La comprensión lectora en un grupo de alumnas y alumnos de nivel II : curso de postgrado de educación de personas adultas.

Premios Nacionales 1997 a la Innovación Educativa

Experiencias de recuperación de las dificultades lectoras en tercero de EGB.

Conocer la situación en lectura de los escolares que inician el segundo ciclo de la enseñanza obligatoria. Controlar el valor operativo de un programa de refuerzo para recuperar los aprendizajes básicos de la lectura dentro del proceso normal de enseñanza que se desarrolla en el aula.. 227 niños y niñas de 11 colegios públicos y uno concertado de Madrid, pertenecientes a diferentes ambientes socio-culturales.. Se realiza un análisis teórico y bibliométrico de la bibliografía existente sobre el hecho lector. Se lleva a cabo un planteamiento de hipótesis y un estudio empírico de la situación lectora de estudiantes que inician el segundo ciclo de la enseñanza obligatoria, agrupando sus hábitos según variables dependientes e independientes. Se procede a la aplicación de un programa de refuerzo en el aula llevado a cabo por los propios profesores. La investigación experimental final realiza un estudio comparativo pre y postratamiento, analizando los objetivos,las variables y las hipótesis planteadas.. Pruebas de lectura oral, pruebas de lectura silenciosa, hojas de registro.. Factores, covariable, tablas de frecuencia, modelo de Chall, teoría de la lectura de Staats, modelos ascendentes, modelos descendentes, método del ji cuadrado.. Las sesiones de refuerzo sistemático hechas por profesores permiten mejorar la situación lectora y favorecen el aprendizaje posterior. El refuerzo realizado en el aula es beneficioso para todos los alumnos, especialmente para los que tienen dificultades pedagógicas. Tras la aplicación del programa de refuerzo se observa una mayor mejora de las variables de lectura oral.. Las actividades de refuerzo dentro del aula deberían ser un primer nivel de atención a las necesidades de los escolares. Esto plantea la urgencia y el deber de formar a los profesores para realizar estas funciones que la escuela actual está demandando.La modalidad de refuerzo en pequeño grupo es más efectiva que cuando el refuerzo se dirige a toda la clase. Sería conveniente estudiar el contraste entre estas dos modalidades..

Desarrollo de un programa de recuperación para alumnos con dislexia fonológica.

Elaborar un procedimiento específico de intervención con disléxicos fonológicos que compatibilice la respuesta a sus necesidades educativas derivadas de la dificultad especifica, con las necesidades educativas generales referidas a la mejora de contenidos generales. La muestra la componen alumnos identificados por los profesores tutores con dificultades lectoras y obtienen puntuaciones deficientes en el uso de los procedimientos de identificación de palabras. Se desarrolla en tres fases. Una fase inicial de selección de la muestra consistente en evaluar la eficacia lectora con el test TECLE a los alumnos propuestos por los profesores tutores. Los alumnos cuyas puntuaciones resultaron inferiores a una desviación típica por debajo de la puntuación media realizaron el test EHALE. En la segunda fase, de intervención, se realizan actividades de enseñanza durante dos días a la semana hasta completar cuarenta sesiones con una duración aproximada de veinte minutos y en pequeños grupos (dos alumnos por entrenador). En la tercera fase se realiza una evaluación postest. Test TECLE para conocer la eficacia lectora y test EHALE. El tratamiento ha producido una mejora significativa sobre los resultados de eficacia lectora y este beneficio afecta de forma similar a todos los disléxicos. En relación al efecto del tratamiento sobre los resultados de lectura, se destaca una mejora significativa en la exactitud con la que se produce la lectura de palabras. Se detecta un aumento estadísticamente significativo en exactitud de lectura de pseudopalabras en todos los disléxicos siendo mayor en los fonólogicos que en los ortográficos. El modelo de tratamiento propuesto permite obtener una mejora significativa del proceso de recodificación fonológica y del proceso de lectura ortográfico de alumnos con dislexia. Tiene un efecto ligeramente diferente en función del subgrupo disléxico, aunque sólo se produce en lectura de pseudopalabras. La velocidad de lectura solo llega a incrementarse marginalmente en ambos subgrupos, lo que permite considerar la necesidad de incrementar el tiempo y de incluir nuevos ejercicios para automatizar el procesamiento de palabras.

