Proyecto de creación de un grupo de trabajo en nuevas metodologías docentes en asignaturas de Ingeniería en el ámbito de la convergencia europea.

Resumen tomado de la publicación

Burnout en la enseñanza : estudio comparativo de un grupo de profesores de la enseñanza pública y privada de la Región de Murcia.

Examinar los niveles de Burnout que presenta una muestra de profesores de la Región de Murcia y tratar de establecer las relaciones entre los problemas de desgaste del profesorado y el entorno social en el que se plantean, comparando los resultados entre la enseñanza concertada y la pública.. La muestra se compone de 200 profesores de enseñanza no universitaria (infantil, primaria y secundaria) de la Región de Murcia: 100 de centros públicos y 100 de centros privados concertados. El marco teórico comienza con la definición de Burnout y de los factores o variables asociadas al mismo, así como de la etiología que manifiesta el síndrome y el desarrollo del proceso. Los instrumentos de medida utilizados para la recogida de información son: cuestionario, de elaboración propia, administrado de forma personalizada mediante una entrevista previa con el docente; Escala de Autoevaluación de Síntomas de Estrés (Rodríguez Marín, 1992); Escala de Maslach Burnout Inventory (MBI), validada para España como IBP (Fornes, Gil Montes y Moreno), con versión para profesores; Listado de Estresores (escala de 9 puntos con 32 posibles causas de estrés profesional); Escala de Dimensiones Causales Atributivas y Cuestionario de Apoyo Social (Manassero). Una vez recabada la información, se han utilizado el análisis descriptivo, de contraste y correlacional, como metodología.. Los resultados obtenidos denotan la existencia de tres grupos de factores de riesgo de Burnout. Un primer grupo es el sentimiento de competencia, el saberse competente para poder responder a las expectativas. El segundo grupo es la vivencia de la exigencia como único responsable del éxito académico de los alumnos. El tercer grupo de factores hace referencia a la organización de los centros: excesivo número de alumnos, falta de tiempo para preparar materiales y corregir exámenes y trabajo para casa, unido a la sensación de falta de apoyo social. Las estrategias de intervención y afrontamiento propuestas son: adquisición de estrategias instrumentales (solución de problemas o habilidades de comunicación) y programas dirigidos a manejar emociones (manejo de sentimientos de culpa y técnicas de relajación)..

Estudio del profesor-tutor y el grupo-clase.

