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Systematic trends in the properties of a linear split-gate heterojunction are studied by solving iteratively the Poisson and Schrödinger equations for different gate potentials and temperatures. A two-dimensional approximation is presented that is much simpler in the numerical implementation and that accurately reproduces all significant trends. In deriving this approximation, we provide a rigorous and quantitative basis for the formulation of models that assumes a two-dimensional character for the electron gas at the junction.

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"De l'autorité et de l'intelligence des chefs" (3 feuilles dactylographiées) ; "Mécanisme des grandes notions de la vie" (8 feuilles dactylographiées) ; "Méthodes d'enseignement et d'éducation" (4 feuilles dactylographiées avec corrections manuscrites) ; "Souvenirs du temps de l'exode" (2 feuilles dactylographiées) ; notes sur l'étude d'un sentiment (18 feuilles dactylographiées en double exemplaire) ; notes biographiques sur Louis Marin (16 feuilles dactylographiées) ; "L'elginisme et la conservation des monuments historiques" (28 feuilles dactylographiées)