On the allowance for support costs in Prager-Rozvany’ optimal layout theory

A recent study by Rozvany and Sokól discussed an important topic in structural design: the allowance for support costs in the optimization process. This paper examines a frequently used kind of support —that of simple foundation with horizontal reaction by friction— that appears no covered for the Authors’ approach. A simple example is examined to illustrate the case and to apply the Authors’ method and the standard design method.

Desarrollos para la explotación de datos integrados mediante fotogrametría y láser escáner en proyectos de patrimonio arquitectónico

La presente tesis doctoral describe los desarrollos realizados, y finalmente materializados en patentes con registro de la propiedad intelectual, para la integración de las nuevas tecnologías de documentación fotogramétrica y las bases de datos de los barredores láser terrestres, en los procesos de elaboración, redacción y ejecución de proyectos de restauración y rehabilitación arquitectónicos. Los avances tecnológicos aparecidos en control métrico, junto con las técnicas de imagen digital y los desarrollos fotogramétricos, pueden aportar mejoras significativas en el proceso proyectual y permiten aplicar nuevos procedimientos de extracción de datos para generar de forma sencilla, bajo el control directo y supervisión de los responsables del proyecto, la información métrica y documental más adecuada. Se establecen como principios, y por tanto como base para el diseño de dicha herramienta, que los desarrollos aparecidos sí han producido el uso extendido del sistema CAD (como instrumento de dibujo) así como el uso de la imagen digital como herramienta de documentación. La herramienta a diseñar se fundamenta por tanto en la imagen digital (imágenes digitales, imágenes rectificadas, ortofotografías, estéreo- modelos, estereo- ortofotografías) así como su integración en autocad para un tratamiento interactivo. En la aplicación de la fotogrametría a la disciplina arquitectónica, se considera de interés estructurar aplicaciones con carácter integrador que, con mayores capacidades de interactuación y a partir de información veraz y rigurosa, permitan completar o elaborar documentos de interés proyectual, ABSTRACT This doctoral thesis explains the developments carried out, and finally patented with intellectual property rights, for the integration of the new photogrammetric technology documentation and terrestrial scanner databases in the preparation, documentation and implementation processes of restoration projects and architectural renovation. The technological advances in metric control, as well as the digital image techniques and photogrammetric developments, can together bring a significant improvement to the projecting process, and, under the direct control and supervision of those in charge of the project, can allow new data extraction processes to be applied in order to easily generate the most appropriate metric information and documentation. The principles and, therefore, the basis for the design of this tool are that the developments have indeed produced the widespread use of the CAD system (as a drawing instrument) and the use of digital images as a documentation tool. The tool to be designed is therefore based on digital images (rectify images, orthophotos, stereomodels, stereo-orthophotos) as well as its integration in Autocad for interactive processing. In the application of photogrammetry to the architectural discipline, what interests us is to structure applications of an integrative nature which, with a greater capacity for interaction and from accurate and thorough information, enable the completion or elaboration of documents that are of interest to the project.

Aprendizaje multimedia en inglés: Análisis de circuitos

Este proyecto tiene como objetivo facilitar el aprendizaje multimedia en inglés de los conceptos básicos relacionados con el análisis de circuitos para los alumnos de grado de la nuestra escuela, en especial para los de nuevo ingreso. El aprendizaje será realizado directamente en inglés, cumpliendo así el doble objetivo: por un lado el de abordar unos conceptos nuevos para el alumno de ingeniería y, además, el poder hacerlo en inglés, lo que le servirá para llegar a mejorar su nivel de competencia en la lengua extranjera, o al menos mantenerlo. El proyecto realizado tiene varios apartados. En primer lugar, un apartado didáctico en el que se exponen los conceptos básicos sobre el análisis de circuitos que se quieren explicar, siempre orientados al aprendizaje de inglés. Para abordar estos nuevos temas de un modo didáctico y que incite al autoaprendizaje, se recurrirá a la tecnología y por medio de vídeos e imágenes y actividades didácticas multimedia se podrá afrontar la asignatura con facilidad e interés para captar los conceptos en una lengua extranjera. Se han diseñado actividades para la práctica de: la audición, con dictado y asociación de sonidos con palabras; de la comprensión lectora y adquisición de vocabulario, con ejercicios de rellenar huecos y emparejar definiciones. Las actividades se han adaptado a la plataforma Moodle para obtener la retroalimentación de los alumnos, si se desea. El apartado de aprendizaje se complementará con un glosario específico y alfabéticamente ordenado donde también dispondremos de la transcripción fonética de cada una de las palabras incluidas en el mismo. Para llegar a conseguir el objetivo didáctico se ha diseñado un sitio web capaz de albergar todo el contenido anterior. Abstract The main objective of this Project has been to facilitate a multimedia resource for learning in English the basic concepts related to circuit analysis. The final product is directly addressed to the undergraduate students at a Telecommunications School, the EUITT from Universidad Politécnica de Madrid. Learning technical notions directly in English serves the students to reach the double purpose of not only acquiring a number of new concepts but also improving their proficiency in the foreign language or keeping up with their level of English through their studies. The project has several sections. There is a didactic section which explains the basic concepts using videos and images in order to approach the subject with ease and interest. This part is supplemented with a glossary in alphabetic order provided with the phonetics of the English words and some multimedia exercises for practicing different skills mainly listening, reading, and using technical vocabulary in English. All these activities have been adapted to the platform Moodle so that the students results can be assessed, if convenient. On the other hand, the practical implementation of the Project has consisted of designing a website capable of including all of the points mentioned above.