Conocer el funcionamiento de las tutorías en España, más concretamente del profesor-tutor y su curso. Estudio centrado en un pequeña parcela educativa: el de las tutorías, dedicando una especial atención a dos de sus elementos más significativos: la figura del profesor-tutor y el grupo-clase. En este estudio se distinguen tres partes fundamentales: una dedicada al profesor-tutor, donde incluye los aspectos más significativos para su descripción como sus funciones, cualidades, roles, etc.; otra al grupo-clase, principal elemento del sistema escolar con el que el profesor-tutor trabajará en su tarea como educador; y otra en la que dedica especial atención a las técnicas que le resultarán más útiles al profesor-tutor para el conocimiento del grupo. En este estudio el autor recopila ideas de autores que pertenecen a diferentes (a veces excluyentes) corrientes pedagógicas. Así nos podemos encontrar con autores como Miguel Ángel Ortega que trata las últimas cuestiones pedagógicas como el directivismo, el no directivismo, etc. y autores que fueron los pioneros en España como: Román y Pastor, que lógicamente tenían preocupaciones bien distintas, como el proporcionar una buena base teórica, aunque ya tenían una cierta orientación práctica. Estudio teórico. 1) El tutor puede quedar abrumado por los problemas cotidianos si no cuenta con el técnico especializado (orientador). 2) El técnico no podrá realizar sus diagnósticos y recomendaciones si no cuenta con el aplicador directo de las mismas (profesor-tutor). 3) Otra de las deficiencias vendría dada por el olvido por parte del profesor-tutor de sus tareas y cualidades más importantes. Quizás los obstáculos con los que se encuentra el tutor como: la inexistencias de un horario fijo dedicado a la tutoría, las escasa e irregulares reuniones con los demás educadores, con la familia y los alumnos, la indeterminación de los objetivos tutoriales establecidos por el centro... seran los principales causantes de esta deficiente realidad. 4) Los alumnos son la primera fuente de relación y trabajo del tutor. Este parte de una clasificación artificial: el aula, consecuencia de la organización escolar, de momento estructuras inevitables, ya que hasta ahora no se ha conseguido otra. 5) El conocimiento del grupo-clase es la primera necesidad que tiene que cubrir el profesor-tutor. Esta deberá hacerse por medio de las técnicas, siguiendo fielmente los objetivos que la tutoría se ha planteado para el curso escolar, y tendrá como consecuencia un creciente éxito en el cumplimiento de los objetivos. 6) A veces e profesor-tutor suele adoptar dos actitudes que resultan al mismo tiempo extremas y erróneas: una sería tomar al pie de la letra todas las posibilidades que le ofrecen las técnicas, sin tener en cuenta que éstas no son infalibles; y otra sería su menosprecio, olvidarse de su justo valor. 7) Siempre que se trata de asuntos humanos hay que tener en cuenta la ignorancia. Y no a lo que no se sabe que es siempre ilimitado, sino a lo que no sabe y habría que saber. Esta ignorancia se convierte en un factor de perturbación, que anula incluso lo que se sabe, lo invalida porque lo deja incompleto, sin justificación, fuera de conexión, de manera que viene a resultar un error.

