Métodos periódicos aplicados à determinação e análise de propriedades eletrônicas e elásticas em peroviskitas do tipo BaZrO.3 e BaTiO.3

Pós-graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais - FC

Propriedades e mecanismos de cintilação dos materiais 'GD''AL''O IND.3' e ('GD''LU')'AL''O IND.3' dopados com 'EU POT. 3+', 'TB POT. 3+' e 'PR POT. 3+'

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Características estruturais e funcionais de biofilmes produzidos com zeína e óleos vegetais comestíveis

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Análise das propriedades mecânicas do ligamento cruzado anterior, ligamento da patela e tendão do músculo semitendíneo triplicado: estudo experimental em cadáveres humanos

Pós-graduação em Bases Gerais da Cirurgia - FMB

Estrutura eletrônica e propriedades elétricas fotoinduzidas em filmes finos de SnO2 com dopagem de Sb, e formação de heteroestruturas com TiO2

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Estudo da adição de dopantes a base de carbono nas propriedades anelásticas de MgB2

Pós-graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais - FC

Processamento e propriedades magnéticas de manganitas multiferróicas = Mise en forme et propriétés magnétiques de manganites multiferróïques

Pós-graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais - FC

Estudo das propriedades físicas de sistemas ferroelétricos com estruturas tipo Aurivillius

Pós-graduação em Ciência dos Materiais - FEIS

Estudo das propriedades ópticas de pós cerâmicos à base de Zn3Ga2Ge2O10: X% Cr3+ (X = 0 ; 0,5 ; 0,75 ; 1,0)

Ceramic powders based on Zn3Ga2Ge2O10: Cr3+ X% (X = 0.0; 0.5; 0.75; 1.0) were synthesized by solid-state reaction method. The gallium-zinc germanate doped with chromium presents an interesting property of phosphorescence, that means, it is capable of emitting light when excited by a source of radiation, and such emission remains for some time after stopping the source. For this reason, these materials can be widely applied in night-vision surveillance, (through the use of solar energy, for example), electronic devices screen, emergency routes signals, control panels indicators in dark environments, etc. In this job were considered different amounts of dopant in order to perform a comparison of structural and photoluminescent properties. For that, some analyses were performed on samples, such as XRD, FT-Raman, SEM, UV-vis and photoluminescence measurements (PL). Such analysis allowed to infer that the presence of chromium results in no phase transformation, so that the four compositions have the same set of phases: cubic, rhombohedral and hexagonal. Although the structure was not changed, chromium influences other properties / characteristics of these materials. Examples are: increase of band-gap, decrease of average particle size, small changes in binding energy checked by Raman and especially the increase of photoluminescent property. The chromium ions have great ease in replacing gallium ions in octahedral sites, resulting in emission of light with a wavelength of about 700 nm (infrared region), which is justified by the spin-forbidden 2E 4A2 transition. In other words, chromium is a favorable luminescent center, acting as a trap in the crystal structure, since it imprisons the excitation energy easily and releases it gradually, allowing the phosphorescence. It was observed that the composition ... (Complete abastract click electronic access below)

Estudo das propriedades ópticas de pós cerâmicos à base de Zn3Ga2Ge2O10: X% Cr3+ (X = 0 ; 0,5 ; 0,75 ; 1,0)

Ceramic powders based on Zn3Ga2Ge2O10: Cr3+ X% (X = 0.0; 0.5; 0.75; 1.0) were synthesized by solid-state reaction method. The gallium-zinc germanate doped with chromium presents an interesting property of phosphorescence, that means, it is capable of emitting light when excited by a source of radiation, and such emission remains for some time after stopping the source. For this reason, these materials can be widely applied in night-vision surveillance, (through the use of solar energy, for example), electronic devices screen, emergency routes signals, control panels indicators in dark environments, etc. In this job were considered different amounts of dopant in order to perform a comparison of structural and photoluminescent properties. For that, some analyses were performed on samples, such as XRD, FT-Raman, SEM, UV-vis and photoluminescence measurements (PL). Such analysis allowed to infer that the presence of chromium results in no phase transformation, so that the four compositions have the same set of phases: cubic, rhombohedral and hexagonal. Although the structure was not changed, chromium influences other properties / characteristics of these materials. Examples are: increase of band-gap, decrease of average particle size, small changes in binding energy checked by Raman and especially the increase of photoluminescent property. The chromium ions have great ease in replacing gallium ions in octahedral sites, resulting in emission of light with a wavelength of about 700 nm (infrared region), which is justified by the spin-forbidden 2E 4A2 transition. In other words, chromium is a favorable luminescent center, acting as a trap in the crystal structure, since it imprisons the excitation energy easily and releases it gradually, allowing the phosphorescence. It was observed that the composition ... (Complete abastract click electronic access below)