Sistema para cambiar la geometría de un motor

En este proyecto se desarrolla un sistema electrónico para variar la geometría de un motor de un monoplaza que participa en la competición Fórmula SAE. Fórmula SAE es una competición de diseño de monoplazas para estudiantes, organizado por “Society of Automotive Enginners” (SAE). Este concurso busca la innovación tecnológica de la automoción, así como que estudiantes participen en un trabajo real, en el cual el objetivo es obtener resultados competitivos cumpliendo con una serie de requisitos. La variación de la geometría de un motor en un vehículo permite mejorar el rendimiento del monoplaza consiguiendo elevar el par de potencia del motor. Cualquier mejora en del vehículo en un ámbito de competición puede resultar determinante en el desenlace de la misma. El objetivo del proyecto es realizar esta variación mediante el control de la longitud de los tubos de admisión de aire o “runners” del motor de combustión, empleando un motor lineal paso a paso. A partir de la información obtenida por sensores de revoluciones del motor de combustión y la posición del acelerador se debe controlar la distancia de dichos tubos. Integrando este sistema en el bus CAN del vehículo para que comparta la información medida al resto de módulos. Por todo esto se realiza un estudio aclarando los aspectos generales del objetivo del trabajo, para la comprensión del proyecto a realizar, las posibilidades de realización y adquisición de conocimientos para un mejor desarrollo. Se presenta una solución basada en el control del motor lineal paso a paso mediante el microcontrolador PIC32MX795F512-L. Dispositivo del fabricante Microchip con una arquitectura de 32 bits. Este dispone de un módulo CAN integrado y distintos periféricos que se emplean en la medición de los sensores y actuación sobre el motor paso a paso empleando el driver de Texas Instruments DRV8805. Entonces el trabajo se realiza en dos líneas, una parte software de programación del control del sistema, empleando el software de Microchip MPLABX IDE y otra parte hardware de diseño de una PCB y circuitos acondicionadores para la conexión del microcontrolador, con los sensores, driver, motor paso a paso y bus CAN. El software empleado para la realización de la PCB es Orcad9.2/Layout. Para la evaluación de las medidas obtenidas por los sensores y la comprobación del bus CAN se emplea el kit de desarrollo de Microchip, MCP2515 CAN Bus Monitor Demo Board, que permite ver la información en el bus CAN e introducir tramas al mismo. ABSTRACT. This project develops an electronic system to vary the geometry of a car engine which runs the Formula SAE competition. Formula SAE is a design car competition for students, organized by "Society of Automotive Engineers" (SAE). This competition seeks technological innovation in the automotive industry and brings in students to participate in a real job, in which the objective is to obtain competitive results in compliance with certain requirements. Varying engine’s geometry in a vehicle improves car’s performance raising engine output torque. Any improvement in the vehicle in a competition field can be decisive in the outcome of it. The goal of the project is the variation by controlling the length of the air intake pipe or "runners" in a combustion engine, using a linear motor step. For these, uses the information gathered by speed sensors from the combustion engine and by the throttle position to control the distance of these tubes. This system is integrated in the vehicle CAN bus to share the information with the other modules. For all this is made a study to clarify the general aspects of the project in order to understand the activities developed inside the project, the different options available and also, to acquire knowledge for a better development of the project. The solution is based on linear stepper motor control by the microcontroller PIC32MX795F512-L. Device from manufacturer Microchip with a 32-bit architecture. This module has an integrated CAN various peripherals that are used in measuring the performance of the sensors and drives the stepper motor using Texas Instruments DRV8805 driver. Then the work is done in two lines, first, control programming software system using software MPLABX Microchip IDE and, second, hardware design of a PCB and conditioning circuits for connecting the microcontroller, with sensors, driver stepper motor and CAN bus. The software used to carry out the PCB is Orcad9.2/Layout. For the evaluation of the measurements obtained by the sensors and CAN bus checking is used Microchip development kit, MCP2515 CAN Bus Monitor Demo Board, that allows you to see the information on the CAN bus and enter new frames in the bus.

