Efecto del cultivo antecesor y diferentes métodos de control de malezas sobre la dinámica de las malezas, crecimiento, desarrollo y rendimiento del cultivo de soya (Glycine max (L) Merr.) c.v. cristalina

Durante el ciclo de postrera (Septiembre-Diciembre) se llevó a cabo un ensayo en los terrenos de la Cooperativa "Rubén Duarte" Managua (1989) con el objetivo de determinar la influencia ejercida por las rotaciones (Maíz-Soya y Sorgo-Soya) de cultivos y tres métodos de control sobre la cenosis de las malezas en el crecimiento, desarrollo y rendimiento de la Soya. El ensayo se estableció en un diseño de parcelas divididas en bloques completos al azar con cuatro réplicas. Siendo el factor A (rotaciones de cultivos) y el factor l (métodos de control de malezas). Los cultivos antecesores presentaron un comportamiento Similar sobre la abundancia de las malezas, ubicándose como especie predominante Cvperus rotundus. La rotación Maíz-Soya ejerció poco control sobre la abundancia y dominancia, al presentar el mayor número de individuos, la mayor cobertura y biomasa de malezas. Cenchrus spp presentó la mayor biomasa de malezas. Sin embargo estos factores no afectaron el crecimiento, desarrollo y rendimiento del cultivo de Soya en ambas rotaciones. El control Fomesafen ejerció poca acción herbicida sobre la abundancia total y la dominancia, expresado con una mayor cobertura y mayor biomasa de malezas en la rotación Maíz-Soya contraria a la rotación Sorgo-Soya. El rango de la diversidad fue menor al resto de los controles. No presentó diferencias significativas en las variables del crecimiento y desarrollo, excepto la variable peso de 1,000 semillas mostró diferencias significativas. El control limpia en periodo crítico presentó niveles intermedios sobre la abundancia total y dominancia de malezas expresadas en la cobertura. Sin embargo en la rotación Sorgo-Soya la biomasa de malezas fue superior a los otros controles. El control limpia periódica presentó los menores niveles de abundancia y dominancia de las malezas expresadas en una menor cobertura y menor biomasa de malezas. Este control mostró diferencias significativas en las variables: altura de plantas y diámetro del tallo y en las variables peso de 1,000 semillas y rendimiento del grano.

Comportamiento agro-industrial de catorce variedades de caña de azúcar (Saccharum sp hibrido L.) en comparación con las variedades Ja 60-5 y C 87-51

El presente trabajo se llevó a cabo en el ciclo 92-93 en el Ingenio Victoria de Julio, donde se evaluaron 14 variedades de caña de azúcar en comparación con las variedades Ja 60 - 5 y C 87 - 51 para determinar el comportamiento agro-industrial de estos cultivares y seleccionar los genotipos más sobresalientes. El experimento fue establecido el 25 de enero de 1992, en un suelo arcilloso de la serie Chilamatillo, la cosecha se realizó a los 11 meses de edad del cultivo, el 16 de Dic 1992. El diseño utilizado fue de bloques completos al azar con 5 repeticiones, las variables estudiadas fueron: Germinación, población, altura de tallos, floración, diámetro de tallos, peso promedio de los tallos, rendimiento agrícola, rendimiento industrial y rendimiento agro-industrial. Los datos fueron sometidos a un análisis de varianza y prueba de tukey al 5% de margen de error. Los resultados obtenidos fueron los siguientes: Germinación; siendo las mejores RB 73-1012, CP 70-321 y Q 96. Población;las mejores numéricamente resultaron Méx 68-P 23,SP 70-1284 y SP 72-4790. Longitud de tallo; las mejores variedades fueron la SP 72-4790, Q 96, RB 73-1012 y RB 73-5220. Diámetro de los tallos; obtuvo el mejor resultado la variedad Méx 69-420 y en segundo lugar la Ja 60-5. Peso promedio de 100 tallos. ; presentando el mejor resultado el cultivar Méx 69-420 seguido de la RB 73-5220. Floración; todas las variedades florecieron a excepción del testigo C 87-51. Rendimiento agrícola; obtuvo el mejor resultado la variedad Méx 68-P 23 ocupando el segundo lugar SP 72-4790; Rendimiento industrial; entre las variedades sobresalieron numéricamente la Q 96 seguido de la C 87-51 y la CP 72-1210. Rendimiento Agro-Industrial; de acuerdo a los resultados de rangos múltiples la variedad Q 96 presenta un rendimiento estadísticamente superior a la variedad testigo Ja 60-5, superando numéricamente al resto de variedades. Las variedades que presentaron afectaciones por enfermedades fueron : RB 76-5288, SP 70-1284, SP 72-4790, CP 72-1210, SP 71-61801 CP 72-2086, Méx 69-420, Méx 68-P23, Ja 60-5 y e 87-51.

