Global macrozoobenthos production and energy budget data base V150731, with link to database

I developed a new model for estimating annual production-to-biomass ratio P/B and production P of macrobenthic populations in marine and freshwater habitats. Self-learning artificial neural networks (ANN) were used to model the relationships between P/B and twenty easy-to-measure abiotic and biotic parameters in 1252 data sets of population production. Based on log-transformed data, the final predictive model estimates log(P/B) with reasonable accuracy and precision (r2 = 0.801; residual mean square RMS = 0.083). Body mass and water temperature contributed most to the explanatory power of the model. However, as with all least squares models using nonlinearly transformed data, back-transformation to natural scale introduces a bias in the model predictions, i.e., an underestimation of P/B (and P). When estimating production of assemblages of populations by adding up population estimates, accuracy decreases but precision increases with the number of populations in the assemblage.

Information and Communication Technology Spanish Gazelles: A Competitiveness Analysis

Due to the difficult economic situation, which has led to dramatic job losses in Spain, the companies with high growth potential are seen as a promising alternative to resume economic growth. A sample of companies in the information and communications technology sector sets up the basis of this comparative analysis of the characteristics of gazelles versus the standard firms. Also this study shows, by means of a cluster analysis, the determinants of gazelles along the different stages of their development. This will lead to a better understanding of gazelle businesses, from which to develop incentives to increase the number of them.

Control en modo corriente y tensión eficaz con lazo de offset para inversor monofásico embarcado en aviones adecuado para funcionamiento en paralelo y conexión trifásica

La incorporación de un lazo de tensión eficaz de (RMS) es una posibilidad atractiva para el control de inversores de potencia de una manera sencilla. Si se combina con un control en modo corriente usando una sonda de efecto Hall, el ruido de modo común de la etapa de potencia transmitido al control puede ser reducido, mejorando la distorsión armónica total (THD) y manteniendo la posibilidad de operación en paralelo. Además, al estar el control de tensión definido sobre baja frecuencia (DC), obtener una gran ganancia a la frecuencia de interés (0Hz) es sencilla con control basado en PI, lo cual garantiza una onda de tensión de salida a 400Hz sin error, a costa de un peor desempeño ante transitorios y ante cargas no lineales. Sin embargo, la implementación de una estrategia de control de esta naturaleza puede provocar la aparición de offset en la salida. Por otra parte, el esquema oculta la información de la fase de la onda de tensión de salida, necesaria para sincronizar tres módulos monofásicos en un montaje trifásico. En este artículo el diseño e implementación del sistema completo es abordado, resolviendo los inconvenientes mencionados mediante un tercer lazo analógico de control para el offset y un algoritmo de sincronización implementado en una FPGA.

Crecimiento, fabricación y caracterización de heteroestructuras y nanocolumnas ordenadas basadas en nitruros del grupo III para aplicaciones sensoras