Desarrollo de circuitos de alta frecuencia para LTE

En este proyecto realizaremos un estudio del efecto de las interferencias procedentes de las redes públicas y veremos cómo afectan el rendimiento de las comunicaciones GSM-R que están en la banda de frecuencias adyacente, por un lado, definiremos las características de las redes públicas y como afectan los niveles de potencia y los anchos de banda de redes de banda ancha, especialmente LTE que dispone de un ancho de banda adaptativo que puede llegar hasta 20 MHZ, y por otro lado definiremos las características y las exigencias de las comunicaciones GSM-R que es una red privada que se utiliza actualmente para comunicaciones ferroviales. Con el objetivo de determinar el origen y los motivos de estas interferencias vamos a explicar cómo se produzcan las emisiones no deseadas de las redes públicas que son fruto de la intermodulación que se produzca por las características no lineales de los amplificadores, entre las emisiones no deseadas se puede diferenciar entre el dominio de los espurios y el dominio de las emisiones fuera de banda, para determinar el nivel de las emisiones fuera de banda definiremos la relación de fugas del canal adyacente, ACLR, que determina la diferencia entre el pico de la señal deseada y el nivel de señal interferente en la banda de paso. Veremos cómo afectan estas emisiones no deseadas a las comunicaciones GSMR en el caso de interferencias procedentes de señales de banda estrecha, como es el caso de GSM, y como afectan en el caso de emisiones de banda ancha con los protocolos UMTS y LTE, también estudiaremos como varia el rendimiento de la comunicación GSM-R frente a señales LTE de diferentes anchos de banda. Para reducir el impacto de las interferencias sobre los receptores GSM-R, analizaremos el efecto de los filtros de entrada de los receptores GSM-R y veremos cómo varia la BER y la ACLR. Además, con el objetivo de evaluar el rendimiento del receptor GSM-R ante diferentes tipos de interferencias, simularemos dos escenarios donde la red GSM-R se verá afectada por las interferencias procedente de una estación base de red pública, en el primer escenario la distancia entre la BS y MS GSM-R será de 4.6 KM, mientras en el segundo escenario simularemos una situación típica cuando un tren está a una distancia corta (25 m) de la BS de red pública. Finalmente presentaremos los resultados en forma de graficas de BER y ACLR, y tablas indicando los diferentes niveles de interferencias y la diferencia entre la potencia a la que obtenemos un valor óptimo de BER, 10-3, sin interferencia y la potencia a la que obtenemos el mismo valor con interferencias. ABSTRACT In this project we will study the interference effect from public networks and how they affect the performance of GSM-R communications that are in the adjacent frequency band, furthermore, we will define the characteristics of public networks and will explain how the power levels and bandwidth broadband networks are affected as a result, especially LTE with adaptive bandwidth that can reach 20 MHZ. Lastly, we will define the characteristics and requirements of the GSM-R communications, a private network that is currently used for railways communications. In order to determine the origin and motives of these interferences, we will explain what causes unwanted emissions of public networks that occur as a result. The intermodulation, which is caused by the nonlinear characteristics of amplifiers. Unwanted emissions from the transmitter are divided into OOB (out-of-band) emission and spurious emissions. The OOB emissions are defined by an Adjacent Channel Leakage Ratio (ACLR) requirement. We'll analyze the effect of the OOB emission on the GSM-R communication in the case of interference from narrowband signals such as GSM, and how they affect emissions in the case of broadband such as UMTS and LTE; also we will study how performance varies with GSM-R versus LTE signals of different bandwidths. To reduce the impact of interference on the GSM-R receiver, we analyze the effect of input filters GSM-R receivers to see how it affects the BER (Bits Error Rate) and ACLR. To analyze the GSM-R receiver performance in this project, we will simulate two scenarios when the GSM-R will be affected by interference from a base station (BS). In the first case the distance between the public network BS and MS GSM-R is 4.6 KM, while the second case simulates a typical situation when a train is within a short distance, 25 m, of a public network BS. Finally, we will present the results as BER and ACLR graphs, and tables showing different levels of interference and the differences between the power to obtain an optimal value of BER, 10-3, without interference, and the power that gets the same value with interference.

Slabsim: Simulador de dispositivos ópticos integrados

En los diseños y desarrollos de ingeniería, antes de comenzar la construcción e implementación de los objetivos de un proyecto, es necesario realizar una serie de análisis previos y simulaciones que corroboren las expectativas de la hipótesis inicial, con el fin de obtener una referencia empírica que satisfaga las condiciones de trabajo o funcionamiento de los objetivos de dicho proyecto. A menudo, los resultados que satisfacen las características deseadas se obtienen mediante la iteración de métodos de ensayo y error. Generalmente, éstos métodos utilizan el mismo procedimiento de análisis con la variación de una serie de parámetros que permiten adaptar una tecnología a la finalidad deseada. Hoy en día se dispone de computadoras potentes, así como algoritmos de resolución matemática que permiten resolver de forma veloz y eficiente diferentes tipos de problemas de cálculo. Resulta interesante el desarrollo de aplicaciones que permiten la resolución de éstos problemas de forma rápida y precisa en el análisis y síntesis de soluciones de ingeniería, especialmente cuando se tratan expresiones similares con variaciones de constantes, dado que se pueden desarrollar instrucciones de resolución con la capacidad de inserción de parámetros que definan el problema. Además, mediante la implementación de un código de acuerdo a la base teórica de una tecnología, se puede lograr un código válido para el estudio de cualquier problema relacionado con dicha tecnología. El desarrollo del presente proyecto pretende implementar la primera fase del simulador de dispositivos ópticos Slabsim, en cual se puede representar la distribución de la energía de una onda electromagnética en frecuencias ópticas guiada a través de una una guía dieléctrica plana, también conocida como slab. Este simulador esta constituido por una interfaz gráfica generada con el entorno de desarrollo de interfaces gráficas de usuario Matlab GUIDE, propiedad de Mathworks©, de forma que su manejo resulte sencillo e intuitivo para la ejecución de simulaciones con un bajo conocimiento de la base teórica de este tipo de estructuras por parte del usuario. De este modo se logra que el ingeniero requiera menor intervalo de tiempo para encontrar una solución que satisfaga los requisitos de un proyecto relacionado con las guías dieléctricas planas, e incluso utilizarlo para una amplia diversidad de objetivos basados en esta tecnología. Uno de los principales objetivos de este proyecto es la resolución de la base teórica de las guías slab a partir de métodos numéricos computacionales, cuyos procedimientos son extrapolables a otros problemas matemáticos y ofrecen al autor una contundente base conceptual de los mismos. Por este motivo, las resoluciones de las ecuaciones diferenciales y características que constituyen los problemas de este tipo de estructuras se realizan por estos medios de cálculo en el núcleo de la aplicación, dado que en algunos casos, no existe la alternativa de uso de expresiones analíticas útiles. ABSTRACT. The first step in engineering design and development is an analysis and simulation process which will successfully corroborate the initial hypothesis that was made and find solutions for a particular. In this way, it is possible to obtain empirical evidence which suitably substantiate the purposes of the project. Commonly, the characteristics to reach a particular target are found through iterative trial and error methods. These kinds of methods are based on the same theoretical analysis but with a variation of some parameters, with the objective to adapt the results for a particular aim. At present, powerful computers and mathematical algorithms are available to solve different kinds of calculation problems in a fast and efficient way. Computing application development is useful as it gives a high level of accurate results for engineering analysis and synthesis in short periods of time. This is more notable in cases where the mathematical expressions on a theoretical base are similar but with small variations of constant values. This is due to the ease of adaptation of the computer programming code into a parameter request system that defines a particular solution on each execution. Additionally, it is possible to code an application suitable to simulate any issue related to the studied technology. The aim of the present project consists of the construction of the first stage of an optoelectronics simulator named Slabsim. Slabism is capable of representing the energetic distribution of a light wave guided in the volume of a slab waveguide. The mentioned simulator is made through the graphic user interface development environment Matlab GUIDE, property of Mathworks©. It is designed for an easy and intuitive management by the user to execute simulations with a low knowledge of the technology theoretical bases. With this software it is possible to achieve several aims related to the slab waveguides by the user in low interval of time. One of the main purposes of this project is the mathematical solving of theoretical bases of slab structures through computing numerical analysis. This is due to the capability of adapting its criterion to other mathematical issues and provides a strong knowledge of its process. Based on these advantages, numerical solving methods are used in the core of the simulator to obtain differential and characteristic equations results that become represented on it.

