Modelado y aplicaciones de inductores integrados en tecnologías de silicio

Premio Extraordinario, Área de Tecnológicas

Diseño de circuitos integrados de RF para un receptor WLAN en la banda de 5GHz sobre una tecnología de silicio de bajo coste

Programa de doctorado: Ingeniería de Telecomunicación Avanzada

Diseño de un Amplificador de Bajo Ruido de Ultra Banda Ancha para un Receptor de UWB en CMOS 0.35 μm

Presentación del Proyecto Fin de Carrera titulado "Diseño de un Amplificador de Bajo Ruido de Ultra Banda Ancha para un Receptor de UWB en CMOS 0.35 μm"

Evaluación de Prestaciones de las Familias Lógicas ECLy CML Implementadas con HBTs

Memoria del Proyecto Fin de Carrera "Evaluación de Prestaciones de las Familias Lógicas ECLy CML Implementadas con HBTs"

Implementación de un Modelo para HFETs en SPICE3 de Berkeley

Memoria del Proyecto Fin de Carrera "Implementación de un Modelo para HFETs en SPICE3 de Berkeley"

Diseño, medida y verificación de un mezclador en CMOS 0.35 um para un receptor basado en el estándar IEEE 802.11a

Proyecto y presentación del Proyecto Fin de Carrera titulado "Diseño, medida y verificación de un mezclador en CMOS 0.35 um para un receptor basado en el estándar IEEE 802.11a"

Diseño de un mezclador pasivo en CMOS 0.35 um para un receptor basado en el estándar IEE802.11a

Memoria y presentación del Proyecto Fin de Carrera titulado "Diseño de un mezclador pasivo en CMOS 0.35 um para un receptor basado en el estándar IEE802.11a"

Diseño de un amplificador de bajo ruido realimentado para la banda de 3-10 GHz en tecnología BICMOS 0.35 μm

Proyecto y presentación del Proyecto Fin de Carrera titulado "Diseño de un Amplificador de Bajo Ruido Realimentado para la Banda de 3-10 GHz en Tecnología BICMOS 0.35 μm"

Diseño de un amplificador de bajo ruido (LNA) para el estándar inalámbrico UWB en tecnología SiGe 0.35 μm

Proyecto y presentación del Proyecto Fin de Carrera titulado "Diseño de un amplificador de bajo ruido (LNA) para el estándar inalámbrico UWB en tecnología SiGe 0.35 μm"

Diseño de un Amplificador de Bajo Ruido (LNA) en Tecnología SiGe 0,35 um para el estándar inalámbrico IEEE 802.11a

Proyecto y presentación del Proyecto Fin de Carrera titulado "Diseño de un Amplificador de Bajo Ruido (LNA) en Tecnología SiGe 0,35 um para el estándar inalámbrico IEEE 802.11a"

Diseño de un amplificador de bajo ruido (LNA) para un receptor basado en el estándar DVB‐H

Proyecto y presentación del Proyecto Fin de Carrera titulado "Diseño de un Amplificador de Bajo Ruido (LNA) para un receptor basado en el Estándar DVB‐H"

Diseño de un amplificador operacional totalmente integrado CMOS que funcione como driver para cargas capacitivas elevadas

Presentación del Proyecto Fin de Carrera titulado "Diseño de un Amplificador Operacional totalmente integrado CMOS que funcione como driver para cargas capacitivas elevadas"

Diseño de un amplificador distribuido para ultra wide band basado en HBT de la tecnología SIGE 0.35 μm de AMS

Memoria y presentación del Proyecto Fin de Carrera titulado "DISEÑO DE UN AMPLIFICADOR DISTRIBUIDO PARA ULTRA WIDE BAND BASADO EN HBT DE LA TECNOLOGÍA SIGE 0.35 μm DE AMS"