Efecto de exposición a deshidratación del coyolillo (Cyperus rotundus L.) sobre su densidad y el crecimiento y rendimiento del cultivo de Ajonjolí (Sesamun indicum L.) c.v. Cuyumaqui

En 1991 se estableció un ensayo en época seca (20-30 Abril) en el Centro Experimental del Algodón, Posoltega, Chinandega, con los objetivos de determinar si el efecto de diferentes tiempos de exposición a deshidratación del coyolillo (Cyperus rotundus L.) al arar el suelo en seco con arado de discos para reducir su densidad, se mantiene hasta la época de postrera y asimismo si tiene efecto sobre el crecimiento y rendimiento del cultivo de ajonjolí (Sesamun indicum L.). Para tales efectos se usó un diseño de Bloques Completos al Azar (B.C.A.) con seis tratamientos y seis repeticiones, evaluándose el factor tiempo de exposición a deshidratación del coyolillo. Los tratamientos consistieron en realizar la práctica de arar el suelo en seco en las diferentes parcelas a intervalos de dos días, empezando el 20 de abril con el tratamiento diez días y terminando el 30 de abril con el tratamiento cero días de exposición, aplicándose ese mismo día el riego en todo el área. Los tubérculos quedaron expuestos a la deshidratación durante 1O, 8, 6, 4, 2 y O días. Después de establecer lo tratamientos, se sembró el 2 de mayo el cultivo de soya (Glycine max (L.) Merr.) (Época de primera) y el cultivo de ajonjolí del presente ensayo el 5 de septiembre (época de postrera). Las variables evaluadas consistieron para coyolillo: densidad y para ajonjolí: altura de plantas, número de hojas, diámetro del tallo y rendimiento. El análisis de varianza mostró significancia estadística (P < 0.05) en densidad a los 14, 28 y 42• dds, altura de plantas 42 y 89 dds, número de hojas 28 dds y diámetro del tallo 42 dds. El contraste olinomial planificado presentó significancia estadística para la tendencia lineal (P <0.05) para densidad a los 14, 28.y 42.dds, altura de plantas 14, 42y 89 dds, número de hojas 28 y 42 dds, diámetro del tallo 28 y 42 dds y rendimiento. Los mayores valores de medias para densidad de coyolillo se presentan en el tratamiento cero días y los menores valores en el tratamiento ocho días de exposición a deshidratación del coyolillo para las tres fechas de muestreo. Todas las variables evaluadas en el cultivo de ajonjolí presentan los mayores valores en el tratamiento ocho días y los menores valores en el tratamiento cero días de exposición, excepto altura 14 dds, donde el mayor valor se presenta en el tratamiento cero días y el 'menor valor en el tratamiento seis días de exposición a deshidratación del coyolillo. Los análisis de regresión realizados entre la variable independiente tiempo de exposición y las variables dependientes del coyolillo y el cultivo del ajonjolí, mostraron una respuesta de tendencia lineal negativa en densidad de coyolillo y tendencia lineal positiva en todas las variables del cultivo de ajonjolí, excepto altura 14 dds que presentó una tendencia lineal negativa.

Influence of ion energy and substrate temperature on the optical and electronic properties of tetrahedral amorphous carbon (ta-C) films

The properties of amorphous carbon (a-C) deposited using a filtered cathodic vacuum arc as a function of the ion energy and substrate temperature are reported. The sp3 fraction was found to strongly depend on the ion energy, giving a highly sp3 bonded a-C denoted as tetrahedral amorphous carbon (ta-C) at ion energies around 100 eV. The optical band gap was found to follow similar trends to other diamondlike carbon films, varying almost linearly with sp2 fraction. The dependence of the electronic properties are discussed in terms of models of the electronic structure of a-C. The structure of ta-C was also strongly dependent on the deposition temperature, changing sharply to sp2 above a transition temperature, T1, of ≈200°C. Furthermore, T1 was found to decrease with increasing ion energy. Most film properties, such as compressive stress and plasmon energy, were correlated to the sp3 fraction. However, the optical and electrical properties were found to undergo a more gradual transition with the deposition temperature which we attribute to the medium range order of sp2 sites. We attribute the variation in film properties with the deposition temperature to diffusion of interstitials to the surface above T1 due to thermal activation, leading to the relaxation of density in context of a growth model. © 1997 American Institute of Physics.

