Impacte tecnològic en el nou món colonial. Aculturació en arqueologia i arqueometria ceràmica (TECNOLONIAL)

El projecte se centra en l"expansió colonial atlàntica espanyola, especialment durant el segle XVI, estudiada a partir del coneixement arqueològic i arqueomètric de la ceràmica de pisa o majòlica, de les ceràmiques vidrades i dels contenidors de transport, però també de les ceràmiques indígenes d"estil europeu. Amb això, l"objectiu bàsic del projecte és aprofundir en els aspectes d"aculturació o de transculturació, de relacions i d"influències que es generen en un procés colonitzador, entre els colonitzadors i els grups humans colonitzats, però també l"aparició de noves identitats que sorgeixen en els espais colonitzats, amb grups humans generalment mixtos i complexos. Aquest objectiu general es concreta en quatre objectius concrets: la caracterització arqueològica i arqueomètrica dels centres productors i de difusió de Barcelona, Sevilla i el País Basc; la caracterització d"aquests materials, i dels materials indígenes d"influència europea, dels centres receptors de Gran Canària, Perú, Colombia i Canadà; la interpretació d"aquests materials ceràmics tant en termes de comerç, intercanvi i difusió, com des de la perspectiva del seu consum, com a artefactes que marquen o confereixen identitat social o estatus, i la seva participació en aspectes com les tradicions culturals, l"etnicitat o la creació de noves identitats; i la derivació de models teòrics aplicables a contextos colonials, basats en els estudis arqueològics i arqueomètrics de les ceràmiques implicades.

Impacte tecnològic en el nou món colonial. Aculturació en arqueologia i arqueometria ceràmica (TECNOLONIAL)

El projecte TECNOLONIAL té com a principal objectiu aprofundir en aspectes relacionats amb la interacció, influència i aculturació durant el procés de colonització a Amèrica. En aquest sentit, cal destacar que s"utilitza el terme"aculturació" com a nom genèric per denominar un procés complex de contactes entre societats diferents i diverses; procés que donarà com a resultat diverses respostes a la integració i/o resistència d"acord amb diferents situacions i estratègies, com el desenvolupament de noves identitats en les àrees colonitzades on grups humans mixtos i complexos es troben ubicats. El projecte se centra en l"expansió atlàntica espanyola, especialment durant el segle XVI, com a punt de partida del comerç global que es practica avui dia entre societats completament interconnectades.La investigació es basa essencialment en l"estudi de la ceràmica (majòlica, vidriada i contenidors de transport, com també ceràmiques indígenes), que és un bé o un bé comercial de valor intrínsec, d"ús intensiu i relacionat amb activitats quotidianes i simbòliques. A més, la seva ubiqüitat i abundància en el registre arqueològic converteixen la ceràmica en l"objecte ideal per contestar aquest tipus de qüestions. En aquest sentit, la caracterització de la tecnologia ceràmica, que inclou les seves decoracions i vidriats les propietats mecàniques, com també l"avaluació dels seus dissenys formals, ens ha de permetre aconseguir un profund coneixement de la tecnologia europea i del seu impacte transformador sobre la producció ceràmica indígena

Control of doped layers in p-i-n microcrystalline solar cells fully deposited with HWCVD

In this paper, the influence of the deposition conditions on the performance of p-i-n microcrystalline silicon solar cells completely deposited by hot-wire chemical vapor deposition is studied. With this aim, the role of the doping concentration, the substrate temperature of the p-type layer and of amorphous silicon buffer layers between the p/i and i/n microcrystalline layers is investigated. Best results are found when the p-type layer is deposited at a substrate temperature of 125 °C. The dependence seen of the cell performance on the thickness of the i layer evidenced that the efficiency of our devices is still limited by the recombination within this layer, which is probably due to the charge of donor centers most likely related to oxygen.

