999 resultados para Architecture, Gothic.


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O objetivo da presente dissertação consiste em analisar o sublime, um conceito estético que vem sendo estudado desde os primeiros séculos. Tomamos como base a definição do sublime como algo paradoxal que cria o prazer e o medo ao mesmo tempo. Porém, o sublime apresenta especificidades que variam de acordo com o filósofo analisado. Neste trabalho, três críticos foram estudados: Longinus, Edmund Burke e Immanuel Kant. Assim, o sublime pode ser representado através da imensidão da natureza, do poder de uma criatura sobrenatural ou, até mesmo, através da sexualidade feminina. E, com o intuito de exemplificar essas diferentes perspectivas do sublime, buscamos obras da Literatura Gótica. Sendo esta uma vertente literária que buscava a oposição ao racionalismo trazido pelo movimento iluminista, as características sublimes foram essenciais para enfatizar a emoção. Para tal exemplificação, utilizamos trechos de dois romances góticos dos séculos XVIII e XIX, respectivamente: The Monk escrito por Matthew Lewis e Dracula escrito por Bram Stoker

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We propose a novel semiconductor optical amplifier (SOA) based switch architecture for analog applications. Proof-of-principle experiments show that the system is very linear with an SFDR of approximately 100dB·Hz 2/3 for a switching time of 50μs. The port number of this switch is scalable and can be expanded to 80 × 80.

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Surface-architecture-controlled ZnO nanowires were grown using a vapor transport method on various ZnO buffer film coated c-plane sapphire substrates with or without Au catalysts. The ZnO nanowires that were grown showed two different types of geometric properties: corrugated ZnO nanowires having a relatively smaller diameter and a strong deep-level emission photoluminescence (PL) peak and smooth ZnO nanowires having a relatively larger diameter and a weak deep-level emission PL peak. The surface morphology and size-dependent tunable electronic transport properties of the ZnO nanowires were characterized using a nanowire field effect transistor (FET) device structure. The FETs made from smooth ZnO nanowires with a larger diameter exhibited negative threshold voltages, indicating n-channel depletion-mode behavior, whereas those made from corrugated ZnO nanowires with a smaller diameter had positive threshold voltages, indicating n-channel enhancement-mode behavior.