Handbuch der spectroscopie,

Mode of access: Internet.

Caractérisation des ataxies hérédodégénératives par spectroscopie de résonance magnétique nucléaire in vivo

Mémoire numérisé par la Direction des bibliothèques de l'Université de Montréal.

Spectroscopie par résonance magnétique des tumeurs cérébrales chez le chien

Mémoire numérisé par la Direction des bibliothèques de l'Université de Montréal.

Recherche de marqueurs de l'hépatite C en imagerie et spectroscopie par résonance magnétique

Mémoire numérisé par la Direction des bibliothèques de l'Université de Montréal.

Caractérisation des ataxies hérédodégénératives par spectroscopie de résonance magnétique nucléaire in vivo

Mémoire numérisé par la Direction des bibliothèques de l'Université de Montréal.

Spectroscopie par résonance magnétique des tumeurs cérébrales chez le chien

Mémoire numérisé par la Direction des bibliothèques de l'Université de Montréal.

Recherche de marqueurs de l'hépatite C en imagerie et spectroscopie par résonance magnétique

Mémoire numérisé par la Direction des bibliothèques de l'Université de Montréal.

Origine de la réduction de la durée de vie des photoporteurs dans le InGaAsP implanté à basse température

Un matériau semi-conducteur utilisé lors de la fabrication d’antennes térahertz (THz), le quaternaire InGaAsP (E_g = 0,79 eV), subit une implantation ionique de Fe suivi d’un recuit thermique rapide (RTA) dans le but d’améliorer ses propriétés d’émission. Le recuit est nécessaire afin de recristalliser la couche amorphisée lors de l’implantation, donnant lieu à un polycristal rempli de défauts de recristallisation. On constate cependant que les matériaux implantés Fe offrent de meilleures performances que ceux simplement endommagés au Ga. Dans le but de départager l’effet des défauts de recristallisation et des impuretés de Fe, des mesures de spectroscopie transitoire des niveaux profonds (DLTS) et de DLTS en courant (I-DLTS), ainsi que de spectrométrie de masse d’ions secondaires par temps de vol (ToF-SIMS) ont été effectuées sur des échantillons non implantés et d’autres recristallisés. Les mesures DLTS et I-DLTS ont pour but de caractériser les niveaux profonds générés par ces deux procédures postcroissance, tout en identifiant le rôle que jouent les impuretés de Fe sur la formation de ces niveaux profonds. De plus, le voisinage des atomes de Fe dans le matériau recristallisé a été étudié à l’aide des mesures ToF-SIMS. Les mesures DLTS sur matériau recristallisé sont peu concluantes, car la mesure de capacité est faussée par la haute résistivité du matériau. Par contre, les mesures I-DLTS sur matériau recristallisé ont permis de conclure que les impuretés de Fe sont responsables de la formation d’une grande variété de niveaux d’énergie se trouvant entre 0,25 et 0,40 eV, alors que les défauts de structure induisent des niveaux de moins de 0,25 eV. La concentration de Fe est élevée par rapport au seuil de solubilité du Fe dans le matériau recristallisé. Il serait donc plausible que des agrégats de Fe se forment. Toutefois, cette hypothèse est infirmée par l'absence de pic aux masses correspondant à la molécule ^(56)Fe_2^+ sur les spectres ToF-SIMS. De plus, un modèle simple est utilisé afin d’estimer si certaines masses présentes sur les spectres ToF-SIMS correspondent à des liaisons non induites par la mesure dans le matériau recristallisé. Bien qu’aucune liaison avec le Ga et l'As n’est détectable, ce modèle n’exclut pas la possibilité de liens préférentiels avec l’In.

Origine de la réduction de la durée de vie des photoporteurs dans le InGaAsP implanté à basse température

