922 resultados para Poluicao do ar : Efeitos adversos
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许多提取核反应过程中熵产生的方法只适用于高能核反应过程 ,而约化d的产额方法可以用于较低能量的重离子核反应中 .对于 3 5MeV/u40 Ar+ 197Au的核反应过程 ,利用这种方法所得的熵和约化带电粒子多重性提取的熵结果一致 .对于后角热核发射体系 ,实验提取的核温度为 ( 4.7± 1 .2 )MeV ,熵为S/A =2 .5± 0 .5,根据实验提取的熵和核温度可以确定其碎裂密度小于 0 .1 ρ0
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在 30MeV/u4 0 Ar +112 ,12 4 Sn反应中用平行板雪崩计数器实现了前冲余核的测量 .在不同的线性动量转移下用运动源模型拟合了后角的3 He,α和6He能谱 ,发现3 He的能谱斜率温度在12 4 Sn系统中高于112 Sn系统 ,而6He的温度在112 Sn系统中更高 ,α粒子在两个系统中没有明显差别 .用热核粒子蒸发过程衰变道的选择性对这种同位旋相关性进行了解释 .GEMINI的计算不能重现实验结果
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35MeV/u 36 ,40 Ar+ 112 ,12 4Sn反应中 ,在前角 5°和 2 0°观测到丰中子核与稳定核的产额比随粒子出射动能的增加而减小 ,而缺中子核与稳定核的产额比随动能的增加而增加 .对于某种元素 ,随着动能的减小 ,其平均中质比逐渐由弹核N/Z向靶核N/Z过渡 .这些现象表明在这样的入射能量下 ,周边或近周边碰撞过程中同位旋自由度没有完全达到平衡 .这种行为对两个靶核系统是相似的 ,但是同位素产额比的绝对值在 5°没有靶核相关性 ,而在 2 0°处却表现出明显的靶核相关性 .
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根据量子统计模型 (QSM )的计算分析 ,找到了一个提取核反应过程中熵产生的新的可观测量 .核反应过程中约化d的产额d/ (d +t+3 He+4 He)和熵有单调的函数关系 ,并且和体系的碎裂密度 (ρ/ ρ0 )及体系的N/Z都无关 ,可以作为提取核反应过程中熵产生的一个观测量 .和目前已经有的其他方法相比 ,约化d产额这一提取熵方法可以用于较低能量的重离子核反应中 ,并且数据处理分析简单 .对于 35MeV/u4 0 Ar +197Au的核反应过程所提取的熵和利用约化带电粒子多重性提取的熵结果一致 .结合后角类靶热核发射体系实验提取的同位素核温度为 4 7±1 2MeV及S/A =2 5± 0 5 ,根据熵和核温度的关联关系 ,可以确定其Breakup密度接近但小于 0 1(ρ/ ρ0 )
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用 35MeV u的Ar离子室温下辐照多层堆叠的半晶质的聚酯 (PET)膜 ,采用X射线衍射技术和X射线光电子谱仪分析研究了辐照引起的表面结构和组分的变化。结果表明 ,Ar离子辐照PET膜引起了明显的非晶化转变和化学键断裂 ,断键主要发生在甲氧基和羰基功能团上 ,并使这两个功能团中的C和O的比分相对减少。非晶化效应和化学键断裂同时依赖于离子的照射剂量和离子在样品表面的电子能量损失 ,剂量越高 ,表面电子能量损失越大 ,效应就明显。同时定性地讨论了结果
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通过对 ２５ＭｅＶ／ｕ４０Ａｒ＋１１５ Ｉｎ反应 θｌａｂ＝ １５°的邻近几何条件下的轻带电粒子和出射碎片之间的关联测量，观察到了两体相继衰变机制的存在．其中，轻带电粒子和碎片的关联角度谱在小角度成峰，最可几角度约２°左右；轻带电粒子能谱峰位，随关联对的质量增加而逐渐增高；质量较轻的原始产物容易受到激发，通过发射轻带电粒子而衰变成轻中等质量碎片．在两体相继衰变中，原始激发产物发射重质量的轻带电粒子的产额或几率要大于质量轻的轻带电粒子，具体测量发现，与轻带电粒子１１，２１Ｈ，３１Ｈ和ａ粒子关联的碎片（Ｚｆ＝４—１４）总的产额比为１：１．３：１．７８：７．５７．
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在２５ＭｅＶ／ｕ４０Ａｒ＋１１５Ｉｎ反应的在平面和出平面大角度关联测量中，提取了碎片和α粒子之间的方位角关联函数和方位角非对称性因子．φ＝９０时，方位角关联函数呈现为最小值，表明在集体类转动效应影响下，反应产生的轻带电粒子和碎片优先在反应平面内发射．随着关联对质量的增加，在平面关联粒子的发射相对于束流轴不对称性逐渐增大．随着关联对质量的增加，相继衰变和粒子末态相互作用对φ＝０的关联粒子对方位角关联函数值的影响逐渐降低并直至消失，同时集体转动效应增强，方位角非对称性增加．
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采用傅立叶转换的红外光吸收技术在反射方式下分析研究了 35MeV/uAr离子辐照半晶质PET膜引起的表面改性及其对吸收剂量的依赖性。结果表明 ,辐照导致PET膜中与晶态区域相关的吸收带强度随吸收剂量增加普遍减弱 ,而与非晶区域相关的吸收带强度随吸收剂量增加逐渐增加 ,表明辐照使PET膜发生了非晶化转变。化学键断裂主要发生在苯环的对位和酯的C—O键上 ,而苯环的基本结构在整个辐照过程中变化较小。非晶化效应和化学键断裂同时依赖于离子的照射剂量和样品表面的电子能量沉积。此外 ,在约 5.0MGy以上的吸收剂量 ,辐照还引起了炔端基团的形成 ,炔端基团浓度随吸收剂量的增加显著增加。对实验结果进行了定性解释。
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利用硅半导体＋ＣｓＩ（Ｔ１）闪烁体望远镜测量３５ＭｅＶ／ｕ４０Ａｒ＋１９７Ａｕ中发射的轻带电粒子，用能谱斜率方法和双同位素产额比方法提取了核温度参量．研究了热核发射过程中的统计发射规律．
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测量了 3 0MeV/u40 Ar束流轰击115 In反应靶时出射的中等质量碎片(IMF)的能谱 .通过比较在不同出射角度发射的同一种IMF的能谱 ,得到了IMF的发射机制随出射角的演化关系 .在假定运动源速度和出射离子库仑位垒不随出射角变化的条件下 ,通过改变发射源的强度和核温度参量完成了对实验测得能谱的运动源拟合 ,并详细讨论了 3个发射源所占份额和源强随出射角的演化关系 .