Madurez lectora : comparación entre el Test ABC y la Ficha de Observación de Schonell.

1) Comprobar si existe correlación entre los resultados sobre madurez lectora obtenidos aplicando a un mismo grupo de niños el test de madurez lectora ABC de L. Filho y la ficha de observación del profesor de la madurez para el aprendizaje de la lectura de Schonell adaptado por Gray. 2) Comprobar si existen o no diferencias entre los resultados obtenidos por los niños y las niñas de un mismo nivel en el test de madurez lectora ABC de L. Filho. 200 sujetos, pertenecientes a 6 colegios (3 público y 3 privados) de la ciudad de Calahorra (la Rioja). 50 niñas y 50 niños de segundo curso de preescolar y 50 niños y 50 niñas de primero de EGB. Estudio dedicado al tema del aprendizaje de la lectura, y concretamente, al aspecto tan discutido del momento de iniciar este aprendizaje. El trabajo se divide en dos grandes partes. En la parte teórica intenta aclarar los conceptos de madurez y de lectura y de madurez lectora, para luego hablar de los distintos factores: somáticos, psíquicos y ambientales que intervienen para que el niño alcance el nivel necesario de madurez para el inicio del aprendizaje de la lectura. En la segunda parte, la parte práctica, intenta ver si existe una correlación entre dos pruebas de detección de la madurez lectora del niño: un test de madurez lectora: el test ABC de Filho y una ficha de observación del profesor: la ficha de madurez para el aprendizaje de la lectura, de Schonell, adaptada por Gray. El test ABC consta de 8 pruebas, de fácil aplicación y que exigen un material muy sencillo: reproducción de figuras; evocación de objetos; reproducción de movimientos; evocación de palabras; evocación de un relato; repetición de palabras; corte de un diseño; punteado. Cada una de las pruebas se puntúa entre 0 y 3 puntos. La ficha de Schonell adaptada por Gray consta de 22 ítems. Cada ítem es puntuado de 1 a 5. Esta ficha de observación, a diferencia del test ABC, no ofrece una escala de puntuaciones con un diagnóstico específico para cada nivel de puntuación y un pronóstico correspondiente. 1) No existen diferencias entre los resultados obtenidos por los niños y las niñas de un mismo nivel en un test de madurez lectora. 2) No existe una correlación alta entre los resultados obtenidos en el test ABC de madurez lectora aplicado a un grupo de sujetos y la predicciones que sobre madurez lectora hace de este el mismo profesor, a través de la observación, que queda reflejada en la ficha de observación de Schonell adaptada por Gray. 3) Existe correlación positiva entre los resultados obtenidos en el test de madurez lectora ABC aplicado a unos determinados sujetos y las predicciones que sobre madurez lectora hace de ese mismo grupo el profesor, a través de la ficha de observación de la madurez para el aprendizaje de Schonell, adaptado por Gray. Pero esta correlación, aunque existe, es más baja de lo que cabría esperar entre estas variables. 4) No podemos rechazar, con un nivel de significación de 0,05 que la diferencia de las medias de los resultados obtenidos en el test ABC de madurez lectora por niños y niñas de segundo de Preescolar sea 0. 5) No podemos rechazar, con un nivel de significación de 0,05 que la diferencia de las medias de los resultados obtenidos en el test ABC de madurez lectora por niños y niñas de primero de EGB sea 0.

Procesos cognitivos en alumnos con dificultades de aprendizaje en educación primaria.

