Gerenciamento dinâmico de memória em C++

Nesta aula o professor apresenta alocação de memória na linguagem de programação C++ e ilustra como podem ser acessadas e realizadas as funções de orientação a objeto.

Gerenciamento de Entrada e Saída

O material apresenta a estrutura geral de um subsistema de Entrada/Saída, seus princípios do tratamento e complexidade. Destaca assuntos como: Hardware de E/S; Estrutura típica do barramento do PC; Comunicação entre CPU e controladoras; Endereços de algumas portas de I/O do PC; E/S programada – Polling; E/S por Interrupções; e Vetor de eventos do Intel Pentium. O material também trata do Acesso Direto à Memória e a operação de transferência por DMA; os dispositivos de Rede; as operações do subsistema de E/S (Escalonamento, Buferização, Caching, Spooling, Reserva de dispositivo); o tratamento de erros e as operações que podem estar sujeitas a falhas; e por fim, tratamento de requisições de E/S e o ciclo de vida de uma requisição de E/S.

Gerenciamento de Threads - Slides

O material apresenta o gerenciamento de threads no Windows. Um sistema operacional envolve atividades assíncronas e algumas vezes paralelas, sendo que a noção de processo de software é usada em sistemas operacionais para expressar o gerenciamento e controle de suas atividades. Processo é um dos conceitos fundamentais no projeto de um sistema operacional moderno. Threads podem ser gerenciados pelo sistema operacional ou pela aplicação do usuário. Além desses conceitos, o material destaca a motivação para o uso de threads; o parâmetro CreateThread; e a prioridade e escalonamento.

Interface microstructure of alumina mechanically metallized with Ti brazed to Fe–Ni–Co using different fillers

NASCIMENTO,R.M. et al.Interface microstructure of alumina mechanically metallized with Ti brazed to Fe–Ni–Co using different fillers. Materials Science and Engineering A, v.466, n.1/2, p. 195-200, 2007.

LAUDMUS: rumo à implantação e gerenciamento de uma lista de audição musical online

SILVA, Alexandre Reche e. LAUDMUS: rumo à implantação e gerenciamento de uma lista de audição musical online. In: ENCONTRO REGIONAL DA ABEM NORDESTE (Associação Brasileira de Educação Musical), 9, Natal, RN, 2010. Anais eletronicos... Natal, RN, 2010.Trabalho Completo. Disponivel em: dex.php/abemnordeste2010/about>. Acesso em: 04 out. 2010.

The Effect of Residence Time on the Tensile Properties of Superelastic and Thermal Activated Ni-Ti Orthodontic Wires

Since the 1980s, different devices based on superelastic alloys have been developed to fulfill orthodontic applications. Particularly in the last decades several researches have been carried out to evaluate the mechanical behavior of Ni-Ti alloys, including their tensile, torsion and fatigue properties. However, studies regarding the dependence of elastic properties on residence time of Ni-Ti wires in the oral cavity are scarce. Such approach is essential since metallic alloys are submitted to mechanical stresses during orthodontic treatment as well as pH and temperature fluctuations. The goal of the present contribution is to provide elastic stress-strain results to guide the orthodontic choice between martensitic thermal activated and austenitic superelastic Ni-Ti alloys. From the point of view of an orthodontist, the selection of appropriate materials and the correct maintenance of the orthodontic apparatus are essential needs during clinical treatment. The present work evaluated the elastic behavior of Ni-Ti alloy wires with diameters varying from 0.014 to 0.020 inches, submitted to hysteresis tensile tests with 8% strain. Tensile tests were performed after periods of use of 1, 2 and 3 months in the oral cavity of patients submitted to orthodontic treatment. The results from the hysteresis tests allowed to exam the strain range covered by isostress lines upon loading and unloading, as well as the residual strain after unloading for both superelastic and thermal activated Ni-Ti wires. Superelastic Ni-Ti wires exhibited higher load isostress values compared to thermal activated wires. It was found that such differences in the load isostress values can increase with increasing residence time.