Influência da desordem estrutural nas propriedades magnéticas de filmes finos de Co2FeAl

Thin films of Co2FeAl (CFA) and trilayers with CFA/M/CFA, where M is Au or Ag, produced by magnetron sputtering onto glass and oriented (MgO (100)) substrates were investigated. The structural, magnetic static and magnetic dynamics properties were analyzed by distinct experimental techniques. Through X-ray diffraction was observed an A2 phase for the samples (completely disordered), where the atoms are randomly located in the lattice. The static magnetic behavior, in some samples, reveal a plateau behavior generated by a biphasic system. The magnetoimpedance measurements were performed by varying the angle between the external magnetic field and current with respect of anisotropy direction. For this reason, the MI results show a asymmetric magnetoimpedance (AMI) behavior. For the single and trilayers samples with 500 nm-thick, the AMI effect is more evident in comparison with samples with 1000 nm-thick. Therefore, in this work was stablished a route to produce Heusler alloy samples with A2 phase in thin film geometry onto amorphous and oriented substrates, and due to structural disorder was possible to study the hysteretic and MI asymmetric effects.

Síntese de ferritas de cobalto e níquel dopadas com zinco e caracterização de suas propriedades eletromagnéticas

This work shows that the synthesis by combustion is a prominent alternative to obtain ceramic powders of higher oxides, nanostructured and of high purity, as the ferrites of formulas Co(1-x)Zn(x)Fe2O4 e Ni(1-x)Zn(x)Fe2O4 with x ranging from 0.2 mols, in a range from 0.2 ≤ x ≥ 1.0 mol, that presents magnetic properties in coexistence of ferroelectric and ferrimagnetic states, which can be used in antennas of micro tapes and selective surfaces of low frequency in a range of miniaturized microwaves, without performance loss. The obtainment occurred through the combustion process, followed by appropriate physical processes and ordered to the utilization of the substrate sinterization process, it gave us a ceramic material, of high purity degree in a nanometric scale. The Vibrating Sample Magnetometer (VSM) analysis showed that those ferritic materials presents parameters, as materials hysteresis, that have own behavior of magnetic materials of good quality, in which the magnetization states can be suddenly changed with a relatively small variation of the field intensity, having large applications on the electronics field. The X-ray Diffraction (XRD) analysis of the ceramic powders synthesized at 900 °C, characterize its structural and geometrical properties, the crystallite size and the interplanar spacing. Other analysis were developed, as Scanning Electron Microscopy (SEM), X-ray Fluorescence (XRF), electric permittivity and the tangent loss, in high frequencies, through the equipment ZVB - 14 Vector Network Analyzer 10 MHz-14 GHz, of ROHDE & SCHWART.

