986 resultados para dot-ELISA
Resumo:
El volumen que reseñamos constituye las ACTAS de las XXIII Jornadas Nacionales de Literatura Francesa y Francófona que se llevaron a cabo en Mendoza, en la sede de la Facultad de Filosofía y Letras de la U.N.Cuyo, los días 27, 28 y 29 de mayo de 2010.
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Fil: Recalde, Iciar. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Humanidades y Ciencias de la Educación; Argentina.
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Así como la Historia reconoce a Entre Ríos como cuna de la colonización, es también en esta provincia donde desde el comienzo del siglo XX se desarrolla el cooperativismo agrario que presta importantes servicios al asociado en materia de abastecimiento, comercialización y transformación. Prestación que se traduce en un uso más racional de la tierra, un mayor volumen de negocios, el mejoramiento en la calidad del producto, la utilización eficiente del capital, el aumento de la demanda por la ampliación de los mercados y la introducción de servicios que cada agricultor por si sólo no podría alcanzar. El presente artículo se propone analizar la trayectoria de una cooperativa arrocera -fundada en la década de 1970- ubicada en la localidad entrerriana de Villa Elisa que en mayor o menor media ha ido cumpliendo con esas prestaciones y que hoy se posiciona como el tercer exportador nacional de arroz y el primero de gestión cooperativa. Más allá de las cuestiones económicas, se prestará especial atención a la articulación interinstitucional de la empresa y a los cambios introducidos a nivel organizacional
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Fil: Recalde, Iciar. Universidad Nacional de La Plata. Facultad de Humanidades y Ciencias de la Educación; Argentina.
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Así como la Historia reconoce a Entre Ríos como cuna de la colonización, es también en esta provincia donde desde el comienzo del siglo XX se desarrolla el cooperativismo agrario que presta importantes servicios al asociado en materia de abastecimiento, comercialización y transformación. Prestación que se traduce en un uso más racional de la tierra, un mayor volumen de negocios, el mejoramiento en la calidad del producto, la utilización eficiente del capital, el aumento de la demanda por la ampliación de los mercados y la introducción de servicios que cada agricultor por si sólo no podría alcanzar. El presente artículo se propone analizar la trayectoria de una cooperativa arrocera -fundada en la década de 1970- ubicada en la localidad entrerriana de Villa Elisa que en mayor o menor media ha ido cumpliendo con esas prestaciones y que hoy se posiciona como el tercer exportador nacional de arroz y el primero de gestión cooperativa. Más allá de las cuestiones económicas, se prestará especial atención a la articulación interinstitucional de la empresa y a los cambios introducidos a nivel organizacional
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Así como la Historia reconoce a Entre Ríos como cuna de la colonización, es también en esta provincia donde desde el comienzo del siglo XX se desarrolla el cooperativismo agrario que presta importantes servicios al asociado en materia de abastecimiento, comercialización y transformación. Prestación que se traduce en un uso más racional de la tierra, un mayor volumen de negocios, el mejoramiento en la calidad del producto, la utilización eficiente del capital, el aumento de la demanda por la ampliación de los mercados y la introducción de servicios que cada agricultor por si sólo no podría alcanzar. El presente artículo se propone analizar la trayectoria de una cooperativa arrocera -fundada en la década de 1970- ubicada en la localidad entrerriana de Villa Elisa que en mayor o menor media ha ido cumpliendo con esas prestaciones y que hoy se posiciona como el tercer exportador nacional de arroz y el primero de gestión cooperativa. Más allá de las cuestiones económicas, se prestará especial atención a la articulación interinstitucional de la empresa y a los cambios introducidos a nivel organizacional
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We present a study of the optical properties of GaN/AlN and InGaN/GaN quantum dot (QD) superlattices grown via plasma-assisted molecular-beam epitaxy, as compared to their quantum well (QW) counterparts. The three-dimensional/two-dimensional nature of the structures has been verified using atomic force microscopy and transmission electron microscopy. The QD superlattices present higher internal quantum efficiency as compared to the respective QWs as a result of the three-dimensional carrier localization in the islands. In the QW samples, photoluminescence (PL) measurements point out a certain degree of carrier localization due to structural defects or thickness fluctuations, which is more pronounced in InGaN/GaN QWs due to alloy inhomogeneity. In the case of the QD stacks, carrier localization on potential fluctuations with a spatial extension smaller than the QD size is observed only for the InGaN QD-sample with the highest In content (peak emission around 2.76 eV). These results confirm the efficiency of the QD three-dimensional confinement in circumventing the potential fluctuations related to structural defects or alloy inhomogeneity. PL excitation measurements demonstrate efficient carrier transfer from the wetting layer to the QDs in the GaN/AlN system, even for low QD densities (~1010 cm-3). In the case of InGaN/GaN QDs, transport losses in the GaN barriers cannot be discarded, but an upper limit to these losses of 15% is deduced from PL measurements as a function of the excitation wavelength.
