De vita et morb. Ignatii Loiolae qui Societatem Iesu fundavit libri III [Texto impreso]

Colofón

MOVPE growth of III-V semiconductors on silicon for third generation solar cells

Esta Tesis trata sobre el desarrollo y crecimiento -mediante tecnología MOVPE (del inglés: MetalOrganic Vapor Phase Epitaxy)- de células solares híbridas de semiconductores III-V sobre substratos de silicio. Esta integración pretende ofrecer una alternativa a las células actuales de III-V, que, si bien ostentan el récord de eficiencia en dispositivos fotovoltaicos, su coste es, a día de hoy, demasiado elevado para ser económicamente competitivo frente a las células convencionales de silicio. De este modo, este proyecto trata de conjugar el potencial de alta eficiencia ya demostrado por los semiconductores III-V en arquitecturas de células fotovoltaicas multiunión con el bajo coste, la disponibilidad y la abundancia del silicio. La integración de semiconductores III-V sobre substratos de silicio puede afrontarse a través de diferentes aproximaciones. En esta Tesis se ha optado por el desarrollo de células solares metamórficas de doble unión de GaAsP/Si. Mediante esta técnica, la transición entre los parámetros de red de ambos materiales se consigue por medio de la formación de defectos cristalográficos (mayoritariamente dislocaciones). La idea es confinar estos defectos durante el crecimiento de sucesivas capas graduales en composición para que la superficie final tenga, por un lado, una buena calidad estructural, y por otro, un parámetro de red adecuado. Numerosos grupos de investigación han dirigido sus esfuerzos en los últimos años en desarrollar una estructura similar a la que aquí proponemos. La mayoría de éstos se han centrado en entender los retos asociados al crecimiento de materiales III-V, con el fin de conseguir un material de alta calidad cristalográfica. Sin embargo, prácticamente ninguno de estos grupos ha prestado especial atención al desarrollo y optimización de la célula inferior de silicio, cuyo papel va a ser de gran relevancia en el funcionamiento de la célula completa. De esta forma, y con el fin de completar el trabajo hecho hasta el momento en el desarrollo de células de III-V sobre silicio, la presente Tesis se centra, fundamentalmente, en el diseño y optimización de la célula inferior de silicio, para extraer su máximo potencial. Este trabajo se ha estructurado en seis capítulos, ordenados de acuerdo al desarrollo natural de la célula inferior. Tras un capítulo de introducción al crecimiento de semiconductores III-V sobre Si, en el que se describen las diferentes alternativas para su integración; nos ocupamos de la parte experimental, comenzando con una extensa descripción y caracterización de los substratos de silicio. De este modo, en el Capítulo 2 se analizan con exhaustividad los diferentes tratamientos (tanto químicos como térmicos) que deben seguir éstos para garantizar una superficie óptima sobre la que crecer epitaxialmente el resto de la estructura. Ya centrados en el diseño de la célula inferior, el Capítulo 3 aborda la formación de la unión p-n. En primer lugar se analiza qué configuración de emisor (en términos de dopaje y espesor) es la más adecuada para sacar el máximo rendimiento de la célula inferior. En este primer estudio se compara entre las diferentes alternativas existentes para la creación del emisor, evaluando las ventajas e inconvenientes que cada aproximación ofrece frente al resto. Tras ello, se presenta un modelo teórico capaz de simular el proceso de difusión de fosforo en silicio en un entorno MOVPE por medio del software Silvaco. Mediante este modelo teórico podemos determinar qué condiciones experimentales son necesarias para conseguir un emisor con el diseño seleccionado. Finalmente, estos modelos serán validados y constatados experimentalmente mediante la caracterización por técnicas analíticas (i.e. ECV o SIMS) de uniones p-n con emisores difundidos. Uno de los principales problemas asociados a la formación del emisor por difusión de fósforo, es la degradación superficial del substrato como consecuencia de su exposición a grandes concentraciones de fosfina (fuente de fósforo). En efecto, la rugosidad del silicio debe ser minuciosamente controlada, puesto que éste servirá de base para el posterior crecimiento epitaxial y por tanto debe presentar una superficie prístina para evitar una degradación morfológica y cristalográfica de las capas superiores. En este sentido, el Capítulo 4 incluye un análisis exhaustivo sobre la degradación morfológica de los substratos de silicio durante la formación del emisor. Además, se proponen diferentes alternativas para la recuperación de la superficie con el fin de conseguir rugosidades sub-nanométricas, que no comprometan la calidad del crecimiento epitaxial. Finalmente, a través de desarrollos teóricos, se establecerá una correlación entre la degradación morfológica (observada experimentalmente) con el perfil de difusión del fósforo en el silicio y por tanto, con las características del emisor. Una vez concluida la formación de la unión p-n propiamente dicha, se abordan los problemas relacionados con el crecimiento de la capa de nucleación de GaP. Por un lado, esta capa será la encargada de pasivar la subcélula de silicio, por lo que su crecimiento debe ser regular y homogéneo para que la superficie de silicio quede totalmente pasivada, de tal forma que la velocidad de recombinación superficial en la interfaz GaP/Si sea mínima. Por otro lado, su crecimiento debe ser tal que minimice la aparición de los defectos típicos de una heteroepitaxia de una capa polar sobre un substrato no polar -denominados dominios de antifase-. En el Capítulo 5 se exploran diferentes rutinas de nucleación, dentro del gran abanico de posibilidades existentes, para conseguir una capa de GaP con una buena calidad morfológica y estructural, que será analizada mediante diversas técnicas de caracterización microscópicas. La última parte de esta Tesis está