Electrical properties of some single crystal dodecaborides /|nby Jyoti Burte. -- 260 St. Catharines [Ont. : s. n.],

PreVi011.3 ':i or~ : indicat e('. tk~t ho t~)rE's sed ~-Al B 12 1i~2, ~' a semiconductor. r:Toreove r , the s i mpl.(~ electronic t heory also indi cates that ~ -AIB1 2 should be a semico nductor, since thf're is one nonbonding e 'Le ctrofl per AlB12- uni t. JPor these reasons, we decided to measure t he electrical n ropert i ~ s of ~ -AlB1 2 single crystal s . Singl e crystal s of¥- AIB 12 ab ou t 1 x 1 r1n1 . size were grown from a copper mel t at 12500 C. The melt technique coupled. 1,vi th slow cooling vilas used because of i ts advantages such as : siTYInle set- up of the expe rimon t ; only e ;l.sil y available c hemi cals are required and it i s a c omparatively strair::bt forvvard y,le t hod still yielding crystal s big enouGh for OtU' purpose . Copper rms used as a solvent , i nst8ad of previOl.wly used aluminum , because it allows c.l.'ystal growth at hig he r t emneratures. HovlGver, the cry s tals of ] -AlB12 shm'red very hi gh res i s t ance a t r oom temperature . From our neasureJ'lents we conclude that the r esistivity of j3- Al B12 is, at least, given as ~ = 4. x 107 oblD .em •• Those results are inc ons i s t ent wi 'uh the ones .. reported by IIiss Khin fo r bot- pressed j3-AlB12 g i ven a s = 7600 ohm . em . or I e s s . ' Since tbe hot pressing was done at about 800 - ' 9000C i n ~ rap hi te moul ds 1,7i th 97% AlB12- p oVJder, vie thi nk there is pas s ib i 1 i ty th a.t lower borides or borot] carbide are , being formed, ':.Jhich are k11 own to be good semiconductors . v7e tried to ro-pe r-AlB12 by addi'J,'?: agents s uch as l:Ig , IG.-InO 4. ' HgS04 , KI12PO 4·' etc. to t he melt .. However , all these re age 11 t eel either reduced the yield and size of t lJe crystals or r;ave crystals of high r esis'can ce again. We think tba t molten copper keeps t he i mpurities off . There is also a pos s i bil i ty t hc:!,t these doping agents get oxidi~::;ed at '1 250°C • Hence, we co ~ clud e that J -AIB12 has v~ ry high r es i stance at r oom temperature . This was a l s o C011 - fi rmed by checki ng the siYlgle and. polycrystals of .~-AIB12 from Norton Co., Ontario and Cooper Nletallurgical Association. Boron carbide has been reported to be a semiconductor with ~ - 0.3 to 0.8 ohm . cm. for hotpres sed s araples. Boron carbide b e inq: struct urally related to ¥-AIB12 , we de cided to study the electrical prone rties of it~ Single crystals. These crystals were cut from a Single melt grovvn crystal a t Norton Co., Ontario. The resistivity of th," se crystal s was measured by the Van der Pam-v' s ~ nethod, which \vas very c onvenient fo r our crystal sha-pp.s. Some of the crystals showed resistivity ~ == 0.50 ob,Tn.cr] . i n agreement with the previously reported results . However , a few crystals showed lower resistivity e.g . 0 .13 and 0.20 ohm.cra • • The Hall mobility could .not be measured and th8reiore i s lower than 0 .16 em 2 v - 1 sec -1 • This is in agreement \vith t he re1)orted Hall mobility for pyrolytic boron . _ 2 -1 -1 carbide as 0.13 cm v sec • We also studied the orientation of the boron carbide crystals by the Jjaue-method. The inclination of c-axis with res pect to x-ray be81Il was det ermined . This was found to be 100 t o 20° f or normal resistivity sarnples (0.5 ohm . cm.) and 27 - 30° for t he lower r esistivity samples (0.1 ~5 to 0.20 ohm.cm .). This indica tes the possibility that th.e r es if.1tivity of B13C3 i s orientation dependent.

