GaAs中4d过渡杂质Mo与Pd的光电行为

4d过渡杂质Mo、Pd在GaAs中分别引入E（0．42eV）、H（0．61eV）和E（0．66eV）、H（0．69eV）等能级。根据过渡杂质Mo和Pd在GaAs中的光电行为, 推测这些杂质在GaAs中不起有效复合中心的作用。图4参3

硅中Mo-B络合物的电荷分布

于2010-11-23批量导入