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采用紫外 -可见光吸收技术分析和研究了 35MeV/uAr离子辐照聚酯膜引起的光吸收改性 .结果表明 ,Ar离子轰击聚酯膜时引起了碳键的共轭体系形成 ,从而导致了紫外 -可见光区域中光吸收明显增加 ,光吸收增加的幅度依赖于离子的照射剂量、离子在样品中的平均电子能量损失以及光的波长 ,剂量越高 ,电子能损越大 ,光吸收增幅越大 ;而光的波长越长 ,光吸收的增加则越不明显 .利用测量到的光吸收曲线 ,同时还定量地研究了各种辐照条件下聚酯膜的光能隙和碳原子团的尺寸 .
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从 2 5MeV/u4 0 Ar+115In反应前中角区出射碎片的能谱、角分布和Z电荷分布出发 ,讨论了碎片发射机制随出射角和核电荷数Z的渐进变化 ;用改进的量子分子动力学 (MQMD)模型研究了碎片角分布及Z电荷分布 ,理论计算和实验值整体上符合较好 ,但在前角区MQMD模型低估了碎片的产额 ,在中角区对于Z接近弹核的碎片 ,理论计算比实验值偏高 ;碎片产物的角分布及Z电荷分布还与统计模型GEMINI进行了比较 ,发现在前角区平衡蒸发的成分所占比例很小 ,中角区所占的比例有所增加 ,但仍然是较小的比例 .随着碎片核电荷数Z的减小 ,平衡核的蒸发成分逐渐减少 ,非平衡的中速成分逐渐占主导地位
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３５ＭｅＶ／ｕ Ａｒ离子在室温下辐照了多层堆叠的半晶质聚酯膜，采用傅立叶转换的红外光吸收技术分析和研究了由辐照引起的化学键断裂及其对离子剂量、离子在样品中的平均电子能量损失和吸收剂量的依赖性．结果表明，辐照导致聚酯膜中发生了明显的化学键断裂，断键过程主要发生在反式构型的乙二醇残留物和苯环的对位上，苯环的基本结构在辐照中变化较小．断键不仅强烈地依赖于离子的照射剂量，而且还跟样品中电子能量沉积密切相关，明显的断键发生在４．０ＭＧｙ以上的吸收剂量．
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报道了 ３０ＭｅＶ／ ｕ(４０)Ａｒ＋(ｎａｔ)Ａｇ反应中中等质量碎片（ＩＭＦ）发射时间（τ）随发射源空间大小的演化规律，并对类弹碎片的发射时空进行了讨论．结果表明，ＩＭＦ的发射时标与中等质量碎片关联函数以及发射源的核物质密度（ρ）有关，而与发射源的质量数的关系不大．对于能量较高的类弹碎片来说，在较小的核物质密度下提取的发射时间也较小，因此，在正常核物质密度参数下提取出的发射时间值可作为碎片实际发射时间的上限值．中速碎片的发射时间随密度大小的变化非常缓慢，提取出的发射时间值即可作为实际的发射时间。
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测量了 ２５ＭｅＶ／ｕ４０ Ａｒ＋１１５ Ｉｎ，５８ Ｎｉ，２７ Ａ１反应前中角区出射碎片的角分布和 元素 Ｚ分布．用改进的量子分子动力学（ＭＱＭＤ）模型研究了碎片的角分布和 Ｚ 分布．理论计算值和实验值整体上符合得很好，但在前角区，ＭＱＭＤ模型低估 了碎片的产额，在中角区对于Ｚ接近弹核的碎片，理论计算值比实验值偏高．碎 片产物的角分布和Ｚ分布还与统计蒸发模型ＧＥＭＩＮＩ进行了比较，结果表明，在 前角区平衡蒸发成份所占的比例很小，中角区所占的比例有所增加，但仍然是较 小的比例．同时发现平衡蒸发成份随着出射碎片核电荷数Ｚ的减小而逐渐减 少．
