Simulação da movimentação vertical de produtos aplicados em milho, milho safrinha e soja em latossolos vermelhos e neossolos quartzarênicos de Mineiros, GO.

Este trabalho apresenta resultados obtidos por simulação de sistemas para avaliação da dinâmica de alguns princípios ativos utilizados nas culturas de soja, milho e milho safrinha, cultivados no Município de Mineiros, GO, próxima a voçoroca Chitolina. Esta é uma das áreas de recarga do aqüífero Guarani e, quando exposta à agrotóxicos, requer um acompanhamento maior quanto ao risco de contaminação da água. A avaliação foi realizada nos principais tipos de solo da área, a saber: Latossolo Vermelho Distrófico psamítico (V01) e Neossolo Quartzarenico Órtico Típico (V07). Vinte dos 22 produtos comerciais utilizados na área, correspondendo a 16 princípios ativos, foram avaliados utilizando o simulador CMLS- 94. As tendências de risco potencial de contaminação da água pela exposição aos produtos aplicados foram avaliadas para um período de 3 anos consecutivos, assim como a influência da pluviosidade na lixiviação dos produtos. As prioridades de monitoramento ?in loco? foram apresentadas.

Movimento vertical do herbicida hexazinone em latossolo vermelho distrófico do córrego Espraiado, Ribeirão Preto, SP, cultivado com cana-de-açúcar - simulações considerando dados local e default.

Este trabalho utilizou técnica de simulação computacional para analisar a movimentação vertical do herbicida hexazinone, considerando dados médios default de literatura e dados calculados para suas meia-vida no solo (t½) e coeficiente de adsorção ao carbono orgânico do solo (Koc) em Latossolo Vermelho Distrófico (LVd) do Córrego do Espraiado, Ribeirão Preto-SP. Informações sobre o solo avaliado, climáticas e os dados da cultura de cana-deaçúcar foram utilizadas no simulador CMLS-94. O cenário base de simulação considerou um período de um ano e quatro meses, apresentando data de corte da cultura no mês de agosto e a aplicação de hexazinone, um mês após o corte, na dose de 0,40 kg ha-1, a qual é encontrada em produto comercial utilizado no local. As seguintes profundidades e quantidades finais foram obtidas ao final do período simulado: a) cenário com dado ?default?: 1,89 m e 0,12 kg ha-1; b) cenário com dado local calculado: 2,78 m e 0,18 kg ha-1. Observou-se uma maior movimentação do produto para o cenário simulado com dados locais, principalmente a partir do 63o dia após a aplicação do produto, embora as concentrações tenham se mantido próximas, em ambos cenários. As profundidades alcançadas não comprometem o lençol em sua zona saturada (40m).

Vertical Mulching: prática conservacionista mitigadora de perdas por erosão hídrica em sistema plantio direto.

2008

Vertical transmission efficiency and insecticidal properties of Spodoptera exigua Nucleopolyhedrovirus (SeMNPV) genotypes for their use in biological control

El nucleopoliedrovirus de Spodoptera exigua (SeMNPV) es un patógeno natural de las poblaciones larvarias de S. exigua que constituye la base de un bioinsecticida comercializado en España para el control biológico de esta plaga en pimiento. Recientes estudios han demostrado que la transmisión del virus a la descendencia (transmisión vertical) se da con frecuencia y podría ser una característica deseable para su uso en aplicaciones de campo. En el presente trabajo se discute la conveniencia de utilizar una mezcla de dos genotipos SeAl1 (transmisión vertical) y SeG25 (transmisión horizontal) en determinadas proporciones para mejorar las características que cada uno de ellos presenta por separado y así explotar cada una de las vías de transmisión. La patogenicidad (CL50) del genotipo SeG25, y de cualquiera de las mezclas que contienen un 25, 50 o 75 % del mismo, fue más alta que la del aislado SeAl1. Sin embargo, en términos de virulencia (TMM) y productividad (OBs/larva) no se observaron diferencias significativas entre genotipos ni entre sus mezclas. Además se evaluó la capacidad de producir infecciones encubiertas de cada genotipo y sus mezclas sometiendo larvas de S. exigua a infecciones subletales del virus. Se encontraron transcritos del virus para el gen temprano ie0 mediante RT-PCR en los adultos supervivientes a infecciones provocadas por el genotipo SeG25 y todas las mezclas. También se testaron otros dos genes virales que se expresan de manera temprana y tardía en la infección de baculovirus (DNA-polimerasa y polihedrina) para los que en ningún caso se detectaron transcritos.