Directly-modulated DS-DBR tunable laser for uncooled C-band WDM system

A tunable DS-DBR laser is demonstrated for uncooled WDM C-band channel generation with tight spacing (SOGHz) and low thermal drift (±2.5GHz) up to 70°C. 2.5Gb/s direct modulation with transmission over a 75km link is achieved. © 2000 Optical Society of America.

Estudio de la conservación in vitro a tasas minimas de crecimiento en piña (Ananas comosus L.) mediante el efecto de osmoreguladores y la dilucion de las sales Murashige y Skoog (1962) a temperaturas de 24ºC y 16 ºC

En el presente estudio se necesitó establecer explantes de piña (Ananas comosus L.) del cultivar Cayena lisa, de los cuales se utilizaron yemas apicales y axilares seleccionadas por su buen estado fisiológico y morfológico. Estas se establecieron en condiciones in vitro utilizando el medio de cultivo básico Murashige & Skoog MS (1962), suplementado con 2 mg/1 de 6-Bencil aminopurina (6-BAP) y 0.02 mg/1 de ácido naftalen acético (ANA) en condiciones controladas de temperatura, humedad relativa e intensidad lumínica. Una vez que se logró micropropagar la cantidad de explantes necesarios para la conservación, se procedió a la aplicación de los inhibidores del crecimiento (manito!y sorbitol) en concentraciones de 10, 20 y 30 g/1 y de la dilución de las sales MS al 25, 50 y 75%, interactuando con temperaturas de 24 oc y 16 oc. A los 120 días de haber permanecido las yemas axilares en las diferentes variantes de medios de cultivo sujetas a estudio, se observó mayor deterioro fisiológico y morfológico de las plántulas en los tratamientos con 1O, 20 y 30 g/1 demanitol y sorbitol. En las variables altura, número de hojas y color de las hojas se experimentaron menores incrementos mensuales, sin embargo se registraron mayores daños, especialmente en las hojas, las cuales presentaron un mayor porcentaje con color verde clorótico a temperaturas de 24ºc de 16 °C. La sobrevivencia fue mayor a temperatura de 16ºc, por el contrario en las diluciones de las sales MS el deterioro fisiológico y morfológico de lasplántulas fue menor, observándose mayor sobrevivencia, presentando mayores porcentajes de coloración verde oscuro y un pequeño porcentaje de plántulas atípicas a temperaturas de 24 °C y 16 °C. También fue notoria la presencia deplántulas atípicas en el manito! y sorbitol a temperatura de 24 °C. Únicamente en el tratamiento a 30 g/1 de sorbitol se observó el fenómeno de vitrificación a temperatura de 24ºc en un 15%. Las diluciones de las sales indujeron mejores resultados en altura, número de hojas y color de las hojas en ambas temperaturas, sus características fenotípicas y genotípicas se mantuvieron iguales a pesar de la reducción del crecimiento

First human hNT neurons patterned on parylene-C/silicon dioxide substrates: Combining an accessible cell line and robust patterning technology for the study of the pathological adult human brain

In this communication, we describe a new method which has enabled the first patterning of human neurons (derived from the human teratocarcinoma cell line (hNT)) on parylene-C/silicon dioxide substrates. We reveal the details of the nanofabrication processes, cell differentiation and culturing protocols necessary to successfully pattern hNT neurons which are each key aspects of this new method. The benefits in patterning human neurons on silicon chip using an accessible cell line and robust patterning technology are of widespread value. Thus, using a combined technology such as this will facilitate the detailed study of the pathological human brain at both the single cell and network level. © 2010 Elsevier B.V.