Some electrical properties of semi-conductor crystals / |nPhyu Phyu Khin. -- 260 St. Catharines, Ont. : [s. n.],

SiC and AtB 12 have been prepared and their resistivities and Hall voltages measured. The resistivities and Hall voltages were measured by the Van der Pauw's method, using spring loaded tungsten contacts. In this method, the major requirement is to have samples of plane parallel surfaces of arbitrary shape with four small contacts at the circumference. Similar measurements were made with a number of SiC crystals obtained from the Norton Research Corporation (Canada)-Ltd., Carolina Aluminum Co., Exolon Co. and Carborundum Co. It was found that resistivity, carrier concentration and mobility of ions depend on the type of impurity. AtB 12 was prepared from the melt containing At and B in the ratio of 4:1. They formed amber-colour pseudo tetragonal crystals. As the crystals obtained were small for electrical measurements, hot pressed lumps have been used to measure their resistivity.

The effects of moisture, cation concentration, temperature, density and composition of soils on their electrical resistivity

The effects. of moisture, cation concentration, dens ity , temper~ t ure and grai n si ze on the electrical resistivity of so il s are examined using laboratory prepared soils. An i nexpen si ve method for preparing soils of different compositions was developed by mixing various size fractions i n the laboratory. Moisture and cation c oncentration are related to soil resistivity by powe r functions, whereas soil resistiv ity and temperature, density, Yo gravel, sand , sil t, and clay are related by exponential functions . A total of 1066 cases (8528 data) from all the experiments were used in a step-wise multiple linear r egression to determine the effect of each variable on soil resistivity. Six variables out of the eight variables studied account for 92.57/. of the total variance in so il resistivity with a correlation coefficient of 0.96. The other two variables (silt and gravel) did not increase the · variance. Moisture content was found to be - the most important Yo clay. variable- affecting s oil res istivi ty followed by These two variables account for 90.81Yo of the total variance in soil resistivity with a correlation ~oefficient ·.of 0 . 95. Based on these results an equation to ' ~~ed{ ct soil r esist ivi ty using moisture and Yo clay is developed . To t est the predicted equation, resistivity measurements were made on natural soils both in s i tu a nd i n the laboratory. The data show that field and laboratory measurements are comparable. The predicted regression line c losely coinciqes with resistivity data from area A and area B soils ~clayey and silty~clayey sands). Resistivity data and the predicted regression line in the case of c layey soils (clays> 40%) do not coincide, especially a t l ess than 15% moisture. The regression equation overestimates the resistivity of so i l s from area C and underestimates for area D soils. Laboratory prepared high clay soils give similar trends. The deviations are probably caused by heterogeneous distribution of mo i sture and difference in the type o f cl ays present in these soils.

Collective Labour Agreement between the Public Utilities Commission of the City of St. Catharines and Local 556, The International Brotherhood of Electrical Workers, 1952

In 1952, Local 556 of The International Brotherhood of Electrical Workers negotiated a contract with The Public Utilities Commission of the City of St. Catharines. The contract was to be in effect from July 1952 to September 1953. The document is unsigned.

Electrical Development Company of Ontario certificate of stock ownership, ca. 1910.

The Electrical Development Company of Ontario was created in 1903. It was one of three private power companies that had water power leases with the Niagara Parks Commission, but was the only one that was financed with Canadian capital. The company built the Toronto Power Generating Station at Niagara Falls beginning in 1906, and the power house was completed in 1913. During the construction, there was much debate about whether the utility should remain privately operated or become a public utility. In 1920, the company became part of the public utility.

Crystallinity, Magnetic and Electrical Properties of Bi doped LaVO3

We report the results of crystal structure, magnetization and resistivity measurements of Bi doped LaVO3. X-ray diffraction (XRD) shows that if doping Bi in the La site is less than ten percent, the crystal structure of La1-xBixVO3 remains unchanged and its symmetry is orthorhombic. However, for higher Bi doping (>10%) composite compounds are found where the XRD patterns are characterized by two phases: LaVO3+V2O3. Energy-dispersive analysis of the x-ray spectroscopy (EDAX) results are used to find a proper atomic percentage of all samples. The temperature dependence of the mass magnetization of pure and single phase doped samples have transition temperatures from paramagnetic to antiferromagnetic region at TN=140 K. This measurement for bi-phasic samples indicates two transition temperatures, at TN=140 K (LaVO3) and TN=170 K (V2O3). The temperature dependence of resistivity reveals semiconducting behavior for all samples. Activation energy values for pure and doped samples are extracted by fitting resistivity versus temperature data in the framework of thermal activation process.