Constatar el grado de información que tiene el profesorado sobre alumnos con dificultades de aprendizaje. Evaluar alumnos con dificultades de aprendizaje y desmenuzar dimensiones o procesos cognitivos, aprendizaje y rendimiento escolar tratando de enfatizar el rol del maestro como principal agente en la evaluación, reeducación e instrucción de los alumnos con dificultades de aprendizaje. Participan en la investigación diversas muestras de alumnos-as y profesores-as pertenecientes a diferentes centros de Educación Primaria de la provincia de Valladolid. La muestra 1 está compuesta por 281 sujetos, maestros en activo en la etapa de Educación Primaria y alumnos en formación en la Facultad de Educación de la Universidad de Valladolid. Dentro del grupo de maestros en activo participan 75 profesores. Los otros 206 sujetos restantes son alumnos de la Facultad de Educación. La muestra 2 está compuesta por 100 alumnos que se dividen en dos grupos: alumnos identificados por sus profesores como con dificultades de aprendizaje (50) y otro grupo de alumnos sin dificultades de aprendizaje (50). Además se trabaja con todo el alumnado perteneciente a las aulas de los cursos de segundo a quinto de Educación primaria, siendo el número total de alumnos de 348 (incluidos los 100 alumnos mencionados anteriormente). 75 maestros con docencia en Educación Primaria y 206 alumnos de la Facultad de Educación cumplimentan, al inicio del curso académico, la escala de identificación y evaluación de alumnos con dificultades de aprendizaje. En una segunda fase se evalúa la inteligencia y lectura a los 100 sujetos de la muestra 2. Se realiza una evaluación, mediante la prueba Weschler (WISC), las pruebas TALE y RABICUN, durante el segundo y tercer trimestre del curso. En una tercera fase se recoge información sobre el rendimiento escolar de los alumnos. La escala de identificación y evaluación de alumnos con dificultades de aprendizaje consta de 27 ítems y evalúa 4 bloques: rasgos o características para identificar a alumnos con dificultades de aprendizaje, competencias y áreas de formación para el profesorado de cara a la intervención ante alumnos con dificultades de aprendizaje y posibles ayudas a ofrecer a los alumnos con dificultades de aprendizaje por el profesorado. La prueba Weschler (WISC) se utiliza para evaluar la competencia verbal y manipulativa. La prueba TALE se utiliza para evaluar la lectura. La 'Evaluación de la lectura de un texto RABICUN' se trata de un fragmento de texto de una lectura infantil adecuada a la edad y características de esta etapa escolar analizada y que mide la velocidad de lectura silenciosa en minutos y también el nivel de comprensión, capacidad de recuerdo y resumen. El rendimiento se evalúa a través de las notas escolares tomadas durante el primer y último trimestre del curso y cuya media aritmética se toma como variable de rendimiento escolar. El último instrumento de evaluación (REJILLA) se refiere a las valoraciones, rasgos y características que el profesorado identifica en los alumnos con dificultades de aprendizaje. El análisis de datos se lleva a cabo con el paquete estadístico SPSS. Se utilizan la técnicas análisis factorial, fiabilidad, índices de tendencia central (medias) y de dispersión (desviación típica), la prueba Chi cuadrado, la prueba t de Student, el análisis de varianza y el análisis de correlación. Globalmente se observa que todos los ítems de la escala de identificación y evaluación de alumnos con dificultades de aprendizaje son valorados alto y considerados por los encuestados de la muestra 1 como pautas necesarias que deben ser tenidas en cuenta dentro del aula ordinaria y por el propio profesorado del aula. El análisis realizado con las variables de inteligencia confirma que existen diferencias significativas entre alumnos con y sin dificultades de aprendizaje. Igualmente, los alumnos con dificultades de aprendizaje, comparados con los alumnos sin dichas dificultades, tienen un nivel lector más bajo tanto en procesos inferiores de lectura como en procesos superiores de comprensión y elaboración de la información. Los alumnos con dificultades de aprendizaje rinden escolarmente menos que los alumnos sin dificultades. Los datos correlacionales indican que tanto los instrumentos de evaluación referidos a la norma (WISC y TALE) como una prueba no estandarizada (RABICUN) identifican y diferencian entre alumnos con y sin dificultades de aprendizaje. Se evidencia y constata de forma precisa la necesidad de atender a la formación del profesorado en base a procedimientos y estrategias concretas de intervención que sirvan para ayudar y trabajar ante alumnos con dificultades de aprendizaje específicas.