Anàlisi de l’elecció de la cama d’atac predominant en la prova de 400 metres tanques dels XIII Campionats del Món d’Atletisme Daegu 2011

Objectius: Analitzar la utilització d’una o altra cama com a cama d’atac predominant en atletes de 400 metres tanques d’alt nivell. Mètode: L’estudi és descriptiu de tall transversal. Es van estudiar totes les curses de 400 metres tanques dels 72 participants (34 homes i 38 dones) en els XIII Campionats del Món d’Atletisme Daegu 2011 mitjançant la gravació en vídeo des de la tribuna principal del Daegu Stadium de les 18 curses de 400 metres tanques disputades i la posterior anàlisi mitjançant l’aplicació informàtica Kinovea 0.8.4. Resultats: Per atletes, en el total de les curses masculines, la cama d’atac predominant va ser l’esquerra, amb el 63,6 % (42 atletes), i amb la cama dreta va haver-hi el 34,8 % (23 atletes). Només en un cas hi havia un equilibri entre esquerra i dreta. A la final va haver-hi el 75 % (6 atletes) la cama predominant d’atac dels quals va ser l’esquerra. Quant a les dones, la cama d’atac predominant va ser l’esquerra, amb el 48,6 %, seguida de la cama dreta, amb el 41,4 %, i per al 10 % hi havia un equilibri de les dues. A la final, en canvi, la cama predominant d’atac va ser la dreta, amb el 87,5 % (7 atletes), pel 12,5 % de l’esquerra (1 sola atleta). Es van trobar diferències significatives (p = 0,018) en la mitjana de temps finals dels atletes masculins segons quina fos la seva cama d’atac. Conclusions: La majoria dels atletes ataquen les tanques amb dreta i esquerra en algun moment de la cursa, la qual cosa obliga al domini tècnic bilateral. La cama d’atac més utilitzada és l’esquerra, encara que en menor mesura en el cas de les dones. Per primera vegada en una gran competició, 7 de les 8 finalistes tenen la cama dreta com a cama predominant.

Correlation between charge transport and electroluminescence properties of Si-rich oxide/nitride/oxide-based light emitting capacitors.

The electrical and electroluminescence (EL) properties at room and high temperatures of oxide/ nitride/oxide (ONO)-based light emitting capacitors are studied. The ONO multidielectric layer is enriched with silicon by means of ion implantation. The exceeding silicon distribution follows a Gaussian profile with a maximum of 19%, centered close to the lower oxide/nitride interface. The electrical measurements performed at room and high temperatures allowed to unambiguously identify variable range hopping (VRH) as the dominant electrical conduction mechanism at low voltages, whereas at moderate and high voltages, a hybrid conduction formed by means of variable range hopping and space charge-limited current enhanced by Poole-Frenkel effect predominates. The EL spectra at different temperatures are also recorded, and the correlation between charge transport mechanisms and EL properties is discussed.

Amorphous silicon thin film solar cells deposited entirely by Hot-Wire Chemical Vapour Deposition at low temperature (<150 ºC)

Amorphous silicon n-i-p solar cells have been fabricated entirely by Hot-Wire Chemical Vapour Deposition (HW-CVD) at low process temperature < 150 °C. A textured-Ag/ZnO back reflector deposited on Corning 1737F by rf magnetron sputtering was used as the substrate. Doped layers with very good conductivity and a very less defective intrinsic a-Si:H layer were used for the cell fabrication. A double n-layer (μc-Si:H/a-Si:H) and μc-Si:H p-layer were used for the cell. In this paper, we report the characterization of these layers and the integration of these layers in a solar cell fabricated at low temperature. An initial efficiency of 4.62% has been achieved for the n-i-p cell deposited at temperatures below 150 °C over glass/Ag/ZnO textured back reflector.