Evaluación del pensamiento crítico en el trabajo en grupo

Resumen basado en el de la publicación

Trajetórias de estudantes da rede pública que ingressam, permanecem e obtém êxito numa universidade pública

L accès et la permanence des étudiants à l université sont très présents dans les débats actuels relatifs à l'enseignement supérieur. De nombreuses mesures sont prises dans les politiques d'accès dans le but de réduire les inégalités et d'encourager les étudiants ayant moins de chances d'entrer dans l'enseignement supérieur, comme les étudiants issus de l'enseignement public, qui ont encore un niveau inférieur à celui souhaité. Lorsque ces élèves réussissent à terminer leurs études secondaires, passer l'examen d'entrée et réussir leur entrée dans l'enseignement supérieur ils se considèrent comme « victorieux ». Cette étude (pour le Master de l UFRN), développée au sein du groupe de recherche de la formation et professionnalisation des enseignants (PPGed / UFRN), vise à étudier la trajectoire des élèves issus des écoles publiques qui accèdent à une université publique. Nous avons interviewé 12 étudiants, six de l'Université fédérale de Rio Grande do Norte (UFRN) et 6 de l'Université d'État de Bahia (UNEB) inscrits à différents cours du premier cycle (Licence). Nous cherchons savoir comment s est déroulé leurs parcours au sein de l'Université, notamment en ce qui concerne la préparation aux examens d'entrée à l université (Vestibular) , la motivation du choix de cours, la première année à l'université, les habitudes d'étude, la relation avec l'apprentissage et les perspectives quant à l'avenir des élèves interrogés. Nous nous sommes référés aux travaux menés par Zago (2006), Ramalho (2003), Charlot (1997), Galland et Gruel (2009), Coulon (2008), Tinto (1993), Doray et l'équipe canadienne du CIRST (2009). L'entrée à l'université comporte un triple processus, institutionnel (formelles et informelles), intellectuel (composantes cognitives et académiques) et social (vie sociale au sein de l'université). L'étudiant entre à l'université et y trouve une nouvelle culture, de nouvelles connaissances et devra apprendre à être universitaire. Apprendre à surmonter le moment de l étrangeté et bien passer par le processus de l'apprentissage des règles, des codes de son nouveau statut et s accommoder de sa position d étudiant à l'université, arrive enfin, le temps d'affiliation, c'est à dire, le moment de l'admission où l'étudiant se sent comme un «vétéran», et qu il peut dire que les dangers de l'abandon sont passés et qu il pourra continuer son parcours avec succès. Cette étude vise à apporter des connaissances nouvelles sur les étudiants issus des écoles publiques, comme contribution au domaine des politiques d'accès et de permanence à l université et de soutien pédagogique au sein de cette institution