Chalcogenide thin films for solar cells: growth and properties

Thin film solar cells have in recent years gained market quota against traditional silicon photovoltaic panels. These developments were in a large part due to CdTe solar panels on whose development started earlier than their competitors. Panels based on Cu(In,Ga)Se2 (CIGS), despite being more efficient in a laboratory and industrial scale than the CdTe ones, still need a growth technology cheaper and easier to apply in industry. Although usually presented as a good candidate to make cheap panels, CIGS uses rare and expensive materials as In and Ga. The price evolution of these materials might jeopardize CIGS future. This thesis presents three different studies. The first is the study of different processes for the incorporation of Ga in a hybrid CIGS growth system. This system is based on sputtering and thermal evaporation. This technology is, in principle, easier to be applied in the industry and solar cells with efficiencies around to 7% were fully made in Aveiro. In the second part of this thesis, a new material to replace CIGS in thin film solar cells is studied. The growth conditions and fundamental properties of Cu2ZnSnSe4 (CZTSe) were studied in depth. Suitable conditions of temperature and pressure for the growth of this material are reported. Its band gap energy was estimated at 1.05 eV and the Raman scattering peaks were identified. Solar cells made with this material showed efficiencies lower than 0.1%. Finally, preliminary work regarding the incorporation of selenium in Cu2ZnSnS4 (CZTS) thin films was carried out. The structural and morphological properties of thin films of Cu2ZnSn(S,Se)4 have been studied and the results show that the incorporation of selenium is higher in films with precursors rather with already formed Cu2SnS3 or Cu2ZnSnS4 thin films. A solar cell with 0.9 % of efficiency was prepared.

Células solares de Cu2ZnSnS4 por sulfurização de camadas metálicas

As energias renováveis têm estado em destaque desde o fi nal do século XX. São vários os motivos para que isto esteja a acontecer. As previsões apontam para problemas de depleção das reservas de combustíveis fósseis, nomeadamente o petróleo e gás natural, durante o presente século. O carvão, ainda abundante, apresenta problemas ambientais signi cativos. Os perigos associados à energia nuclear estão fazer com que os governos de vários países repensem as suas políticas energéticas . Todas estas tecnologias têm fortes impactos ambientais. Considerando o conjunto das energias renováveis, a energia solar fotovoltaica tem ainda um peso menor no panorama da produção energética actual. A explicação para este facto deve-se ao custo, ainda elevado, dos sistemas fotovoltaicos. Várias iniciativas governamentais estão em curso, a SET for 2020 (UE) e a Sunshot (EUA), para o desenvolvimento de tecnologias que façam frente a este problema. A fatia de mercado que a tecnologia de filmes fi nos representa ainda é pequena, mas tem vindo a aumentar nos últimos anos. As vantagens relativamente à tecnologia tradicional baseada em Si são várias, como por ex. os custos energéticos e materiais para a fabricação das células. Esta dissertação apresenta um processo de fabricação de células solares em fi lmes finos usando como camada absorvente um novo composto semicondutor, o Cu2ZnSnS4, que apresenta como grande argumento, relativamente aos seus predecessores, o facto de ser constituído por elementos abundantes e de toxicidade reduzidas. Foi realizado um estudo sobre as condições termodinâmicas de crescimento deste composto, bem como a sua caracterização e das células solares finais. Este trabalho inclui um estudo dos compostos ternários, CuxSnSx+1 e compostos binários SnxSy, justi cado pelo facto de surgirem como fases secundárias no crescimento do Cu2ZnSnS4. Em seguida são descritos resumidamente os vários capítulos que constituem esta tese. No capítulo 1 é abordada de forma resumida a motivação e o enquadramento da tecnologia no panorama energético global. A estrutura da célula solar adoptada neste trabalho é também descrita. O capítulo 2 é reservado para uma descrição mais detalhada do composto Cu2ZnSnS4, nomeadamente as propriedades estruturais e opto-electrónicas. Estas últimas são usadas para explicar as composições não estequiométricas aplicadas no crescimento deste composto. São também descritas as várias técnicas de crescimento apresentadas na literatura. A última secção deste capítulo apresenta os resultados da caracterização publicados pelos vários grupos que estudam este composto. O método que foi implementado para crescer a camada absorvente, bem como os efeitos que a variação dos vários parâmetros têm neste processo são abordados no capítulo 3. Neste é também incluída uma descrição detalhada dos equipamentos usados na caraterização da camada absorvente e das células solares finais. As fases calcogêneas binária e ternárias são estudadas no capítulo 4. É apresentada uma descrição do método de crescimento, quer para as fases do tipo CuxSnSx+1, quer para as fases do tipo SnxSy e a sua caracterização básica, nomeadamente a sua composição e as propriedades estruturais, ópticas e eléctricas. No caso dos compostos binários são também apresentados os resultados de uma célula solar. No capítulo 5 são reportados os resultados da caracterização dos fi lmes de Cu2ZnSnS4. Técnicas como a dispersão Raman, a fotoluminescência, a efi ciência quântica externa e a espectroscopia de admitância são usadas para analisar as propriedades quer da camada absorvente quer da célula solar. No capítulo 6 é apresentada uma conclusão geral do trabalho desenvolvido e são referidas sugestões para melhorar e complementar os estudos feitos.