Un matériau semi-conducteur utilisé lors de la fabrication d’antennes térahertz (THz), le quaternaire InGaAsP (E_g = 0,79 eV), subit une implantation ionique de Fe suivi d’un recuit thermique rapide (RTA) dans le but d’améliorer ses propriétés d’émission. Le recuit est nécessaire afin de recristalliser la couche amorphisée lors de l’implantation, donnant lieu à un polycristal rempli de défauts de recristallisation. On constate cependant que les matériaux implantés Fe offrent de meilleures performances que ceux simplement endommagés au Ga. Dans le but de départager l’effet des défauts de recristallisation et des impuretés de Fe, des mesures de spectroscopie transitoire des niveaux profonds (DLTS) et de DLTS en courant (I-DLTS), ainsi que de spectrométrie de masse d’ions secondaires par temps de vol (ToF-SIMS) ont été effectuées sur des échantillons non implantés et d’autres recristallisés. Les mesures DLTS et I-DLTS ont pour but de caractériser les niveaux profonds générés par ces deux procédures postcroissance, tout en identifiant le rôle que jouent les impuretés de Fe sur la formation de ces niveaux profonds. De plus, le voisinage des atomes de Fe dans le matériau recristallisé a été étudié à l’aide des mesures ToF-SIMS. Les mesures DLTS sur matériau recristallisé sont peu concluantes, car la mesure de capacité est faussée par la haute résistivité du matériau. Par contre, les mesures I-DLTS sur matériau recristallisé ont permis de conclure que les impuretés de Fe sont responsables de la formation d’une grande variété de niveaux d’énergie se trouvant entre 0,25 et 0,40 eV, alors que les défauts de structure induisent des niveaux de moins de 0,25 eV. La concentration de Fe est élevée par rapport au seuil de solubilité du Fe dans le matériau recristallisé. Il serait donc plausible que des agrégats de Fe se forment. Toutefois, cette hypothèse est infirmée par l'absence de pic aux masses correspondant à la molécule ^(56)Fe_2^+ sur les spectres ToF-SIMS. De plus, un modèle simple est utilisé afin d’estimer si certaines masses présentes sur les spectres ToF-SIMS correspondent à des liaisons non induites par la mesure dans le matériau recristallisé. Bien qu’aucune liaison avec le Ga et l'As n’est détectable, ce modèle n’exclut pas la possibilité de liens préférentiels avec l’In.

Observation of the C2H2-N2O van der Waals complex in the overtone range using CW-CRDS

A slit nozzle supersonic expansion containing C2H2 (246 sccm) and N2O (355 sccm) seeded into Ar (1260 sccm) is investigated using CW cavity ring-down spectroscopy, in the 1.5 μm range. The C2H2-N2O van der Waals complex is observed around the 2CH acetylenic band. Despite strong perturbations, 117 b-type lines are assigned. Their combined fit with published microwave data leads to new upper state and improved lower state rotational constants. The Lorentzian width of the assigned line profiles sets the mean lifetime to 1.6 ns. The rotational temperature is estimated to be 15 K from the comparison between observed and simulated spectra. © 2008 Elsevier B.V. All rights reserved.

On the role of molecular clustering on infrared absorption line shapes of acetylene in a supersonic expansion

A supersonic expansion containing acetylene seeded into Ar and produced from a circular nozzle is investigated using CW/cavity ring down spectroscopy, in the 1.5 μm range. The results, also involving experiments with pure acetylene and acetylene-He expansions, as well as slit nozzles, demonstrate that the denser central section in the expansion is slightly heated by the formation of acetylene aggregates, resulting into a dip in the monomer absorption line profiles. Acetylene-Ar aggregates are also formed at the edge of the circular nozzle expansion cone. © 2008 Elsevier B.V. All rights reserved.

Infrared spectra of C2H2 under jet-cooled and para-H2 matrix conditions

In spectra of jet-cooled C2H2 recorded with an FTIR spectrometer, the ν5, ν4 + ν5, ν3 and ν2 + ν4 + ν5 bands all exhibit an intensity distribution corresponding to ∼6 K for rotation, with no evidence of nuclear spin conversion. Spectra of C2H2 isolated in solid p-H2 show no evidence of rotation of C2H2. The strong interaction between ν3 and ν2 + ν4 + ν5 in the gas phase is diminished in solid p-H2. Lines associated with dimer, trimer and tetramer of C2H2 are identified. Spectral features characteristic of solid state acetylene are observed under jet-cooled conditions. © 2007 Elsevier B.V. All rights reserved.

Resolved Torsional Splittings in the ν18 and ν19- Bands of Propene

info:eu-repo/semantics/published

FT-jet spectroscopy: vibrational energy transfer in N2O

A set-up combining a high resolution Fourier transform interferometer and a quadrupole mass spectrometer with a supersonic jet expansion produced thanks to a large turbomolecular pumping unit is described. A rotational temperature close to 3 K is demonstrated. Vibration-vibration energy transfer in the expansion affecting the v2 = 1 state in N2O is monitored in the presence of various collision partners. The transfer from the v 2 = 1 state of N2O towards the quasi resonant, lower energy v2 = 1 state of OCS is demonstrated, in particular. © 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.

Operational retrieval of total and tropospheric ozone from IASI infrared measurements

info:eu-repo/semantics/nonPublished