991 resultados para SIC.


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Welsch (Projektbearbeiter): Unverhohlene Warnung an General von Wrangel: "... gehen Sie nicht auf das Eis, damit Sie sich nicht beschädigen, es würde mir in der Tat leid thun, auch Ihren Grabgesang anstimmen zu müssen"

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Welsch (Projektbearbeiter): Heftige Kritik an der Wahl Erzherzog Johanns zum Reichsverweser, an den Frankfurter Gesamtstaatsplänen sowie an der Rolle Österreichs: "Deutschland muß 'n Janzet bilden, det versteht sich ... Aber Preußen unterducken? Ne, davon wird nischt jereicht!"

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Welsch (Projektbearbeiter): Kritische Kommentierung einzelner, teilweise schon monatelang zurückliegender Geschehnisse sowie des Verhaltens von Einzelpersonen (unter demokratischem Aspekt). Warnung vor der allgegenwärtigen Gefährdung der errungenen Freiheit: "Preußen soll nicht in Deutschland, sondern in Beamten-, Polizei-, Tage- und Nachtwächterthum aufgehen"

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Welsch (Projektbearbeiter): Politische Rechtfertigungsschrift Friedrich Heckers vor seiner Flucht in die Vereinigten Staaten (seine Einschiffung in Southampton erfolgte am 20. September 1848) [Speck: 1848, S. 97]

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Welsch (Projektbearbeiter): Bericht über den Verlauf der Wiener Oktoberrevolution mit den - unzutreffenden - Schlußversen: "In Wien is't endlich losgegangen. Der Windisch-Grätz hat angefangen. Wenn det Gerücht nicht grausam lügt, So hat det wiener Volk gesiegt."

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Welsch (Projektbearbeiter): Karikatur auf den Präsidenten der Frankfurter Nationalversammlung Heinrich von Gagern, der seinen Stellvertreter Soiron züchtigt. "In diesem Fall wird Gagerns unangemessener Führungsstil karikiert." [1848/49: Rev. d. dt. Demokraten in Baden; Baden-Baden 1998, S. 221]

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Welsch (Projektbearbeiter): Karikatur auf die sich in kleinlichen Streitigkeiten verzettelnde Frankfurter Nationalversammlung am Beispiel einer Auseinandersetzung zwischen dem Präsidenten Gagern und dem Abgeordneten Rösler

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Welsch (Projektbearbeiter): Zusammenstellung der am 29. Juni 1848 in der Preußischen Nationalversammlung gestellten Anträge und Interpellationen (von insgesamt 25 Abgeordneten)

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Boberach: Nach einem Rückblick auf Deutschland und Frankreich im Vormärz werden - jeweils mit Zitaten aus publizierten Dokumenten - die Februarrevolution in Paris, die Versammlungen in Süddeutschland und die Ereignisse in Nassau, Baden, Bayern, Lippe, Schleswig-Holstein, Preußen, Posen, Braunschweig, Österreich und Böhmen sowie die weitere Entwicklung in Frankreich und die "Entstehung der Jesuiten" behandelt

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Kurt Zielenziger

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There has been significant research in the study of in-plane charge-carrier transport in graphene in order to understand and exploit its unique electrical properties; however, the vertical graphene–semiconductor system also presents opportunities for unique devices. In this letter, we investigate the epitaxial graphene/p-type 4H-SiC system to better understand this vertical heterojunction. The I–V behavior does not demonstrate thermionic emission properties that are indicative of a Schottky barrier but rather demonstrates characteristics of a semiconductor heterojunction. This is confirmed by the fitting of the temperature-dependent I–V curves to classical heterojunction equations and the observation of band-edge electroluminescence in SiC.

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Vertical diodes of epitaxial graphene on n 4H-SiC were investigated. The graphene Raman spectraexhibited a higher intensity in the G-line than the 2D-line, indicative of a few-layer graphene film.Rectifying properties improved at low temperatures as the reverse leakage decreased over six ordersof magnitude without freeze-out in either material. Carrier concentration of 10 16 cm 3in the SiCremained stable down to 15 K, while accumulation charge decreased and depletion width increasedin forward bias. The low barrier height of 0.08 eV and absence of recombination-induced emissionindicated majority carrier field emission as the dominant conduction mechanism.