A predictive study of reading comprehension in third-grade Spanish students

Resumen tomado de la publicación

Design and Simulation of Deep Nanometer SRAM Cells under Energy, Mismatch, and Radiation Constraints

La fiabilidad está pasando a ser el principal problema de los circuitos integrados según la tecnología desciende por debajo de los 22nm. Pequeñas imperfecciones en la fabricación de los dispositivos dan lugar ahora a importantes diferencias aleatorias en sus características eléctricas, que han de ser tenidas en cuenta durante la fase de diseño. Los nuevos procesos y materiales requeridos para la fabricación de dispositivos de dimensiones tan reducidas están dando lugar a diferentes efectos que resultan finalmente en un incremento del consumo estático, o una mayor vulnerabilidad frente a radiación. Las memorias SRAM son ya la parte más vulnerable de un sistema electrónico, no solo por representar más de la mitad del área de los SoCs y microprocesadores actuales, sino también porque las variaciones de proceso les afectan de forma crítica, donde el fallo de una única célula afecta a la memoria entera. Esta tesis aborda los diferentes retos que presenta el diseño de memorias SRAM en las tecnologías más pequeñas. En un escenario de aumento de la variabilidad, se consideran problemas como el consumo de energía, el diseño teniendo en cuenta efectos de la tecnología a bajo nivel o el endurecimiento frente a radiación. En primer lugar, dado el aumento de la variabilidad de los dispositivos pertenecientes a los nodos tecnológicos más pequeños, así como a la aparición de nuevas fuentes de variabilidad por la inclusión de nuevos dispositivos y la reducción de sus dimensiones, la precisión del modelado de dicha variabilidad es crucial. Se propone en la tesis extender el método de inyectores, que modela la variabilidad a nivel de circuito, abstrayendo sus causas físicas, añadiendo dos nuevas fuentes para modelar la pendiente sub-umbral y el DIBL, de creciente importancia en la tecnología FinFET. Los dos nuevos inyectores propuestos incrementan la exactitud de figuras de mérito a diferentes niveles de abstracción del diseño electrónico: a nivel de transistor, de puerta y de circuito. El error cuadrático medio al simular métricas de estabilidad y prestaciones de células SRAM se reduce un mínimo de 1,5 veces y hasta un máximo de 7,5 a la vez que la estimación de la probabilidad de fallo se mejora en varios ordenes de magnitud. El diseño para bajo consumo es una de las principales aplicaciones actuales dada la creciente importancia de los dispositivos móviles dependientes de baterías. Es igualmente necesario debido a las importantes densidades de potencia en los sistemas actuales, con el fin de reducir su disipación térmica y sus consecuencias en cuanto al envejecimiento. El método tradicional de reducir la tensión de alimentación para reducir el consumo es problemático en el caso de las memorias SRAM dado el creciente impacto de la variabilidad a bajas tensiones. Se propone el diseño de una célula que usa valores negativos en la bit-line para reducir los fallos de escritura según se reduce la tensión de alimentación principal. A pesar de usar una segunda fuente de alimentación para la tensión negativa en la bit-line, el diseño propuesto consigue reducir el consumo hasta en un 20 % comparado con una célula convencional. Una nueva métrica, el hold trip point se ha propuesto para prevenir nuevos tipos de fallo debidos al uso de tensiones negativas, así como un método alternativo para estimar la velocidad de lectura, reduciendo el número de simulaciones necesarias. Según continúa la reducción del tamaño de los dispositivos electrónicos, se incluyen nuevos mecanismos que permiten facilitar el proceso de fabricación, o alcanzar las prestaciones requeridas para cada nueva generación tecnológica. Se puede citar como ejemplo el estrés compresivo o extensivo aplicado a los fins en tecnologías FinFET, que altera la movilidad de los transistores fabricados a partir de dichos fins. Los efectos de estos mecanismos dependen mucho del layout, la posición de unos transistores afecta a los transistores colindantes y pudiendo ser el efecto diferente en diferentes tipos de transistores. Se propone el uso de una célula SRAM complementaria que utiliza dispositivos pMOS en los transistores de paso, así reduciendo la longitud de los fins de los transistores nMOS y alargando los de los pMOS, extendiéndolos a las células vecinas y hasta los límites de la matriz de células. Considerando los efectos del STI y estresores de SiGe, el diseño propuesto mejora los dos tipos de transistores, mejorando las prestaciones de la célula SRAM complementaria en más de un 10% para una misma probabilidad de fallo y un mismo consumo estático, sin que se requiera aumentar el área. Finalmente, la radiación ha sido un problema recurrente en la electrónica para aplicaciones espaciales, pero la reducción de las corrientes y tensiones de los dispositivos actuales los está volviendo vulnerables al ruido generado por radiación, incluso a nivel de suelo. Pese a que tecnologías como SOI o FinFET reducen la cantidad de energía colectada por el circuito