Mechanisms of long-term modulation of synaptic transmission in crayfish

Please consult the paper edition of this thesis to read. It is available on the 5th Floor of the Library at Call Number: Z 9999 B56 M68 2007

Cholesterol-Independent Effects of Methyl-b- Cyclodextrin on Chemical Synapses

The cholesterol chelating agent, methyl-b-cyclodextrin (MbCD), alters synaptic function in many systems. At crayfish neuromuscular junctions, MbCD is reported to reduce excitatory junctional potentials (EJPs) by impairing impulse propagation to synaptic terminals, and to have no postsynaptic effects. We examined the degree to which physiological effects of MbCD correlate with its ability to reduce cholesterol, and used thermal acclimatization as an alternative method to modify cholesterol levels. MbCD impaired impulse propagation and decreased EJP amplitude by 40% (P,0.05) in preparations from crayfish acclimatized to 14uC but not from those acclimatized to 21uC. The reduction in EJP amplitude in the cold-acclimatized group was associated with a 49% reduction in quantal content (P,0.05). MbCD had no effect on input resistance in muscle fibers but decreased sensitivity to the neurotransmitter L-glutamate in both warm- and coldacclimatized groups. This effect was less pronounced and reversible in the warm-acclimatized group (90% reduction in cold, P,0.05; 50% reduction in warm, P,0.05). MbCD reduced cholesterol in isolated nerve and muscle from cold- and warmacclimatized groups by comparable amounts (nerve: 29% cold, 25% warm; muscle: 20% cold, 18% warm; P,0.05). This effect was reversed by cholesterol loading, but only in the warm-acclimatized group. Thus, effects of MbCD on glutamatesensitivity correlated with its ability to reduce cholesterol, but effects on impulse propagation and resulting EJP amplitude did not. Our results indicate that MbCD can affect both presynaptic and postsynaptic properties, and that some effects of MbCD are unrelated to cholesterol chelation.

Mécanismes moléculaires impliqués dans la régulation de l’acide polysialique (PSA) dans le néocortex visuel des souris durant la maturation des synapses GABAergiques

Le fonctionnement du cortex cérébral nécessite l’action coordonnée de deux des sous-types majeurs de neurones, soient les neurones à projections glutamatergiques et les interneurones GABAergiques. Les interneurones GABAergiques ne constituent que 20 à 30% des cellules corticales par rapport au grand nombre de neurones glutamatergiques. Leur rôle est toutefois prépondérant puisqu’ils modulent fortement la dynamique et la plasticité des réseaux néocorticaux. Il n’est donc pas surprenant que les altérations de développement des circuits GABAergiques soient associées à plusieurs maladies du cerveau, incluant l’épilepsie, le syndrome de Rett et la schizophrénie. La compréhension des mécanismes moléculaires régissant le développement des circuits GABAergiques est une étape essentielle menant vers une meilleure compréhension de la façon dont les anormalités se produisent. Conséquemment, nous nous intéressons au rôle de l’acide polysialique (PSA) dans le développement des synapses GABAergiques. PSA est un homopolymère de chaînons polysialylés en α-2,8, et est exclusivement lié à la molécule d’adhésion aux cellules neuronales (NCAM) dans les cerveaux de mammifères. PSA est impliqué dans plusieurs processus développementaux, y compris la formation et la plasticité des synapses glutamatergiques, mais son rôle dans les réseaux GABAergiques reste à préciser. Les données générées dans le laboratoire du Dr. Di Cristo démontrent que PSA est fortement exprimé post- natalement dans le néocortex des rongeurs, que son abondance diminue au cours du développement, et, faits importants, que son expression dépend de l’activité visuelle i et est inversement corrélée à la maturation des synapses GABAergiques. La présente propose de caractériser les mécanismes moléculaires régulant l’expression de PSA dans le néocortex visuel de la souris. Les enzymes polysialyltransférases ST8SiaII (STX) et ST8SiaIV (PST) sont responsables de la formation de la chaîne de PSA sur NCAM. En contrôlant ainsi la quantité de PSA sur NCAM, ils influenceraient le développement des synapses GABAergiques. Mon projet consiste à déterminer comment l’expression des polysialyltransférases est régulée dans le néocortex visuel des souris durant la période post-natale; ces données sont à la fois inconnues, et cruciales. Nous utilisons un système de cultures organotypiques dont la maturation des synapses GABAergiques est comparable au modèle in vivo. L’analyse de l’expression génique par qPCR a démontré que l’expression des polysialyltransférases diminue au cours du développement; une baisse majeure corrélant avec l’ouverture des yeux chez la souris. Nous avons de plus illustré pour la première fois que l’expression de STX, et non celle de PST, est activité-dépendante, et que ce processus requiert l’activation du récepteur NMDA, une augmentation du niveau de calcium intracellulaire et la protéine kinase C (PKC). Ces données démontrent que STX est l’enzyme régulant préférentiellement le niveau de PSA sur NCAM au cours de la période post-natale dans le cortex visuel des souris. Des données préliminaires d’un second volet de notre investigation suggèrent que l’acétylation des histones et la méthylation de l’ADN pourraient également contribuer à la régulation de la transcription de cette enzyme durant le développement. Plus d’investigations seront toutefois nécessaires afin de confirmer cette hypothèse. En somme, la connaissance des mécanismes par lesquels l’expression des ii polysialyltransférases est modulée est essentielle à la compréhension du processus de maturation des synapses GABAergiques. Ceci permettrait de moduler pharmacologiquement l’expression de ces enzymes; la sur-expression de STX et/ou PST pourrait produire une plus grande quantité de PSA, déstabiliser les synapses GABAergiques, et conséquemment, ré-induire la plasticité cérébrale.

