765 resultados para GAN NANOWIRES
Resumo:
A partir de recientes trabajos de campo dedicados a entender la relación entre las comunidades indígenas y las instituciones del Estado en Brasil y Bolivia, se intenta examinar con mayor profundidad los modos de operación, la reproducción y, en especial, la legitimación de la llamada colonialidad del poder - categoría de los estudios poscoloniales/descoloniales presentada por el sociólogo peruano Aníbal Quijano que ganó proyección dando énfasis justamente a la continuación de los patrones coloniales en la toma de decisiones, después del cierre del proceso histórico y formal del colonialismo político. Entre los distintos puntosanalizados, uno de los cuales emergen con mayor énfasis en la comprensión de la colonialidad del poder es el que oculta detrás de la idea de nación, el fundamento de los proyectos políticos que apoyan al Estado en diferentes contextos. Se entiende, por lo tanto, que sin una profunda deconstrucción (histórica, epistemológica y ontológica) de la nación, que se construyó de acuerdo a la forma establecida por el colonialismo interno y sus vínculos con el sistema-mundo occidental y capitalista dominante, los debates en torno del Estado, en las antiguas colonias europeas hoy "emancipadas" en América Latina, tienden a limitarse a los aspectos superficiales, sin tocar la lógica colonial de exclusión. Hay, todavía, experiencias protagonizadas por los pueblos indígenas de ambos países hacia la construcción de otros paradigmas de políticas públicas
Resumo:
Con el golpe de Estado de Onganía en 1966 comenzó un intento de consolidación de un Estado Burocrático Autoritario. El gobierno de facto, cuya base social era el gran capital, impulsó reformas estructurales en la economía y las instituciones tendientes a la despolitización y la concentración del capital. Este proyecto entró en una crisis irreversible en mayo de 1969 con los hechos de masas conocidos como Rosariazo y Cordobazo. La descomposición de la dictadura llegó a su punto crítico tras el Tucumanazo y el Viborazo. Tras estos hechos Lanusse dio un golpe de Estado, promovió el GAN y la convocatoria a elecciones sin proscripciones para 1973. Se considera que a partir de 1969 se inauguró una nueva etapa en las luchas sociales en Argentina expresada en una ?nueva izquierda?, de agrupaciones revolucionarias armadas, un auge del activismo obrero y estudiantil, etc. Sin embargo, a pesar de que siempre se menciona el rol de los estudiantes del litoral y del interior en el proceso que derrotó a la dictadura, se haya ausente un estudio sistemático de las luchas del movimiento estudiantil de las regiones donde se desarrollaron los mayores enfrentamientos al régimen militar. Aquí presento algunas dimensiones para su investigación
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A partir de recientes trabajos de campo dedicados a entender la relación entre las comunidades indígenas y las instituciones del Estado en Brasil y Bolivia, se intenta examinar con mayor profundidad los modos de operación, la reproducción y, en especial, la legitimación de la llamada colonialidad del poder - categoría de los estudios poscoloniales/descoloniales presentada por el sociólogo peruano Aníbal Quijano que ganó proyección dando énfasis justamente a la continuación de los patrones coloniales en la toma de decisiones, después del cierre del proceso histórico y formal del colonialismo político. Entre los distintos puntosanalizados, uno de los cuales emergen con mayor énfasis en la comprensión de la colonialidad del poder es el que oculta detrás de la idea de nación, el fundamento de los proyectos políticos que apoyan al Estado en diferentes contextos. Se entiende, por lo tanto, que sin una profunda deconstrucción (histórica, epistemológica y ontológica) de la nación, que se construyó de acuerdo a la forma establecida por el colonialismo interno y sus vínculos con el sistema-mundo occidental y capitalista dominante, los debates en torno del Estado, en las antiguas colonias europeas hoy "emancipadas" en América Latina, tienden a limitarse a los aspectos superficiales, sin tocar la lógica colonial de exclusión. Hay, todavía, experiencias protagonizadas por los pueblos indígenas de ambos países hacia la construcción de otros paradigmas de políticas públicas
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A partir de recientes trabajos de campo dedicados a entender la relación entre las comunidades indígenas y las instituciones del Estado en Brasil y Bolivia, se intenta examinar con mayor profundidad los modos de operación, la reproducción y, en especial, la legitimación de la llamada colonialidad del poder - categoría de los estudios poscoloniales/descoloniales presentada por el sociólogo peruano Aníbal Quijano que ganó proyección dando énfasis justamente a la continuación de los patrones coloniales en la toma de decisiones, después del cierre del proceso histórico y formal del colonialismo político. Entre los distintos puntosanalizados, uno de los cuales emergen con mayor énfasis en la comprensión de la colonialidad del poder es el que oculta detrás de la idea de nación, el fundamento de los proyectos políticos que apoyan al Estado en diferentes contextos. Se entiende, por lo tanto, que sin una profunda deconstrucción (histórica, epistemológica y ontológica) de la nación, que se construyó de acuerdo a la forma establecida por el colonialismo interno y sus vínculos con el sistema-mundo occidental y capitalista dominante, los debates en torno del Estado, en las antiguas colonias europeas hoy "emancipadas" en América Latina, tienden a limitarse a los aspectos superficiales, sin tocar la lógica colonial de exclusión. Hay, todavía, experiencias protagonizadas por los pueblos indígenas de ambos países hacia la construcción de otros paradigmas de políticas públicas
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This work reports on the growth by molecular beam epitaxy and characterization of InN/InGaN multiple quantum wells (MQWs) emitting at 1.5 μm. X-ray diffraction (XRD) spectra show satellite peaks up to the second order. Estimated values of well (3 nm) and barrier (9 nm) thicknesses were derived from transmission electron microscopy and the fit between experimental data and simulated XRD spectra. Transmission electron microscopy and XRD simulations also confirmed that the InGaN barriers are relaxed with respect to the GaN template, while the InN MQWs grew under biaxial compression on the InGaN barriers. Low temperature (14 K) photoluminescence measurements reveal an emission from the InN MQWs at 1.5 μm. Measurements as a function of temperature indicate the existence of localized states, probably due to InN quantum wells’ thickness fluctuations as observed by transmission electron microscopy.