dedicada al estudio de las propiedades fotovoltaicas de la célula inferior. En ella se analiza la evolución de los tiempos de vida de portadores minoritarios de la base durante dos etapas claves en el desarrollo de la estructura Ill-V/Si: la formación de la célula inferior y el crecimiento de las capas III-V. Este estudio se ha llevado a cabo en colaboración con la Universidad de Ohio, que cuentan con una gran experiencia en el crecimiento de materiales III-V sobre silicio. Esta tesis concluye destacando las conclusiones globales del trabajo realizado y proponiendo diversas líneas de trabajo a emprender en el futuro. ABSTRACT This thesis pursues the development and growth of hybrid solar cells -through Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE)- formed by III-V semiconductors on silicon substrates. This integration aims to provide an alternative to current III-V cells, which, despite hold the efficiency record for photovoltaic devices, their cost is, today, too high to be economically competitive to conventional silicon cells. Accordingly, the target of this project is to link the already demonstrated efficiency potential of III-V semiconductor multijunction solar cell architectures with the low cost and unconstrained availability of silicon substrates. Within the existing alternatives for the integration of III-V semiconductors on silicon substrates, this thesis is based on the metamorphic approach for the development of GaAsP/Si dual-junction solar cells. In this approach, the accommodation of the lattice mismatch is handle through the appearance of crystallographic defects (namely dislocations), which will be confined through the incorporation of a graded buffer layer. The resulting surface will have, on the one hand a good structural quality; and on the other hand the desired lattice parameter. Different research groups have been working in the last years in a structure similar to the one here described, being most of their efforts directed towards the optimization of the heteroepitaxial growth of III-V compounds on Si, with the primary goal of minimizing the appearance of crystal defects. However, none of these groups has paid much attention to the development and optimization of the bottom silicon cell, which, indeed, will play an important role on the overall solar cell performance. In this respect, the idea of this thesis is to complete the work done so far in this field by focusing on the design and optimization of the bottom silicon cell, to harness its efficiency. This work is divided into six chapters, organized according to the natural progress of the bottom cell development. After a brief introduction to the growth of III-V semiconductors on Si substrates, pointing out the different alternatives for their integration; we move to the experimental part, which is initiated by an extensive description and characterization of silicon substrates -the base of the III-V structure-. In this chapter, a comprehensive analysis of the different treatments (chemical and thermal) required for preparing silicon surfaces for subsequent epitaxial growth is presented. Next step on the development of the bottom cell is the formation of the p-n junction itself, which is faced in Chapter 3. Firstly, the optimization of the emitter configuration (in terms of doping and thickness) is handling by analytic models. This study includes a comparison between the different alternatives for the emitter formation, evaluating the advantages and disadvantages of each approach. After the theoretical design of the emitter, it is defined (through the modeling of the P-in-Si diffusion process) a practical parameter space for the experimental implementation of this emitter configuration. The characterization of these emitters through different analytical tools (i.e. ECV or SIMS) will validate and provide experimental support for the theoretical models. A side effect of the formation of the emitter by P diffusion is the roughening of the Si surface. Accordingly, once the p-n junction is formed, it is necessary to ensure that the Si surface is smooth enough and clean for subsequent phases. Indeed, the roughness of the Si must be carefully controlled since it will be the basis for the epitaxial growth. Accordingly, after quantifying (experimentally and by theoretical models) the impact of the phosphorus on the silicon surface morphology, different alternatives for the recovery of the surface are proposed in order to achieve a sub-nanometer roughness which does not endanger the quality of the incoming III-V layers. Moving a step further in the development of the Ill-V/Si structure implies to address the challenges associated to the GaP on Si nucleation. On the one hand, this layer will provide surface passivation to the emitter. In this sense, the growth of the III-V layer must be homogeneous and continuous so the Si emitter gets fully passivated, providing a minimal surface recombination velocity at the interface. On the other hand, the growth should be such that the appearance of typical defects related to the growth of a polar layer on a non-polar substrate is minimized. Chapter 5 includes an exhaustive study of the GaP on Si nucleation process, exploring different nucleation routines for achieving a high morphological and structural quality, which will be characterized by means of different microscopy techniques. Finally, an extensive study of the photovoltaic properties of the bottom cell and its evolution during key phases in the fabrication of a MOCVD-grown III-V-on-Si epitaxial structure (i.e. the formation of the bottom cell; and the growth of III-V layers) will be presented in the last part of this thesis. This study was conducted in collaboration with The Ohio State University, who has extensive experience in the growth of III-V materials on silicon. This thesis concludes by highlighting the overall conclusions of the presented work and proposing different lines of work to be undertaken in the future.

