with Extreme Broadband Spectrum Quantum Efficiency

We report, for the first time, about an intermediate band solar cell implemented with InAs/AlGaAs quantum dots whose photoresponse expands from 250 to ~ 6000  nm. To our knowledge, this is the broadest quantum efficiency reported to date for a solar cell and demonstrates that the intermediate band solar cell is capable of producing photocurrent when illuminated with photons whose energy equals the energy of the lowest band gap. We show experimental evidence indicating that this result is in agreement with the theory of the intermediate band solar cell, according to which the generation recombination between the intermediate band and the valence band makes this photocurrent detectable. © 2015 American Physical Society

Research on wide-bandgap intermediate band solar cells and development of experimental techniques for their characterization

El trabajo que ha dado lugar a esta Tesis Doctoral se enmarca en la invesitagación en células solares de banda intermedia (IBSCs, por sus siglas en inglés). Se trata de un nuevo concepto de célula solar que ofrece la posibilidad de alcanzar altas eficiencias de conversión fotovoltaica. Hasta ahora, se han demostrado de manera experimental los fundamentos de operación de las IBSCs; sin embargo, esto tan sólo has sido posible en condicines de baja temperatura. El concepto de banda intermedia (IB, por sus siglas en inglés) exige que haya desacoplamiento térmico entre la IB y las bandas de valencia y conducción (VB and CB, respectivamente, por sus siglas en inglés). Los materiales de IB actuales presentan un acoplamiento térmico demasiado fuerte entre la IB y una de las otras dos bandas, lo cual impide el correcto funcionamiento de las IBSCs a temperatura ambiente. En el caso particular de las IBSCs fabricadas con puntos cuánticos (QDs, por sus siglas en inglés) de InAs/GaAs - a día de hoy, la tecnología de IBSC más estudiada - , se produce un rápido intercambio de portadores entre la IB y la CB, por dos motivos: (1) una banda prohibida estrecha (< 0.2 eV) entre la IB y la CB, E^, y (2) la existencia de niveles electrónicos entre ellas. El motivo (1) implica, a su vez, que la máxima eficiencia alcanzable en estos dispositivos es inferior al límite teórico de la IBSC ideal, en la cual E^ = 0.71 eV. En este contexto, nuestro trabajo se centra en el estudio de IBSCs de alto gap (o banda prohibida) fabricadsas con QDs, o lo que es lo mismo, QD-IBSCs de alto gap. Hemos fabricado e investigado experimentalmente los primeros prototipos de QD-IBSC en los que se utiliza AlGaAs o InGaP para albergar QDs de InAs. En ellos demostramos une distribución de gaps mejorada con respecto al caso de InAs/GaAs. En concreto, hemos medido valores de E^ mayores que 0.4 eV. En los prototipos de InAs/AlGaAs, este incremento de E^ viene acompaado de un incremento, en más de 100 meV, de la energía de activación del escape térmico. Además, nuestros dispositivos de InAs/AlGaAs demuestran conversión a la alza de tensión; es decir, la producción de una tensión de circuito abierto mayor que la energía de los fotones (dividida por la carga del electrón) de un haz monocromático incidente, así como la preservación del voltaje a temperaura ambiente bajo iluminación de luz blanca concentrada. Asimismo, analizamos el potencial para detección infrarroja de los materiales de IB. Presentamos un nuevo concepto de fotodetector de infrarrojos, basado en la IB, que hemos llamado: fotodetector de infrarrojos activado ópticamente (OTIP, por sus siglas en inglés). Nuestro novedoso dispositivo se basa en un nuevo pricipio físico que permite que la detección de luz infrarroja sea conmutable (ON y OFF) mediante iluminación externa. Hemos fabricado un OTIP basado en QDs de InAs/AlGaAs con el que demostramos fotodetección, bajo incidencia normal, en el rango 2-6/xm, activada ópticamente por un diodoe emisor de luz de 590 nm. El estudio teórico del mecanismo de detección asistido por la IB en el OTIP nos lleva a poner en cuestión la asunción de quasi-niveles de Fermi planos en la zona de carga del espacio de una célula solar. Apoyados por simuaciones a nivel de dispositivo, demostramos y explicamos por qué esta asunción no es válida en condiciones de corto-circuito e iluminación. También llevamos a cabo estudios experimentales en QD-IBSCs de InAs/AlGaAs con la finalidad de ampliar el conocimiento sobre algunos aspectos de estos dispositivos que no han sido tratados aun. En particular, analizamos el impacto que tiene el uso de capas de disminución de campo (FDLs, por sus siglas en inglés), demostrando su eficiencia para evitar el escape por túnel de portadores desde el QD al material anfitrión. Analizamos la relación existente entre el escape por túnel y la preservación del voltaje, y proponemos las medidas de eficiencia cuántica en función de la tensión como una herramienta útil para evaluar la limitación del voltaje