Desenvolvimento de uma caixa de velocidades electrónica para um motor polifásico de pólos variáveis

Dissertação para obtenção do Grau de Mestre em Engenharia Electrotécnica e de Computadores

Metodologias para avaliação do desempenho e previsão de avarias em turbinas eólicas utilizando a curva de potência do fabricante

Dissertação para obtenção do Grau de Mestre em Energias Renováveis – Conversão Eléctrica e Utilização Sustentáveis, pela Universidade Nova de Lisboa, Faculdade de Ciência e Tecnologia

A low-voltage RF-CMOS receiver front-end for a wireless fall detection microsystem

Dissertação para obtenção do Grau de Mestre em Engenharia Eletrotécnica e de Computadores, pela Universidade Nova de Ciências e Tecnologia

Janelas inteligentes com efeito de memória

Neste trabalho foi desenvolvido um controlador electrónico de potência capaz de actuar sobre a janela inteligente por forma a permitir a transição do estado opaco para o estado transparente. O controlador foi desenhado com o propósito de ser o único elemento necessário para o funcionamento das janelas inteligentes, evitando assim a utilização de uma parafernália de equipamentos isolados, ligados entre si, para executarem o mesmo propósito. A topologia utilizada para criar este controlador baseou-se num módulo rectificador AC/DC, seguido por um módulo Buck e terminado por um inversor do tipo Boost. Esta topologia permitiu que se alcançasse uma grande amplitude de tensões á saída, as quais variam entre os 0V e os 600V, necessárias para o desenvolvimento das janelas inteligentes. Esta solução foi pensada por forma a permitir, no futuro, o desenvolvimento de um controlador capaz de fazer a transição do estado transparente para opaco e a ligação ao software laboratorial LabView para recolha de dados e interpretação dos mesmos.

Deteção e diagnóstico de falhas em sistemas de acionamento com máquinas de indução hexafásicas

A automatização dos processos industriais, onde os acionamentos eletromecânicos representam a sua principal componente, levou à necessidade destes equipamentos funcionarem de forma ininterrupta. No entanto, nenhum acionamento está isento da ocorrência de uma falha, ou de uma combinação de falhas simultâneas, resultando num deficiente funcionamento ou mesmo na sua paragem. Neste contexto, a máquina de indução hexafásica apresenta-se especialmente indicada, pelas vantagens que o aumento do número de fases possibilita, para sistemas que requerem uma elevada disponibilidade. O trabalho apresentado nesta dissertação tem como objetivo principal o estudo da deteção e diagnóstico de falhas num acionamento baseado em máquina de indução hexafásica. A metodologia adotada no trabalho baseia-se no desenvolvimento de um modelo matemático adequado à simulação e análise do funcionamento da máquina hexafásica, em modo normal e com falha, e no desenvolvimento de estratégias/métodos de deteção e diagnóstico de falhas, quer para a máquina de indução hexafásica quer para o respetivo inversor. Os métodos propostos são baseados na análise de padrões das correntes de fases. Deste trabalho resultou ainda a implementação de um protótipo laboratorial de acionamento hexafásico. Os resultados obtidos por simulação e provenientes dos ensaios experimentais permitem validar o modelo proposto para a máquina de indução hexafásica, em modo normal e com falha, assim como os métodos de deteção e diagnóstico de falhas propostos. É ainda analisada a capacidade de funcionamento do acionamento desenvolvido em modo de falha

Desenvolvimento de um filtro ativo paralelo com CSI e controlo de corrente no barramento CC

Dissertação de mestrado integrado em Engenharia Eletrónica Industrial e Computadores

La Inversión española en el extranjero (1993-2005). Origen regional: análisis y evolución