Esta memoria está basada en el crecimiento y caracterización de heteroestructuras Al(Ga)N/GaN y nanocolumnas ordenadas de GaN, y su aplicación en sensores químicos. El método de crecimiento ha sido la epitaxia de haces moleculares asistida por plasma (PAMBE). En el caso de las heteroestructuras Al(Ga)N/GaN, se han crecido barreras de distinto espesor y composición, desde AlN de 5 nm, hasta AlGaN de 35 nm. Además de una caracterización morfológica, estructural y eléctrica básica de las capas, también se han fabricado a partir de ellas dispositivos tipo HEMTs. La caracterización eléctrica de dichos dispositivos (carga y movilidad de en el canal bidimensional) indica que las mejores heteroestructuras son aquellas con un espesor de barrera intermedio (alrededor de 20 nm). Sin embargo, un objetivo importante de esta Tesis ha sido verificar las ventajas que podían tener los sensores basados en heteroestructuras AlN/GaN (frente a los típicos basados en AlGaN/GaN), con espesores de barrera muy finos (alrededor de 5 nm), ya que el canal de conducción que se modula por efecto de cambios químicos está más cerca de la superficie en donde ocurren dichos cambios químicos. De esta manera, se han utilizado los dispositivos tipo HEMTs como sensores químicos de pH (ISFETs), y se ha comprobado la mayor sensibilidad (variación de corriente frente a cambios de pH, Ids/pH) en los sensores basados en AlN/GaN frente a los basados en AlGaN/GaN. La mayor sensibilidad es incluso más patente en aplicaciones en las que no se utiliza un electrodo de referencia. Se han fabricado y caracterizado dispositivos ISFET similares utilizando capas compactas de InN. Estos sensores presentan peor estabilidad que los basados en Al(Ga)N/GaN, aunque la sensibilidad superficial al pH era la misma (Vgs/pH), y su sensibilidad en terminos de corriente de canal (Ids/pH) arroja valores intermedios entre los ISFET basados en AlN/GaN y los valores de los basados en AlGaN/GaN. Para continuar con la comparación entre dispositivos basados en Al(Ga)N/GaN, se fabricaron ISFETs con el área sensible más pequeña (35 x 35 m2), de tamaño similar a los dispositivos destinados a las medidas de actividad celular. Sometiendo los dispositivos a pulsos de voltaje en su área sensible, la respuesta de los dispositivos de AlN presentaron menor ruido que los basados en AlGaN. El ruido en la corriente para dispositivos de AlN, donde el encapsulado no ha sido optimizado, fue tan bajo como 8.9 nA (valor rms), y el ruido equivalente en el potencial superficial 38.7 V. Estos valores son más bajos que los encontrados en los dispositivos típicos para la detección de actividad celular (basados en Si), y del orden de los mejores resultados encontrados en la literatura sobre AlGaN/GaN. Desde el punto de vista de la caracterización electro-química de las superficies de GaN e InN, se ha determinado su punto isoeléctrico. Dicho valor no había sido reportado en la literatura hasta el momento. El valor, determinado por medidas de “streaming potential”, es de 4.4 y 4 respectivamente. Este valor es una importante característica a tener en cuenta en sensores, en inmovilización electrostática o en la litografía coloidal. Esta última técnica se discute en esta memoria, y se aplica en el último bloque de investigación de esta Tesis (i.e. crecimiento ordenado). El último apartado de resultados experimentales de esta Tesis analiza el crecimiento selectivo de nanocolumnas ordenadas de GaN por MBE, utilizando mascaras de Ti con nanoagujeros. Se ha estudiado como los distintos parámetros de crecimiento (i.e. flujos de los elementos Ga y N, temperatura de crecimiento y diseño de la máscara) afectan a la selectividad y a la morfología de las nanocolumnas. Se ha conseguido con éxito el crecimiento selectivo sobre pseudosustratos de GaN con distinta orientación cristalina o polaridad; templates de GaN(0001)/zafiro, GaN(0001)/AlN/Si, GaN(000-1)/Si y GaN(11-20)/zafiro. Se ha verificado experimentalmente la alta calidad cristalina de las nanocolumnas ordenadas, y su mayor estabilidad térmica comparada con las capas compactas del mismo material. Las nanocolumnas ordenadas de nitruros del grupo III tienen una clara aplicación en el campo de la optoelectrónica, principalmente para nanoemisores de luz blanca. Sin embargo, en esta Tesis se proponen como alternativa a la utilización de capas compactas o nanocolumnas auto-ensambladas en sensores. Las nanocolumnas auto-ensambladas de GaN, debido a su alta razón superficie/volumen, son muy prometedoras en el campo de los sensores, pero su amplia dispersión en dimensiones (altura y diámetro) supone un problema para el procesado y funcionamiento de dispositivos reales. En ese aspecto, las nanocolumnas ordenadas son más robustas y homogéneas, manteniendo una alta relación superficie/volumen. Como primer experimento en el ámbito de los sensores, se ha estudiado como se ve afectada la emisión de fotoluminiscencia de las NCs ordenadas al estar expuestas