Optical Pr operties of GaNAs and GaAsSb Semiconductors

Under short pulse laser excitation, it has been observed, for the first time, a new high-energy photoluminescence emission from GaNx As1- x/GaAs SQWs. This new emission has totally different optical properties compared with the localized exciton transition in GaNx As1-x, and is attributed to the recombination of delocalized excitons in QWs. At the same time, a competition process between localized and delocalized exciton emissions in GaNx As1-x/GaAs quantum wells is observed in the temperaturedependent PL spectra under the short pulse excitation. This competition process for the first time, reveals the physical origin of the temperature-induced S-shaped PL peak shift, which was often reported in the disordered alloy semiconductor system under continuous-wave excitation and puzzled people for a long time. We have also investigated a set of GaNx As1- x samples with small nitrogen composition( x ＜ 1% )by PL, and time-resolved PL. After the PL dependence on temperature and excitation power and PL dynamics were measured, the new PL peak was identified as an intrinsic transition of alloy, rather than N-related bound states. This is the first observation in PL, showing that alloy state exists in GaNx As1- x materials even when N composition is smaller than 0.1%. Finally by selective excitation,both type-Ⅰ and type-Ⅱ transitions were observed simultaneously in GaAs1-xSbx/GaAs SQWs for the first time.

双奇核~(140)Pr的高自旋态能级纲图

通过130 Te(14 N ,4n)反应首次对双奇核14 0 Pr进行了在束γ谱学研究 .在实验中进行了γ射线的激发函数、γ射线单谱和γ γ t符合测量 .建立了激发能达 4 717.3keV的14 0 Pr的能级纲图 ,其中包括新发现的 4 2条γ射线和新建立的 2 7个能级 .基于实验测量的γ跃迁各向异性度 ,建议了14 0 Pr部分能级的自旋值 .根据14 0 Pr附近同位素核结构的系统性 ,对部分能级的准粒子组态作了定性的讨论 .

~(133)Sm的(EC+β~+)衰变和~(133)Pr的1.1s同质异能态

通过96 Ru( 4 0 Ca ,ln2p)反应 ,采用氦喷嘴带传输系统和X γ与γ γ符合测量方法 ,首次建议了133Sm的简单的 (EC + β+)衰变纲图 .由于Ru靶中含有98— 10 2 Ru的成分 ,同时产生了133Pr,并首次测定了133Pr的 1 1 / 2 - 同质异能态的寿命为( 1 .1± 0 .2 )s.用单粒子模型提取了131,133,135 ,137Pr的 1 1 / 2 - 同质异能态的约化跃迁几率的实验值 ,并与Weisscopf近似估计进行了比较 .

在相对论平均场框架下Pr同位素链中滴线核的确定

在相对论平均场框架下研究了Pr同位素链中中子和质子滴线核的可能位置及相关性质 .对效应的处理采用了BCS方法 ,并使用了与同位素有关的对力常数 ,对不成对的核子采用了‘阻塞法’ ,考虑了核的轴对称形变 .计算结果表明 ,对不同物理量的研究都可得到185 Pr为同位素链中丰中子边最后一个稳定核 .而在丰质子边 ,采用本方法很难确定质子滴线核的位置 .原因是由于在丰质子边随着A的减少 ,费米面比丰中子边的费米面更快地趋于连续态 ,BCS方法不再成立 ,并须考虑束缚态和连续态的耦合 .

缺中子~(130)Pm和~(128)Pr核的EC/β~+衰变研究

171MeV 36Ar束轰击96Ru靶由熔合蒸发反应生成了130 Pm和12 8Pr核 .由氦喷嘴快速带传输系统将反应产物送到低本底区 .基于X γ t,γ γ t符合测量 ,首次建立了130 Pm的 (EC + β+)衰变纲图 .重新研究了12 8Pr核的衰变 ,订正和补充了γ射线 ,建立了新的 (EC + β+)衰变纲图

在相对论平均场框架下Pr同位素链的基态性质

在相对论平均场框架下研究了Pr同位素链的基态性质 .对关联的处理采用了BCS方法 ,并使用了与同位旋有关的对力常数 ,对不成对的核子采用了‘阻塞法’ ,并考虑了核的轴对称形变 .计算结果表明 ,包含非线性介子自相互作用的相对论平均场理论可以在很大的同位旋范围内很好地描述Pr同位素链的结合能、形变、中 (质 )子密度分布、同位素位移等 .理论计算的结果与有限力程小液滴模型的结果符合得很好 .特别检验了描述对关联的BCS近似在Pr链的适用范围和适用的程度