Efficiency measurement of GaN-based quantum well and light-emitting diode structures grown on silicon substrates

The optical efficiency of GaN-based multiple quantum well (MQW) and light emitting diode (LED) structures grown on Si(111) substrates by metal-organic vapor phase epitaxy was measured and compared with equivalent structures on sapphire. The crystalline quality of the LED structures was comprehensively characterized using x-ray diffraction, atomic force microscopy, and plan-view transmission electron microscopy. A room temperature photoluminescence (PL) internal quantum efficiency (IQE) as high as 58% has been achieved in an InGaN/GaN MQW on Si, emitting at 460 nm. This is the highest reported PL-IQE of a c-plane GaN-based MQW on Si, and the radiative efficiency of this sample compares well with similar structures grown on sapphire. Processed LED devices on Si also show good electroluminescence (EL) performance, including a forward bias voltage of ∼3.5 V at 20 mA and a light output power of 1 mW at 45 mA from a 500 ×500 μm2 planar device without the use of any additional techniques to enhance the output coupling. The extraction efficiency of the LED devices was calculated, and the EL-IQE was then estimated to have a maximum value of 33% at a current density of 4 A cm-2, dropping to 30% at a current density of 40 A cm-2 for a planar LED device on Si emitting at 455 nm. The EL-IQE was clearly observed to increase as the structural quality of the material increased for devices on both sapphire and Si substrates. © 2011 American Institute of Physics.

Low-temperature (≤600 °C) semi-insulating oxygen-doped silicon films by the PECVD technique for large-area power applications

This work describes the deposition, annealing and characterisation of semi-insulating oxygen-doped silicon films at temperatures compatible with polysilicon circuitry on glass. The semi-insulating layers are deposited by the plasma enhanced chemical vapour deposition technique from silane (SiH4), nitrous oxide (N2O) and helium (He) gas mixtures at a temperature of 350 °C. The as-deposited films are then furnace annealed at 600 °C which is the maximum process temperature. Raman analysis shows the as-deposited and annealed films to be completely amorphous. The most important deposition variable is the N2O SiH4 gas ratio. By varying the N2O SiH4 ratio the conductivity of the annealed films can be accurately controlled, for the first time, down to a minimum of ≈10-7Ω-1cm-1 where they exhibit a T -1 4 temperature dependence indicative of a hopping conduction mechanism. Helium dilution of the reactant gases is shown to improve both film uniformity and reproducibility. A model for the microstructure of these semi-insulating amorphous oxygen-doped silicon films is proposed to explain the observed physical and electrical properties. © 1995.

La problemática del cambio en los proyectos de desarrollo para S. C. de Bariloche : (1930- 1943)

El objetivo principal es analizar las diferentes concepciones en torno al cambio en el ámbito local y regional de San Carlos de Bariloche durante la década considerada paradigmática por la historiografía general, esto es la de la década de 1930, período que contiene la llegada de la institución que se erige como marca de identidad local, la Dirección de Parques Nacionales (en adelante, DPN). Para esto se plantean los siguientes objetivos específicos: a) Diseñar una indagación desde tres perspectivas: la del Estado Nacional, materializada en la presencia de Parques Nacionales1 y su primer presidente Exequiel Bustillo; la de la localidad barilochense, encarnada en la figura del Ingeniero Emilio Frey; y la del coronel José María Sarobe, quien trae a colación una visión regional patagónica integral a la luz de proyectos de desarrollo precedentes. b) Realizar un relevamiento de fuentes vinculadas a estas tres perspectivas que abrevan en: memorias personales, publicaciones oficiales, documentación local, prensa y publicaciones específicas en torno a la región. c) Analizar cada conjunto de fuentes. d) Integrar las distintas perspectivas a fin de avanzar hacia un análisis complejo de la problemática.

High rate deposition of ta-C:H using an electron cyclotron wave resonance plasma source

A compact electron cyclotron wave resonance (ECWR) source has been developed for the high rate deposition of hydrogenated tetrahedral amorphous carbon (ta-C:H). The ECWR provides growth rates of up to 1.5 nm/s over a 4-inch diameter and an independent control of the deposition rate and ion energy. The ta-C:H was deposited using acetylene as the source gas and was characterized as having an sp3 content of up to 77%, plasmon energy of 27 eV, refractive index of 2.45, hydrogen content of about 30%, optical gap of up to 2.1 eV and RMS surface roughness of 0.04 nm. © 1999 Elsevier Science S.A. All rights reserved.