Étude du système dopaminergique pré- et postsynaptique : régulation de l'autorécepteur D2 par la neurotensine et formation des synapses excitatrices dans le striatum

La dopamine (DA) est un neurotransmetteur impliqué dans la modulation de fonctions essentielles du cerveau telles que le contrôle des mouvements volontaires, le système de récompense et certains aspects de la cognition. Depuis sa découverte, la DA a attiré énormément d'attention scientifique en partie à cause des pathologies majeures associées aux dysfonctions du système DAergique, comme la maladie de Parkinson, la schizophrénie et la toxicomanie. On retrouve la majorité des neurones qui synthétisent la DA au niveau du mésencéphale ventral, dans les noyaux de la substance noire compacte (SNc) et de l'aire tegmentaire ventrale (ATV). Ces neurones projettent leurs axones dans un très dense réseau de fibres qui s'organisent en trois voies DAergiques classiques: la voie nigrostriée, la voie mésolimbique et la voie mésocorticale. La transmission DAergique s'effectue par l'activation de récepteurs de la DA qui font partie de la grande famille des récepteurs couplés aux protéines G (RCPGs). Les récepteurs de la DA sont abondamment exprimés aussi bien par les neurones DAergiques que par les neurones des régions cibles, ce qui implique que la compréhension de la signalisation et des fonctions particulières des récepteurs de la DA pré- et postsynaptiques représente un enjeu crucial dans l'étude du système DAergique. Cette thèse de doctorat se sépare donc en deux volets distincts: le premier s'intéresse à la régulation du récepteur D2 présynaptique par la neurotensine (NT), un neuropeptide intimement lié à la modulation du système DAergique; le deuxième s'intéresse au côté postsynaptique du système DAergique, plus particulièrement à la ségrégation de l'expression des récepteurs de la DA dans le striatum et aux fonctions de ces récepteurs dans l'établissement des circuits neuronaux excitateurs prenant place dans cette région. Dans la première partie de cette thèse, nous démontrons que l'activation du récepteur à haute affinité de la NT, le NTR1, provoque une internalisation hétérologue du récepteur D2, avec une amplitude et une cinétique différente selon l'isoforme D2 observé. Cette internalisation hétérologue dépend de la protéine kinase C (PKC), et nous montrons que la surexpression d'un récepteur D2 muté sur des sites de phosphorylation par la PKC ii ainsi que l'inhibition de l'expression de β-arrestine1 par ARNs interférents dans des neurones DAergiques bloquent complètement l'interaction fonctionnelle entre le NTR1 et le D2. Dans la deuxième partie de cette thèse, nous démontrons d'abord que la ségrégation de l'expression des récepteurs D1 et D2 dans le striatum est déjà bien établie dès le 18e jour embryonnaire, bien qu'elle progresse encore significativement aux jours 0 et 14 postnataux. Nos résultats témoignent aussi d'un maintien complet de cette ségrégation lorsque les neurones striataux sont mis en culture aussi bien en présence ou en absence de neurones corticaux et/ou mésencéphaliques. Ensuite, nous montrons que la présence de neurones mésencéphaliques stimule la formation d’épines et de synapses excitatrices sur les neurones striataux épineux exprimant le récepteur D2 (MSN-D2). Le co-phénotype glutamatergique des neurones dopaminergiques semble nécessaire à une grande partie de cet effet. Par ailleurs, le nombre total de terminaisons excitatrices formées sur les MSN-D2 par les neurones corticaux et mésencéphaliques apparaît être régit par un équilibre dynamique. Finalement, nous démontrons que le blocage de la signalisation des récepteurs D1 et D2 de la DA n'est pas nécessaire pour la formation des synapses excitatrices des MSN-D2, alors que l'antagonisme des récepteurs glutamatergiques ionotropes diminue la densité d'épines dendritiques et contrôle de façon opposée le nombre de terminaisons excitatrices corticales et mésencéphaliques. Globalement, ce travail représente une contribution significative pour une meilleure compréhension du fonctionnement normal du système DAergique. Ces découvertes sont susceptibles d’être utiles pour mieux comprendre les dysfonctions de ce système dans le cadre de pathologies du cerveau comme la maladie de Parkinson.