al aire o al vacio. Se observa una fuerte caída en la intensidad de la fotoluminiscencia cuando las nanocolumnas están expuestas al aire (probablemente por la foto-adsorción de oxigeno en la superficie), como ya había sido documentado anteriormente en nanocolumnas auto-ensambladas. Este experimento abre el camino para futuros sensores basados en nanocolumnas ordenadas. Abstract This manuscript deals with the growth and characterization of Al(Ga)N/GaN heterostructures and GaN ordered nanocolumns, and their application in chemical sensors. The growth technique has been the plasma-assisted molecular beam epitaxy (PAMBE). In the case of Al(Ga)N/GaN heterostructures, barriers of different thickness and composition, from AlN (5 nm) to AlGaN (35 nm) have been grown. Besides the basic morphological, structural and electrical characterization of the layers, HEMT devices have been fabricated based on these layers. The best electrical characteristics (larger carriers concentration and mobility in the two dimensional electron gas) are those in AlGaN/GaN heterostructures with a medium thickness (around 20 nm). However, one of the goals of this Thesis has been to verify the advantages that sensors based on AlN/GaN (thickness around 7 nm) have compared to standard AlGaN/GaN, because the conduction channel to be modulated by chemical changes is closer to the sensitive area. In this way, HEMT devices have been used as chemical pH sensors (ISFETs), and the higher sensitivity (conductance change related to pH changes, Ids/pH) of AlN/GaN based sensors has been proved. The higher sensibility is even more obvious in application without reference electrode. Similar ISFETs devices have been fabricated based on InN compact layers. These devices show a poor stability, but its surface sensitivity to pH (Vgs/pH) and its sensibility (Ids/pH) yield values between the corresponding ones of AlN/GaN and AlGaN/GaN heterostructures. In order to a further comparison between Al(Ga)N/GaN based devices, ISFETs with smaller sensitive area (35 x 35 m2), similar to the ones used in cellular activity record, were fabricated and characterized. When the devices are subjected to a voltage pulse through the sensitive area, the response of AlN based devices shows lower noise than the ones based on AlGaN. The noise in the current of such a AlN based device, where the encapsulation has not been optimized, is as low as 8.9 nA (rms value), and the equivalent noise to the surface potential is 38.7 V. These values are lower than the found in typical devices used for cellular activity recording (based on Si), and in the range of the best published results on AlGaN/GaN. From the point of view of the electrochemical characterization of GaN and InN surfaces, their isoelectric point has been experimentally determined. Such a value is the first time reported for GaN and InN surfaces. These values are determined by “streaming potential”, being pH 4.4 and 4, respectively. Isoelectric point value is an important characteristic in sensors, electrostatic immobilization or in colloidal lithography. In particular, colloidal lithography has been optimized in this Thesis for GaN surfaces, and applied in the last part of experimental results (i.e. ordered growth). The last block of this Thesis is focused on the selective area growth of GaN nanocolumns by MBE, using Ti masks decorated with nanoholes. The effect of the different growth parameters (Ga and N fluxes, growth temperature and mask design) is studied, in particular their impact in the selectivity and in the morphology of the nanocolumns. Selective area growth has been successful performed on GaN templates with different orientation or polarity; GaN(0001)/sapphire, GaN(0001)/AlN/Si, GaN(000- 1)/Si and GaN(11-20)/sapphire. Ordered nanocolumns exhibit a high crystal quality, and a higher thermal stability (lower thermal decomposition) than the compact layers of the same material. Ordered nanocolumns based on III nitrides have a clear application in optoelectronics, mainly for white light nanoemitters. However, this Thesis proposes them as an alternative to compact layers and self-assembled nanocolumns in sensor applications. Self-assembled GaN nanocolumns are very appealing for sensor applications, due to their large surface/volume ratio. However, their large dispersion in heights and diameters are a problem in terms of processing and operation of real devices. In this aspect, ordered nanocolumns are more robust and homogeneous, keeping the large surface/volume ratio. As first experimental evidence of their sensor capabilities, ordered nanocolumns have been studied regarding their photoluminiscence on air and vacuum ambient. A big drop in the intensity is observed when the nanocolumns are exposed to air (probably because of the oxygen photo-adsortion), as was already reported in the case of self-assembled nanocolumns. This opens the way to future sensors based on ordered III nitrides nanocolumns.