Caracterização e modificação de heteroestruturas de nitretos do grupo III

Os nitretos binários semicondutores do grupo III, e respetivos compostos, são vastamente estudados devido à sua possível aplicabilidade em dispositivos optoeletrónicos, tais como díodos emissores de luz (LEDs) e LASERs, assim como dispositivos para a eletrónica de elevadas temperatura, potência e frequência. Enquanto se concretizou a comercialização na última década de LEDs e LASERs recorrendo ao ternário In1-yGayN, estudos das propriedades fundamentais estruturais e óticas, assim como de técnicas de processamento no desenvolvimento de novas aplicações de outros ternários do grupo III-N encontram-se na sua fase inicial. Esta tese apresenta a investigação experimental de filmes finos epitaxiais de Al1-xInxN crescidos sobre camadas tampão de GaN e de Al1-yGayN e o estudo do recozimento e implantação de super-redes (SL) compostas por pontos quânticos de GaN (QD) envolvidos por camadas de AlN. Apesar do hiato energético do Al1-xInxN poder variar entre os 0,7 eV e os 6,2 eV e, por isso, numa gama, consideravelmente superior à dos ternários Al1-yGayN e InyGa1-yN, o primeiro é o menos estudado devido a dificuldades no crescimento de filmes com elevada qualidade cristalina. É efetuada, nesta tese, uma caracterização estrutural e composicional de filmes finos de Al1-xInxN crescidos sobre camadas tampão de GaN e de Al1-yGayN usando técnicas de raios-X, feixe de iões e de microscopia. Mostra-se que o Al1-xInxN pode ser crescido com elevada qualidade cristalina quando a epitaxia do crescimento se aproxima da condição de rede combinada do Al1-xInxN e da camada tampão (GaN ou Al1-yGayN), isto é, com conteúdo de InN de ~18%, quando crescido sobre uma camada de GaN. Quando o conteúdo de InN é inferior/superior à condição de rede combinada, fenómenos de relaxação de tensão e deterioração do cristal tais como o aumento da rugosidade de superfície prejudicam a qualidade cristalina do filme de Al1-xInxN. Observou-se que a qualidade dos filmes de Al1-xInxN depende fortemente da qualidade cristalina da camada tampão e, em particular, da sua morfologia e densidade de deslocações. Verificou-se que, dentro da exatidão experimental, os parâmetros de rede do ternário seguem a lei empírica de Vegard, ou seja, variam linearmente com o conteúdo de InN. Contudo, em algumas amostras, a composição determinada via espetrometria de retrodispersão de Rutherford e difração e raios-X mostra valores discrepantes. Esta discrepância pode ser atribuída a defeitos ou impurezas capazes de alterar os parâmetros de rede do ternário. No que diz respeito às SL dos QD e camadas de AlN, estudos de recozimento mostraram elevada estabilidade térmica dos QD de GaN quando estes se encontram inseridos numa matriz de AlN. Por implantação iónica, incorporou-se európio nestas estruturas e, promoveu-se a ativação ótica dos iões de Eu3+ através de tratamentos térmicos. Foram investigados os efeitos da intermistura e da relaxação da tensão ocorridos durante o recozimento e implantação nas propriedades estruturais e óticas. Verificou-se que para fluências elevadas os defeitos gerados por implantação são de difícil remoção. Contudo, a implantação com baixa fluência de Eu, seguida de tratamento térmico, promove uma elevada eficiência e estabilidade térmica da emissão vermelha do ião lantanídeo incorporado nos QD de GaN. Estes resultados são, particularmente relevantes, pois, na região espetral indicada, a eficiência quântica dos LEDs convencionais de InGaN é baixa.