呼吸缺陷型酵母菌株的离子束辐射敏感性研究

选取一株由离子束辐照诱变获得的呼吸缺陷型酵母菌株,研究其在不同离子辐照剂量范围的辐射敏感性。结果发现,呼吸缺陷型酵母菌株因其线粒体及线粒体DNA发生突变,在离子束辐照时,在低剂量区域表现出较高辐射敏感性,在高剂量区则表现出对于辐射的抗性。

p53基因转导联合放射治疗恶性肿瘤的研究进展

肿瘤治疗是目前医学研究的重点方向,其方法包括传统的放疗、化疗、手术以及目前热门的各种基因治疗等,各有其优缺点。而p53基因治疗与放射治疗方法的结合越来越受到重视。综述了近年来p53基因转导联合放射治疗恶性肿瘤的研究结果以及可能的作用机理及进展。

H_2O分子在不同电荷态的重离子作用下的离化

利用含时密度泛函理论和局域密度近似方法,计算了H2O分子在速度为12.5a0/fs的重离子C+和C2+作用下产生的各种电荷态的H2O分子离子的几率、平均逃逸电子数和偶极矩的变化随时间的演化。计算结果表明,在重离子势最大时,电偶极矩的变化最大,重离子的电荷态越高,得到高电荷态H2O分子的几率越大;重离子远离分子时,电偶极矩的变化趋于平缓。

~(12)C~(6+)离子诱导TNFα基因在SMMC-7721细胞中的表达

目的用Polyfect转染试剂将重组质粒pEgr-TNFα转染人肝癌细胞SMMC-7721,研究该重组质粒经12C6+离子作用后在细胞中的表达。方法用ELISA方法检测TNFα的蛋白表达,用RT-PCR方法检测TNFα转录水平的变化。结果转染pEgr-TNFα后在SMMC-7721细胞中TNFα的蛋白表达量为2·06ng/ml,2Gy12C6+离子照射后,表达量增高为2·11ng/ml,明显高于未转染组和转染空载体组;RNA转录水平也明显增高,2Gy12C6+离子照射后增高更明显。结论12C6+离子联合重组质粒pEgr-TNFα,在被转染的SMMC-7721细胞中表达量明显增高。

低剂量X射线辐射对BALB/C小鼠免疫系统的影响

为评估低剂量辐射对健康机体产生的生物学风险,检测了低剂量X射线照射对BALB/C小鼠免疫系统的影响。采用X射线全身照射,剂量分别为0、0.39、0.55和1Gy,剂量率为0.2Gy/min,照射24h后取血及器官,用流式细胞仪检测免疫细胞周期和凋亡的变化,用重量法得到胸腺和脾脏指数。发现照射后小鼠的外周血淋巴细胞、胸腺细胞和脾脏淋巴细胞的周期被阻滞在G0—G1期;外周血淋巴细胞和胸腺细胞的凋亡比例随剂量的增大而增大,但是脾脏淋巴细胞的凋亡随着剂量的增大而减小;胸腺和脾脏指数随着剂量的增大而减小。故低剂量X射线全身照射可引起试验动物的免疫细胞周期和凋亡比例发生变化,对其造成一定的损伤;对小鼠免疫系统的影响因器官而异。本实验可为辐射防护提供实验依据。

高电荷态离子~(207)Pb~(36+)与金属Nb表面作用产生的二次离子产额

本文报道了利用兰州重离子加速器国家实验室的ECR离子源引出的高电荷态离子207Pb36+入射到金属Nb表面产生的二次离子的实验测量结果.实验发现,二次离子产额Y随入射初动能Ek的增加有先增加后减小的关系,在初动能为576 keV时二次离子产额达到最大.通过对实验点做高斯拟合发现,曲线峰值对应的入射初动能为602 keV.分析表明,这是势能沉积作用与线性级联碰撞过程协同作用的结果.高电荷态离子本身携带的高势能沉积在靶表面引起势能溅射,促进了二次离子的发射;而主导二次离子溅射的过程是动能溅射,它与靶表面的动量沉积(核能损)过程密切相关.