Crecimiento, fabricación y caracterización de heteroestructuras y nanocolumnas ordenadas basadas en nitruros del grupo III para aplicaciones sensoras

Esta memoria está basada en el crecimiento y caracterización de heteroestructuras Al(Ga)N/GaN y nanocolumnas ordenadas de GaN, y su aplicación en sensores químicos. El método de crecimiento ha sido la epitaxia de haces moleculares asistida por plasma (PAMBE). En el caso de las heteroestructuras Al(Ga)N/GaN, se han crecido barreras de distinto espesor y composición, desde AlN de 5 nm, hasta AlGaN de 35 nm. Además de una caracterización morfológica, estructural y eléctrica básica de las capas, también se han fabricado a partir de ellas dispositivos tipo HEMTs. La caracterización eléctrica de dichos dispositivos (carga y movilidad de en el canal bidimensional) indica que las mejores heteroestructuras son aquellas con un espesor de barrera intermedio (alrededor de 20 nm). Sin embargo, un objetivo importante de esta Tesis ha sido verificar las ventajas que podían tener los sensores basados en heteroestructuras AlN/GaN (frente a los típicos basados en AlGaN/GaN), con espesores de barrera muy finos (alrededor de 5 nm), ya que el canal de conducción que se modula por efecto de cambios químicos está más cerca de la superficie en donde ocurren dichos cambios químicos. De esta manera, se han utilizado los dispositivos tipo HEMTs como sensores químicos de pH (ISFETs), y se ha comprobado la mayor sensibilidad (variación de corriente frente a cambios de pH, Ids/pH) en los sensores basados en AlN/GaN frente a los basados en AlGaN/GaN. La mayor sensibilidad es incluso más patente en aplicaciones en las que no se utiliza un electrodo de referencia. Se han fabricado y caracterizado dispositivos ISFET similares utilizando capas compactas de InN. Estos sensores presentan peor estabilidad que los basados en Al(Ga)N/GaN, aunque la sensibilidad superficial al pH era la misma (Vgs/pH), y su sensibilidad en terminos de corriente de canal (Ids/pH) arroja valores intermedios entre los ISFET basados en AlN/GaN y los valores de los basados en AlGaN/GaN. Para continuar con la comparación entre dispositivos basados en Al(Ga)N/GaN, se fabricaron ISFETs con el área sensible más pequeña (35 x 35 m2), de tamaño similar a los dispositivos destinados a las medidas de actividad celular. Sometiendo los dispositivos a pulsos de voltaje en su área sensible, la respuesta de los dispositivos de AlN presentaron menor ruido que los basados en AlGaN. El ruido en la corriente para dispositivos de AlN, donde el encapsulado no ha sido optimizado, fue tan bajo como 8.9 nA (valor rms), y el ruido equivalente en el potencial superficial 38.7 V. Estos valores son más bajos que los encontrados en los dispositivos típicos para la detección de actividad celular (basados en Si), y del orden de los mejores resultados encontrados en la literatura sobre AlGaN/GaN. Desde el punto de vista de la caracterización electro-química de las superficies de GaN e InN, se ha determinado su punto isoeléctrico. Dicho valor no había sido reportado en la literatura hasta el momento. El valor, determinado por medidas de “streaming potential”, es de 4.4 y 4 respectivamente. Este valor es una importante característica a tener en cuenta en sensores, en inmovilización electrostática o en la litografía coloidal. Esta última técnica se discute en esta memoria, y se aplica en el último bloque de investigación de esta Tesis (i.e. crecimiento ordenado). El último apartado de resultados experimentales de esta Tesis analiza el crecimiento selectivo de nanocolumnas ordenadas de GaN por MBE, utilizando mascaras de Ti con nanoagujeros. Se ha estudiado como los distintos parámetros de crecimiento (i.e. flujos de los elementos Ga y N, temperatura de crecimiento y diseño de la máscara) afectan a la selectividad y a la morfología de las nanocolumnas. Se ha conseguido con éxito el crecimiento selectivo sobre pseudosustratos de GaN con distinta orientación cristalina o polaridad; templates de GaN(0001)/zafiro, GaN(0001)/AlN/Si, GaN(000-1)/Si y GaN(11-20)/zafiro. Se ha verificado experimentalmente la alta calidad cristalina de las nanocolumnas ordenadas, y su mayor estabilidad térmica comparada con las capas compactas del mismo material. Las nanocolumnas ordenadas de nitruros del grupo III tienen una clara aplicación en el campo de la optoelectrónica, principalmente para nanoemisores de luz blanca. Sin embargo, en esta Tesis se proponen como alternativa a la utilización de capas compactas o nanocolumnas auto-ensambladas en sensores. Las nanocolumnas auto-ensambladas de GaN, debido a su alta razón superficie/volumen, son muy prometedoras en el campo de los sensores, pero su amplia dispersión en dimensiones (altura y diámetro) supone un problema para el procesado y funcionamiento de dispositivos reales. En ese aspecto, las nanocolumnas ordenadas son más robustas y homogéneas, manteniendo una alta relación superficie/volumen. Como primer experimento en el ámbito de los sensores, se ha estudiado como se ve