Trapping phenomena in AlGaN and InAlN barrier HEMTs with different geometries

PAPER Trapping phenomena in AlGaN and InAlN barrier HEMTs with different geometries S Martin-Horcajo1, A Wang1, A Bosca1, M F Romero1, M J Tadjer1,2, A D Koehler2, T J Anderson2 and F Calle1 Published 11 February 2015 • © 2015 IOP Publishing Ltd Semiconductor Science and Technology, Volume 30, Number 3 Article PDF Figures References Citations Metrics 350 Total downloads Cited by 1 articles Export citation and abstract BibTeX RIS Turn on MathJax Share this article Article information Abstract Trapping effects were evaluated by means of pulsed measurements under different quiescent biases for GaN/AlGaN/GaN and GaN/InAlN/GaN. It was found that devices with an AlGaN barrier underwent an increase in the on-resistance, and a drain current and transconductance reduction without measurable threshold voltage change, suggesting the location of the traps in the gate-drain access region. In contrast, devices with an InAlN barrier showed a transconductance and a decrease in drain associated with a significant positive shift of threshold voltage, indicating that the traps were likely located under the gate region; as well as an on-resistance degradation probably associated with the presence of surface traps in the gate-drain access region. Furthermore, measurements of drain current transients at different ambient temperatures revealed that the activation energy of electron traps was 0.43 eV and 0.38 eV for AlGaN and InAlN barrier devices, respectively. Experimental and simulation results demonstrated the influence of device geometry on the observed trapping effects, since devices with larger gate lengths and gate-to-drain distance values exhibited less noticeable charge trapping effects.

Congruencia entre los valores personales y organizacionales y su influencia con el engagement en el trabajo : estudio de caso en una organización del sector salud

La capacidad de gestión del personal se ha convertido en un imperativo para las organizaciones modernas. Por tanto se vienen introduciendo temas como la administración en valores y el engagement de los trabajadores. Sin embargo, la relación entre estos dos aún no ha sido estudiada. El presente estudio tiene como objetivo analizar el efecto que tiene el grado de articulación y reconocimiento de los valores organizacionales y personales y organizacionales sobre los niveles de engagement de los empleados. Para esta investigación se utilizó una muestra constituida por 54 trabajadores de una organización del sector salud de la ciudad de Bogotá a quienes les fueron aplicadas dos escalas: el Inventario para Medir la Articulación entre la Persona y la Organización (Inventario APO) y Utrech Work Engagement Scale (UWES). Como principal resultado se obtuvo que de las tres dimensiones consideradas predictoras del engagement, solamente el reconocimiento de los valores organizacionales tuvo un efecto estadísticamente significativo.