A nivel mundial, en las últimas tres décadas, la inversión directa ha experimentado un desarrollo espectacular. Los datos de la UNCTAD muestran como, entre 1970 y 2005, los flujos de inversión emitida crecieron más de un quinientos por cien. A pesar que, para el conjunto del periodo estos incrementos inversión fueron continuados, hay que diferenciar cuatro etapas. Hasta principios de los ochenta, el volumen no era excesivamente elevado, pero las tasas de incremento mostraban una tendencia cada vez mayor en el desarrollo de la inversión a nivel mundial. Entre mediados de los ochenta y noventa, los flujos empezaron a crecer de forma más notable y sostenida. El boom inversor se produjo, sobretodo, a partir de los cuatro últimos años del siglo veinte, cuando la inversión creció a un ritmo espectacular; con tasas de incremento anual que en algunos años (como el de 1999) rozaron el sesenta por ciento. Tras el inicio del siglo XXI, la inversión directa se ralentizó. Entre los años 2001 y 2005 las salidas de capital disminuyeron y, aunque se mantuvieron en niveles ciertamente altos en comparación con el conjunto del periodo, fueron sensiblemente más bajos que los registrados a finales de la década de los noventa. El incremento general de este tipo de movimientos internacionales de capital, iniciado, sobretodo, a partir de la década de los ochenta y eclosionado a mediados de los noventa tuvo origen en un contexto de progresiva y paulatina liberalización de las relaciones económicas a nivel mundial; en transformaciones institucionales de gran calado en prácticamente todas las economías del mundo, y en un contexto de fuerte crecimiento económico impulsado, en gran parte, por el desarrollo tecnológico de la llamada "nueva economía".

Diseño e implementación de un divisor de potencia en banda dual con estructuras metamateriales basadas en CSRRs

L'electromagnetisme és una branca de la física que està en continu estudi. Fins a mitjans de la dècada dels 60 es pensava que, per a la propagació de les ones electromagnètiques fos possible, els medis propagatius havien de presentar una permitivitat dielèctrica i una permeabilitat magnètica simultàniament positives. No obstant, Victor G. Veselago va revolucionar la teoria electromagnètica amb la idea dels medis amb ε i μ negatives i va donar amb això origen als medis metamaterials. En el present treball s'estudiaran els principis físics en els que es fonamenten els metamaterials. Es veuran algunes de les seves característiques que els converteixen en medis exòtics i com aquestes poden ser utilitzades en el desenvolupament de dispositius amb prestacions difícils d'obtenir amb les tecnologies convencionals. A continuació s'aplicaran els conceptes tractats en el disseny d'un inversor d'impedàncies implementat mitjançant ressonadors en anells oberts complementaris. Aquest dispositiu, que presentarà un funcionament en banda dual, serà utilitzat en el posterior disseny d'un divisor de potencia. Finalment es realitzarà la implementació física del divisor de potencia dissenyat i es verificarà el seu correcte funcionament amb les mesures pertinents.

La competitividad del sector hotelero

El present estudi analitza la competitivitat del sector hoteler entre les ciutats de Barcelona i Madrid. Consisteix en un anàlisi sobre l’oferta i demanda hotelera de les dos ciutats. També s’estudia el mercat inversor hoteler, doncs en aquests moments de crisis, es molt important tenir-ho en compte. A fi de poder analitzar les diferents alternatives estratègiques, s'ha definit un producte-hotel de negocis per poder estimar uns preus i una inversió, ja que aquestes variables afecten la rendibilitat del negoci. Finalment s'analitza les diferents fórmules d'explotació hotelera, i com aquestes afecten al compte d'explotació, i conseqüentment a la rendibilitat del projecte.

Simulations of parasitic and intrinsic capacitances related to Multiple-Gate-Field-Effect Transistor architectures

Report for the scientific sojourn carried out at the Université Catholique de Louvain, Belgium, from March until June 2007. In the first part, the impact of important geometrical parameters such as source and drain thickness, fin spacing, spacer width, etc. on the parasitic fringing capacitance component of multiple-gate field-effect transistors (MuGFET) is deeply analyzed using finite element simulations. Several architectures such as single gate, FinFETs (double gate), triple-gate represented by Pi-gate MOSFETs are simulated and compared in terms of channel and fringing capacitances for the same occupied die area. Simulations highlight the great impact of diminishing the spacing between fins for MuGFETs and the trade-off between the reduction of parasitic source and drain resistances and the increase of fringing capacitances when Selective Epitaxial Growth (SEG) technology is introduced. The impact of these technological solutions on the transistor cut-off frequencies is also discussed. The second part deals with the study of the effect of the volume inversion (VI) on the capacitances of undoped Double-Gate (DG) MOSFETs. For that purpose, we present simulation results for the capacitances of undoped DG MOSFETs using an explicit and analytical compact model. It monstrates that the transition from volume inversion regime to dual gate behaviour is well simulated. The model shows an accurate dependence on the silicon layer thickness,consistent withtwo dimensional numerical simulations, for both thin and thick silicon films. Whereas the current drive and transconductance are enhanced in volume inversion regime, our results show thatintrinsic capacitances present higher values as well, which may limit the high speed (delay time) behaviour of DG MOSFETs under volume inversion regime.