afectada la emisión de fotoluminiscencia de las NCs ordenadas al estar expuestas al aire o al vacio. Se observa una fuerte caída en la intensidad de la fotoluminiscencia cuando las nanocolumnas están expuestas al aire (probablemente por la foto-adsorción de oxigeno en la superficie), como ya había sido documentado anteriormente en nanocolumnas auto-ensambladas. Este experimento abre el camino para futuros sensores basados en nanocolumnas ordenadas. Abstract This manuscript deals with the growth and characterization of Al(Ga)N/GaN heterostructures and GaN ordered nanocolumns, and their application in chemical sensors. The growth technique has been the plasma-assisted molecular beam epitaxy (PAMBE). In the case of Al(Ga)N/GaN heterostructures, barriers of different thickness and composition, from AlN (5 nm) to AlGaN (35 nm) have been grown. Besides the basic morphological, structural and electrical characterization of the layers, HEMT devices have been fabricated based on these layers. The best electrical characteristics (larger carriers concentration and mobility in the two dimensional electron gas) are those in AlGaN/GaN heterostructures with a medium thickness (around 20 nm). However, one of the goals of this Thesis has been to verify the advantages that sensors based on AlN/GaN (thickness around 7 nm) have compared to standard AlGaN/GaN, because the conduction channel to be modulated by chemical changes is closer to the sensitive area. In this way, HEMT devices have been used as chemical pH sensors (ISFETs), and the higher sensitivity (conductance change related to pH changes, Ids/pH) of AlN/GaN based sensors has been proved. The higher sensibility is even more obvious in application without reference electrode. Similar ISFETs devices have been fabricated based on InN compact layers. These devices show a poor stability, but its surface sensitivity to pH (Vgs/pH) and its sensibility (Ids/pH) yield values between the corresponding ones of AlN/GaN and AlGaN/GaN heterostructures. In order to a further comparison between Al(Ga)N/GaN based devices, ISFETs with smaller sensitive area (35 x 35 m2), similar to the ones used in cellular activity record, were fabricated and characterized. When the devices are subjected to a voltage pulse through the sensitive area, the response of AlN based devices shows lower noise than the ones based on AlGaN. The noise in the current of such a AlN based device, where the encapsulation has not been optimized, is as low as 8.9 nA (rms value), and the equivalent noise to the surface potential is 38.7 V. These values are lower than the found in typical devices used for cellular activity recording (based on Si), and in the range of the best published results on AlGaN/GaN. From the point of view of the electrochemical characterization of GaN and InN surfaces, their isoelectric point has been experimentally determined. Such a value is the first time reported for GaN and InN surfaces. These values are determined by “streaming potential”, being pH 4.4 and 4, respectively. Isoelectric point value is an important characteristic in sensors, electrostatic immobilization or in colloidal lithography. In particular, colloidal lithography has been optimized in this Thesis for GaN surfaces, and applied in the last part of experimental results (i.e. ordered growth). The last block of this Thesis is focused on the selective area growth of GaN nanocolumns by MBE, using Ti masks decorated with nanoholes. The effect of the different growth parameters (Ga and N fluxes, growth temperature and mask design) is studied, in particular their impact in the selectivity and in the morphology of the nanocolumns. Selective area growth has been successful performed on GaN templates with different orientation or polarity; GaN(0001)/sapphire, GaN(0001)/AlN/Si, GaN(000- 1)/Si and GaN(11-20)/sapphire. Ordered nanocolumns exhibit a high crystal quality, and a higher thermal stability (lower thermal decomposition) than the compact layers of the same material. Ordered nanocolumns based on III nitrides have a clear application in optoelectronics, mainly for white light nanoemitters. However, this Thesis proposes them as an alternative to compact layers and self-assembled nanocolumns in sensor applications. Self-assembled GaN nanocolumns are very appealing for sensor applications, due to their large surface/volume ratio. However, their large dispersion in heights and diameters are a problem in terms of processing and operation of real devices. In this aspect, ordered nanocolumns are more robust and homogeneous, keeping the large surface/volume ratio. As first experimental evidence of their sensor capabilities, ordered nanocolumns have been studied regarding their photoluminiscence on air and vacuum ambient. A big drop in the intensity is observed when the nanocolumns are exposed to air (probably because of the oxygen photo-adsortion), as was already reported in the case of self-assembled nanocolumns. This opens the way to future sensors based on ordered III nitrides nanocolumns.