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We present a study of the optical properties of GaN/AlN and InGaN/GaN quantum dot (QD) superlattices grown via plasma-assisted molecular-beam epitaxy, as compared to their quantum well (QW) counterparts. The three-dimensional/two-dimensional nature of the structures has been verified using atomic force microscopy and transmission electron microscopy. The QD superlattices present higher internal quantum efficiency as compared to the respective QWs as a result of the three-dimensional carrier localization in the islands. In the QW samples, photoluminescence (PL) measurements point out a certain degree of carrier localization due to structural defects or thickness fluctuations, which is more pronounced in InGaN/GaN QWs due to alloy inhomogeneity. In the case of the QD stacks, carrier localization on potential fluctuations with a spatial extension smaller than the QD size is observed only for the InGaN QD-sample with the highest In content (peak emission around 2.76 eV). These results confirm the efficiency of the QD three-dimensional confinement in circumventing the potential fluctuations related to structural defects or alloy inhomogeneity. PL excitation measurements demonstrate efficient carrier transfer from the wetting layer to the QDs in the GaN/AlN system, even for low QD densities (~1010 cm-3). In the case of InGaN/GaN QDs, transport losses in the GaN barriers cannot be discarded, but an upper limit to these losses of 15% is deduced from PL measurements as a function of the excitation wavelength.
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Group IV nanostructures have attracted a great deal of attention because of their potential applications in optoelectronics and nanodevices. Raman spectroscopy has been extensively used to characterize nanostructures since it provides non destructive information about their size, by the adequate modeling of the phonon confinement effect. The Raman spectrum is also sensitive to other factors, as stress and temperature, which can mix with the size effects borrowing the interpretation of the Raman spectrum. We present herein an analysis of the Raman spectra obtained for Si and SiGe nanowires; the influence of the excitation conditions and the heat dissipation media are discussed in order to optimize the experimental conditions for reliable spectra acquisition and interpretation.
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ZnO single nanowire photodetectors have been measured in different ambient conditions in order to understand and control adsorption processes on the surface. A decrease in the conductivity has been observed as a function of time when the nanowires are exposed to air, due to adsorbed O2/H2O species at the nanowire surface. In order to have a device with stable characteristics in time, thermal desorption has been used to recover the original conductivity followed by PMMA coating of the exposed nanowire surface.
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GaN/InGaN nanorods have attracted much scientific interest during the last decade because of their unique optical and electrical properties [1,2]. The high crystal quality and the absence of extended defects make them ideal candidates for the fabrication of high efficiency opto-electronic devices such as nano-photodetectors, light-emitting diodes, and solar cells [1-3]. Nitrides nanorods are commonly grown in the self-assembled mode by plasma-assisted molecular beam epitaxy (MBE) [4]. However, self-assembled nanorods are characterized by inhomogeneous heights and diameters, which render the device processing very difficult and negatively affect the electronic transport properties of the final device. For this reason, the selective area growth (SAG) mode has been proposed, where the nanorods preferentially grow on pre-defined sites on a pre-patterned substrate [5].
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This paper presents a high-power high efficiency PA design method using load pull technique. Harmonic impedance control at the virtual drain is accomplished through the use of tunable pre-matching circuits and modeling of package parasitics. A 0.5 µm GaN high electron mobility transistor (HEMT) is characterized using the method, and loadpull measurements are simulated illustrating the impact of varying 2nd and 3rd harmonic termination. These harmonic terminations are added to satisfy conditions for class-F load pull. The method is verified by design and simulation of a 40-W class-F PA prototype at 1.64 GHz with 76% drain efficiency and 10 dB gain (70% PAE).
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A system to evaluate nanoparticles efficiency in hyperthermia applications is presented. The method allows a direct measurement of the power dissipated by the nanoparticles through the determination of the first harmonic component of the in quadrature magnetic moment induced by the applied field. The magnetic moment is measured by using an induction method. To avoid errors and reduce the noise signal a double in phase demodulation technique is used. To test the system viability we have measured nanowires, nanoparticles and copper samples of different volumes to prove by comparing experimental and modeled results