951 resultados para SILICON-CARBIDE GRAINS


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Objective: The aim of the present study was to evaluate the effect of CO(2) laser irradiation (10.6 mu m) at 0.3 J/cm(2) (0.5 mu s; 226 Hz) on the resistance of softened enamel to toothbrushing abrasion, in vitro. Methods: Sixty human enamel samples were obtained, polished with silicon carbide papers and randomly divided into five groups (n = 12), receiving 5 different surface treatments: laser irradiation (L), fluoride (AmF/NaF gel) application (F), laser prior to fluoride (LF), fluoride prior to laser (FL), non-treated control (C). After surface treatment they were submitted to a 25-day erosive-abrasive cycle in 100 ml sprite light (90 s) and brushed twice daily with an electric toothbrush. Between the demineralization periods samples were immersed in supersaturated mineral solution. At the end of the experiments enamel surface loss was determined using a contact profilometer and morphological analysis was performed using scanning electron microscopy (SEM). For SEM analysis of demineralization pattern, cross-sectional cuts of cycled samples were prepared. The data were statistically analysed by one-way ANOVA model with subsequent pairwise comparison of treatments. Results: Abrasive surface loss was significantly lower in all laser groups compared to both control and fluoride groups (p < 0.0001 in all cases). Amongst the laser groups no significant difference was observed. Softened enamel layer underneath lesions was less pronounced in laser-irradiated samples. Conclusion: Irradiation of dental enamel with a CO(2) laser at 0.3 J/cm(2) (5 mu s, 226 Hz) either alone or in combination with amine fluoride gel significantly decreases toothbrushing abrasion of softened-enamel, in vitro. (C) 2011 Elsevier Ltd. All rights reserved.

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Objectives: The aims of the present study were to investigate whether irradiation with a CO(2) laser could prevent surface softening (i) in sound and (ii) in already softened enamel in vitro. Methods: 130 human enamel samples were obtained and polished with silicon carbide papers. They were divided into 10 groups (n = 13) receiving 5 different surface treatments: laser irradiation (L), fluoride (AmF/NaF gel) application (F), laser prior to fluoride (LF), fluoride prior to laser (FL), non-treated control (C); and submitted to 2 different procedures: half of the groups was acid-softened before surface treatment and the other half after. Immersion in 1% citric acid was the acid challenge. Surface microhardness (SMH) was measured at baseline, after softening and after treatment. Additionally, fluoride uptake in the enamel was quantified. The data were statistically analysed by two-way repeated measurements ANOVA and post hoc comparisons at 5% significance level. Results: When softening was performed either before or after laser treatment, the L group presented at the end of the experiments SMH means that were not significantly different from baseline (p = 0.8432, p = 0.4620). Treatment after softening resulted for all laser groups in statistically significant increase in SMH means as compared to values after softening (p < 0.0001). Enamel fluoride uptake was significantly higher for combined laser-fluoride treatment than in control (p < 0.0001). Conclusion: Irradiation of dental enamel with a CO(2) laser at 0.3J/cm(2) (5 mu s, 226 Hz) not only significantly decreased erosive mineral loss (97%) but also rehardened previously softened enamel in vitro. (C) 2011 Elsevier Ltd. All rights reserved.

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A series of metal-matrix composites were formed by extrusion freeform, fabrication of a sinterable aluminum alloy in combination with silicon carbide particles and whiskers, carbon fibers, alumina particles, and hollow flyash cenospheres. Silicon carbide particles were most successful in that the composites retained high density with up to 20 vol% of reinforcement and the strength approximately doubles over the strength of the metal matrix alone. Comparison with simple models suggests that this unexpectedly high degree of reinforcement can be attributed to the concentration of small silicon carbide particles around the larger metal powder. This fabrication method also allows composites to be formed with hollow spheres that cannot be formed by other powder or melt methods.

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Neste trabalho, as distribuições de tamanhos das partículas de dois pós de Carboneto de Silício foram previamente avaliadas e os resultados indicaram uma distribuição Gaussiana para ambos, com tamanhos médios na ordem de 2 μm para o primeiro e 6 μm para o segundo. Posteriormente foram misturados os dois pós originais com diferentes frações mássicas, proporcionando uma nova série de pós de Carboneto de Silício (SiC), que seriam usados nos ensaios de microabrasão com configuração de esfera fixa. A caracterização desta nova série de pós mostrou larguras maiores para aqueles com alto porcentagem do abrasivo pequeno (2,11 μm), conservando a aparência Gaussiana dos originais. Por outro lado para os pós com uma quantidade maior do abrasivo grande (6,57 μm), foram obtidas curvas com uma leve tendência bimodal, mas também apresentaram maiores larguras. As provas foram conduzidas sobre aço carbono AISI 1020, para duas condições diferentes de carga normal e os resultados foram analisados em termos da taxa de desgaste, bem como dos micromecanismos de desgaste (abrasão por rolamento ou abrasão por riscamento). Os resultados indicaram que a fração mássica dos pós originais tem um efeito significante sobre os micromecanismos de desgaste observados e que as taxas de desgaste não segue uma relação linear com a fração mássica do pó com maior tamanho da partícula abrasiva. Além disso, a análise da severidade de contato determinou que esta diminui durante os ensaios conduzidos com carga constante. Este fenômeno está associado ao aumento da área da cratera de desgaste que produz uma diminuição da pressão de contato. Assim, um incremento para o número de eventos associado ao rolamento de partículas seria esperado, favorecendo a observação de múltiplas indentações ao longo dos sulcos formados previamente. Isto foi confirmado por meio de micrografias eletrônicas de varredura das amostras após ensaios de microabrasão.