Análisis, construcción, simulación y sincronización de circuitos electrónicos prototipos de Caos

El proyecto tiene como objetivo el estudio de siete Sistemas Dinámicos, yendo de los que son paradigma de Caos a los más complejos, y sus posibles aplicaciones en comunicaciones privadas, bioingeniería y comunicaciones ópticas. El conjunto de sistemas seleccionados incluye algunos ejemplos paradigmáticos de Dinámicas Caóticas, así como nuevas propuestas, tanto de do sistemas básicos como de un sistema que tiene soluciones más complejas, nunca antes estudiados. Se logrará, de esta manera, realizar un completo recorrido desde los osciladores no-lineales más simples (como el de Van Der Pol), hasta los sistemas de mayor complejidad (como son las dinámicas hipercaóticas). El estudio consiste, en primer lugar, en identificar los métodos de análisis específicos del Caos, que permiten poner de manifiesto su carácter y propiedades (a lo que se dedicará el capítulo 1). Tras ello (Capítulo 2 y 3), se desarrollan, estudian y analizan los sistemas mediante simulaciones numéricas de la dinámica de los citados sistemas utilizando el software matemático MATLAB. En una segunda parte (que abarca la primera mitad del Capítulo 4), se implementan los circuitos electrónicos de los citados sistemas, y se simula su comportamiento mediante un software profesional. En una tercera parte (coincidente con la segunda mitad del Capítulo 4 y el Capítulo 5 completo), se construyen físicamente los sistemas fundamentales y sus extensiones, con el objetivo de caracterizar su comportamiento. Además, se desarrolla una aplicación software con entorno gráfico para el análisis sistemático de las dinámicas objeto de estudio. Finalmente, y con el objetivo de aplicar los Sistemas Dinámicos caóticos tanto a Comunicaciones Seguras como a Bioingeniería, este proyecto presenta un estudio de los citados sistemas para su uso en Comunicaciones Seguras, en el capítulo 6. Por otro lado, el oscilador de Van Der Pol no sólo es un sistema paradigma de Caos por la riqueza de su dinámica caótica, sino también por su interés en la simulación del corazón humano tanto en régimen regular, como en régimen caótico. Este análisis se desarrolla en el Capítulo 3.

Circuitos equivalentes en bandas milimétricas

The use of ideal equivalent circuits which represent the electrical response of a physical device is a very common practice in microwave and millimeter wave circuit design. However, these equivalent circuit models only get accurate results in a certain frequency range. In this document, some basic devices have been analyzed, with several equivalent circuit models for each one. Physical devices have been manufactured and measured, and measurements have been compared with the responses obtained from the equivalent models. From this comparison, it?s possible to see what equivalent models are more advisable in each case and which are their limitations.

On the layout of a least weight single span structure with uniform load. Some comments and improvements

Beghini et al (Struct Multidisc Optim doi:10.1007/s00158-013-1030-6, 2013) have published a very interesting paper arriving to practically the same nearly optimal solutions for the so named “bridge prob- lem” that the Writers published a year before, but using an alternative and remarkable approach to the problem. In spite of this general agreement, the Writers think that some details of the paper can be improved and there are results that can be given a clear and mean- ingful interpretation thanks to an old and practically unknown theorem on optimal slenderness.

Technology and characterization of GaN-HEMTs devices: high temperature and trapping effects