durante el impacto de una partícula, las importantes variaciones de proceso en los nodos más pequeños va a afectar su inmunidad frente a la radiación. Se demuestra que los errores inducidos por radiación pueden aumentar hasta en un 40 % en el nodo de 7nm cuando se consideran las variaciones de proceso, comparado con el caso nominal. Este incremento es de una magnitud mayor que la mejora obtenida mediante el diseño de células de memoria específicamente endurecidas frente a radiación, sugiriendo que la reducción de la variabilidad representaría una mayor mejora. ABSTRACT Reliability is becoming the main concern on integrated circuit as the technology goes beyond 22nm. Small imperfections in the device manufacturing result now in important random differences of the devices at electrical level which must be dealt with during the design. New processes and materials, required to allow the fabrication of the extremely short devices, are making new effects appear resulting ultimately on increased static power consumption, or higher vulnerability to radiation SRAMs have become the most vulnerable part of electronic systems, not only they account for more than half of the chip area of nowadays SoCs and microprocessors, but they are critical as soon as different variation sources are regarded, with failures in a single cell making the whole memory fail. This thesis addresses the different challenges that SRAM design has in the smallest technologies. In a common scenario of increasing variability, issues like energy consumption, design aware of the technology and radiation hardening are considered. First, given the increasing magnitude of device variability in the smallest nodes, as well as new sources of variability appearing as a consequence of new devices and shortened lengths, an accurate modeling of the variability is crucial. We propose to extend the injectors method that models variability at circuit level, abstracting its physical sources, to better model sub-threshold slope and drain induced barrier lowering that are gaining importance in FinFET technology. The two new proposed injectors bring an increased accuracy of figures of merit at different abstraction levels of electronic design, at transistor, gate and circuit levels. The mean square error estimating performance and stability metrics of SRAM cells is reduced by at least 1.5 and up to 7.5 while the yield estimation is improved by orders of magnitude. Low power design is a major constraint given the high-growing market of mobile devices that run on battery. It is also relevant because of the increased power densities of nowadays systems, in order to reduce the thermal dissipation and its impact on aging. The traditional approach of reducing the voltage to lower the energy consumption if challenging in the case of SRAMs given the increased impact of process variations at low voltage supplies. We propose a cell design that makes use of negative bit-line write-assist to overcome write failures as the main supply voltage is lowered. Despite using a second power source for the negative bit-line, the design achieves an energy reduction up to 20% compared to a conventional cell. A new metric, the hold trip point has been introduced to deal with new sources of failures to cells using a negative bit-line voltage, as well as an alternative method to estimate cell speed, requiring less simulations. With the continuous reduction of device sizes, new mechanisms need to be included to ease the fabrication process and to meet the performance targets of the successive nodes. As example we can consider the compressive or tensile strains included in FinFET technology, that alter the mobility of the transistors made out of the concerned fins. The effects of these mechanisms are very dependent on the layout, with transistor being affected by their neighbors, and different types of transistors being affected in a different way. We propose to use complementary SRAM cells with pMOS pass-gates in order to reduce the fin length of nMOS devices and achieve long uncut fins for the pMOS devices when the cell is included in its corresponding array. Once Shallow Trench isolation and SiGe stressors are considered the proposed design improves both kinds of transistor, boosting the performance of complementary SRAM cells by more than 10% for a same failure probability and static power consumption, with no area overhead. While radiation has been a traditional concern in space electronics, the small currents and voltages used in the latest nodes are making them more vulnerable to radiation-induced transient noise, even at ground level. Even if SOI or FinFET technologies reduce the amount of energy transferred from the striking particle to the circuit, the important process variation that the smallest nodes will present will affect their radiation hardening capabilities. We demonstrate that process variations can increase the radiation-induced error rate by up to 40% in the 7nm node compared to the nominal case. This increase is higher than the improvement achieved by radiation-hardened cells suggesting that the reduction of process variations would bring a higher improvement.