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Ao longo deste trabalho é apresentada a caracterização optoelectrónica de uma estrutura semicondutora empilhada de fotodíodos PIN (Positive-Intrinsic-Negative), baseados em silício amorfo hidrogenado (a-Si:H - Hydrogenated Amorphous Silicon) e siliceto de carbono amorfo hi-drogenado (a-SiC:H - Hydrogenated Amorphous Silicon Carbide), em que ambos funcionam como filtros ópticos na zona visível do espectro electromagnético e cuja sensibilidade espectral na região do visível é modulada pelo sinal de tensão eléctrico aplicado e pela presença de polarização óptica adicional (radiação de fundo). Pretende-se utilizar a característica de sensor de cor destes dispositivos semicondutores para realizar a demultiplexagem de sinais ópticos e desenvolver um algoritmo que permita fazer o reco-nhecimento autónomo do sinal transmitido em cada canal, tendo em vista a utilização de vários ca-nais para a transmissão de sinais a curta distância. A transmissão destes sinais deverá ser suportada no meio de transmissão fibra óptica, que constituirá uma importante mais-valia na optimização do sistema WDM (Wavelength Division Mul-tiplexing), permitindo optimizar a transmissão de sinais. Pelas suas capacidades intrínsecas, as fi-bras ópticas de plástico (POF - Plastic Optical Fibers) são uma solução adequada para a transmis-são de sinais no domínio visível do espectro electromagnético a curtas distâncias. Foi realizada uma sucinta caracterização optoelectrónica da estrutura semicondutora sob diferentes condições de iluminação, variando o comprimento de onda e a iluminação de fundo que influencia a resposta espectral do dispositivo semicondutor, variando as cores dos fundos inciden-tes, variando o lado incidente do fundo sobre a estrutura semicondutora, variando a intensidade des-ses mesmos fundos incidentes e também variando a frequência do sinal de dados. Para a transmissão dos sinais de dados foram utilizados três dispositivos LED (Light-Emitting Diode) com as cores vermelho (626nm), verde (525nm) e azul (470nm) a emitir os respec-tivos sinais de dados sobre a estrutura semicondutora e onde foram aplicadas diversas configurações de radiação de fundo incidente, variando as cores dos fundos incidentes, variando o lado incidente do fundo sobre a estrutura semicondutora e variando também a intensidade desses mesmos fundos incidentes. Com base nos resultados obtidos ao longo deste trabalho, foi possível aferir sobre a influên-cia da presença da radiação de fundo aplicada ao dispositivo, usando diferentes sequências de dados transmitidos nos vários canais. Sob polarização inversa, e com a aplicação de um fundo incidente no lado frontal da estrutura semicondutora os valores de fotocorrente gerada são amplificados face aos valores no escuro, sendo que os valores mais altos foram encontrados com a aplicação do fundo de cor violeta, contribuindo para tal, o facto do sinal do canal vermelho e canal verde serem bastan-te amplificados com a aplicação deste fundo. Por outro lado, com a aplicação dos fundos incidentes no lado posterior da estrutura semi-condutora, o sinal gerado não é amplificado com nenhuma cor, no entanto, a aplicação do fundo de cor azul proporciona a distinção do sinal proveniente do canal azul e do canal vermelho, sendo que quando está presente um sinal do canal vermelho, o sinal é fortemente atenuado e com a presença do sinal do canal azul o sinal gerado aproxima-se mais do valor de fotocorrente gerada com a estru-tura no escuro. O algoritmo implementado ao longo deste trabalho, permite efectuar o reconhecimento au-tónomo da informação transmitida por cada canal através da leitura do sinal da fotocorrente forne-cida pelo dispositivo quando sujeito a uma radiação de fundo incidente violeta no lado frontal e uma radiação de fundo incidente azul no lado posterior. Este algoritmo para a descodificação dos sinais WDM utiliza uma aplicação gráfica desenvolvida em Matlab que com base em cálculos e compara-ções de sinal permite determinar a sequência de sinal dos três canais ópticos incidentes. O trabalho proposto nesta tese é um módulo que se enquadra no desenvolvimento de um sistema integrado de comunicação óptica a curta distância, que tem sido alvo de estudo e que resulta das conclusões de trabalhos anteriores, em que este dispositivo e outros de configuração idêntica foram analisados, de forma a explorar a sua utilização na implementação da tecnologia WDM den-tro do domínio do espectro visível e utilizando as POF como meio de transmissão.