Mécanismes cellulaires et moléculaires impliqués dans le développement des synapses GABAergiques périsomatiques et dans la plasticité corticale : rôle de l’activité neuronale et de proBDNF/p75NTR

Dans le cortex visuel des mammifères, une cellule à panier (BC) qui représente un sous-type majoritaire d’interneurones GABAergiques, innerve une centaine de neurones par une multitude de synapses localisées sur le soma et sur les dendrites proximales de chacune de ses cibles. De plus, ces cellules sont importantes pour la génération des rythmes gammas, qui régulent de nombreuses fonctions cognitives, et pour la régulation de la plasticité corticale. Bien que la fonction des BC au sein des réseaux corticaux est à l'étude, les mécanismes qui contrôlent le développement de leur arborisation complexe ainsi que de leurs nombreux contacts synaptiques n’ont pas été entièrement déterminés. En utilisant les récepteurs allatostatines couplés aux protéines G de la drosophile (AlstR), nous démontrons in vitro que la réduction de l'excitation ainsi que la réduction de la libération des neurotransmetteurs par les BCs corticales individuelles des souris, diminuent le nombre de cellules innervées sans modifier le patron d'innervation périsomatique, durant et après la phase de prolifération des synapses périsomatiques. Inversement, lors de la suppression complète de la libération des neurotransmetteurs par les BCs individuelles avec l’utilisation de la chaîne légère de la toxine tétanus, nous observons des effets contraires selon le stade de développement. Les BCs exprimant TeNT-Lc pendant la phase de prolifération sont caractérisées par des arborisations axonales plus denses et un nombre accru de petits boutons homogènes autour des somas innervés. Toutefois, les cellules transfectées avec TeNT-Lc après la phase de la prolifération forment une innervation périsomatique avec moins de branchements terminaux d’axones et un nombre réduit de boutons avec une taille irrégulière autour des somas innervés. Nos résultats révèlent le rôle spécifique des niveaux de l’activité neuronale et de la neurotransmission dans l'établissement du territoire synaptique des cellules GABAergiques corticaux. Le facteur neurotrophique dérivé du cerveau (BDNF) est un modulateur puissant de la maturation activité-dépendante des synapses GABAergiques. Grâce à l'activation et à la signalisation de son récepteur tyrosine kinase B (TrkB), la liaison de mBDNF module fortement la prolifération des synapses périsomatiques GABAergiques formés par les BCs. Par contre, le rôle du récepteur neurotrophique de faible affinité, p75NTR, dans le développement du territoire synaptique des cellules reste encore inconnu. Dans ce projet, nous démontrons que la suppression de p75NTR au niveau des BCs individuelles in vitro provenant de souris p75NTRlox induit la formation d'une innervation périsomatique exubérante. BDNF est synthétisé sous une forme précurseur, proBDNF, qui est par la suite clivée par des enzymes, y compris la plasmine activée par tPA, pour produire une forme mature de BDNF (m)BDNF. mBDNF et proBDNF se lient avec une forte affinité à TrkB et p75NTR, respectivement. Nos résultats démontrent qu’un traitement des cultures organotypiques avec la forme résistante au clivage de proBDNF (mut-proBDNF) réduit fortement le territoire synaptique des BCs. Les cultures traitées avec le peptide PPACK, qui inactive tPA, ou avec tPA altèrent et favorisent respectivement la maturation de l’innervation synaptique des BCs. Nous démontrons aussi que l’innervation exubérante formée par les BCs p75NTR-/- n’est pas affectée par un traitement avec mut-proBDNF. L’ensemble de ces résultats suggère que l'activation de p75NTR via proBDNF régule négativement le territoire synaptique des BCs corticaux. Nous avons ensuite examiné si mut-proBDNF affecte l’innervation périsomatique formée par les BCs in vivo, chez la souris adulte. Nous avons constaté que les boutons GABAergiques périsomatiques sont significativement diminués dans le cortex infusé avec mut-proBDNF par rapport à l’hémisphère non-infusé ou traité avec de la saline. En outre, la plasticité de la dominance oculaire (OD) est rétablie par ce traitement chez la souris adulte. Enfin, en utilisant des souris qui ne possèdent pas le récepteur p75NTR dans leurs BCs spécifiquement, nous avons démontré que l'activation de p75NTR via proBDNF est nécessaire pour induire la plasticité de la OD chez les souris adultes. L’ensemble de ces résultats démontre un rôle critique de l'activation de p75NTR dans la régulation et le maintien de la connectivité des circuits GABAergiques, qui commencent lors du développement postnatal précoce jusqu’à l'âge adulte. De plus, nous suggérons que l'activation contrôlée de p75NTR pourrait être un outil utile pour restaurer la plasticité dans le cortex adulte.

