Processamento sonoquímico de materiais mesoestruturados de óxido de zinco dopados com terras-raras

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Estudo de mecanismos de transporte em nanofios de óxido de índio dopado com estanho

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Caracterização de diodos tipo Schottky fabricados com poli-o-metoxianilina em diversas temperaturas

Technological advances achieved during the twentieth century strongly boosted the scientific research in the area of condensed matter physics, especially in the study and development of new semiconductor materials. In the segment, the development of semiconducting polymers for application in electronic devices promotes the field of organic electronics...(Complete abstract click electronic access below)

Estudo, construção e caracterização de diodos orgânicos tipo Schttky

During the twentieth century the inorganic electronics was largely developed being present in various industrial equipment or household use. However, at the end of that century were verified electronic properties in organic compounds, giving rise to the field of organic electronics. Since then, the physical properties of elementary devices such as diodes and organic transistors have been studied. In this work was studied the properties of diode devices fabricated with a semiconductor polymer, the poly-o-methoxyaniline (POMA). Devices containing electrodes of Au and Al were fabricated with semiconductor polymer of different doping levels. We found that the rectifying behavior for the heterojunctions metal/polimer are reached only for high doping level (with conductivity greater than 1,77. 10-9 S / cm), which gives the devices characteristic of a Schottky diode. The rectifying behavior was observed for electric fields of low magnitude, below the operating field (~ 600 V/cm), while for electric field greater than 600 V/cm the a linear behavior I vs.V was obtained. We determined that this Ohmic behavior arises from the charge transport over the volume of the semiconductor material after the lowering of the metal/semiconductor barrier. In devices with weakly doped semiconductor, the electrical resistance of the volume becomes high and the process of charge transportation is dominated by the volume, for any intensity of the applied electric field

Sensores de amônia à base de polianilina preparados com impressora jato de tinta

Neste trabalho, apresenta-se o desenvolvimento de um sensor de gás amônia sobre substrato de papel, impresso por jato de tinta térmico. Para a realização do trabalho formulou-se uma “tinta”4 de polianilina (PANI), adequada para uso na impressora térmica. Neste tipo de impressão, é necessário que a tinta de PANI seja preparada de forma que a maior parte do seu volume seja de água. A PANI, em seu estado desdopado, foi dissolvida em n-metil-2-pirrrilidona (NMP), e com a adição de água em determinadas condições de preparo e proporção, foi possível formar uma tinta de PANI/NMP/H2O estável e adequada para o uso na impressora térmica, podendo-se assim depositar filmes de PANI sobre substratos flexíveis, como por exemplo, diversos tipos de papéis. Neste trabalho, tintas de PANI foram depositadas sobre papel comum (sulfite) e papel fotográfico (glossy). A caracterização morfológica, por microscopia ótica, indicou que a qualidade dos filmes foi satisfatória em termos de uniformidade e homogeneidade. A resistividade de superfície dos filmes de PANI, sobre substratos de papel sulfite e fotográfico, é da ordem de 1x109 / , quando desdopado, e 1x104 / , quando dopado com vapor de ácido clorídrico (HCl). As caracterizações elétricas AC sugerem que os filmes de PANI desdopados, sobre ambos os substratos, se comportam similarmente a um circuito equivalente RC, formado por um resistor e um capacitor em paralelo. Entretanto, após a dopagem tal representação deixa de ser válida. Medidas elétricas...(Resumo completo, clicar acesso eletrônico abaixo)

Doping no esporte: uso de eritropoietina, propriedades, efeitos e detecção

A eritropoietina (EPO) é uma das drogas de uso proibido a atletas, segundo a lista anual da WADA. Este hormônio é uma proteína glicosilada com o potencial de estimular a eritropoiese, aumentando assim a quantidade de glóbulos vermelhos sanguíneos e indiretamente aumentando a capacidade de transporte de oxigênio aos tecidos. Os atletas, com este transporte incrementado, são beneficiados em esportes que exigem resistência física, tendo grande vantagem se comparados a atletas que não fizeram uso de eritropoietina... (O arquivo eletrônico não possui resumo completo)