Influencia de la codificación fonológica en el aprendizaje de la lectura.

Confirmar la existencia de un efecto positivo de la habilidad de tareas fonológicas en aprendizajes de lecto-escritura. Verificar si se da o no un efecto causal cuando el entrenamiento es específico en sonido versus cuando lo es en conceptos. Comprobar la importancia del factor 'modo de realización de las tareas' y si existe interacción entre este factor y el factor 'tipo de tarea'. Alumnos de EGB del Colegio Público 'Sierra Nevada': 60 niños elegidos por sus puntuaciones relativamente bajas en la prueba de clasificación de sonidos. 35 niños y 25 niñas. Diseño experimental con 5 grupos de sujetos, 4 grupos con entrenamiento (en clasificación de sonidos, clasificaciones conceptuales, clasificaciones de sonidos utilizando letras de plástico y clasificación de conceptos mediante el uso combinado de dibujos y etiquetas con palabras que los designan) y un grupo control. Cada grupo consta de 6 sujetos y se le aplicaron 20 sesiones, una a la semana durante 6 meses. Se pasan 3 pruebas: la primera al cabo de 10 sesiones de entrenamiento y las otras dos al final de las 20 sesiones (entre 3 y 8 semanas después). Se realizan tres pruebas. En todas las pruebas se utiliza la prueba diagnóstica de lectura de Cabrera y del nivel lector del maestro, utilizando también pruebas de escritura y Matemáticas propias de la autora y prueba de velocidad lectora (texto 3 de Cabrera).. Análisis de varianza. Análisis de covarianza. Análisis bifactorial 2x2 (4 grupos entrenados). El entrenamiento en la discriminación de sonidos de palabras tiene un efecto positivo en la adquisición de habilidades de lecto-escritura. El entrenamiento en tareas conceptuales no produce efectos diferenciales en la adquisición de la lecto-escritura. El efecto de entrenamiento en sonidos aparece rápidamente, es específico hacia la lecto-escritura y es estable. Se muestran importantes el tipo de tareas en el entrenamiento y el modo de llevarlas a cabo. La influencia del entrenamiento es más nítida en pruebas de escritura que en las de lectura. El entrenamiento sólo en sonidos sin el recurso de la manipulación de las letras no es efectivo. No se tienen suficientes datos para afirmar si la influencia de la consistencia fonología en la lectura está mediada por mecanismos diferentes a los de la escritura. Necesidad de investigación adicional en cuestiones predictivas, preventivas, correctoras y metodológicas. Este trabajo aporta aspectos metodológicos como claves de reflexión para profesores.

Short-term storage and mental speed account for the relationship between working memory and fluid intelligence. 'El almacenamiento a corto plazo y la velocidad mental dan cuenta de la relaci??n entre memoria de trabajo e inteligencia fluida'

Resumen tomado de la publicaci??n

Creencias de los conductores espa??oles sobre la velocidad

Resumen tomado de la publicaci??n

Fiabilitat de les proves de força en salt vertical i velocitat de cursa en escolars de 6 a 8 anys. 'Fiabilidad de las pruebas de fuerza en salto vertical y velocidad de carrera en escolares de 6 a 8 años'.

Resumen tomado de la publicación

Técnicas de estudio, fomento de la lectura y prensa escolar.