Los transistores de alta movilidad electrónica basados en GaN han sido objeto de una extensa investigación ya que tanto el GaN como sus aleaciones presentan unas excelentes propiedades eléctricas (alta movilidad, elevada concentración de portadores y campo eléctrico crítico alto). Aunque recientemente se han incluido en algunas aplicaciones comerciales, su expansión en el mercado está condicionada a la mejora de varios asuntos relacionados con su rendimiento y habilidad. Durante esta tesis se han abordado algunos de estos aspectos relevantes; por ejemplo, la fabricación de enhancement mode HEMTs, su funcionamiento a alta temperatura, el auto calentamiento y el atrapamiento de carga. Los HEMTs normalmente apagado o enhancement mode han atraído la atención de la comunidad científica dedicada al desarrollo de circuitos amplificadores y conmutadores de potencia, ya que su utilización disminuiría significativamente el consumo de potencia; además de requerir solamente una tensión de alimentación negativa, y reducir la complejidad del circuito y su coste. Durante esta tesis se han evaluado varias técnicas utilizadas para la fabricación de estos dispositivos: el ataque húmedo para conseguir el gate-recess en heterostructuras de InAl(Ga)N/GaN; y tratamientos basados en flúor (plasma CF4 e implantación de F) de la zona debajo de la puerta. Se han llevado a cabo ataques húmedos en heteroestructuras de InAl(Ga)N crecidas sobre sustratos de Si, SiC y zafiro. El ataque completo de la barrera se consiguió únicamente en las muestras con sustrato de Si. Por lo tanto, se puede deducir que la velocidad de ataque depende de la densidad de dislocaciones presentes en la estructura, ya que el Si presenta un peor ajuste del parámetro de red con el GaN. En relación a los tratamientos basados en flúor, se ha comprobado que es necesario realizar un recocido térmico después de la fabricación de la puerta para recuperar la heteroestructura de los daños causados durante dichos tratamientos. Además, el estudio de la evolución de la tensión umbral con el tiempo de recocido ha demostrado que en los HEMTs tratados con plasma ésta tiende a valores más negativos al aumentar el tiempo de recocido. Por el contrario, la tensión umbral de los HEMTs implantados se desplaza hacia valores más positivos, lo cual se atribuye a la introducción de iones de flúor a niveles más profundos de la heterostructura. Los transistores fabricados con plasma presentaron mejor funcionamiento en DC a temperatura ambiente que los implantados. Su estudio a alta temperatura ha revelado una reducción del funcionamiento de todos los dispositivos con la temperatura. Los valores iniciales de corriente de drenador y de transconductancia medidos a temperatura ambiente se recuperaron después del ciclo térmico, por lo que se deduce que dichos efectos térmicos son reversibles. Se han estudiado varios aspectos relacionados con el funcionamiento de los HEMTs a diferentes temperaturas. En primer lugar, se han evaluado las prestaciones de dispositivos de AlGaN/GaN sobre sustrato de Si con diferentes caps: GaN, in situ SiN e in situ SiN/GaN, desde 25 K hasta 550 K. Los transistores con in situ SiN presentaron los valores más altos de corriente drenador, transconductancia, y los valores más bajos de resistencia-ON, así como las mejores características en corte. Además, se ha confirmado que dichos dispositivos presentan gran robustez frente al estrés térmico. En segundo lugar, se ha estudiado el funcionamiento de transistores de InAlN/GaN con diferentes diseños y geometrías. Dichos dispositivos presentaron una reducción casi lineal de los parámetros en DC en el rango de temperaturas de 25°C hasta 225°C. Esto se debe principalmente a la dependencia térmica de la movilidad electrónica, y también a la reducción de la drift velocity con la temperatura. Además, los transistores con mayores longitudes de puerta mostraron una mayor reducción de su funcionamiento, lo cual se atribuye a que la drift velocity disminuye más considerablemente con la temperatura cuando el campo eléctrico es pequeño. De manera similar, al aumentar la distancia entre la puerta y el drenador, el funcionamiento del HEMT presentó una mayor reducción con la temperatura. Por lo tanto, se puede deducir que la degradación del funcionamiento de los HEMTs causada por el aumento de la temperatura depende tanto de la longitud de la puerta como de la distancia entre la puerta y el drenador. Por otra parte, la alta densidad de potencia generada en la región activa de estos transistores conlleva el auto calentamiento de los mismos por efecto Joule, lo cual puede degradar su funcionamiento y Habilidad. Durante esta tesis se ha desarrollado un simple método para la determinación de la temperatura del canal basado en medidas eléctricas. La aplicación de dicha técnica junto con la realización de simulaciones electrotérmicas han posibilitado el estudio de varios aspectos relacionados con el autocalentamiento. Por ejemplo, se han evaluado sus efectos en dispositivos sobre Si, SiC, y zafiro. Los transistores sobre SiC han mostrado menores efectos gracias a la mayor conductividad térmica del SiC, lo cual confirma el papel clave que desempeña el sustrato en el autocalentamiento. Se ha observado que la geometría del dispositivo tiene cierta influencia en dichos efectos, destacando que la distribución del calor generado en la zona del canal depende de la distancia entre la puerta y el drenador. Además, se ha demostrado que la temperatura ambiente tiene un considerable impacto en el autocalentamiento, lo que se atribuye principalmente a la dependencia térmica de la conductividad térmica de las capas y sustrato que forman la heterostructura. Por último, se han realizado numerosas medidas en pulsado para estudiar el atrapamiento de carga en HEMTs sobre sustratos de SiC con barreras de AlGaN y de InAlN. Los resultados obtenidos en los transistores con barrera de AlGaN han presentado una disminución de la corriente de drenador y de la transconductancia sin mostrar un cambio en la tensión umbral. Por lo tanto, se puede deducir que la posible localización de las trampas es la región de acceso entre la puerta y el drenador. Por el contrario, la reducción de la corriente de drenador observada en los dispositivos con barrera de InAlN llevaba asociado un cambio significativo en la tensión umbral, lo que implica la existencia de trampas situadas en la zona debajo de la puerta. Además, el significativo aumento del valor de la resistencia-ON y la degradación de la transconductancia revelan la presencia de trampas en la zona de acceso entre la puerta y el drenador. La evaluación de los efectos del atrapamiento de carga en dispositivos con diferentes geometrías ha demostrado que dichos efectos son menos notables en aquellos transistores con mayor longitud de puerta o mayor distancia entre puerta y drenador. Esta dependencia con la geometría se puede explicar considerando