Extensão universitária: caminhos para o desenvolvimento de ações emancipadoras nas comunidades em vulnerabilidade social

Uma das principais discussões na dimensão social perpassa sobre o tema emancipação social, o que na concepção de Santos (2007, p.17) é um conceito absolutamente central na modernidade. Estudos que venham revelar as evidências emancipadoras por meio das práticas de projetos sociais são relevantes socialmente e representam alternativas de intervenção social. A tese central é a de que os projetos de intervenção social em áreas de vulnerabilidade social propiciam a emancipação dos atores locais. Este estudo se justifica pela necessidade de compreender como são construídas essas redes de intervenção social que atuam em comunidades pobres. Os objetivos do estudo foram: i) verificar as possibilidades de emancipação que se associam às políticas e práticas de extensão universitária; ii) identificar as representações de mulheres sobre o tempo que destinam a esperar os filhos que participam de atividades em uma Vila Olímpica; iii) analisar os objetivos e ações que mobilizaram a Central Única das Favelas (CUFA), com atenção na fundação e sua trajetória, do Street Basket das Favelas, em 2005, à competição Taça das Favelas, em 2011; iv) identificar o conteúdo das representações sociais (RS) acerca da participação de jovens adolescentes na Taça das Favelas. Para a realização dos estudos, adotou-se a abordagem qualitativa. No primeiro estudo utilizou-se a metodologia da análise documental para seleção dos documentos e análise de conteúdo de Bardin (2009) para identificação das categorias a serem analisadas. Definimos um marco referencial básico a partir das reflexões de Boaventura de Sousa Santos e Paulo Freire para conceituar a extensão e emancipação social. Os tópicos contemplados na análise se desdobraram em três questões: qual a concepção de extensão universitária está presente nos documentos institucionais; de que forma a universidade promove a articulação com o território; como se dá a prática da extensão universitária na UNISUAM. Os resultados da análise evidenciaram processos emancipadores nas práticas extensionistas. O segundo estudo é de natureza etnográfica, com aportes da etnometodologia e da pesquisa-ação colaborativa. O grupo pesquisado se caracteriza por mulheres que frequentam a Vila Olímpica do Complexo do Alemão. Os resultados em relação à representação das mulheres sobre o tempo que esperam os filhos revelaram que é um tempo para a aprendizagem. O terceiro estudo é sobre o papel da CUFA na cultura hip hop no basquetebol, no Rio de Janeiro e na Taça das Favelas, uma competição de futebol de campo entre 80 seleções, com jovens moradores das favelas. O estudo seguinte é sobre representações sociais acerca da participação de jovens adolescentes na Taça das Favelas. Os dados provêm de entrevista semiestruturada com 11 jogadores da Taça das Favelas.

Ramp oxide termination structure using high-k dielectrics for high voltage diamond Schottky diodes

The promising theoretical properties of diamond, together with the recent advances in producing high-quality single crystal diamond substrates, have increased the interest in using diamond in power electronic devices. This paper presents numerical and experimental off-state results for a diamond Schottky barrier diode (SBD), one of most studied unipolar devices in diamond. Finding a suitable termination structure is an essential step towards designing a high voltage diamond device. The ramp oxide structure shows very encouraging electronic performance when used to terminate diamond SBDs. High-k dielectrics are also considered in order to further improve the reliability and electrical performance of the structure. © 2007 Elsevier B.V. All rights reserved.

Impact of high-k dielectrics on breakdown performances of SiC and diamond Schottky diodes

This paper presents a comparison between SiC and diamond Schottky barrier diodes using the oxide ramp termination. The influences of the dielectric thickness and relative permittivity on the diode's electrical performance are investigated. Typical commercial drift layer parameters are used for this study. The extension of the space charge area throughout the drift region and the current distribution at breakdown are shown. The efficiency of the termination is also evaluated for both SiC and diamond diodes. © (2009) Trans Tech Publications, Switzerland.

Trapped charge dynamics in a sol-gel based TiO(2) high- k gate dielectric silicon metal-oxide-semiconductor field effect transistor.

We have studied the response of a sol-gel based TiO(2), high k dielectric field effect transistor structure to microwave radiation. Under fixed bias conditions the transistor shows frequency dependent current fluctuations when exposed to continuous wave microwave radiation. Some of these fluctuations take the form of high Q resonances. The time dependent characteristics of these responses were studied by modulating the microwaves with a pulse signal. The measurements show that there is a shift in the centre frequency of these high Q resonances when the pulse time is varied. The measured lifetime of these resonances is high enough to be useful for non-classical information processing.