Influence of the substitution of Y2O3 for CeO2 on the mechanical and microstructural properties of silicon nitride

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

Influência do método de síntese na obtenção de pós de Na2TiSiO5

Este trabalho apresenta um estudo sistemático sobre a síntese e caracterização de pós de Na2TiSiO5. Foram estudadas as propriedades estruturais e morfológicas dos pós por intermédio de difração de raios X, espectroscopia Raman e microscopia eletrônica de varredura. As amostras foram produzidas por meio de duas rotas sintéticas distintas baseadas em métodos tipo Pechini e submetidas a diferentes tratamentos térmicos. Medidas de espectroscopia Raman nas resinas poliméricas foram feitas visando verificar a influência das diferentes rotas utilizadas na síntese dos pós. Com os dados de difração de raios X foi feito um estudo da evolução das fases cristalográficas. A estrutura cristalina das amostras foi analisada por meio de refinamento Rietveld. Por fim, a morfologia dos compostos de Na2TiSiO5 foi examinada por microscopia eletrônica de varredura. Os resultados obtidos mostraram que é possível melhorar a qualidade das amostras de Na2TiSiO5 alterando-se a rota sintética utlizada.

Síntese e caracterização do sistema ZrO2-SiO2 com adição de cobalto para uso como pigmentos cerâmicos

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

Obtenção in situ do compósito alfa-SiAlON-SiC

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

Síntese e processamento de cerâmicas em forno de microondas doméstico

O uso de microondas no processamento e obtenção de materiais tem adquirido nos últimos anos crescente interesse por parte de diversas áreas do conhecimento como a química e a engenharia de materiais. Neste sentido, aparatos especialmente projetados têm começado a ser descritos na literatura como reatores e câmaras de processamento a microondas visando aplicação na pesquisa e na indústria. em particular o uso de fornos de microondas domésticos em atividades científicas tem se mostrado de interesse dado uma série de novas aplicações, simplicidade e baixo custo. O presente trabalho reporta um dispositivo desenvolvido a partir de um forno de microondas doméstico, capaz de efetuar sínteses e processamentos de sólidos mesmo quando os materiais envolvidos não possuem susceptibilidade as microondas. O novo dispositivo tem sido utilizado com sucesso na síntese de óxidos metálicos e, em especial na sinterização e ordenamento de redes cristalinas de filmes finos.

Influência de dopantes doadores na degradação do varistor à base de SnO2 e o efeito do oxigênio pós-degradação

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

Aplicação de programa de análise de imagens na interpretação de fotomicrografias de alta resolução de argilominerais

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

Processamento de cerâmicas reticuladas a partir de matérias-primas naturais

Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)

Desenvolvimento de varistores à base de SnO2 para aplicação em redes de alta tensão

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

Photoluminescence in ZrO2 doped with Y and La

O objetivo deste trabalho é descrever a síntese e a caracterização óptica de uma solução sólida de óxido de zircônio contendo ítrio e lantânio. Foram misturados citrato de zircônio, nitrato de ítrio e nitrato de lantânio nas proporções 94 mol% ZrO2-6 mol% Y2O3 e 92 mol% ZrO2-6 mol % Y2O3-2 mol % La2O3. A análise de espectroscopia de absorção no infravermelho com tranformada de Fourier mostra material orgânico em decomposição e a análise térmica mostra a transformação de fases da zircônia tetragonal para monoclínica, a perda de água e a desidroxilação do zircônio. A análise por difração de raios X mostra formação de fases homogênea de ZrO2-Y2O3-La2O3 demonstrando que a adição de lantânio não provoca formação de fases, promovendo uma solução sólida baseada em zircônia cúbica. Os espectros de fotoluminescência mostram bandas de absorção em 562 nm e 572 nm (350 ºC) e bandas de absorção específicas em 543 nm, 561 nm, 614 nm e 641 nm (900 ºC). O efeito fotoluminescente a baixas temperaturas é causado por defeitos como (Y Zr,Y O)', (2Y Zr,V O)'' e V O. As emissões em 614 nm e 641 nm são causadas pela transição O-2p -> Zr-4d. Uma emissão em 543 nm pode ser atribuída a centros LaO8 com transição O-2p -> La-5d.

Compósitos de Al2O3/ZrO2 recobertos com hidroxiapatita dopada com íons Ag

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)

Visible emission from Er-doped SnO2 thin films deposited by sol-gel

Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)