Mise en pratique d'un support de cours dans le cadre d'une formation spécialisée en santé au travail à la Faculté des sciences de la santé, Université d'Abomey Calavi, Cotonou, Bénin

La promotion de la santé au travail, le transfert de connaissances et l'échange d'expériences font partie, entre autres, des missions de l'Institut universitaire romand de Santé au Travail (IST). La collaboration entre un pays industrialisé et un pays en voie de développement peut fortement contribuer à la prise de conscience d'un concept important comme celui de la santé au travail. Au Bénin, une formation spécialisée en santé au travail a été mise en place depuis une dizaine d'années. Pour soutenir ses activités de coopération, l'IST a développé, avec le soutien de l'Organisation mondiale de la Santé (OMS) et avec le concours du Service de toxicologie industrielle et des pollutions intérieures de l'Etat de Genève (STIPI), le livre « Introduction à l'hygiène du travail ». Ce document représente un support de cours utile pour former des spécialistes et des intervenants en santé et sécurité au travail qui ne sont pas hygiénistes du travail. Il a été imprimé en 2007 à grande échelle dans la série « Protecting workers' health » de l'OMS et est accessible électroniquement sur le site de l'OMS. Le but de ce travail de diplôme est de mettre en pratique et d'évaluer ce support de cours dans le cadre d'une formation spécialisée en Santé au Travail à la Faculté des Sciences de la Santé de l'Université d'Abomey Calavi à Cotonou, Bénin. Le module d'hygiène du travail a été donné sur une semaine de cours. La semaine était composée de cours théoriques, de visites d'entreprises ainsi que d'un examen d'évaluation en fin de semaine. Globalement, malgré la densité du cours, les messages importants du module ont été acquis. Le support du cours est un outil permettant de transmettre les bases d'une discipline importante dans le domaine de la santé au travail, notamment dans un pays où la législation est encore balbutiante.

Current transport and electroluminescence mechanisms in thin SiO2 films containing Si nanocluster-sensitized erbium ions.

We have studied the current transport and electroluminescence properties of metal oxide semiconductor MOS devices in which the oxide layer, which is codoped with silicon nanoclusters and erbium ions, is made by magnetron sputtering. Electrical measurements have allowed us to identify a Poole-Frenkel conduction mechanism. We observe an important contribution of the Si nanoclusters to the conduction in silicon oxide films, and no evidence of Fowler-Nordheim tunneling. The results suggest that the electroluminescence of the erbium ions in these layers is generated by energy transfer from the Si nanoparticles. Finally, we report an electroluminescence power efficiency above 10−3%. © 2009 American Institute of Physics. doi:10.1063/1.3213386

Spectroscopic ellipsometry study of the In1-x Gax Asy P1-y / InP Heterojunctions grown by metalorganic chemical-vapor deposition

The dielectric functions of InP, In0.53Ga0.47As, and In0.75Ga0.25As0.5P0.5 epitaxial layers have been measured using a polarization modulation spectroscopic ellipsometer in the 1.5 to 5.3 eV region. The oxide removal procedure has been carefully checked by comparing spectroscopic ellipsometry and x ray photoelectron spectroscopy measurements. These reference data have been used to investigate the structural nature of metalorganic chemical vapor deposition grown In0.53Ga0.47As/InP and In0.75Ga0.25As0.5P0.5/InP heterojunctions, currently used for photodiodes and laser diodes. The sharpness of the interfaces has been systematically compared for the two types of heterojunctions: In1 xGaxAsy/InP and InP/In1 xGaxAsyP1 y. The sharpest interface is obtained for InP growth on In0.75Ga0.25As0.5P0.5 where the interface region is estimated to be (10±10) Å thick. The importance of performing in situ SE measurements is emphasized.