Diodo planar orgânico Schottky: construção e caracterização

Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)

Formação e crescimento do óxido de zinco e óxido de zinco dopado com cobre

Pós-graduação em Química - IQ

Efeitos do tratamento térmico na obtenção da fase 2223 em amostras de BSCCO com e sem substituição

Pós-graduação em Ciência dos Materiais - FEIS

Fabricação e caracterização de diodo Schottky orgânico com arquitetura planar

Usually organic polymeric diodes are made with a semiconductor layer placed between two electrodes in a sandwich-like architecture, where the electrodes are deposited on the surfaces of a polymeric semiconductor film. This methodology leads to two main problems: i) the polymeric film top surface is rough and irregular, resulting in non-uniform electric field into the device; ii) during the deposition of metallic electrode in the top surface polymeric film, by thermal evaporation, occurs the diffusion of metal atoms into the polymeric film, changing the material electronic structure. Thus, the metal-semiconductor junction is not well defined, which is essential for the production of good quality Schottky diode, which exhibits ideality factor close to the unity and low turn-on voltage. In order to avoid these two problems, in the present research was proposed to manufacture an organic diode with the semiconductor polymeric layer deposited over bimetallic (gold and aluminum) interdigitated electrodes. The doping of the active layer was performed by immersing the device in hydrochloric acid solution with pH 2 during different times in order to promote different doping levels of the semiconductor polymer. Was verified that the proposed diode, which exhibits well-defined metal-semiconductor junction, operates as a Schottky diode, with good ideality factor, 10 ± 3, and low turn-on voltage, 1,2 ± 0,2 V, in comparison with conventional organic polymeric diodes. Contrasting with the ideality factor and turn-on voltage, the diode rectification ratio was obtained as 7, a value lower than the expected for a good organic diode. Was also showed that the diode characteristics were dependent on the semiconductor polymer doping level, and that the diode characteristics were optimized with doping promoted by immersion in the acid solution for times longer than 50 s. Furthermore, as was showed that the diodes properties are dependent on the semiconductor...

Obtenção e caracterização óptica e elétrica de 'La''Ta'O IND.4' e LiTaO Ind.3 puros e dopados com Eu POT.3+

Eletronicalceramics are used in many applications such as: multilayer capacitor, transducer, pyroelectric sensors and electrooptic devices. In recent years there has been a growing demand for eletronicalceramics with better performance and functionality. This demand has accelerated the development of synthesis techniques to produce powders with well-defined particle size, shape and crystallinity. The eletronicalceramics in the form of bulk are determined by their performance characteristics of the powders used and the preparation process. So, physical and chemical properties of powders, such as chemical control of stoichiometry, purity, homogeneity, particle size and shape should be observed when choosing the methods of synthesis. Among the techniques used so far, the polymeric precursor method, also known as Pechini, has been considered ideal for the preparation of nanosized powders. Thus, this research project aims to use the polymeric precursor method to prepare powders of lithium tantalate and lanthanum tantalate, with good chemical stability. In this aspect is proposed to investigate the effects of variation of the concentration of europium about the properties of tantalate because doping with Eu3 + indicates that they may occupy different sites in the crystal structure, as in the case of LiTaO3. Effects of things like occupation sites, stability of phases and formation temperature have been previously investigated by the group, which motivated the formulation of this project. Our proposal aims to introduce the Eu3 + LaTaO4 and LiTaO3 and study the structural and optical properties of the powders obtained by Pechini method, as well as correlate these studies with the electrical properties of the material, mainly the Ironelectricty Hysteresis.

Estudo das propriedades físicas de sistemas ferroelétricos com estruturas tipo Aurivillius

Pós-graduação em Ciência dos Materiais - FEIS

Investigação das propriedades ópticas de ZnO e ZnO:Al

Pós-graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais - FC

Estudo estrutural, morfológico, elétrico e óptico de cristais de a-Ag2WO4 dopados com Mo6+ via co-precipitação assistida por PVP

Pós-graduação em Química - IQ

Metalosupramoléculas discretas e Metal Organic Frameworks (MOFs) baseados em íons lantanídeos: design, síntese, caracterização e propriedades

Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)