Una experiencia de CINE (Colaboración, Integración, Nivelación, Éxito)

Se ha utilizado la herramienta del trabajo en grupo como una actividad para la nivelación de conocimientos básicos, necesarios para abordar la asignatura Química de Materiales en la titulación de Grado en Ingeniería Civil, impartida en la EUIT de Obras Públicas de la Universidad Politécnica de Madrid. Con esta experiencia se ha conseguido que los alumnos con más conocimientos de química se impliquen en el aprendizaje de sus compañeros. Así mismo, se ha logrado integrar, desde el comienzo de la asignatura, a los alumnos con dificultades de relación y, como consecuencia, no del todo incluidos en el conjunto de la clase.

Análisis ergonómico-visual del éxito relativo de las pantallas 3D

Curso corto presentado el 25 de Febrero de 2012 en la X edición de los Cursos de Formación Continuada en Optometría de la Fundación Jorge Alió (Alicante): http://www.fundacionalio.com/ver_noti.php?urlPaginaVuelta=1&idNoti=162

Soporte respiratorio no invasivo en el fallo respiratorio agudo del niño: análisis de un grupo de pacientes asistidos en una UCIP privada

Introducción: el fallo respiratorio agudo (FRA) es la principal causa de morbimortalidad pediátrica. La ventilación mecánica no invasiva (VMNI) y la oxigenoterapia de alto flujo (CNAF) son cada vez más utilizados en las Unidades de Cuidados Intensivos pediátricos (UCIP) como alternativa a la ventilación mecánica invasiva (VMI). Objetivo: describir el perfil clínico-evolutivo de niños ingresados a una UCIP por FRA y tratados con VMNI-CNAF entre marzo y octubre de 2014. Metodología: corte transversal y observacional. Niños ingresados por FRA y tratados con VMNI-CNAF. Se clasificaron según éxito o fracaso (necesidad de VMI). Se calificó la gravedad según Escores PIM2 y Tal. Resultados: de 80 casos, 39 cumplieron criterios de inclusión, 15.4% fracasaron. Las causas de fracaso: depresión neuropsíquica, fallo cardiovascular y trabajo respiratorio. La mediana de edad fue 7 meses. Los que requirieron VMI eran menores de 1 año. Los indicadores de gravedad fueron similares en ambos grupos, así como sus comorbilidades. En cuatro de cada cinco pacientes se utilizó CNAF a un flujo promedio de 1,5 l/kg/min. El 64% de los diagnósticos fue bronquiolitis. Los días de soporte respiratorio requeridos fueron menores en los niños atendidos con métodos no invasivos. Ningún paciente falleció. Discusión: esta representa la primera descripción nacional de tratamiento ventilatorio no invasivo en el entorno de una UCIP. La VMNI-CNAF mostró ser una estrategia segura y exitosa en la gran mayoría de pacientes. Este trabajo servirá para planificación y elaboración de futuras investigaciones en UCIP en la era de los cuidados respiratorios no invasivos.

Diversificación, la clave del éxito de Constructora Colpatria

El siguiente documento tiene como finalidad enseñarle al lector cómo una de las constructoras líderes del sector en Colombia, Constructora Colpatria, se ha visto involucrada en la toma de ciertas decisiones estratégicas, las cuales han llevado a la compañía a conseguir una diversificación en diferentes áreas de negocio y un proceso de internacionalización en países como México y Perú. La principal razón de estos cambios que ha tenido la Constructora Colpatria, es básicamente un problema que surge hace un poco más de 20 años. Hacia la década de los 90 se presentó una crisis financiera que tuvo su origen en el mercado hipotecario, desde ese entonces, el sector construcción se ha visto involucrado en un fenómeno que es comúnmente conocido como burbuja inmobiliaria, este término se refiere a la subida injustificada y exagerada de los precios de los inmuebles o de los bienes raíces muy por encima del precio real de venta. En el contexto de estrategia, el proyecto se va a encaminar por el lado de las decisiones y el manejo que se le ha dado por parte de la empresa a la problemática que ha presentado el sector construcción a lo largo de los últimos años. Por medio de diferentes métodos de investigación, que serán explicados más adelante, se quiere evaluar y conocer como esta empresa ha logrado conseguir un alto nivel de competitividad y cómo se ha posicionado en los primeros puestos en el sector construcción en Colombia.

Estrategia del Grupo Volkswagen de México para la reducción del impacto ambiental generado por sus procesos productivos

El siguiente escrito pretende mostrar las estrategias que el Grupo Volkswagen de México implementó para reducir el impacto que generan sus dos fábricas en México al medio ambiente. La primera de ellas, y la más grande en cuanto a infraestructura, recurso humano, complejidad y productividad entre ambas, se ubica en el Estado de Puebla, en su capital Puebla. Se dedica a la fabricación de varios modelos de vehículos para el mercado interno y mundial. La segunda fábrica se ubica en la ciudad de Silao en el Estado de Guanajuato, esta fábrica se dedica principalmente a la fabricación de motores, los cuales posteriormente son distribuidos a distintos complejos productivos alrededor del mundo para allí ensamblarse en carrocerías. En primera instancia se describe la estrategia general con los debidos alcances establecidos desde la dirección de la empresa. Posteriormente se prosigue a desglosar cada una de las sub-estrategias, explicándolas y relacionándolas en contexto, tomando de esta manera, paso a paso, como se ha construido una campaña que ha logrado adquirir una identidad propia ampliamente reconocida tanto por la fuerza laboral de la compañía e inclusive por los agentes del mercado en el que se encuentran. Finalmente se reúnen datos numéricos relevantes en cuanto a la reducción del impacto ambiental que por último se ven reflejado en un ahorro económico para la empresa.

