El Mole: Número 49. Tomo 2 - Día 20 de diciembre de 1855

Microfilme. Valencia: BV, ca. 1990

El Mole: Número 50. Tomo 2 - Día 24 de diciembre de 1855

Microfilme. Valencia: BV, ca. 1990

El Mole: Número 51. Tomo 2 - Día 26 de diciembre de 1855

Microfilme. Valencia: BV, ca. 1990

Long term resilience decline in plant ecosystems across the Danian Dan-C2 hyperthermal event, Boltysh crater, Ukraine

Acknowledgements and Funding The authors are extremely grateful for the receipt of NERC award NE/ D005043/1, which funded the initial Boltysh impact crater study. R. Spicer and J. Leake are thanked for interesting discussions. C. Wellman, W. Gosling and M. Donovan are thanked for constructively critical reviews of the paper. Scientific editing by Quentin Crowley

Caracterização elétrica de túnel-FET em estrutura de nanofio com fontes de SiGe e Ge em função da temperatura.

Este trabalho teve como objetivo estudar os transistores de tunelamento por efeito de campo em estruturas de nanofio (NW-TFET), sendo realizado através de analises com base em explicações teóricas, simulações numéricas e medidas experimentais. A fim de avaliar melhorar o desempenho do NW-TFET, este trabalho utilizou dispositivos com diferentes materiais de fonte, sendo eles: Si, liga SiGe e Ge, além da variação da espessura de HfO2 no material do dielétrico de porta. Com o auxílio de simulações numéricas foram obtidos os diagramas de bandas de energia dos dispositivos NW-TFET com fonte de Si0,73Ge0,27 e foi analisada a influência de cada um dos mecanismos de transporte de portadores para diversas condições de polarização, sendo observado a predominância da influência da recombinação e geração Shockley-Read-Hall (SRH) na corrente de desligamento, do tunelamento induzido por armadilhas (TAT) para baixos valores de tensões de porta (0,5V > VGS > 1,5V) e do tunelamento direto de banda para banda (BTBT) para maiores valores tensões de porta (VGS > 1,5V). A predominância de cada um desses mecanismos de transporte foi posteriormente comprovada com a utilização do método de Arrhenius, sendo este método adotado em todas as análises do trabalho. O comportamento relativamente constante da corrente dos NW-TFETs com a temperatura na região de BTBT tem chamado a atenção e por isso foi realizado o estudo dos parâmetros analógicos em função da temperatura. Este estudo foi realizado comparando a influência dos diferentes materiais de fonte. O uso de Ge na fonte, permitiu a melhora na corrente de tunelamento, devido à sua menor banda proibida, aumentando a corrente de funcionamento (ION) e a transcondutância do dispositivo. Porém, devido à forte dependência de BTBT com o campo elétrico, o uso de Ge na fonte resulta em uma maior degradação da condutância de saída. Entretanto, a redução da espessura de HfO2 no dielétrico de porta resultou no melhor acoplamento eletrostático, também aumentando a corrente de tunelamento, fazendo com que o dispositivo com fonte Ge e menor HfO2 apresentasse melhores resultados analógicos quando comparado ao puramente de Si. O uso de diferentes materiais durante o processo de fabricação induz ao aumento de defeitos nas interfaces do dispositivo. Ao longo deste trabalho foi realizado o estudo da influência da densidade de armadilhas de interface na corrente do dispositivo, demonstrando uma relação direta com o TAT e a formação de uma região de platô nas curvas de IDS x VGS, além de uma forte dependência com a temperatura, aumentando a degradação da corrente para temperaturas mais altas. Além disso, o uso de Ge introduziu maior número de impurezas no óxido, e através do estudo de ruído foi observado que o aumento na densidade de armadilhas no óxido resultou no aumento do ruído flicker em baixa frequência, que para o TFET, ocorre devido ao armadilhamento e desarmadilhamento de elétrons na região do óxido. E mais uma vez, o melhor acoplamento eletrostático devido a redução da espessura de HfO2, resultou na redução desse ruído tornando-se melhor quando comparado à um TFET puramente de Si. Neste trabalho foi proposto um modelo de ruído em baixa frequência para o NW-TFET baseado no modelo para MOSFET. Foram realizadas apenas algumas modificações, e assim, obtendo uma boa concordância com os resultados experimentais na região onde o BTBT é o mecanismo de condução predominante.

Intérprete y portavoz: la figura del diputado en las elecciones de 1854 en España

Las elecciones de 1854 en España se desarrollaron en un contexto político que favoreció la participación en el marco del sufragio censitario. Un número significativo de candidatos publicaron manifiestos en la prensa, a través de los cuales es posible delinear varios rasgos de los modelos representativos existentes en la cultura política de la época. El análisis de los manifiestos constituye el núcleo central de este texto, donde apuntamos los elementos que conforman la figura del diputado a Cortes.

Handing Down and Adaption: The Construction of the Material World of Health Care Technology in Spain (1855-1955)

This historical study uses qualitative methods to analyze and describe the components of the material world of nursing care in Spain between 1855 and 1955 based on the analysis of eight nurse training manuals. A total of 360 objects and 45 procedures were recorded. Manual analysis was carried out concurrently with data collection based on the Grounded Theory approach. Findings show that the material world of health care was composed of objects that were handed down by the medical profession to health care professionals and adapted objects, improvised mainly out of everyday household items. While the handing down of medical tools and instruments could be said to be a theoretical and technical achievement, it is not clear whether it was also a scientific accomplishment. The improvisation of objects out of everyday household items promoted by the manuals highlights the artisan-like and ingenious nature of nursing practice, which should be explored further in future studies to provide a greater understanding and promote the recognition of these objects as a health care technology.

District records, 1795-1855

District reports are reports on the occupants of College rooms, the condition of chambers and of other college property.