Beam-steering array optics with the SMS method

In this work, a new design concept of SMS moving optics is developed, in which the movement is no longer lateral but follows a curved trajectory calculated in the design process. Curved tracking trajectory helps to broaden the incident angle?s range significantly. We have chosen an afocal-type structure which aim to direct the parallel rays of large incident angles to parallel output rays. The RMS of the divergence angle of the output rays remains below 1 degree for an incident angular range of ±450. Potential applications of this beam-steering device are: skylights to provide steerable natural illumination, building integrated CPV systems, and steerable LED illumination.

Novel lateral moving tracking optics with the SMS design method

Lateral moving optics along straight path has already been studied in the past. However, their relative small angular range can be a limitation to potential applications. In this work, a new design concept of SMS moving optics is developed, in which the movement is no longer lateral but follows a curved trajectory, which is calculated in the design process. We have chosen an afocal system, which aim to direct the parallel rays of large incident angles to parallel output rays, and we have obtained that the RMS of the divergence angle of the output rays remains below 1 degree within a input angular range of ±45 output. Potential applications of this beam-steering device are: skylights to provide steerable natural illumination, building integrated CPV systems, and steerable LED illumination.

Comparison of particle dispersion obtained with simple stochastic models and les in pipe flow

A hybrid Eulerian-Lagrangian approach is employed to simulate heavy particle dispersion in turbulent pipe flow. The mean flow is provided by the Eulerian simulations developed by mean of JetCode, whereas the fluid fluctuations seen by particles are prescribed by a stochastic differential equation based on normalized Langevin. The statistics of particle velocity are compared to LES data which contain detailed statistics of velocity for particles with diameter equal to 20.4 µm. The model is in good agreement with the LES data for axial mean velocity whereas rms of axial and radial velocities should be adjusted.

Influence of PH3 exposure on silicon substrate morphology in the MOVPE growth of III-V on silicon multijunction solar cells

Dual-junction solar cells formed by a GaAsP or GaInP top cell and a silicon bottom cell seem to be attractive candidates to materialize the long sought-for integration of III-V materials on silicon for photovoltaic applications. One of the first issues to be considered in the development of this structure will be the strategy to create the silicon emitter of the bottom subcell. In this study, we explore the possibility of forming the silicon emitter by phosphorus diffusion (i.e. exposing the wafer to PH3 in a MOVPE reactor) and still obtain good surface morphologies to achieve a successful III-V heteroepitaxy as occurs in conventional III-V on germanium solar cell technology. Consequently, we explore the parameter space (PH3 partial pressure, time and temperature) that is needed to create optimized emitter designs and assess the impact of such treatments on surface morphology using atomic force microscopy. Although a strong degradation of surface morphology caused by prolonged exposure of silicon to PH3 is corroborated, it is also shown that subsequent anneals under H-2 can recover silicon surface morphology and minimize its RMS roughness and the presence of pits and spikes.

Desarrollo de un sistema de estimación de mapas de profundidad densos a partir de secuencias reales de vídeo 3D.

Este proyecto fín de carrera describe el desarrollo de un sistema de estimación de mapas de profundidad densos a partir de secuencias reales de vídeo 3D. Está motivado por la necesidad de utilizar la información de profundidad de un vídeo estéreo para calcular las oclusiones en el módulo de inserción de objetos sintéticos interactivos desarrollado en el proyecto ImmersiveTV. En el receptor 3DTV, el sistema debe procesar en tiempo real secuencias estéreo de escenas reales en alta resolución con formato Side-by-Side. Se analizan las características del contenido para conocer los problemas a enfrentar. Obtener un mapa de profundidad denso mediante correspondencia estéreo (stereo matching) permite calcular las oclusiones del objeto sintético con la escena. No es necesario que el valor de disparidad asignado a cada píxel sea preciso, basta con distinguir los distintos planos de profundidad ya que se trabaja con distancias relativas. La correspondencia estéreo exige que las dos vistas de entrada estén alineadas. Primero se comprueba si se deben rectificar y se realiza un repaso teórico de calibración y rectificación, resumiendo algunos métodos a considerar en la resolución del problema. Para estimar la profundidad, se revisan técnicas de correspondencia estéreo densa habituales, seleccionando un conjunto de implementaciones con el fin de valorar cuáles son adecuadas para resolver el problema, incluyendo técnicas locales, globales y semiglobales, algunas sobre CPU y otras para GPU; modificando algunas para soportar valores negativos de disparidad. No disponer de ground truth de los mapas de disparidad del contenido real supone un reto que obliga a buscar métodos indirectos de comparación de resultados. Para una evaluación objetiva, se han revisado trabajos relacionados con la comparación de técnicas de correspondencia y entornos de evaluación existentes. Se considera el mapa de disparidad como error de predicción entre vistas desplazadas. A partir de la vista derecha y la disparidad de cada píxel, puede reconstruirse la vista izquierda y, comparando la imagen reconstruida con la original, se calculan estadísticas de error y las tasas de píxeles con disparidad inválida y errónea. Además, hay que tener en cuenta la eficiencia de los algoritmos midiendo la tasa de cuadros por segundo que pueden procesar. Observando los resultados, atendiendo a los criterios de maximización de PSNR y minimización de la tasa de píxeles incorrectos, se puede elegir el algoritmo con mejor comportamiento. Como resultado, se ha implementado una herramienta que integra el sistema de estimación de mapas de disparidad y la utilidad de evaluación de resultados. Trabaja sobre una imagen, una secuencia o un vídeo estereoscópico. Para realizar la correspondencia, permite escoger entre un conjunto de algoritmos que han sido adaptados o modificados para soportar valores negativos de disparidad. Para la evaluación, se ha implementado la reconstrucción de la vista de referencia y la comparación con la original mediante el cálculo de la RMS y PSNR, como medidas de error, además de las tasas de píxeles inválidos e incorrectos y de la eficiencia en cuadros por segundo. Finalmente, se puede guardar las imágenes (o vídeos) generados como resultado, junto con un archivo de texto en formato csv con las estadísticas para su posterior comparación.