Oliveros de Castilla [Texto impreso] : Historia de los nobles, y esforçados caualleros Oliveros de Castilla, y su buen amigo, y hermano en armas Artus de Algarve

Sign.: A-F8, G4

Tomus III Operum D. Aurelii Augustini Hipponensis Episcopi : [Texto impreso] complectens Ta didaktika hoc est quae proprie ad docendum pertinent ad veterum codicum collationem per theologos louanienses emendatus

Colofón

Academia de Valencia : En celebración de la gloriosa entrada en los dominios de España y feliz cumplimento de años del Rey Nuestro Señor Don Felipe IV ... executada en la casa de la Diputacion del Reyno de Valencia el dia 2. de febrero 1704 ...

Hay un ejemplar encuadernado con: Las fiestas de Valencia (XVIII/4276).

Discurso pronunciado por el Excmo. Sr. D. Rafael Portaencasa Baeza, Rector Magnífico de la Universidad Politécnica de Madrid, en el Acto celebrado con motivo de la festividad de Santo Tomás de Aquino 1988-89

Discurso ofrecido por D. Rafael Portaencasa, en calidad de Rector de la Universidad Politécnica de Madrid, con motivo de la festividad de Santo Tomás de Aquino. Se menciona a D. Fernando Ruíz García, Catedrático de la Escuela Universitaria de Ingeniería Técnica Agrícola, recientemente jubilado, y a D. José Antonio Martín Pereda, entre otras personalidades destacadas de la UPM. El autor reflexiona posteriormente sobre la situación que se vive en Europa y en España en 1989 y cómo la universidad debe ofrecer un servicio de calidad a la sociedad