High rate deposition of Ta-C:H using an electron cyclotron wave resonance plasma source

A compact electron cyclotron wave resonance (ECWR) source has been developed for the high rate deposition of hydrogenated tetrahedral amorphous carbon (ta-C:H). The ECWR provides growth rates of up to 900 angstrom/min and an independent control of the deposition rate and ion energy. The ta-C:H was deposited using acetylene as the source gas and was characterized in terms of its bonding, stress and friction coefficient. The results indicated that the ta-C:H produced using this source fulfills the necessary requirements for applications requiring enhanced tribological performance.

The preparation, characterization and tribological properties of TA-C : H deposited using an electron cyclotron wave resonance plasma beam source

A compact electron cyclotron wave resonance (ECWR) source has been developed for the high rate deposition of hydrogenated tetrahedral amorphous carbon (ta-C:H). The ECWR provides growth rates of up to 900 Å/min over a 4″ diameter and an independent control of the deposition rate and ion energy. The ta-C:H was deposited using acetylene as the source gas and was characterized in terms of its sp3 content, mass density, intrinsic stress, hydrogen content, C-H bonding, Raman spectra, optical gap, surface roughness and friction coefficient. The results obtained indicated that the film properties were maximized at an ion energy of approximately 167 eV, corresponding to an energy per daughter carbon ion of 76 eV. The relationship between the incident ion energy and film densification was also explained in terms of the subsurface implantation of carbon ions into the growing film.

Chemical sputtering of ta-C: Implications for the deposition of carbon nitride

The majority of attempts to synthesize the theoretically predicted superhard phase β-C3N4 have been driven towards the use of techniques which maximize both the carbon sp3 levels and the amount of nitrogen incorporated within the film. However, as yet no attempt has been made to understand the mechanism behind the resultant chemical sputter process and its obvious effect upon film growth. In this work, however, the chemical sputtering process has been investigated through the use of an as-deposited tetrahedrally bonded amorphous carbon film with a high density nitrogen plasma produced using an rf-based electron cyclotron wave resonance source. The results obtained suggested the presence of two distinct ion energy dependent regimes. The first, below 100 eV, involves the chemical sputtering of carbon from the surface, whereas the second at ion energies in excess of 100 eV exhibits a drop in sputter rate associated with the subplantation of nitrogen within the carbon matrix. Furthermore, as the sample temperature is increased there is a concomitant decrease in sputter rate suggesting that the rate is controlled by the adsorption and desorption of additional precursor species rather than the thermal desorption of CN. A simple empirical model has been developed in order to elucidate some of the primary reactions involved in the sputter process. Through the incorporation of various previously determined experimental parameters including electron temperature, ion current density, and nitrogen partial pressure the results indicated that molecular nitrogen physisorbed at the ta-C surface was the dominant precursor involved in the chemical sputter process. However, as the physisorption enthalpy of molecular nitrogen is low this suggests that activation of this molecular species takes place only through ion impact at the surface. The obtained results therefore provide important information for the modeling and growth of high density carbon nitride. © 2001 American Institute of Physics.

Properties of a-C:H films deposited from a methane electron cyclotron wave resonant plasma

An electron cyclotron wave resonant methane plasma discharge was used for the high rate deposition of hydrogenated amorphous carbon (a-C:H). Deposition rates of up to ∼400 Å/min were obtained over substrates up to 2.5 in. in diameter with a film thickness uniformity of ∼±10%. The deposited films were characterised in terms of their mass density, sp3 and hydrogen contents, C-H bonding, intrinsic stress, scratch resistance and friction properties. The deposited films possessed an average sp3 content, mass density and refractive index of ∼58%, 1.76 g/cm3 and 2.035 respectively.Mechanical characterisation indicated that the films possessed very low steady-state coefficients of friction (ca. 0.06) and a moderate shear strength of ∼141 MPa. Nano-indentation measurements also indicated a hardness and elastic modulus of ∼16.1 and 160 GPa respectively. The critical loads required to induce coating failure were also observed to increase with ion energy as a consequence of the increase in degree of ion mixing at the interface. Furthermore, coating failure under scratch test conditions was observed to take place via fracture within the silicon substrate itself, rather than either in the coating or at the film/substrate interface. © 2003 Elsevier B.V. All rights reserved.