que la longitud y densidad de trampas de la puerta virtual son independientes de las dimensiones del dispositivo. Finalmente se puede deducir que para conseguir el diseño óptimo durante la fase de diseño no sólo hay que tener en cuenta la aplicación final sino también la influencia que tiene la geometría en los diferentes aspectos estudiados (funcionamiento a alta temperatura, autocalentamiento, y atrapamiento de carga). ABSTRACT GaN-based high electron mobility transistors have been under extensive research due to the excellent electrical properties of GaN and its related alloys (high carrier concentration, high mobility, and high critical electric field). Although these devices have been recently included in commercial applications, some performance and reliability issues need to be addressed for their expansion in the market. Some of these relevant aspects have been studied during this thesis; for instance, the fabrication of enhancement mode HEMTs, the device performance at high temperature, the self-heating and the charge trapping. Enhancement mode HEMTs have become more attractive mainly because their use leads to a significant reduction of the power consumption during the stand-by state. Moreover, they enable the fabrication of simpler power amplifier circuits and high-power switches because they allow the elimination of negativepolarity voltage supply, reducing significantly the circuit complexity and system cost. In this thesis, different techniques for the fabrication of these devices have been assessed: wet-etching for achieving the gate-recess in InAl(Ga)N/GaN devices and two different fluorine-based treatments (CF4 plasma and F implantation). Regarding the wet-etching, experiments have been carried out in InAl(Ga)N/GaN grown on different substrates: Si, sapphire, and SiC. The total recess of the barrier was achieved after 3 min of etching in devices grown on Si substrate. This suggests that the etch rate can critically depend on the dislocations present in the structure, since the Si exhibits the highest mismatch to GaN. Concerning the fluorine-based treatments, a post-gate thermal annealing was required to recover the damages caused to the structure during the fluorine-treatments. The study of the threshold voltage as a function of this annealing time has revealed that in the case of the plasma-treated devices it become more negative with the time increase. On the contrary, the threshold voltage of implanted HEMTs showed a positive shift when the annealing time was increased, which is attributed to the deep F implantation profile. Plasma-treated HEMTs have exhibited better DC performance at room temperature than the implanted devices. Their study at high temperature has revealed that their performance decreases with temperature. The initial performance measured at room temperature was recovered after the thermal cycle regardless of the fluorine treatment; therefore, the thermal effects were reversible. Thermal issues related to the device performance at different temperature have been addressed. Firstly, AlGaN/GaN HEMTs grown on Si substrate with different cap layers: GaN, in situ SiN, or in situ SiN/GaN, have been assessed from 25 K to 550 K. In situ SiN cap layer has been demonstrated to improve the device performance since HEMTs with this cap layer have exhibited the highest drain current and transconductance values, the lowest on-resistance, as well as the best off-state characteristics. Moreover, the evaluation of thermal stress impact on the device performance has confirmed the robustness of devices with in situ cap. Secondly, the high temperature performance of InAlN/GaN HEMTs with different layouts and geometries have been assessed. The devices under study have exhibited an almost linear reduction of the main DC parameters operating in a temperature range from room temperature to 225°C. This was mainly due to the thermal dependence of the electron mobility, and secondly to the drift velocity decrease with temperature. Moreover, HEMTs with large gate length values have exhibited a great reduction of the device performance. This was attributed to the greater decrease of the drift velocity for low electric fields. Similarly, the increase of the gate-to-drain distance led to a greater reduction of drain current and transconductance values. Therefore, this thermal performance degradation has been found to be dependent on both the gate length and the gate-to-drain distance. It was observed that the very high power density in the active region of these transistors leads to Joule self-heating, resulting in an increase of the device temperature, which can degrade the device performance and reliability. A simple electrical method have been developed during this work to determine the channel temperature. Furthermore, the application of this technique together with the performance of electro-thermal simulations have enabled the evaluation of different aspects related to the self-heating. For instance, the influence of the substrate have been confirmed by the study of devices grown on Si, SiC, and Sapphire. HEMTs grown on SiC substrate have been confirmed to exhibit the lowest self-heating effects thanks to its highest thermal conductivity. In addition to this, the distribution of the generated heat in the channel has been demonstrated to be dependent on the gate-to-drain distance. Besides the substrate and the geometry of the device, the ambient temperature has also been found to be relevant for the self-heating effects, mainly due to the temperature-dependent thermal conductivity of the layers and the substrate. Trapping effects have been evaluated by means of pulsed measurements in AlGaN and InAIN barrier devices. AlGaN barrier HEMTs have exhibited a de crease in drain current and transconductance without measurable threshold voltage change, suggesting the location of the traps in the gate-to-drain access region. On the contrary, InAIN barrier devices have showed a drain current associated with a positive shift of threshold voltage, which indicated that the traps were possibly located under the gate region. Moreover, a significant increase of the ON-resistance as well as a transconductance reduction were observed, revealing the presence of traps on the gate-drain access region. On the other hand, the assessment of devices with different geometries have demonstrated that the trapping effects are more noticeable in devices with either short gate length or the gate-to-drain distance. This can be attributed to the fact that the length and the trap density of the virtual gate are independent on the device geometry. Finally, it can be deduced that besides the final application requirements, the influence of the device geometry on the performance at high temperature, on the self-heating, as well as on the trapping effects need to be taken into account during the device design stage to achieve the optimal layout.