Pretende conseguir el conocimiento y práctica de técnicas de estudio, junto con la adquisición de una velocidad y comprensión lectora que les ayude a mejorar su rendimiento escolar y personal. Entre los objetivos propuestos se citan los siguientes: ofrecer un modelo de acción tutorial más adaptado a las necesidades de los alumnos; lograr mayor conexión entre los diferentes niveles de enseñanza; favorecer planteamientos didácticos globalizadores en los ciclos; proponer estrategias didácticas en el área de Lenguaje; lograr una biblioteca de aula como base de partida para el fomento de la lectura y ayuda en la comprensión y velocidad lectora. Participan 1194 alumnos aproximadamente, de todos los niveles de EGB, pertenecientes a tres centros públicos, Andalucía, Drago y Hernández Monzón.

Estudio de una batería de pruebas de velocidad generadas por ordenador.

Ofrecer un grupo de pruebas de sencilla aplicación y suficiente validez para ser usadas por experimentadores como medidoras de variables independientes organísmicas, como se ha venido haciendo en diversas investigaciones (Díaz Cabrera, 1985; Amador, 1982; Rodrigo, 198?). Estudio I: 150 sujetos aspirantes a puestos de administrativos del Cabildo Insular de Tenerife; de ellos, 92 varones y 58 mujeres. Estudio II: 41 sujetos aspirantes a cubrir plazas de administrativos en la zona sur de Tenerife, para una entidad bancaria. Estudio 1: a. Variables predictoras: incluyen todas las pruebas psicométricas utilizadas. b. Variables moduladoras: sexo, nivel académico, situación laboral y estado civil. Estudio 2: a. Variables predictoras: incluyen las pruebas psicométricas utilizadas. b. Variables moduladoras: las mismas que se utilizaron en el estudio anterior más la experiencia en trabajos administrativos. Estudio 1. Pruebas comercializadas: BPA Batería para Puestos Administrativos. Pruebas construídas: programa P-2, que genera pares de números; programa P-3, que genera pares de nombres. Estudio 2. A. Pruebas comercializadas: facilidad numérica, vocabulario, evaluación de sistemas simbólico-semánticos, evaluación de unidades conductuales y de evaluación de sistemas simbólico-figurativos, todas según terminología de Guilford. B. Pruebas construidas: CV-2, CF-4 y P-2. Se han encontrado correlaciones de mayor magnitud para las partes de las pruebas entre sí que para éstas con las demás pruebas. Esto sólo deja de ser exacto para la prueba P-2. Además todas las pruebas están relacionadas por estar midiendo aspectos de una misma habilidad más general. El sexo de los sujetos no determina el rendimiento en ninguna de las pruebas utilizadas. La variable nivel académico no presenta tampoco influencias significativas sobre la mayoría de las pruebas. El efecto de la variable estado civil ha aparecido significativa para tres de las pruebas utilizadas en el primer estudio, con diferencia siempre a favor de los solteros. La variable experiencia laboral sólo presentó diferencias en una de las pruebas, mientras que en el resto fueron nulas o muy suaves. Las correlaciones obtenidas apuntan a que actúan todas en la misma dirección, con lo que es muy probable que en investigaciones en las que se use este tipo de variables se consiga una alta validez predictiva. Por otra parte, se han apreciado pocas relaciones entre la variable nivel académico y las pruebas presentadas, lo que refuerza la característica de sencillez de éstas y su clara relación con habilidades menos complejas.

La lectura : un enfoque psicopedagógico (estudio piloto en cuatro colegios de EGB segunda etapa de Sta. Cruz de Tenerife).

1. Realizar un diagnóstico analítico de la lectura de la segunda etapa de EGB, evaluando tres aspectos: exactitud, velocidad y comprensión lectora. 2. Estudiar las relaciones de algunas variables psicológicas cognitivas de la lectura como: inteligencia general y aptitudes perceptivas y de atención. 3. Analizar las relaciones entre determinadas habilidades lectoras y el rendimiento académico. 395 alumnos de ambos sexos, seleccionados de acuerdo al criterio de adaptación escolar, relación normal entre año de escolaridad y edad cronológica y distribuidos según las variables de sexo, naturaleza estatal-privada de los centros y grado escolar. Diseño correlacional. Se contemplan las siguientes variables: 1. Variables lectoras: exactitud lectora, velocidad lectora y comprensión lectora. 2. Variable de inteligencia general: Raven PM-56. 3. Variable perceptivo-atencionales: percepción de diferencias, cuadrados de letras. 4. Variable de rendimiento académico: Lengua española, Idioma moderno, Matemáticas-Ciencias, Área Social, Estética-Pretecnológica, Global. 1. Pruebas de lectura: la de Pérez González, 1978. 2. Pruebas cognitivas: A) Raven PM-56, como indicador de la inteligencia general; B) Percepción de diferencias, llamadas comúnmente caras, prueba perceptiva y de atención construida por L. Thurstone; C) Cuadrados de letras, de Thurstone. Todas las variables de identificación utilizadas introdujeron diferencias en la mayoría de las variables estudiadas. Después de comentar y comparar los resultados con los obtenidos por otros autores, se señala la necesidad de ampliar, para futuros trabajos, los niveles de análisis y el espectro de nuevas y posibles variables comprometidas con la lectura.