[Copia del Bando de Fernando VII de 1790 prohibiendo la petición de limosnas en el Reino de Valencia, Murcia, Provincia de la Mancha y otros territorios agregados, publicado en la Audiencia de Valencia. Certificado por D. Vicente Esteve] [Texto impreso]

Hay un ejemplar encuadernado con: La Real Compañia formada por S.M. para llevar a efecto el canal de navegación y riego del reyno de Murcia, las... experiencias de que informa D. Domingo Aguirre... le han confirmado en los abusos y fraudes que hacen muchos... (XVIII/4279).

Fernando García Mercadal y el Movimiento Moderno

La tesis plantea el estudio de la figura de Fernando García Mercadal (1896- 1985) y su obra, en el contexto del proyecto moderno perteneciente a la racionalidad teórica colectiva de la segunda generación del Movimiento Moderno en Europa, y explora la vida y circunstancias de un arquitecto que aunque nacido en el XIX, trajo la modernidad a España. El Movimiento Moderno en España, se articula en las décadas de los años 20 y 30 a través del GATEPAC y un grupo de arquitectos racionalistas en Madrid que Carlos Flores denomina Generación del 1925. Fernando García Mercadal, primero de su promoción en 1921 y pensionado en Roma, pertenece a ambos y pronto se convierte junto con Josep Lluis Sert, en una de las figuras más relevantes del panorama moderno español. Único miembro fundador del GATEPAC que había nacido en el siglo XIX, publica habitualmente en la revista AC (1931-1937), y en la revista Arquitectura desde 1920. Organiza en la Residencia de Estudiantes, entre 1928 y 1932, un famoso ciclo de Conferencias que imparten Le Corbusier, Mendelsohn, Van Doesburg, Gropius y Giedion. También asiste a la reunión constituyente de los CIAM en La Sarraz en 1928, al CIAM II en Frankfurt en 1929 y al CIAM III en Bruselas en 1930. Fue profesor en la Escuela de Arquitectura de Madrid y Arquitecto Jefe de la Oficina de Urbanismo y de Parques y Jardines del Ayuntamiento de Madrid, cargo al que accede por oposición en 1932. Tras la guerra fue depurado e inhabilitado profesionalmente, hasta que en 1946 comienza a trabajar en el Departamento de Arquitectura del I.N.P. donde continúa hasta los años 70. En 1979 es nombrado Académico de número de la Real Academia de Bellas Artes de San Fernando y muere en Madrid en 1985. Estos son los datos conocidos y aunque en la tesis se aportan nuevos datos inéditos, es en las premisas para su interpretación donde este trabajo de investigación pone el acento. En la historiografía de nuestra arquitectura moderna, pervive una tendencia a suponer una desconexión entre la vanguardia arquitectónica en los años 20 y 30 y el movimiento moderno internacional. El manto de silencio que cayó sobre la generación anterior a la guerra, una vez terminada esta, contribuye a reforzar la idea, cuyo origen y causas exceden el ámbito de trabajo, aunque se tratarán tangencialmente por ser ineludible hacerlo. La tesis pone en cuestión ese planteamiento desde el convencimiento fundamentado en los datos y en la consulta de fuentes originales, que la arquitectura española anterior a la guerra, aun con las circunstancias particulares del país, estuvo en sintonía con la europea, siendo esta la hipótesis de partida de la investigación. Las aportaciones más significativas que, a mi entender, presenta la tesis doctoral, y tienen mayor originalidad, son las siguientes; 1.Puesta en valor de la arquitectura de FGM, antes y después de la guerra, abandonando la idea de su supuesta renuncia a las ideas modernas a partir de los 30; 2. Puesta en valor, con aportación de datos concretos, de la Intensa relación mantenida por FGM y otros arquitectos españoles del Movimiento Moderno con los arquitectos de igual tendencia en el resto de Europa, a través de contactos recíprocos y continuos; 3. Estudio de la obra de FGM en el marco del Movimiento Moderno como una nueva arquitectura basada no tanto en la epidermis, como en una forma de hacer y encarar los problemas donde el proceso es tan importante como el resultado; con el Urbanismo como una nueva ciencia, y con el desarrollo de nuevos programas funcionales acordes a las necesidades de la sociedad contemporánea como el Rincón de Goya y el Hospital de Zaragoza. Se manejan tres métodos de trabajo. Los dos primeros aportan un nuevo enfoque al análisis crítico de FGM y su obra, situándole en el contexto internacional, además del español. El tercero, de carácter instrumental, permite el manejo y sistematización de la documentación. El primer método, consiste en aplicar el criterio generacional de Pevsner o Giedion entre otros, al Movimiento Moderno en España, situando a Fernando García Mercadal como arquitecto de la segunda generación, para hacer un análisis crítico comparativo de su trayectoria con otros arquitectos europeos de la misma, que permita establecer semejanzas y diferencias. El segundo método, complementario al anterior, consiste en estudiar las relaciones internacionales de FGM con las figuras más próximas a él y sus posibles influencias. Por último, y en relación con