relacionada con el túnel en QD-IBSCs. Además, realizamos medidas de luminiscencia en función de la temperatura en muestras de InAs/GaAs y verificamos que los resltados obtenidos están en coherencia con la separación de los quasi-niveles de Fermi de la IB y la CB a baja temperatura. Con objeto de contribuir a la capacidad de fabricación y caracterización del Instituto de Energía Solar de la Universidad Politécnica de Madrid (IES-UPM), hemos participado en la instalación y puesta en marcha de un reactor de epitaxia de haz molecular (MBE, por sus siglas en inglés) y el desarrollo de un equipo de caracterización de foto y electroluminiscencia. Utilizando dicho reactor MBE, hemos crecido, y posteriormente caracterizado, la primera QD-IBSC enteramente fabricada en el IES-UPM. ABSTRACT The constituent work of this Thesis is framed in the research on intermediate band solar cells (IBSCs). This concept offers the possibility of achieving devices with high photovoltaic-conversion efficiency. Up to now, the fundamentals of operation of IBSCs have been demonstrated experimentally; however, this has only been possible at low temperatures. The intermediate band (IB) concept demands thermal decoupling between the IB and the valence and conduction bands. Stateof- the-art IB materials exhibit a too strong thermal coupling between the IB and one of the other two bands, which prevents the proper operation of IBSCs at room temperature. In the particular case of InAs/GaAs quantum-dot (QD) IBSCs - as of today, the most widely studied IBSC technology - , there exist fast thermal carrier exchange between the IB and the conduction band (CB), for two reasons: (1) a narrow (< 0.2 eV) energy gap between the IB and the CB, EL, and (2) the existence of multiple electronic levels between them. Reason (1) also implies that maximum achievable efficiency is below the theoretical limit for the ideal IBSC, in which EL = 0.71 eV. In this context, our work focuses on the study of wide-bandgap QD-IBSCs. We have fabricated and experimentally investigated the first QD-IBSC prototypes in which AlGaAs or InGaP is the host material for the InAs QDs. We demonstrate an improved bandgap distribution, compared to the InAs/GaAs case, in our wide-bandgap devices. In particular, we have measured values of EL higher than 0.4 eV. In the case of the AlGaAs prototypes, the increase in EL comes with an increase of more than 100 meV of the activation energy of the thermal carrier escape. In addition, in our InAs/AlGaAs devices, we demonstrate voltage up-conversion; i. e., the production of an open-circuit voltage larger than the photon energy (divided by the electron charge) of the incident monochromatic beam, and the achievement of voltage preservation at room temperature under concentrated white-light illumination. We also analyze the potential of an IB material for infrared detection. We present a IB-based new concept of infrared photodetector that we have called the optically triggered infrared photodetector (OTIP). Our novel device is based on a new physical principle that allows the detection of infrared light to be switched ON and OFF by means of an external light. We have fabricated an OTIP based on InAs/AlGaAs QDs with which we demonstrate normal incidence photodetection in the 2-6 /xm range optically triggered by a 590 nm light-emitting diode. The theoretical study of the IB-assisted detection mechanism in the OTIP leads us to questioning the assumption of flat quasi-Fermi levels in the space-charge region of a solar cell. Based on device simulations, we prove and explain why this assumption is not valid under short-circuit and illumination conditions. We perform new experimental studies on InAs/GaAs QD-IBSC prototypes in order to gain knowledge on yet unexplored aspects of the performance of these devices. Specifically, we analyze the impact of the use of field-damping layers, and demonstrate this technique to be efficient for avoiding tunnel carrier escape from the QDs to the host material. We analyze the relationship between tunnel escape and voltage preservation, and propose voltage-dependent quantum efficiency measurements as an useful technique for assessing the tunneling-related limitation to the voltage preservation of QD-IBSC prototypes. Moreover, we perform temperature-dependent luminescence studies on InAs/GaAs samples and verify that the results are consistent with a split of the quasi-Fermi levels for the CB and the IB at low temperature. In order to contribute to the fabrication and characterization capabilities of the Solar Energy Institute of the Universidad Polite´cnica de Madrid (IES-UPM), we have participated in the installation and start-up of an molecular beam epitaxy (MBE) reactor and the development of a photo and electroluminescence characterization set-up. Using the MBE reactor, we have manufactured and characterized the first QD-IBSC fully fabricated at the IES-UPM.