超高真空系统内Mn-Zn铁氧体材料的表面保护及清洁方法研究

分别对测试系统本底及经两种方法处理的M n-Zn铁氧体样品进行了测试,分析其主要的出气成分,计算出处理后的样品材料出气率。通过测试与分析,得出了对置于超高真空环境内的M n-Zn铁氧体材料表面的保护和清洁方法。

超重元素合成实验靶室及转靶装置

文章介绍兰州重离子加速器放射性次级束流线(RIBLL)的超重元素合成实验靶室和转靶系统,并对改进的真空密封磁耦合传动机械作简单描述。转靶系统采用可程序控制的无级变速电机、真空密封磁流体耦合和特殊皮带传动机构,使得靶盘转速在0~600 r/min范围内可调,靶盘边缘摆幅<0.2 mm。

改进的激光多步共振电离实验技术

描述了一套改进了的利用于激光多步共振电离谱学研究的实验装置和技术。在此技术中,利用加热蒸发的方式产生高温难熔元素的原子流;对激光功率和中性原子流进行实时监测,对测量结果作归一化处理;采用V-F变换器对堆积了的光信号和离子信号作瞬时变换,企图得到堆积的事件个数;CAMAC多道定标获取系统与其联合操作实现原子流强度、共振电离生成的离子数和激光功率等参数的同步获取。通过离线数据分析,能够得到更精确的实验数据。

AT91RM9200与Compact Flash接口电路及其驱动程序设计

介绍了基于ARM920T内核的AT91RM9200处理器与Compact Flash卡的接口电路以及Compact Flash卡驱动程序的编写、调试.提出了一种适合数据流量大、实时性能要求高的现场实时数据采集、事后PC机做分析处理的实时数据采集系统。

两种在HIRFL-CSR中使用的光纤通信适配器

介绍了两种针对HIRFL-CSR控制特点,自主开发设计的光纤通信适配器。包括设计思路、工作原理、硬件组成及应用范围。如何利用这两种光纤适配器远程控制具备RS232或RS485接口的仪器设备。在工程中应用这两种适配器和光纤替代RS485总线解决了通信干扰问题,满足了工程控制要求。

缺中子~(176)Ir核β~+／EC衰变研究

在210MeV的束流能量下,利用重离子熔合蒸发反应146Nd(35Cl,5nγ)176Ir产生具有β+／EC衰变性质的核素176Ir,由氦喷嘴快速带传输系统将反应产物传送到低本底区进行测量．经过实验数据的离线处理分析,对早先发表的176Ir衰变γ跃迁进行确认的同时又发现了3个新能级和10条新的γ射线, 丰富了176Os核的低位激发态能级纲图．并根据典型γ射线的衰变时间谱建议了176Ir核的一个长寿命的低自旋同核异能态．

推广的液滴模型对超重核~(288)115及其α衰变链性质的研究

运用推广的液滴模型来确定新核素288115及其α衰变链上核的衰变位垒,采用量子力学中处理α衰变的WKB方法,对该链上各原子核的α衰变半寿命进行了研究．计算结果表明推广的液滴模型结合WKB方法可以很好地在超重区符合α衰变半寿命的实验值．同时把推广的液滴模型的计算结果和采用密度相关的M3Y微观核力的结果做了详细的比较,宏观模型(推广的液滴模型)和微观模型(密度相关的M3Y微观核力)计算的α衰变半寿命以及实验值三者之间的符合是对新核288115及其α衰变链上核半寿命很好的检验．

基于MSP430F149型单片机的智能温度控制系统

介绍了以MSP430F149单片机为核心的一个智能温度控制系统。介绍了如何利用MSP430F149本身的优点并结合相关的外部电路实现键盘输入、实时监测、自动温度控制和调节的控制系统的方法。重点阐述了系统的硬件构成、各部分的主要作用及系统软件的设计过程。由于本模块对输入量同时采用硬件和软件的非线性补偿,故具有精度高、可靠性较好、电路简单、成本低、体积小、生产调试方便等特点。

在pA碰撞中K~±,η和ф介子的阈下产生

简要评述了在pA碰撞过程中K±,η和ф介子的阈下产生及其对应的物理含义。这些介子的阈下产生都可以在兰州CSR上实现,特别是通过pA碰撞实现ф介子的阈下产生还没有看到实验数据的报道。