La participación política de los intelectuales durante la transición democrática : el Grupo Esmeralda y el prresidente Alfonsín

Resumen: El presente artículo tiene por objeto analizar las relaciones que se establecieron entre un grupo de intelectuales de izquierda y el presidente radical Raúl Alfonsín durante la transición democrática en la Argentina. Se describirán en primer lugar los desplazamientos teóricos de la izquierda intelectual marcados por el exilio mexicano; en segundo lugar, las características del campo cultural en la transición democrática en los ochenta, centrándose en la producción de los intelectuales vinculados con la revista Punto de Vista y el Club de Cultura Socialista y, por último, los vínculos que se establecieron entre el presidente Alfonsín y los intelectuales de la izquierda renovada, analizando los dilemas ético-políticos que debieron enfrentar. La construcción de sentido en torno a un personaje político, en el que los intelectuales veían la posibilidad de que se convirtiera en un moderno líder socialdemócrata, es la hipótesis a partir de la cual intenta explicarse la vinculación, siguiendo las teorías de Pierre Bourdieu.

Evaluación de la efectividad de tres protocolos de sincronización en vaquillas de la finca San Antonio, comarca Kurinwas, municipio de Santo Domingo del departamento de Chontales durante el período enero a abril 2013

La investigación se realizó en la finca San Antonio del municipio de Santo Domingo. Los objetivos fueron; Evaluar la efectividad de tres protocolos de sincronización en vaquillas. El trabajo consistió en la comparación de tres protocolos (DIB, Prostaglandina + Prostaglandina y una sola dosis de Prostaglandina) para la sincronización de celo en vaquillas. Para el experimento se conformaron tres grupos de 20 vaquillas cada uno, con una edad promedio de 2.5 años, las cuales se examinaron por el método de palpación para definir el estado ginecológico de ellas, se definió el estado corporal por medio de la observación de la condición corporal (CC) y las variables evaluadas fueron: (1) Porcentaje de Preñez a Primer Servicio (PPPS) (2) Porcentaje de Preñez a Segundo Servicio (PPSS) (3) Porcentaje de Preñez Acumulada Sincronización más Toro (PAST) Los resultados derivados del análisis para tratamiento 1 (DIB) elporcentaje de preñez al primer servicio fue del 80% y a segundo servicio fue de 50% para una preñez acumulada del 90%, con el tratamiento 2 (PGF2α + PGF2α) el resultado de preñez a primer servicio fue 50% y a segundo servicio fue de 33.33% con una preñez acumulada de 60%, con el tratamiento 3 (una sola aplicación de PGF2 α) el resultado de preñez a primer servicio fue 40 % y a segundo servicio fue de 7.70% para una preñez acumulada del 40 %, el grupo testigo presento una efectividad de 30 %. Se concluye que bajo las condiciones en que se realizó el experimento las vaquillas responden a los tratamientos hormonales exógenos, y se puede obtener un 90 % de éxito en la preñez. Asimismo se puede disminuir el tiempo de la incorporación de las vaquillas a primer servicio lo que se traduce en una mayor vida útil del animal y una mayor cantidad de partos, además, este tratamiento es una alternativa efectiva para enfrentar el problema de detección de celo en los rebaños, además, las vaquillas presentaron ciclicidad post tratamiento. Se recomienda la utilización del DIB pues permite obtener buenos resultados en la taza de preñez también recomendamos el uso del protocolo prostaglandina más prostaglandina en fincas con difícil acceso a la inseminación artificial, pues, es un método de bajo costo y fácil utilización para el productor y se puede implementar el uso de toros, se debe realizar estudios con la categoría de vacas paridas para determinar el comportamiento en la reproducción, se debe tomar en cuenta el estado nutricional y la condición corporal de los animales ya que es determinante para obtener buenos resultados en el programa y realizar chequeo ginecológico periódico en las vaquillas que tienen peso y edad adecuados con el fin de realizar tratamientos y evitar así preñeces tardías.