la documentación de obras y proyectos, se manejan a su vez dos criterios. Para la obra completa, y debido a la inexistencia de originales del Legado García Mercadal, se utiliza con carácter general el material ya publicado, disperso en libros y revistas. En el caso de las cinco obras seleccionadas, se completa con búsqueda en archivos, toma de datos in situ actualizados cuando es posible, y una recopilación de su repercusión en prensa escrita de su momento. ABSTRACT This research study focuses on Fernando Garcia Mercadal (1896-1985) and his work in the context of the Modern project as part of the collective theoretical rationality of the second generation of European Modern architecture. It explores the life and circumstances of the architect, who even though born in 19th century introduced Modern architecture in Spain. Modern architecture (Modern Movement) in Spain covered two decades between 20's and 30's through GATEPAC and a group of rationalists in Madrid that Carlos Flores named “generation of '25”. Fernando Garcia Mercadal, top of his class in 1921 and granted with the scholarship in Rome, belonged to both groups and early in his career he became, along with Josep Lluis Sert, one of the most relevant figures of Modern Architecture in Spain. He was the only member of GATEPAC who was born in 19th century. He frequently published on the magazine “AC” (1931-1937) and on “Arquitecture” magazine since 1920. He organized a series of famous lectures at “Residencia de Estudiantes” (Madrid) between 1928 and 1932 in which Le Corbusier, Mendelsohn, Van Doesburg, Gropius or Giedion took part. He was a member of the constituent meeting of CIAM in La Sarraz in 1928, CIAM II in Frankfurt in 1929 and CIAM III in Brussels in 1930. Mercadal was a teacher at Escuela de Arquitectura de Madrid and the Chief of the Urban Planning, Parks and Gardens Office of the Council of Madrid. He earned his position by public examination in 1932. After the civil war he was disqualified professionally until 1946, when he started working at the Architecture Department at INP until 70's. In 1979 he was elected as an academic member of “Real Academia de Bellas Artes de San Fernando” and later died in 1985. These are the well-known facts and even though this research study provides unpublished facts, it focuses on the premises to interpret them. Throughout the historiographical discourse of Spanish Modern architecture there is a tendency to assume a disconnection between the Avant-garde architecture movements in 20's and 30's and International Modern architecture (Modern Movement). The generation preceding the war remained silent in regard to this issue and once the war was over, they contributed to support the disconnection. The origin and cause exceed the frame of this work, even though they are incidentally commented due to its importance. This research study questions the approach explained above, based on the facts and the original sources. Its first hypothesis states that Spanish architecture before the civil war was, under its own circumstances, in tune with European architecture. The most important and original contributions of this research study are the following under my point of view: 1. To highlight the architecture of FGM, before and after the war, leaving behind his reputed withdrawal of Modernity after 30's; 2. To highlight the intense relationship between FGM and other Modern Spanish architects and other European architects sharing the same ideas, providing detailed facts; 3. Study of FGM's work in the context of Modern architecture as a new architecture based on its know-how and the way problems are faced. The process is as important as the result, not so much based on the dermis; with urban planning as the new science and with the development of the new functional programs based on the needs of contemporary society as in Rincón de Goya or Hospital de Zaragoza. Three work methods are used. The first two add a new vision of the critical analysis related to FGM and his work, positioning him in the international context in addition to Spain. The third is used as an instrument to manage and systematize the documentation. The first method applies the generational criteria of Pevsner or Giedion (among others) to Modern architecture in Spain, positioning Fernando Garcia Mercadal as a second generation architect. A critical-comparative analysis of his career and contemporary European architects is made to establish similarities and differences. The second method is complementary to the previous one and studies the international relationships of FGM with other recognised architects that were close to him and their possible influences. At last, in relation to his works and projects, two methods are used. For the complete works, due to the lack of originals, published material found on magazines and books is used as the source. In the case of the five selected buildings, it is complemented with archive search, onsite data collection when possible and the impact on the press at that moment.