Oportunidades de negocio para empresas españolas en Brasil, India y China

Brasil, Índia i Xina són algunes de les economies anomenades a ser potències mundials en els propers anys. Són països que estan experimentant un creixement *inigualable per altres nacions i que posseeixen molts recursos naturals, amplis territoris i una recent classe mitjana que demanda nous productes i serveis. Aquest fet, en un panorama de crisi global com l'actual, convida voler invertir immediatament en aquests països. Com a conseqüència de les grans extensions territorials, les àrees de negoci han de ser detectades de forma efectiva com a factor clau per augmentar les possibilitats d'èxit empresarial, juntament amb la bona pràctica dels protocols i normes esteses a Brasil, Índia i Xina. L'estudi de les formes d'establiment més adequades a l'empresa de l'inversor en potència i l'estudi dels sectors més competitius en cada economia són també aspectes determinants, entre molts altres que es desenvolupen en aquest treball. Brasil, Índia i Xina són nacions molt complexes, amb característiques semblants i unes altres totalment diferents. Moltes d'elles seran analitzades en aquest treball per tal proporcionar una resposta ferma a la pregunta de molts inversors: Existeixen realment oportunitats empresarials en països com Brasil, Xina o Índia?

Tres arquetips d'inversors en els mercats de valors. Retorn a Keynes

En el present treball, es descriuen tres arquetips d'inversors: l'inversor motivat per l'optimització del seu risc, l'inversor amb esperit d'empresa i l'inversor especulador i intuïtiu, també anomenat irracional. Aquestes modalitats d'inversió es troben presents en el mercat de valors i es poden analitzar i sistematitzar teòricament. El predomini d'aquestes modalitats d'inversió varia segons les èpoques. La bombolla financera és un exemple de predomini de l'inversor irracional i especulatiu. Al final de l'article es mostra com J.M.Keynes va anticipar cada una d'aquestes modalitats d'inversió.

Comparativa entre una instal·lació fotovoltaica i una instal·lació eòlica connectades a xarxa per a una fàbrica de curtits a Mollet del Vallès

En el present projecte es dimensionarà una instal·lació fotovoltaica i una eòlica des dels sistemes de captació energètica fins a l'inversor que aporta el corrent altern necessari per connectar a xarxa per tal de poder fer una comparativa entre els dos sistemes. S'escolleix entre els dos sistemes analitzant el que tingui una major fiabilitat i millors condicions econòmiques.

Disseny d'una instal·lació fotovoltaica connectada a xarxa sobre el teulat d'una vivenda unifamiliar

Els punts que es duent a terme en la realització d'aquest projecte són: dimensionat de la superfície captadora, dimensionat equip conversió DC-AC (inversor), dimensionat cablejat elèctric per interconnexió entre camp FV i la xarxa de baixa tensió, dimensionat de la protecció de la instal·lació i dimensionat protecció sobre les persones

Projecte d’una instal·lació fotovoltaica connectada a la xarxa de baixa tensió sobre la coberta d’una nau agroindustrial

El present Projecte Final de Carrera té com a objectiu la instal·lació de mòduls fotovoltaics en la coberta d’una nau situada a un polígon industrial de Lleida, de dimensions 70 x 30 m, orientada amb un acimut de -30º, per tal de vendre l’energia produïda a la companyia distribuïdora i aconseguir un benefici econòmic. La instal·lació consta de 690 mòduls de silici monocristal·lí de 235 Wp (model HEE215MA65-235) i de dos camps de captació diferenciats en cada ala de la nau, tots ells orientats cap el sud (0º acimut) i inclinats 30º. El camp 1 consta de 360 mòduls i el camp 2 de 330 mòduls, connectats al seu corresponent inversor de 76 kW i 68 kW (models Sunway TG 100-800V i Sunway TG 90-600V). El cost total de la instal·lació és de 707.201,36 Є euros i té un període de retorn de 9 anys. És un projecte rendible i una bona opció ambiental que aconsegueix reduir les emissions de CO2 en 117,6 tones anuals.