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The intermediate band solar cell [1] has been proposed as a concept able to substantially enhance the efficiency limit of an ordinary single junction solar cell. If a band permitted for electrons is inserted within the forbidden band of a semiconductor then a novel path for photo generation is open: electron hole pairs may be formed by the successive absorption of two sub band gap photons using the intermediate band (IB) as a stepping stone. While the increase of the photovoltaic (PV) current is not a big achievement —it suffices to reduce the band gap— the achievement of this extra current at high voltage is the key of the IB concept. In ordinary cells the voltage is limited by the band gap so that reducing it would also reduce the band gap. In the intermediate band solar cell the high voltage is produced when the IB is permitted to have a Quasi Fermi Level (QFL) different from those of the Conduction Band (CB) and the Valence Band (VB). For it the cell must be properly isolated from the external contacts, which is achieved by putting the IB material between two n- and p-type ordinary semiconductors [2]. Efficiency thermodynamic limit of 63% is obtained for the IB solar cell1 vs. the 40% obtained [3] for ordinary single junction solar cells. Detailed information about the IB solar cells can be found elsewhere [4].
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With the purpose of assessing the absorption coefficients of quantum dot solar cells, symmetry considerations are introduced into a Hamiltonian whose eigenvalues are empirical. In this way, the proper transformation from the Hamiltonian's diagonalized form to the form that relates it with Γ-point exact solutions through k.p envelope functions is built accounting for symmetry. Forbidden transitions are thus determined reducing the calculation burden and permitting a thoughtful discussion of the possible options for this transformation. The agreement of this model with the measured external quantum efficiency of a prototype solar cell is found to be excellent.
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The effect of quantum dot (QD) size on the performance of quantum dot intermediate band solar cells is investigated. A numerical model is used to calculate the bound state energy levels and the absorption coefficient of transitions from the ground state to all other states in the conduction band. Comparing with the current state of the art, strong absorption enhancements are found for smaller quantum dots, as well as a better positioning of the energy levels, which is expected to reduce thermal carrier escape. It is concluded that reducing the quantum dot size can increase sub-bandgap photocurrent and improve voltage preservation.
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The behavior of quantum dot, quantum wire, and quantum well InAs/GaAs solar cells is studied with a very simplified model based on experimental results in order to assess their performance as a function of the low bandgap material volume fraction fLOW. The efficiency of structured devices is found to exceed the efficiency of a non-structured GaAs cell, in particular under concentration, when fLOW is high; this condition is easier to achieve with quantum wells. If three different quasi Fermi levels appear with quantum dots the efficiency can be much higher.
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Implementation of a high-efficiency quantum dot intermediate-band solar cell (QD-IBSC) must accompany a sufficient photocurrent generation via IB states. The demonstration of a QD-IBSC is presently undergoing two stages. The first is to develop a technology to fabricate high-density QD stacks or a superlattice of low defect density placed within the active region of a p-i-n SC, and the second is to realize half-filled IB states to maximize the photocurrent generation by two-step absorption of sub-bandgap photons. For this, we have investigated the effect of light concentration on the characteristics of QDSCs comprised of multi-layer stacks of self-organized InAs/GaNAs QDs grown with and without impurity doping in molecular beam epitaxy.
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A numerical study is presented of the sub-bandgap interband photon absorption in quantum dot intermediate band solar cells. Absorption coefficients and photocurrent densities are calculated for the valence band to intermediate band transitions using a four-band k · p method. It is found that reducing the quantum dot width in the plane perpendicular to the growth direction increases the photocurrent from the valence band to the intermediate-band ground state if the fractional surface coverage of quantum dots is conserved. This provides a path to increase the sub-bandgap photocurrent in intermediate band solar cells.