Plasma Polymerised Organic Thin Films-A Study on the Structural, Electrical and Nonlinear Optical Properties for Possible Applications

This proposed thesis is entitled “Plasma Polymerised Organic Thin Films: A study on the Structural, Electrical, and Nonlinear Optical Properties for Possible Applications. Polymers and polymer based materials find enormous applications in the realm of electronics and optoelectronics. They are employed as both active and passive components in making various devices. Enormous research activities are going on in this area for the last three decades or so, and many useful contributions are made quite accidentally. Conducting polymers is such a discovery, and eversince the discovery of conducting polyacetylene, a new branch of science itself has emerged in the form of synthetic metals. Conducting polymers are useful materials for many applications like polymer displays, high density data storage, polymer FETs, polymer LEDs, photo voltaic devices and electrochemical cells. With the emergence of molecular electronics and its potential in finding useful applications, organic thin films are receiving an unusual attention by scientists and engineers alike. This is evident from the vast literature pertaining to this field appearing in various journals. Recently, computer aided design of organic molecules have added further impetus to the ongoing research activities in this area. Polymers, especially, conducting polymers can be prepared both in the bulk and in the thinfilm form. However, many applications necessitate that they are grown in the thin film form either as free standing or on appropriate substrates. As far as their bulk counterparts are concerned, they can be prepared by various polymerisation techniques such as chemical routes and electrochemical means. A survey of the literature reveals that polymers like polyaniline, polypyrrole, polythiophene, have been investigated with a view to studying their structural electrical and optical properties. Among the various alternate techniques employed for the preparation of polymer thin films, the method of plasma polymerisation needs special attention in this context. The technique of plasma polymerisation is an inexpensive method and often requires very less infra structure. This method includes the employment of ac, rf, dc, microwave and pulsed sources. They produce pinhole free homogeneous films on appropriate substrates under controlled conditions. In conventional plasma polymerisation set up, the monomer is fed into an evacuated chamber and an ac/rf/dc/ w/pulsed discharge is created which enables the monomer species to dissociate, leading to the formation of polymer thin films. However, it has been found that the structure and hence the properties exhibited by plasma polymerized thin films are quite different from that of their counterparts produced by other thin film preparation techniques such as electrochemical deposition or spin coating. The properties of these thin films can be tuned only if the interrelationship between the structure and other properties are understood from a fundamental point of view. So very often, a through evaluation of the various properties is a pre-requisite for tailoring the properties of the thin films for applications. It has been found that conjugation is a necessary condition for enhancing the conductivity of polymer thin films. RF technique of plasma polymerisation is an excellent tool to induce conjugation and this modifies the electrical properties too. Both oxidative and reductive doping can be employed to modify the electrical properties of the polymer thin films for various applications. This is where organic thin films based on polymers scored over inorganic thin films, where in large area devices can be fabricated with organic semiconductors which is difficult to achieve by inorganic materials. For such applications, a variety of polymers have been synthesized such as polyaniline, polythiophene, polypyrrole etc. There are newer polymers added to this family every now and then. There are many virgin areas where plasma polymers are yet to make a foray namely low-k dielectrics or as potential nonlinear optical materials such as optical limiters. There are also many materials which are not been prepared by the method of plasma polymerisation. Some of the materials which are not been dealt with are phenyl hydrazine and tea tree oil. The advantage of employing organic extracts like tea tree oil monomers as precursors for making plasma polymers is that there can be value addition to the already existing uses and possibility exists in converting them to electronic grade materials, especially semiconductors and optically active materials for photonic applications. One of the major motivations of this study is to synthesize plasma polymer thin films based on aniline, phenyl hydrazine, pyrrole, tea tree oil and eucalyptus oil by employing both rf and ac plasma polymerisation techniques. This will be carried out with the objective of growing thin films on various substrates such as glass, quartz and indium tin oxide (ITO) coated glass. There are various properties namely structural, electrical, dielectric permittivity, nonlinear optical properties which are to be evaluated to establish the relationship with the structure and the other properties. Special emphasis will be laid in evaluating the optical parameters like refractive index (n), extinction coefficient (k), the real and imaginary components of dielectric constant and the optical transition energies of the polymer thin films from the spectroscopic ellipsometric studies. Apart from evaluating these physical constants, it is also possible to predict whether a material exhibit nonlinear optical properties by ellipsometric investigations. So further studies using open aperture z-scan technique in order to evaluate the nonlinear optical properties of a few selected samples which are potential nonlinear optical materials is another objective of the present study. It will be another endeavour to offer an appropriate explanation for the nonlinear optical properties displayed by these films. Doping of plasma polymers is found to modify both the electrical conductivity and optical properties. Iodine is found to modify the properties of the polymer thin films. However insitu iodine doping is tricky and the film often looses its stability because of the escape of iodine. An appropriate insitu technique of doping will be developed to dope iodine in to the plasma polymerized thin films. Doping of polymer thin films with iodine results in improved and modified optical and electrical properties. However it requires tools like FTIR and UV-Vis-NIR spectroscopy to elucidate the structural and optical modifications imparted to the polymer films. This will be attempted here to establish the role of iodine in the modification of the properties exhibited by the films