Consideraciones de diseño de adaptación activa para antenas cargadas con circuitos non-Foster

In this paper the use of the NDF is proposed as a general method suitable for analysing any oscillator topology. The most important advantage of this method is that it provides an unique procedure to analyse any oscillator. It also makes possible the phase noise optimization in the linear design phase for any oscillator. An additional advantage of this method is that it does not require any proviso verification as all classic methods need. The use of the NDF method is illustrated with the design of two examples. These two oscillators are manufactured and the simulation results are compared with the measurements showing good agreement. These results confirm the excellent possibilities of the proposed method for low noise oscillators design.

Uso de circuitos equivalentes y teoría de filtros para el diseño de superficies selectivas en frecuencia

Frequency selective surfaces (FSS) and reflect/trasmitarrays are mostly designed on the basis ot optimization using an electromagnetic simulator. That is a time consuming method and some decisions have to be taken using simply intuition. The use of equivalent circuits of the scatterers selected for the design allows the substitution of the intuition and most part of the optimization process by the application of the classic rules of filter design. This communication presents all the steps necessary to obtain the equivalent circuit of different square scatterers in a periodic lattice and to implement the desired FSS frequency behaviour calculating the number of layers and the dimensions of the periodic cells. Several examples are included to evaluate the results.

Gestión de dispositivos integrados en una Arquitectura de la Red de las Cosas

La Arquitectura de la Red de las Cosas (IoT) hace referencia a una red de objetos cotidianos interconectados digitalmente. Gracias a IoT, no sólo podemos almacenar, analizar e intercambiar información y datos con dichos objetos, sino que además ellos pueden tener la capacidad de interactuar entre ellos de forma autónoma. Para ellos, los objetos cotidianos disponen de actuadores y sensores que permiten modificar su comportamiento y conocer su estado y propiedades, respectivamente. La gestión de IoT combina todas las funcionalidades necesarias para coordinar un sistema con una Arquitectura de la Red de las Cosas. Una buena gestión del sistema puede reducir costes, mejorar la asistencia a problemas de uso inesperado, corregir fallos y permitir la escalabilidad del sistema permitiéndole la incorporación de nuevos módulos y funcionalidades. En este Proyecto Fin de Grado se realizará primero un análisis de los aspectos de IoT relacionados con la gestión de dispositivos integrados en la Arquitectura de la Red de las Cosas. Después se procederá a realizar la especificación y el diseño de plataforma de gestión. Y finalmente se desarrollarán un caso de uso que permita validar algunos elementos de la plataforma diseñada. Se realizarán distintas pruebas para comprobar una correcta gestión de los dispositivos como el correcto funcionamiento del diseño previamente establecido, por medio, entre otras, de las siguientes operaciones: listar los elementos conectados, posibilidad de obtener y/o modificar dichos elementos (su configuración y su estado) o presentar informes y comprobar el estado en el que se encuentran los dispositivos: operativos o no operativos. De tal forma, en esta memoria se plasma como se ha desarrollado la gestión de dispositivos integrados en un sistema con Arquitectura de la Red de las Cosas utilizando tanto plataformas Intel Galileo como Arduino. ABSTRACT. The Architecture of the Internet of Things (IoT) refers to a network of digitally interconnected everyday objects. With IoT, not only we can store, analyze and exchange information and data with objects, but they can also autonomously interact among them. To accomplish that, the everyday objects are made of actuators and sensors that let us act on their behavior and know their state and properties, respectively. Management of IoT combines all the functionalities needed for coordinating a system with an Architecture of the Internet of Things. A good management system can reduce faults, improve assistance to reduce unexpected problems, correct errors and allow the scalability of the system, allowing the addition of new modules and functionalities. In this Degree Final Project, an analysis about aspects of IoT related to the management of devices integrated into the Architecture of the Internet of things is carried out first. Then, the specification and the design of the management platform is made. Finally, a use case will be developed to validate some elements of the designed platform. Several tests will be run to check the correct management of the devices such as the proper functioning of the design previously established, requesting, among others, the following set of operations: list the connected elements, possibility to obtain or modify these elements (their configuration and their state) or reporting and checking which devices are operating or non-operating. So, in this memory it is explained how it has been carried out the management of devices integrated in a system with an Architecture of the Internet of Things (IoT), based on the Intel Galileo and Arduino platforms.

Telemetría de vehículos FSAE con microcontrolador PIC32 y transceptor de radio CC1101

