表面态型半导体可饱和吸收镜实现Nd:YAG激光器被动锁模

砷化镓半导体材料与空气接触的表面存在密度很高的电子表面态,砷化镓材料内部的电子可以通过这种表面进行驰豫,驰豫时间估计在ps量级.依此原理,制作了一种新型的表面态型半导体可饱和吸收镜,用其作为被动锁模吸收体,实现了半导体端面泵浦Nd:YAG激光器被动连续锁模.在泵浦功率为4 W的情况下,获得了连续锁模脉冲序列,重复频率150 MHz,锁模脉冲平均输出功率为300 mW,脉冲宽度为10 ps.

用于光纤通信的1.55μmDFB激光器的可靠性分析

对用于光纤通信的InP基1.55 μm DFB激光器的可靠性进行了研究.测试并分析了100 ℃时100 mA和150 mA 2种电流应力条件,经过1 700 h老化,测试分析了激光器特性随时间的变化情况,拟合出在100 ℃,150 mA条件下的激光器寿命在1 000 h小时左右.根据实验结果对比,提出了一种新的利用温度、电流两个加速度变量同时进行加速老化,快速估计激光器寿命并分析其可靠性的方法.对新的寿命估算方法进行了详细的讨论.

CMOS集成电路用Φ150-200mm外延硅材料

报道了Φ150mm CMOS硅外延材料的研究开发及集成电路应用成果，对Φ200mmP/P~-硅外延材料进行了初步探索研究。Φ150mm P/P~+硅外延片实现了批量生产，并成功应用于集成电路生产线，芯片成品率大于80%。硅外延片的参数指标能满足集成电路制造要求。

不同尺寸分布的自组织In_(0.55)Al_(0.45)As/Al_(0.5)Ga_(0.5)As量子点的静压光谱

在15K测量了不同尺寸分布的In_(0.55)Al_(0.45)As/Al_(0.5)Ga_(0.5)As量子点的静压我致发光，静压范围为0--1.3GPa。常压下观察到三个发光峰，分别来源于不同尺寸的量子点(横向直径分别为26、52和62nm)的发光。它产的压力系数分别为82、94和98meV/GPa,都小于In_(0.55)Al_(0.45)As体材料带边的压力系数，特别是尺寸为26nm的小量子点比In_(0.55)Al_(0.45)As体材料带边小17%，并且压力系数随量子点尺寸的变小而减小。理论计算表明有效质量的增在和Γ-X混合是量子点压力系数变小的主要原因，并得到横向直径为26和52nm的小量子点的Γ－X混合势为15和10meV。根据实验还确定In_(0.55)Al_(0.45)As/Al_(0.5)Ga_(0.5)As量子点系统X能带具有Ⅱ类结构，并且估算出价带不连续量为0.15±0.02。

用于先进 CMOS电路的 150 mm硅外延片外延生长(英文)

随着大规模和超大规模集成电路特征尺寸向亚微米、深亚微米发展，下一代集成电路对硅片的表面晶体完整性和电学性能提出了更高的要求。与含有高密度晶体原生缺陷的硅抛光片相比，硅外延片一般能满足这些要求。该文报道了应用于先进集成电路的150mmP/P~+ CMOS硅外延片研究进展。在PE2061硅外延炉上进行了P/P~+硅外延生长。外延片特征参数，如外延层厚度、电阻率均匀性，过渡区宽度及少子产生寿命进行了详细表征。研究表明:150mm P/P~+CMOS硅外延片能够满足先进集成电路对材料更高要求。

The diphasic nc-Si/a-Si : H thin film with improved medium-range order

A series of silicon film samples were prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) near the threshold from amorphous to nanocrystalline state by adjusting the plasma parameters and properly increasing the reactions between the hydrogen plasma and the growing surface. The microstucture of the films was studied by micro-Raman and Fourier transform infrared (FTIR) spectroscopy. The influences of the hydrogen dilution ratio of silane (R-H = [H-2]/[SiH4]) and the substrate temperature (T-s) on the microstructural and photoelectronic properties of silicon films were investigated in detail. With the increase of RH from 10 to 100, a notable improvement in the medium-range order (MRO) of the films was observed, and then the phase transition from amorphous to nanocrystalline phase occurred, which lead to the formation of diatomic hydrogen complex, H-2* and their congeries. With the increase of T-s from 150 to 275 degreesC, both the short-range order and the medium range order of the silicon films are obviously improved. The photoconductivity spectra and the light induced changes of the films show that the diphasic nc-Si/a-Si:H films with fine medium-range order present a broader light spectral response range in the longer wavelength and a lower degradation upon illumination than conventional a-Si:H films. (C) 2004 Elsevier B.V. All rights reserved.