A DOCÊNCIA EM ADMINISTRAÇÃO E ALGUMAS CONTRIBUIÇÕES DE PROJETOS EDUCATIVOS

Esta dissertação apresenta dois projetos que apontam possibilidades de se construir novos conhecimentos com práticas viáveis e significativas para os alunos de Administração de Empresas do ensino superior. O objetivo é fomentar a discussão sobre o papel do docente e a formação dos professores no ensino superior com qualidade, através dos estudos em uma Faculdade da Zona Leste da cidade de São Paulo. Este trabalho aponta que o bacharelado em Administração pode ir para além de meros conteúdos técnicos a serem humanizados a partir da utilização de recursos didáticos inovadores. A análise dos projetos permite concluir que ações educativas diferenciadas, inspiradas na teoria freiriana, apresentaram-se como forma de enfrentamento às dificuldades nas relações entre ensino e aprendizagem. Com a aplicação dos referidos projetos, as possíveis dificuldades de aprendizagem foram transformadas em oportunidades, e hoje são contribuições à qualidade educativa.

A SENSIBILIDADE CULTURAL DO ADVENTISMO COMO MODELO MISSIOLÓGICO EM GRANDES CENTROS URBANOS: UMA ANÁLISE DE IGREJAS ADVENTISTAS ÉTNICAS NA CIDADE DE SÃO PAULO

Esta pesquisa objetiva analisar o desenvolvimento da missão adventista na cidade de São Paulo em busca de um modelo missiológico para centros urbanos. São Paulo, uma das maiores metrópoles do mundo tem uma formação cultural plural, não apenas pelas forças atuantes da modernização, secularização, globalização e pós-modernidade. A composição da população da cidade possui uma gênese étnica plural. Além da matriz autóctone indígena, do colonizador branco europeu e dos escravos africanos, desde o início do século XIX chegaram outros imigrantes, europeus e asiáticos. Nas primeiras décadas do século XX, o Brasil foi o país que mais recebeu imigrantes em todo o mundo. Estima-se que nos anos de 1920, apenas um terço da população na cidade de São Paulo fosse de brasileiros, o restante era composto por imigrantes. A inserção do adventismo em São Paulo se deu por missionários imigrantes que trabalharam primeiro com outros imigrantes antes de evangelizar e desenvolver a missão adventista com os brasileiros nacionais. De alguma forma, esse início deixou marcas na missão adventista paulistana. São Paulo é hoje a cidade com o maior número total de adventistas no mundo e a única com Igrejas Adventistas étnicas que atendem cinco grupos étnicos distintos: japoneses, coreanos, judeus, árabes e bolivianos/peruanos. Esta pesquisa busca investigar a formação de uma sensibilidade cultural no adventismo paulistano que lhe permitiu dialogar com a pluralidade cultural da metrópole paulistana.