Influência da deposição de filmes de carbono tipo diamante na infiltração bacteriana pela interface entre implantes e pilares protéticos

Pós-graduação em Odontologia Restauradora - ICT

Influência do tipo de conexão pilar/implante na manutenção da pré-carga de parafusos de retenção e na desadaptação vertical da coroa protética antes e após ciclagem mecânica

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Avaliações biomecânicas e biológicas relacionadas às próteses implanto-suportadas e aos implantes osseointegrados

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Analysis of electronic structure of boron nitride nanotubes with different positions of intrinsic impurities

The pristine boron nitride nanotubes have a large direct band gap around 5 eV. This band gap can be engineered by doping. We investigate electronic structure of the doped hexagonal boron nitride (5,5) nanotubes using the linearized augmented cylindrical wave method. In particular, this work focuses on systematical study of the band gap and the density of states around the Fermi-level when the nanotubes are doped by intrinsic impurities of two substitutional boron atoms in a super cell and a comparative analysis of the relative stability of three structures studied here. This corresponds to 3.3% of impurity concentration. We calculate 29 configurations of the nanotubes with different positions of the intrinsic impurities in the nanotube. The band gap and density of states around the Fermi level show strong dependence on the relative positions of the impurity atoms. The two defect sub bands called D^∏(B) appear in the band gap of the pristine nanotube. The doped nanotubes possess p-type semiconductor properties with the band gap of 1.3-1.9 eV.

Eletrodos nanoestruturados de 'TI' 'O IND.2' aplicados na degradação fotoeletrocatalítica de aminas aromáticas e desenvolvimento de dispositivo fotovoltaico 'TI 'O IND.2' / 'SB IND.2' 'S IND.3' / 'P3' 'HT'

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Degradação de poluentes orgânicos utilizando filmes de TiO2 modificados com íons prata

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Preparação e caracterização de ligas do sistema Ti-Mo contendo oxigênio intersticial para aplicações biomédicas

Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)

Estrutura eletrônica e propriedades elétricas fotoinduzidas em filmes finos de SnO2 com dopagem de Sb, e formação de heteroestruturas com TiO2

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Otimização do processo de deposição de filmes TiO2:Mn usando RF magnetron sputtering

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Utilização do extrato de óleo insaponificável de abacte e soja na osseointegração. Avaliação biomecânca, radiográfica, histológica e histomorfométrica em ratos

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Desenvolvimento e otimização de materiais nanocristalinos para células solares sensibilizadas

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Ensaio de citotoxicidade osteoblástica em amostras porosas das ligas Ti-6Al-4V, Ti-13Nb-13Zr, Ti-35Nb, Ti-35Nb-7Zr-5Ta e TiCP

Pós-graduação em Biopatologia Bucal - ICT

Aplicação da técnica de isótopos estáveis de carbono na determinação do tempo de trânsito gastrointestinal em juvenis de pacu

Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)

Corrosão e tribocorrosão de novas ligas Ti35Nb5Zr e Ti35Nb10Zr em saliva artificial

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Avaliação de propriedades de superfície da liga Ti-35Nb-7Zr-5Ta submetida à anodização e seus efeitos n adesão bacteriana

Pós-graduação em Odontologia - FOAR