Hydrogen related defects in neutron-irradiated silicon grown in hydrogen ambient

Isochronal thermal-annealing behavior of NTD floating-zone silicon grown in hydrogen ambient (called NTD FZ(H) Si) is presented. The dependencies of resistivity and carrier mobility on annealing temperature are determined by room-temperature Hall electrical measurements. Using infrared absorption spectroscopy, hydrogen-related infrared absorption bands evolution for NTD FZ(H) Si were measured in detail. It is demonstrated that compared with NTD FZ(Ar) Si, NTD FZ(H) Si exhibits the striking features upon isochronal annealing in temperature range of 150 similar to 650 degreesC: there appears the formation of an excessive shallow donor at annealing temperature of 500 degreesC. It is shown that the annealing behavior is directly related to the reaction of hydrogen and irradiation-induced defects. The evolution of infrared absorption bands upon temperature reflects a series of complex reaction process: irradiation-induced defects decomposition, breaking of Si-H bonds, migration and aggregation of atomic hydrogen, and formation of the secondary defects. (C) 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

辽宁南芬生态适宜性评价与空间生态规划研究

空间生态规划着重于研究城乡土地和空间资源，达到城乡土地和空间资源合理配置。辽宁本溪市南芬区属山地资源型工矿城镇，由于空间用地类型配置不合理，中心城区环境污染严重，而广阔的乡村空间资源未尽其用。为此，有必要对南芬全区城乡空间进行生态规划。本文在理论上补充空间生态规划中生态适宜性评价理论，在方法上提出了基于适宜性评价的空间生态规划方法后，就南芬主要用地类型工业用地、居住用地、作物用地和林业用地分别进行生态适宜性评价和用地配置研究，并综合适宜性评价结果和探讨了南芬空间生态分区及空间生态规划途径。 主要结果为：(1) 工业用地最适宜区、次适宜、勉强适宜和不适宜区面积分别为91.23km2、182.72km2、182.08km2和162.97km2；居住用地分别为208.08km2、169.95km2、149.51km2和91.46km2；作物用地分别为124.23km2、130.65km2、159.02km2和205.1km2；林业用地分别为201.7km2、150.43km2、130.21km2和136.66km2。(2) 工业用地现状位于最适宜区、次适宜区、勉强适宜区、不适宜区的面积分别为9.81km2、10.66km2、6.54km2和11.73km2；居住用地分别为9.05 km2、12.57km2、15.7km2和11.53km2；作物用地分别为16.61km2、7.88km2、22.25km2和24.15km2；林业用地分别为193.91km2、104.88km2、81.74km2和67.27km2。(3)综合评价表明，工业用地、居住用地、作物用地、林业用地适宜区面积分别为46.75km2；71.32km2；94.46km2；406.47km2。南芬生态空间区划为生态保护区、生态居住区（2个）和生态工业区（3个）。(4) 最后详细阐述了南芬城乡空间生态规划途径及其内涵，即：生态优先、整体优化、经济优效和社会持续。

长白山阔叶红松林种子雨组成与时空格局

种子雨是森林植物种群更新的主要方式之一，是森林生态系统自我繁衍和恢复的主要手段。为了解长白山阔叶红松林种子雨的组成及其时空变化，参照BCI 50ha 样地技术规范，在长白山阔叶红松林25ha长期监测样地内设置了150个种子收集器，从2006年5月15日到2007年11月8日，每15天收集掉落于收集器中的果实、种子及其相关附属物等。所收到的样品分别鉴定其种类并分为成熟种实、未成熟种实、花絮、果实或种子碎片及其附属物4类，记录各类别的数量，然后分别烘干称重。 研究期间，共收集到11科12属22种木本植物的种子及其它生殖器官残体，包括成熟种实16种，未成熟种实17种，花序12种，翅2种，果实或种子碎片及其附属物10种。累计收集到种实136664粒，其中成熟种实32358粒，占所有种实总数的23.80%。种实数最多的树种是紫椴(Tilia amurensis)，其次为水曲柳(Fraxinus mandshuica)，两个树种种实数占总数的89.54%。种实总重量为3320.93g，其中成熟种实总重量为1242.85g，占37.4%。成熟种实中水曲柳和紫椴的重量最大，其次是色木槭(Acer mono)，假色槭(A. pseudo-sieboldianum)、糠椴(T. mandshuric)和红松(Pinus koraiensis)。 种子雨数量年际变化明显，2006年种子雨密度为1370.25粒/m2，2007年为249.47粒/m2，差异极显著(P<0.001)。但不同年份种子雨的季节动态趋势一致，均有两个明显的大高峰期和一个小高峰期。不同物种种子雨扩散的时间格局大致可以分为“单峰”和“双峰”两种类型，在时间上体现了不同物种的更新策略。 150个收集器均收到了成熟种实，各收集器中的种实数呈偏态分布，种实数在150-250之间的收集器数量最多，共68个，种实数小于50的收集器有5个，种实数大于250的收集器共37个。样地内成熟种实数量及其空间分布差异明显，收集器中种实数在1000个以上的有3个，最多达1511个，聚集分布于样地的西北角；收集器中种实数最少的只有22个种实。种实重量的空间分布与种实数分布一样存在较明显的空间差异，只是差异性相对偏弱一些，且与种实数量的空间分布不一致。