Estrategias compensatorias de lectura en funci??n de la ansiedad y el estr??s de evaluaci??n

Proponer y someter a prueba un modelo te??rico que d?? cuenta simult??neamente, y de modo integrador, de los datos relativos a efectos negativos de la ansiedad sobre el rendimiento y los relativos a ausencia de efectos /o incluso, efectos negativos/. Este modelo lo constituye la teor??a de la eficiencia en el procesamiento.. Se llevaron a cabo 8 experimentos y estudios auxiliares asociados a cada experimento. La tarea experimental elegida ha sido la de lectura de textos. La ansiedad de evaluaci??n fue medida por la confluencia de instrumentos psicom??tricos para examinar la tendencia general a reaccionar con preocupaci??n y nerviosismo /rasgo de ansiedad/ y la reactividad del hecho /estado de ansiedad/ en una situaci??n concreta de estr??s. El tipo de estr??s considerado ha sido el de evaluaci??n /amenaza de fracaso en pruebas de aptitud intelectual, con simulaci??n de evaluaci??n p??blica/. La eficacia lectora fue determinada por por el rendimiento en pruebas de comprensi??n de los textos.. Las personas con elevada ansiedad de evaluaci??n emplean con mayor frecuencia la articulaci??n vocal o subvocal, hacen m??s regresiones hacia porciones previas del texto durante la lectura, y reducen en mayor medida la velocidad lectora que las personas con baja ansiedad de evaluaci??n. Cuando los lectores pueden utilizar alguna de las estrategias auxiliares, no se producen diferencias en comprensi??n en funci??n de la ansiedad de evaluaci??n. En contraste, las personas con elevada ansiedad de evaluaci??n alcanzan menos comprensi??n que las de baja ansiedad cuando ninguna de las tres estrategias auxiliares pueden utilizarse. Las personas con elevada ansiedad de evaluaci??n emplean mayor proporci??n de estrategias auxiliares para lograr el mismo nivel de comprensi??n que las de baja ansiedad de evaluaci??n. Se infiere que los individuos con elevada ansiedad de evaluaci??n necesitan invertir un mayor gasto para obtener el mismo rendimiento que los de baja ansiedad de evaluaci??n. Por tanto, la eficiencia con que funcionan los procesos cognitivos es menor en los de elevada ansiedad de evaluaci??n que en los de baja, aunque la eficacia es equivalente. En general, el aumento de las demandas ha causado un efecto mayor en las personas con elevada ansiedad de evaluaci??n que en las de baja ansiedad, en cuanto que ha producido mayor incremento de la eficiencia lectora y mayor perjuicio sobre la eficacia lectora. Tanto los efectos principales de la ansiedad de evaluaci??n, como los interactivos con las demandas de la tarea, ocurrieron principalmente en condiciones de estr??s de evaluaci??n, es decir, que ocurren cuando los sujetos se ven sometidos a una amenaza de fracaso y evaluaci??n social de su aptitud. Las personas con elevada ansiedad de evaluaci??n manifiestan la misma amplitud de memoria durante la lectura que las personas de baja ansiedad en condiciones sin estr??s de evaluaci??n. Ello permite inferir que no existe un d??ficit permenente en capacidad de memoria operativa por parte de las personas con elevada ansiedad de evaluaci??n..