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This work reports on the optoelectronic properties and device application of hydrogenated amorphous silicon carbide (a-Si(1-x)C(x):H) films grown by plasma-enhanced chemical vapour deposition (PECVD). The films with an optical bandgap ranging from about 1.8 to 2.0 eV were deposited in hydrogen diluted silane-methane plasma by varying the radio frequency power. Several n-i-p structures with an intrinsic a-Si(1-x)C(x):H layer of different optical gaps were also fabricated. The optimized devices exhibited a diode ideality factor of 1.4-1.8, and a leakage current of 190-470 pA/cm(2) at -5 V. The density of deep defect states in a-Si(1-x)C(x):H was estimated from the transient dark current measurements and correlated with the optical bandgap and carbon content. Urbach energies for the valence band tail were also determined by analyzing the spectral response within sub-bandgap energy range. (C) 2010 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim

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In this paper we present results on the use of a multilayered a-SiC:H heterostructure as a wavelength-division demultiplexing device (WDM) for the visible light spectrum. The WDM device is a glass/ITO/a-SiC:H (p-i-n)/ a-SiC:H(-p) /Si:H(-i)/SiC:H (-n)/ITO heterostructure in which the generated photocurrent at different values of the applied bias can be assigned to the different optical signals. The device was characterized through spectral response measurements, under different electrical bias. Demonstration of the device functionality for WDM applications was done with three different input channels covering wavelengths within the visible range. The recovery of the input channels is explained using the photocurrent spectral dependence on the applied voltage. The influence of the optical power density was also analysed. An electrical model, supported by a numerical simulation explains the device operation. Short range optical communications constitute the major application field, however other applications are also foreseen.

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Trabalho Final de Mestrado para obtenção do grau de Mestre em Engenharia de Electrónica e Telecomunicações

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Micro-abrasion wear tests with ball-cratering configuration are widely used. Sources of variability are already studied by different authors and conditions for testing are parameterized by BS EN 1071-6: 2007 standard which refers silicon carbide as abrasive. However, the use of other abrasives is possible and allowed. In this work, ball-cratering wear tests were performed using four different abrasive particles of three dissimilar materials: diamond, alumina and silicon carbide. Tests were carried out under the same conditions on a steel plate provided with TiB2 hard coating. For each abrasive, five different test durations were used allowing understanding the initial wear phenomena. Composition and shape of abrasive particles were investigated by SEM and EDS. Scar areas were observed by optical and electronic microscopy in order to understand the wear effects caused by each of them. Scar geometry and grooves were analyzed and compared. Wear coefficient was calculated for each situation. It was observed that diamond particles produce well-defined and circular wear scars. Different silicon carbide particles presented dissimilar results as consequence of distinct particle shape and size distribution.

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Ball rotating micro-abrasion tribometers are commonly used to carry out wear tests on thin hard coatings. In these tests, different kinds of abrasives were used, as alumina (Al2O3), silicon carbide (SiC) or diamond. In each kind of abrasive, several particle sizes can be used. Some studies were developed in order to evaluate the influence of the abrasive particle shape in the micro-abrasion process. Nevertheless, the particle size was not well correlated with the material removed amount and wear mechanisms. In this work, slurry of SiC abrasive in distilled water was used, with three different particles size. Initial surface topography was accessed by atomic force microscopy (AFM). Coating hardness measurements were performed with a micro-hardness tester. In order to evaluate the wear behaviour, a TiAlSiN thin hard film was used. The micro-abrasion tests were carried out with some different durations. The abrasive effect of the SiC particles was observed by scanning electron microscopy (SEM) both in the films (hard material) as in the substrate (soft material), after coating perforation. Wear grooves and removed material rate were compared and discussed.

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Dissertação apresentada na Faculdade de Ciências e Tecnologia da Universidade Nova de Lisboa para obtenção do grau de Mestre em Engenharia Mecânica

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Dissertação para a obtenção do grau de Mestre em Engenharia Electrotécnica Ramo de Energia

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Dissertação para obtenção do Grau de Mestre em Engenharia Mecânica

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In this study, Ag:SiC nanocermets were prepared via rapid thermal annealing (RTA) of pulsed laser-deposited SiC/Ag/SiC trilayers grown on Si substrate. Atomic force microscope images show that silver nanoparticles (Ag NPs) are formed after RTA, and the size of NPs increases with increasing Ag deposition time (t Ag). Sharp dip observed in the reflectance spectra confirmed the existence of Ag surface plasmons (SPs). The infrared transmission spectra showed an intense and broad absorption band around 780–800 cm−1 that can be assigned to Si-C stretching vibration mode. Influence of t Ag on the spectral characteristics of SP-enhanced photoluminescence (PL) and electrical properties of silicon carbide (SiC) films has been investigated. The maximum PL enhancement by 5.5 times for Ag:SiC nanocermets is achieved when t Ag ≈ 50 s. This enhancement is due to the strong resonant coupling between SiC and the SP oscillations of the Ag NPs. Presence of Ag NPs in SiC also induces a forming-free resistive switching with switching ratio of 2 × 10−2. The analysis of I–V curves demonstrates that the trap-controlled space-charge-limited conduction with filamentary model is the governing mechanism for the resistive switching in nanocerment thin films.