Electrical Characteristics of n-ZnO/p-Si Heterojunction Diodes Grown by Pulsed Laser Deposition at Different Oxygen Pressures

Heterojunction diodes of n-type ZnO/p-type silicon (100) were fabricated by 12 pulsed laser deposition of ZnO films on p-Si substrates in oxygen ambient at 13 different pressures. These heterojunctions were found to be rectifying with a 14 maximum forward-to-reverse current ratio of about 1,000 in the applied 15 voltage range of -5 V to +5 V. The turn-on voltage of the heterojunctions was 16 found to depend on the ambient oxygen pressure during the growth of the ZnO 17 film. The current density–voltage characteristics and the variation of the 18 series resistance of the n-ZnO/p-Si heterojunctions were found to be in line 19 with the Anderson model and Burstein-Moss (BM) shift.

Electrical and Optical Properties of Znga2o4 Thin Films Deposited By Pulsed Laser Deposition

ZnGa2O4 spinel is a promising new UV transparent electronic conductor. Enhancing the electrical conductivity of this potential oxide phosphor can make it a promising transparent conducting oxide. In this paper, we have investigated the effects of processing and doping on the conductivity of semiconducting ZnGa2O4, particularly thin films. Crystalline zinc gallate thin films have been deposited on fused quartz substrates employing the pulsed laser deposition (PLD) technique at room temperature for an oxygen partial pressure of 0.1 Pa (0.001mbar). The films were found to be UV transparent, the band gap of which shifted to 4.75eV on hydrogen annealing. The band gap of the oxygen stoichiometric bulk powder samples (4.55eV) determined from diffuse reflection spectrum (DRS) shifted to 4.81eV on reduction in a hydrogen atmosphere. The electrical conductivity improved when Sn was incorporated into the ZnGa2O4 spinel. The conductivity of ZnGa2O4:Sn thin films was further improved on reduction.