Influencia del sexo en la transmisión vertical del nucleopoliedrovirus de Spodoptera exigua (SeMNPV-Al1)

El ciclo ecológico de los baculovirus comprende dos vías de transmisión: la horizontal que se produce entre congéneres y la vertical, que implica el paso de genomas virales de los parentales a la progenie. Recientemente se ha estudiado la efectiva transmisión vertical del Nucleopoliedrovirus de Spodoptera exigua (SeMNPV-Al1) en una población de su húesped de los invernaderos de Almería (España). La detección de progenie infectada de hembras sanas, sugiere la necesidad de determinar el papel que juegan ambos sexos en la transmisión del virus. En el presente trabajo se establecieron infecciones subletales para obtener adultos con infecciones encubiertas y utilizando un esquema de apareamientos entre adultos sanos e infectados se verificó que la transmisión del virus es posible vía paterna o materna. La vía materna parece más constante en su respuesta de acuerdo a la medición de la carga viral obtenida en la descendencia (qPCR). El tratamiento de desinfección de la puesta no afectó a la detección de ADN viral en la descendencia, lo que sugiere una transmisión transovo. La carga viral por insecto fue similar independientemente del sexo de los parentales y la descendencia masculina y femenina se vio afectada de igual manera por la infección.

Perda de dimensão vertical de oclusão e estruturas dentárias remanescentes

Projeto de Pós-Graduação/Dissertação apresentado à Universidade Fernando Pessoa como parte dos requisitos para obtenção do grau de Mestre em Medicina Dentária

Regeneração óssea vertical na reabilitação com implantes

Projeto de Pós-Graduação/Dissertação apresentado à Universidade Fernando Pessoa como parte dos requisitos para obtenção do grau de Mestre em Medicina Dentária

Tejeduría en telar vertical en lana virgen Quizgó y Pitayó, Cauca.

42 hojas : ilustraciones, fotografías a color.

Tejeduría en telar vertical en lana virgen, Guambía, Quizgo, Pitayó y Pioyá (Cauca).

65 hojas : ilustraciones, fotografías a color.

Anexos cuaderno de diseño : tejeduría telar vertical lana virgen.

11 hojas : ilustraciones, fotografías

Asesoría en diseño tejeduría en telar vertical en Corozal, Morroa y San Jacinto.

37 hojas : ilustraciones.

Capacitación en telar vertical.

113 hojas : ilustraciones, fotografías a color.

Cuaderno de diseño de asesorías en los oficios de tejeduría en macramé en galón de seda en Duitama, tejeduría en telar vertical en lana de oveja en Monguí y tejeduría en telar horizontal en Tópaga Boyacá.

116 hojas : ilustraciones, fotografía a color.

Ilustraciones de telar vertical y su uso entre los indígenas Guambianos y Paeces Cauca.

13 hojas : ilustraciones, fotografías a color.

A study of silicon and germanium junctionless transistors

Technology boosters, such as strain, HKMG and FinFET, have been introduced into semiconductor industry to extend Moore’s law beyond 130 nm technology nodes. New device structures and channel materials are highly demanded to keep performance enhancement when the device scales beyond 22 nm. In this work, the properties and feasibility of the proposed Junctionless transistor (JNT) have been evaluated for both Silicon and Germanium channels. The performance of Silicon JNTs with 22 nm gate length have been characterized at elevated temperature and stressed conditions. Furthermore, steep Subthreshold Slopes (SS) in JNT and IM devices are compared. It is observed that the floating body in JNT is relatively dynamic comparing with that in IM devices and proper design of the device structure may further reduce the VD for a sub- 60 mV/dec subthreshold slope. Diode configuration of the JNT has also been evaluated, which demonstrates the first diode without junctions. In order to extend JNT structure into the high mobility material Germanium (Ge), a full process has been develop for Ge JNT. Germanium-on-Insulator (GeOI) wafers were fabricated using Smart-Cut with low temperature direct wafer bonding method. Regarding the lithography and pattern transfer, a top-down process of sub-50-nm width Ge nanowires is developed in this chapter and Ge nanowires with 35 nm width and 50 nm depth are obtained. The oxidation behaviour of Ge by RTO has been investigated and high-k passivation scheme using thermally grown GeO2 has been developed. With all developed modules, JNT with Ge channels have been fabricated by the CMOScompatible top-down process. The transistors exhibit the lowest subthreshold slope to date for Ge JNT. The devices with a gate length of 3 μm exhibit a SS of 216 mV/dec with an ION/IOFF current ratio of 1.2×103 at VD = -1 V and DIBL of 87 mV/V.