Current transport and electroluminescence mechanisms in thin SiO2 films containing Si nanocluster-sensitized erbium ions.

We have studied the current transport and electroluminescence properties of metal oxide semiconductor MOS devices in which the oxide layer, which is codoped with silicon nanoclusters and erbium ions, is made by magnetron sputtering. Electrical measurements have allowed us to identify a Poole-Frenkel conduction mechanism. We observe an important contribution of the Si nanoclusters to the conduction in silicon oxide films, and no evidence of Fowler-Nordheim tunneling. The results suggest that the electroluminescence of the erbium ions in these layers is generated by energy transfer from the Si nanoparticles. Finally, we report an electroluminescence power efficiency above 10−3%. © 2009 American Institute of Physics. doi:10.1063/1.3213386

Electron tunneling in heavily In-doped polycrystalline CdS films

The electrical properties of heavily In‐doped polycrystalline CdS films have been studied as a function of the doping level. The films were prepared by vacuum coevaporation of CdS and In. Conductivity and Hall measurements were performed over the temperature range 77-400 K. The conductivity decreases weakly with the temperature and shows a tendency towards saturation at low temperatures. A simple relationship σ=σ0(1+βT2) is found in the low‐temperature range. The temperature dependence of the mobility is similar to that of the conductivity since the Hall coefficient is found to be a constant in the whole temperature range. We interpret the experimental results in terms of a modified version of grain‐boundary trapping Seto"s model, taking into account thermionic emission and tunneling of carriers through the potential barriers. The barriers are found to be high and narrow, and tunneling becomes the predominating transport mechanism.

Properties of amorphous silicon thin films grown in square wave modulated silane rf discharges.

Hydrogenated amorphous silicon (a‐Si:H) thin films have been obtained from pure SiH4 rf discharges by using the square wave modulation (SQWM) method. Film properties have been studied by means of spectroellipsometry, thermal desorption spectrometry, photothermal deflection spectroscopy and electrical conductivity measurements, as a function of the modulation frequency of the rf power amplitude (0.2-4000 Hz). The films deposited at frequencies about 1 kHz show the best structural and optoelectronic characteristics. Based upon the experimental results, a qualitative model is presented, which points up the importance of plasma negative ions in the deposition of a‐Si:H from SQWM rf discharges through their influence on powder particle formation.

Highly textured Sr, Nb, co-doped BiFeO3 thin films grown on SrRuO3/Si substrates by rf-sputtering

In this study, (011)-highly oriented Sr, Nb co-doped BiFeO3 (BFO) thin films were successfully grown on SrRuO3/Si substrates by rf-magnetron sputtering. The presence of parasite magnetic phases was ruled out based on the high resolution x-ray diffraction data. BFO films exhibited a columnar-like grain growth with rms surface roughness values of 5.3 nm and average grain sizes of 65-70 nm for samples with different thicknesses. Remanent polarization values (2Pr) of 54 lC cm 2 at room temperature were found for the BFO films with a ferroelectric behavior characteristic of an asymmetric device structure. Analysis of the leakage mechanisms for this structure in negative bias suggests Schottky injection and a dominant Poole-Frenkel trap-limited conduction at room temperature. Oxygen vacancies and Fe3þ/Fe2þ trap centers are consistent with the surface chemical bonding states analysis from x-ray photoelectron spectroscopy data. The (011)-BFO/ SrRuO3/Si film structure exhibits a strong magnetic interaction at the interface between the multiferroic film and the substrate layer where an enhanced ferromagnetic response at 5 K was observed. Zero-field cooled (ZFC) and field cooled (FC) magnetization curves of this film system revealed a possible spin glass behavior at spin freezing temperatures below 30 K depending on the BFO film thickness.

The valence band alignment at ultrathin SiO2/Si interfaces

High resolution x-ray photoelectron spectroscopy has been used to determine the valence band alignment at ultrathin SiO2/Si interfaces. In the oxide thickness range 1.6-4.4 nm the constant band-offset values of 4.49 and 4.43 eV have been obtained for the dry SiO2/Si(100) and the wet SiO2/Si(100) interfaces, respectively. The valence band alignment of dry SiO2/Si(111) (4.36 eV) is slightly smaller than the case of the dry SiO2/Si(100) interface.

Resistance Switching in Transparent Magnetic MgO Films

We have studied the abrupt and hysteretic changes of resistance in MgO-based capacitor devices. The switching behavior is discussed in terms of the formation and rupture of conduction filaments due to the migration of structural defects in the electric field, together with the redox events which affects the mobile carriers. The results presented in this paper suggest that MgO transparent films combining ferromagnetism and multilevel switching characteristics might pave the way for a new method for spintronic multibit data storage.