Top-gate microcrystalline silicon TFTs processed at low temperature (<200ºC)

N-type as well P-type top-gate microcrystalline silicon thin film transistors (TFTs) are fabricated on glass substrates at a maximum temperature of 200 °C. The active layer is an undoped μc-Si film, 200 nm thick, deposited by Hot-Wire Chemical Vapor. The drain and source regions are highly phosphorus (N-type TFTs) or boron (P-type TFTs)-doped μc-films deposited by HW-CVD. The gate insulator is a silicon dioxide film deposited by RF sputtering. Al-SiO 2-N type c-Si structures using this insulator present low flat-band voltage,-0.2 V, and low density of states at the interface D it=6.4×10 10 eV -1 cm -2. High field effect mobility, 25 cm 2/V s for electrons and 1.1 cm 2/V s for holes, is obtained. These values are very high, particularly the hole mobility that was never reached previously.

Basil Bernstein: Societat, llenguatge i educació

Si haguéssim de trobar un fil conductor del conjunt de l'obra de Basil Bernstein, no hi ha cap mena de dubte que seria la referencia al llenguatge: com el llenguatge estructura els éssers humans en el procés de socialització, com constitueix la seva principal eina per copsar el món, com els contextos en els quals es produeix la socialització i l' educació es caracteritzen per les maneres d'usar el llenguatge, com el llenguatge és alhora ' jutge i part ': de quina manera possibilita, com marca les categories socials ( classe social, sexe, raça, etc. ) en la mateixa essència del procés de socialització, com, en fi, el llenguatge se subordina, alhora que encarna i constitueix un principi més ampli i general que no és sinó la mateixa trama d'allò que és social: les formes de divisió del treball, el repartiment i la constitució del poder, les formes de control.

L'educació moral a través de la literatura. El punt de vista d'Iris Murdoch

L'egoisme és, en paraules de Murdoch, l'enemic més gran de la moralitat. L'art es presenta com una de les possibilitats de treure el jo de si mateix perquè prengui consciència del món. La finalitat d'aquest article és posar de manifest la importància i també l'interès de la literatura com a vehicle de reflexió i de presa de consciència de la realitat en la que es mou l'ésser humà tal com ens ho presenta Iris Murdoch. Sota aquest punt de vista la literatura posseeix una clara funció educativa moral.

Structure of a-Si:H/a-Si1-xCx:H multilayers deposited in a reactor with automated substrate holder

This paper deals with the structural properties of a-Si:H/a-Si1-xCx: H multilayers deposited by glow-discharge decomposition of SiH4 and SiH4 and CH4 mixtures. The main feature of the rf plasma reactor is an automated substrate holder. The plasma stabilization time and its influence on the multilayer obtained is discussed. A series of a-Si:H/a-Si1-xCx: H multilayers has been deposited and characterized by secondary ion mass spectrometry (SIMS), X-ray diffraction (XRD) and transmission electron microscopy (TEM). No asymmetry between the two types of interface has been observed. The results show that the multilayers present a very good periodicity and low roughness. The difficulty of determining the abruptness of the multilayer at the nanometer scale is discussed.

Impacte tecnològic en el nou món colonial. Aculturació en arqueologia i arqueometria ceràmica (Tecnocolonial)

El projecte se centra en l"expansió colonial atlàntica espanyola, especialment al segle XVI. L"element bàsic per abordar aquest estudi és la ceràmica, ja que la seva ubiqüitat i abundància l"han convertida en un dels millors fòssils directors. Per la seva condició de símbol de la tecnologia europea colonial, la pisa o majòlica tindrà un lloc central en aquest estudi, però també s"abordaran les ceràmiques vidriades i els contenidors de transport, ja que aquests últims són els materials ceràmics més abundantment enviats a les zones colonitzades. Igualment, s"estudiaran les ceràmiques indígenes d"estil europeu. L"objectiu bàsic del projecte és aprofundir en els aspectes d"aculturació, relacions i influències que es generen en un procés colonitzador, entre els colonitzadors i els grups humans colonitzats, però també l"aparició de noves identitats que es generen en els espais colonitzats, amb grups humans generalment mixtos i complexos.