Advanced data acquisition system implementation for the ITER Neutron Diagnostic use case using EPICS and FlexRIO technology on a PXIe platform

In the framework of the ITER Control Breakdown Structure (CBS), Plant System Instrumentation & Control (I&C) defines the hardware and software required to control one or more plant systems [1]. For diagnostics, most of the complex Plant System I&C are to be delivered by ITER Domestic Agencies (DAs). As an example for the DAs, ITER Organization (IO) has developed several use cases for diagnostics Plant System I&C that fully comply with guidelines presented in the Plant Control Design Handbook (PCDH) [2]. One such use case is for neutron diagnostics, specifically the Fission Chamber (FC), which is responsible for delivering time-resolved measurements of neutron source strength and fusion power to aid in assessing the functional performance of ITER [3]. ITER will deploy four Fission Chamber units, each consisting of three individual FC detectors. Two of these detectors contain Uranium 235 for Neutron detection, while a third "dummy" detector will provide gamma and noise detection. The neutron flux from each MFC is measured by the three methods: . Counting Mode: measures the number of individual pulses and their location in the record. Pulse parameters (threshold and width) are user configurable. . Campbelling Mode (Mean Square Voltage): measures the RMS deviation in signal amplitude from its average value. .Current Mode: integrates the signal amplitude over the measurement period

Modified Gutenberg-Richter coefficient for damage evaluation in reinforced concrete structures subjected to seismic simulations on a shaking table

This paper presents analysis and discussion of the b- and ib-values calculated from the acoustic emission (AE) signals recorded during dynamic shake-table tests conducted on a reinforced concrete (RC) frame subjected to several uniaxial seismic simulations of increasing intensity until collapse. The intensity of shaking was controlled by the peak acceleration applied to the shake-table in each seismic simulation, and it ranged from 0.08 to 0.47 times the acceleration of gravity. The numerous spurious signals not related to concrete damage that inevitably contaminate AE measurements obtained from complex dynamic shake-table tests were properly filtered with an RMS filter and the use of guard sensors. Comparing the b- and ib-values calculated through the tests with the actual level of macro-cracking and damage observed during testing, it was concluded that the limit value of 0.05 proposed in previous research to determine the onset of macro-cracks should be revised in the case of earthquake-type dynamic loading. Finally, the b- and ibvalues were compared with the damage endured by the RC frame evaluated both visually and quantitatively in terms of the inter-story drift index.

Conditions for perfect focusing multiple point sources with the SMS design method

In this work, we demonstrate how it is possible to sharply image multiple object points. The Simultaneous Multiple Surface (SMS) design method has usually been presented as a method to couple N wave-front pairs with N surfaces, but recent findings show that when using N surfaces, we can obtain M image points when Nrms. We conjecture that maximal SMS designs are very close to a good solution, hence using them as a starting point for the optimization will lead us faster to a final optical system. We suggest here different optimization strategies which combined with the SMS method are proven to give the best solution. Through the example of imaging with the high aspect ratio, we compare the results obtained optimizing the rotational lens and using a combination of SMS method and optimization, showing that the second approach is giving significantly smaller value of overall RMS spot diameter.