Intermediate band to conduction band optical absorption in ZnTeO

ZnTe doped with high concentrations of oxygen has been proposed in previous works as an intermediate band (IB) material for photovoltaic applications. The existence of extra optical transitions related to the presence of an IB has already been demonstrated in this material and it has been possible to measure the absorption coefficient of the transitions from the valence band (VB) to the IB. In this study, we present the first measurement of the absorption coefficient associated with transitions from the IB to the conduction band (CB) in ZnTeO. The samples used are 4-mum-thick ZnTe layers with or without O in a concentration ~10 19 cm -3, which have been grown on semiinsulating GaAs substrates by molecular beam epitaxy (MBE). The IB-CB absorption coefficient peaks for photon energies ~0.4 eV. It is extracted from reflectance and transmittance spectra measured using Fourier transform infrared (FTIR) spectroscopy. Under typical FTIR measurement conditions (low light intensity, broadband spectrum), the absorption coefficient in IB-to-CB transitions reaches 700 cm -1. This is much weaker than the one observed for VB-IB absorption. This result is consistent with the fact that the IB is expected to be nearly empty of electrons under equilibrium conditions in ZnTe(O).

Electronic and optical properties of substitutional V, Cr and Ir impurities in Cu2ZnSnS4

The substitution of cation atoms by V, Cr and It in the natural and synthetic quaternary Cu2ZnSnS4 semiconductor is analyzed using first-principles methods. In most of the substitutions, the electronic structure of these modified CZTS is characterized for intermediate bands with different occupation and position within of the energy band gap. A study of the symmetry and composition of these intermediate bands is carried out for all substitutions. These bands permit additional photon absorption and emission channels depending on their occupation. The optical properties are obtained and analyzed. The absorption coefficients are split into contributions from the different absorption channels and from the inter- and intra-atomic components. The sub bandgap transitions are significant in many cases because the anion states contribute to the valence, conduction and intermediates bands. These properties could therefore be used for novel optoelectronic devices.

V-substituted In2S3: an intermediate band material with photocatalytic activity in the whole visible light range

We proposed in our previous work V-substituted In2S3 as an intermediate band (IB) material able to enhance the efficiency of photovoltaic cells by combining two photons to achieve a higher energy electron excitation, much like natural photosynthesis. Here this hyper-doped material is tested in a photocatalytic reaction using wavelength-controlled light. The results evidence its ability to use photons with wavelengths of up to 750 nm, i.e. with energy significantly lower than the bandgap (=2.0 eV) of non-substituted In2S3, driving with them the photocatalytic reaction at rates comparable to those of non-substituted In2S3 in its photoactivity range (λ ≤ 650 nm). Photoluminescence spectra evidence that the same bandgap excitation as in V-free In2S3 occurs in V-substituted In2S3 upon illumination with photons in the same sub-bandgap energy range which is effective in photocatalysis, and its linear dependence on light intensity proves that this is not due to a nonlinear optical property. This evidences for the first time that a two-photon process can be active in photocatalysis in a single-phase material. Quantum calculations using GW-type many-body perturbation theory suggest that the new band introduced in the In2S3 gap by V insertion is located closer to the conduction band than to the valence band, so that hot carriers produced by the two-photon process would be of electron type; they also show that the absorption coefficients of both transitions involving the IB are of significant and similar magnitude. The results imply that V-substituted In2S3, besides being photocatalytically active in the whole visible light range (a property which could be used for the production of solar fuels), could make possible photovoltaic cells of improved efficiency.