Multilayer switch hardware support for Linux

VDSL on teknologia, joka mahdollistaa nopeat Internet-yhteydet tavallista puhelinlinjaa käyttäen. Tätä varten käyttäjä tarvitsee VDSL-modeemin ja Internet-operaattori reitittimen, johon VDSL-linjat kytketään. Reitittimen on oltava suorituskykyinen, jotta kaikki VDSL-liikenne voidaan reittittää eteenpäin. Tehokkuutta haetaan tekemällä suuri osa reitityksestä erityisillä reititinpiireillä. Tässä diplomityössä käsitellään reititinpiirien teoriaa ja niiden hallintaa. Lisäksi vertailtiin kolmen suuren valmistajan tuotteita. Tuotteiden tarjoamat ominaisuudet vaikuttivat hyvin yhteneväisiltä. Ominaisuuksien hallinta ja toteutus olivat erilaisia. Työn tavoitteena oli löytää ohjelmistoarkkitehtuuri piirien ohjaamiseen niin, että Linux-käyttöjärjestelmän ytimen palveluja voitaisiin käyttää mahdollisimman hyödyllisesti. Työssä havaittiin, että ohjelmistoarkkitehtuurin voi määritellä monella eri tavalla riippuen siitä, miten piiri on kytketty prosessoriin, mitä piirin ominaisuuksia halutaan käyttää ja miten arkkitehtuuria halutaan jatkossa laajentaa.

Object-Oriented Modelling of Multilayer Networks

Tämä diplomityökuuluu tietoliikenneverkkojen suunnittelun tutkimukseen ja pohjimmiltaan kohdistuu verkon mallintamiseen. Tietoliikenneverkkojen suunnittelu on monimutkainen ja vaativa ongelma, joka sisältää mutkikkaita ja aikaa vieviä tehtäviä. Tämä diplomityö esittelee ”monikerroksisen verkkomallin”, jonka tarkoitus on auttaa verkon suunnittelijoita selviytymään ongelmien monimutkaisuudesta ja vähentää verkkojen suunnitteluun kuluvaa aikaa. Monikerroksinen verkkomalli perustuu yleisille objekteille, jotka ovat yhteisiä kaikille tietoliikenneverkoille. Tämä tekee mallista soveltuvan mielivaltaisille verkoille, välittämättä verkkokohtaisista ominaisuuksista tai verkon toteutuksessa käytetyistä teknologioista. Malli määrittelee tarkan terminologian ja käyttää kolmea käsitettä: verkon jakaminen tasoihin (plane separation), kerrosten muodostaminen (layering) ja osittaminen (partitioning). Nämä käsitteet kuvataan yksityiskohtaisesti tässä työssä. Monikerroksisen verkkomallin sisäinen rakenne ja toiminnallisuus ovat määritelty käyttäen Unified Modelling Language (UML) -notaatiota. Tämä työ esittelee mallin use case- , paketti- ja luokkakaaviot. Diplomityö esittelee myös tulokset, jotka on saatu vertailemalla monikerroksista verkkomallia muihin verkkomalleihin. Tulokset osoittavat, että monikerroksisella verkkomallilla on etuja muihin malleihin verrattuna.

