Effets des recuits ultra-rapides (10^5 K/s) sur la formation des siliciures métalliques en phase solide

La synthèse de siliciures métalliques sous la forme de films ultra-minces demeure un enjeu majeur en technologie CMOS. Le contrôle du budget thermique, afin de limiter la diffusion des dopants, est essentiel. Des techniques de recuit ultra-rapide sont alors couramment utilisées. Dans ce contexte, la technique de nanocalorimétrie est employée afin d'étudier, in situ, la formation en phase solide des siliciures de Ni à des taux de chauffage aussi élevés que 10^5 K/s. Des films de Ni, compris entre 9.3 et 0.3 nm sont déposés sur des calorimètres avec un substrat de a-Si ou de Si(100). Des mesures de diffraction de rayons X, balayées en température à 3 K/s, permettent de comparer les séquences de phase obtenues à bas taux de chauffage sur des échantillons de contrôle et à ultra-haut taux de chauffage sur les calorimètres. En premier lieu, il est apparu que l'emploi de calorimètres de type c-NC, munis d'une couche de 340 nm de Si(100), présente un défi majeur : un signal endothermique anormal vient fausser la mesure à haute température. Des micro-défauts au sein de la membrane de SiNx créent des courts-circuits entre la bande chauffante de Pt du calorimètre et l'échantillon métallique. Ce phénomène diminue avec l'épaisseur de l'échantillon et n'a pas d'effet en dessous de 400 °C tant que les porteurs de charge intrinsèques au Si ne sont pas activés. Il est possible de corriger la mesure de taux de chaleur en fonction de la température avec une incertitude de 12 °C. En ce qui a trait à la formation des siliciures de Ni à ultra-haut taux de chauffage, l'étude montre que la séquence de phase est modifiée. Les phases riches en m étal, Ni2Si et théta, ne sont pas détectées sur Si(100) et la cinétique de formation favorise une amorphisation en phase solide en début de réaction. Les enthalpies de formation pour les couches de Ni inférieures à 10 nm sont globalement plus élevées que dans le cas volumique, jusqu' à 66 %. De plus, les mesures calorimétriques montrent clairement un signal endothermique à haute température, témoignant de la compétition que se livrent la réaction de phase et l'agglomération de la couche. Pour les échantillons recuits a 3 K/s sur Si(100), une épaisseur critique telle que décrite par Zhang et Luo, et proche de 4 nm de Ni, est supposée. Un modèle est proposé, basé sur la difficulté de diffusion des composants entre des grains de plus en plus petits, afin d'expliquer la stabilité accrue des couches de plus en plus fines. Cette stabilité est également observée par nanocalorimétrie à travers le signal endothermique. Ce dernier se décale vers les hautes températures quand l'épaisseur du film diminue. En outre, une 2e épaisseur critique, d'environ 1 nm de Ni, est remarquée. En dessous, une seule phase semble se former au-dessus de 400 °C, supposément du NiSi2.

Proceedings Of Eleventh National Symposium On Antennas And Propagation

In this paper we have investigated the effect of cavity diameter and wall height on resonance and radiation characteristics of a circular microstrip patch antenna. Experiments were conducted using a fabricated prototype placed inside a cylindrical cavity. The results were compared and verified with simulated data obtained using an electromagnetic simulator. About 9.6 to 10.5 dBi peak gain was obtained from measured and simulated data

Wideband trapezoidal strip grating for elimination of specular reflection

A trapezoidal strip grating surface that eliminates specular reflections almost over the entire X -band frequency range for TM polarization is reported This new grating structure overcomes the bandwidth limitation of conventional rectangular strip grating surfaces

Compact Wideband Antenna for 2.4 GHz WLAN Applications

A novel compact wideband antenna for wireless local area network (WLAN) applications in the 2.4 GHz band are presented. The proposed low profile antenna of dimensions 15 x 14.5 x 1.6 mm offers 18.6% bandwidth and an average gain of~5 dBi. The antenna can be excited directly using a 50 coaxial probe

Microstrip antennas for mobile telephone handset with reduced radiation hazards

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Enhanced Bandwidth Microstrip Patch Antennas Loaded with High Permittivity Dielectric Resonators

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FDTD analysis of a symmetric T-strip fed wideband rectangular microstrip antenna

A theoretical analysis of a symmetric T-shaped rnicrostripfed rectangular microstrip antenna using the finite-difference titnedoniain (FDTD) method is presented in this paper. The resonant frequency, return loss, impedance bandwidth, and radiation patterns are predicted and are in good agreement with the measured results

L-strip excited wideband rectangular microstrip antenna

This paper presents the outcome of the experimental studies performed on L-strip fed compact rectangular microstrip antenna. The effect of the feed parameters upon the characteristics of the antenna is studied in detail. The antenna offers an impedance bandwidth of nearly 20% and is suitable for broadband applications

Wideband Oylindrioal Dielectric Resonator Antenna Excited Using an L-strip Feed

A broadband cylindrical dielectric resonator antenna (DRA) energized with an L-strip feed is presented The novel exciting technique achieves a 2:1 VSWR bandwidth of 18%. The variation of bandwidth for different feed parameters is also studied