Hermetic sealing of food packaging trays

Suojakaasupakkaaminen on lisääntynyt voimakkaasti viime vuosina elintarvikkeiden pakkaamisessa sillä pakkaamalla elintarvike suojakaasuun voidaan sen hyllyikää pidentää ilman säilöntäaineita. Tällainen pakkaaminen vaatii kuitenkin täysin kaasutiiviin pakkauksen, jonka kaasunläpäisevyys on myös alhainen. Yleisimmin käytetyt pakkausmateriaalit suojakaasupakkaamisessa ovat monikerroksiset muovimateriaalit, joissa yhdistyy monen eri muovin parhaimmat ominaisuudet. Yleisimmin käytettyjä muovilaatuja näissä monikerrosrakenteissa ovat PE, PET, PA ja EVOH polymeerit. Myös muita perinteisiä polymeerejä käytetään jonkin verran näissä rakenteissa. Uudemmat muovilaadut, kuten biohajoavat muovit, eivät ole vielä yleistyneet kaupallisessa käytössä pääasiallisesti niiden korkean hinnan vuoksi. Muovisten pakkausten korvaamista esimerkiksi muovipäällystetyillä kartonkipakkauksilla on viime vuosien aikana tutkittu enenevissä määrin. Muovipakkausten korvaamista helpommin kierrätettävillä ja mahdollisesti biohajoavilla materiaaleilla edistävät EU:n direktiivit, jotka käsittelevät pakkausjätteen käsittelyä. Kartonkivuokien saumaamista kaasutiiviisti tutkittiin myös tässä työssä. Tavoitteena oli löytää pakkaus, joka soveltuisi kanasuikaleiden pakkaamiseen suojakaasuun. Kana on herkkä mikrobiologiselle hajoamiselle, minkä johdosta se tulee pakata suojakaasuun jossa happipitoisuuden tulee olla alle 1 % pakkauspäivästä viimeiseen käyttöpäivään saakka. Suorittamalla erilaisia tiiveystutkimuksia voitiin osoittaa, että kartonkivuoka on mahdollista saumata kaasutiiviisti luotettavalla tavalla. Tämä vaatii kuitenkin kartonkivuokien valmistuksen optimoimista päällystemuovikerroksen ja kartongin paksuuden mukaan sekä kannen saumaamista optimoiduilla saumausparametreilla. Tiivein vuoka saavutettiin muovifilmikannella, jonka saumaus perustui samaan muoviin kuin vuoan saumaus. Polyeteenillä saavutettiin tiivein ja kestävin saumaustulos.

Surface passivation of crystalline silicon by Cat-CVD amorphous and nanocrystalline thin silicon films

In this work, we study the electronic surface passivation of crystalline silicon with intrinsic thin silicon films deposited by Catalytic CVD. The contactless method used to determine the effective surface recombination velocity was the quasi-steady-state photoconductance technique. Hydrogenated amorphous and nanocrystalline silicon films were evaluated as passivating layers on n- and p-type float zone silicon wafers. The best results were obtained with amorphous silicon films, which allowed effective surface recombination velocities as low as 60 and 130 cms -1 on p- and n-type silicon, respectively. To our knowledge, these are the best results ever reported with intrinsic amorphous silicon films deposited by Catalytic CVD. The passivating properties of nanocrystalline silicon films strongly depended on the deposition conditions, especially on the filament temperature. Samples grown at lower filament temperatures (1600 °C) allowed effective surface recombination velocities of 450 and 600 cms -1 on n- and p-type silicon.

Cationic and charge segregation in La2/3Ca1/3MnO3 thin films grown on (001) and (110) SrTiO3.

Electron energy-loss spectroscopy is used to map composition and electronic states in epitaxial La2/3Ca1/3MnO3 films grown on SrTiO3 001 and 110 substrates. It is found that in partially relaxed 110 films cationic composition and valence state of Mn3+/4+ ions are preserved across the film thickness. In contrast, in fully strained 001 films, the Ca/La ratio gradually changes across the film, being La rich at film/substrate interface and La depleted at free surface; Mn valence state changes accordingly. These observations suggest that a strongly orientation-dependent adaptative composition mechanism dominates stress accommodation in manganite films and provides microscopic understanding of their dissimilar magnetic properties.

Domain matched epitaxial growth of Bi1.5Zn1Nb1.5O7 thin films by pulsed laser deposition

Bi1.5Zn1Nb1.5O7 (BZN) epitaxial thin films were grown by pulsed laser deposition on Al2O3 with a double ZnO buffer layer through domain matching epitaxy (DME) mechanism. The pole figure analysis and reciprocal space mapping revealed the single crystalline nature of the thin film. The pole figure analysis also shows a 60º twinning for the (222) oriented crystals. Sharp intense spots in the SAED pattern also indicate the high crystalline nature of BZN thin film. The Fourier filtered HRTEM images of the BZN-ZnO interface confirms the domain matched epitaxy of BZN with ZnO buffer. An electric field dependent dielectric tunability of 68% was obtained for the BZN thin films with inter digital capacitors patterned over the film.

Magnetic properties of an Fe/Cu granular multilayer

A Cu/Fe granular film, formed from a multilayer film and composed of particles of Fe imbedded in Cu, has had several of its important properties investigated. Measurements include ferromagentic resonance, magnetoresistance, Mössbauer effect, magnetic viscosity, and magnetization. The two‐phase behavior of these immiscible alloy systems, and the effect of multilayering on the shape of the magnetic precipitates, can explain some of these properties. An explanation of the ferromagnetic resonance line shape is proffered. An extraordinary macroscopic quantum tunneling effect is found to govern the magnetic relaxation at the lowest temperatures.