Quizás el campo de las telecomunicaciones sea uno de los campos en el que más se ha progresado en este último siglo y medio, con la ayuda de otros campos de la ciencia y la técnica tales como la computación, la física electrónica, y un gran número de disciplinas, que se han utilizado estos últimos 150 años en conjunción para mejorarse unas con la ayuda de otras. Por ejemplo, la química ayuda a comprender y mejorar campos como la medicina, que también a su vez se ve mejorada por los progresos en la electrónica creados por los físicos y químicos, que poseen herramientas más potentes para calcular y simular debido a los progresos computacionales. Otro de los campos que ha sufrido un gran avance en este último siglo es el de la automoción, aunque estancados en el motor de combustión, los vehículos han sufrido enormes cambios debido a la irrupción de los avances en la electrónica del automóvil con multitud de sistemas ya ampliamente integrados en los vehículos actuales. La Formula SAE® o Formula Student es una competición de diseño, organizada por la SAE International (Society of Automotive Engineers) para estudiantes de universidades de todo el mundo que promueve la ingeniería a través de una competición donde los miembros del equipo diseñan, construyen, desarrollan y compiten en un pequeño y potente monoplaza. En el ámbito educativo, evitando el sistema tradicional de clases magistrales, se introducen cambios en las metodologías de enseñanza y surge el proyecto de la Fórmula Student para lograr una mejora en las acciones formativas, que permitan ir incorporando nuevos objetivos y diseñar nuevas situaciones de aprendizaje que supongan una oportunidad para el desarrollo de competencias de los alumnos, mejorar su formación como ingenieros y contrastar sus progresos compitiendo con las mejores universidades del mundo. En este proyecto se pretende dotar a los alumnos de las escuelas de ingeniería de la UPM que desarrollan el vehículo de FSAE de una herramienta de telemetría con la que evaluar y probar comportamiento del vehículo de FSAE junto con sus subsistemas que ellos mismos diseñan, con el objetivo de evaluar el comportamiento, introducir mejoras, analizar resultados de una manera más rápida y cómoda, con el objetivo de poder progresar más rápidamente en su desarrollo, recibiendo y almacenando una realimentación directa e instantánea del funcionamiento mediante la lectura de los datos que circulan por el bus CAN del vehículo. También ofrece la posibilidad de inyectar datos a los sistemas conectados al bus CAN de manera remota. Se engloba en el conjunto de proyectos de la FSAE, más concretamente en los basados en la plataforma PIC32 y propone una solución conjunta con otros proyectos o también por sí sola. Para la ejecución del proyecto se fabricó una placa compuesta de dos placas de circuito impreso, la de la estación base que envía comandos, instrucciones y datos para inyectar en el bus CAN del vehículo mediante radiofrecuencia y la placa que incorpora el vehículo que envía las tramas que circulan por el bus CAN del vehículo con los identificadores deseados, ejecuta los comandos recibidos por radiofrecuencia y salva las tramas CAN en una memoria USB o SD Card. Las dos PCBs constituyen el hardware del proyecto. El software se compone de dos programas. Un programa para la PCB del vehículo que emite los datos a la estación base, codificado en lenguaje C con ayuda del entorno de desarrollo MPLAB de Microchip. El otro programa hecho con LabView para la PCB de la estación base que recibe los datos provenientes del vehículo y los interpreta. Se propone un hardware y una capa o funciones de software para los microcontroladores PIC32 (similar al de otros proyectos del FSAE) para la transmisión de las tramas del bus CAN del vehículo de manera inalámbrica a una estación base, capaz de insertar tramas en el bus CAN del vehículo enviadas desde la estación base. También almacena estas tramas CAN en un dispositivo USB o SD Card situado en el vehículo. Para la transmisión de los datos se hizo un estudio de las frecuencias de transmisión, la legislación aplicable y los tipos de transceptores. Se optó por utilizar la banda de radiofrecuencia de uso común ISM de 433MHz mediante el transceptor integrado CC110L de Texas Instruments altamente configurable y con interfaz SPI. Se adquirieron dos parejas de módulos compatibles, con amplificador de potencia o sin él. LabView controla la estación que recoge las tramas CAN vía RF y está dotada del mismo transceptor de radio junto con un puente de comunicaciones SPI-USB, al que se puede acceder de dos diferentes maneras, mediante librerías dll, o mediante NI-VISA con transferencias RAW-USB. La aplicación desarrollada posee una interfaz configurable por el usuario para la muestra de los futuros sensores o actuadores que se incorporen en el vehículo y es capaz de interpretar las tramas CAN, mostrarlas, gráfica, numéricamente y almacenar esta información, como si fuera el cuadro de instrumentos del vehículo. Existe una limitación de la velocidad global del sistema en forma de cuello de botella que se crea debido a las limitaciones del transceptor CC110L por lo que si no se desea filtrar los datos que se crean necesarios, sería necesario aumentar el número de canales de radio para altas ocupaciones del bus CAN. Debido a la pérdida de relaciones con el INSIA, no se pudo probar de manera real en el propio vehículo, pero se hicieron pruebas satisfactorias (hasta 1,6 km) con una configuración de tramas CAN estándar a una velocidad de transmisión de 1 Mbit/s y un tiempo de bit de 1 microsegundo. El periférico CAN del PIC32 se programará para cumplir con estas especificaciones de la ECU del vehículo, que se presupone que es la MS3 Sport de Bosch, de la que LabView interpretará las tramas CAN recibidas de manera inalámbrica. Para poder probar el sistema, ha sido necesario reutilizar el hardware y adaptar el software del primer prototipo creado, que emite tramas CAN preprogramadas con una latencia también programable y que simulará al bus CAN proporcionando los datos a transmitir por el sistema que incorpora el vehículo. Durante el desarrollo de este proyecto, en las etapas finales, el fabricante del puente de comunicaciones SPI-USB MCP2210 liberó una librería (dll) compatible y sin errores, por lo que se nos ofrecía una oportunidad interesante para la comparación de las velocidades de acceso al transceptor de radio, que se presuponía y se comprobó más eficiente que la solución ya hecha mediante NI-VISA. ABSTRACT. The Formula SAE competition is an international university applied to technological innovation in vehicles racing type formula, in which each team, made up of students, should design, construct and test a prototype each year within certain rules. The challenge of FSAE is that it is an educational project farther away than a master class. The goal of the present project is to make a tool for other students to use it in his projects related to FSAE to test and improve the vehicle, and, the improvements that can be provided by the electronics could be materialized in a victory and win the competition with this competitive advantage. A telemetry system was developed. It sends the data provided by the car’s CAN bus through a radio frequency transceiver and receive commands to execute on the system, it provides by a base station on the ground. Moreover, constant verification in real time of the status of the car or data parameters like the revolutions per minute, pressure from collectors, water temperature, and so on, can be accessed from the base station on the ground, so that, it could be possible to study the behaviour of the vehicle in early phases of the car development. A printed circuit board, composed of two boards, and two software programs in two different languages, have been developed, and built for the project implementation. The software utilized to design the PCB is Orcad10.5/Layout. The base station PCB on a PC receives data from the PCB connected to the vehicle’s CAN bus and sends commands like set CAN filters or masks, activate data logger or inject CAN frames. This PCB is connected to a PC via USB and contains a bridge USB-SPI to communicate with a similar transceiver on the vehicle PCB. LabView controls this part of the system. A special virtual Instrument (VI) had been created in order to add future new elements to the vehicle, is a dashboard, which reads the data passed from the main VI and represents them graphically to studying the behaviour of the car on track. In this special VI other alums can make modifications to accommodate the data provided from the vehicle CAN’s bus to new elements on the vehicle, show or save the CAN frames in the form or format they want. Two methods to access to SPI bus of CC110l RF transceiver over LabView have been developed with minimum changes between them. Access through NI-VISA (Virtual Instrument Software Architecture) which is a standard for configuring, programming, USB interfaces or other devices in National Instruments LabView. And access through DLL (dynamic link library) supplied by the manufacturer of the bridge USB-SPI, Microchip. Then the work is done in two forms, but the dll solution developed shows better behaviour, and increase the speed of the system because has less overload of the USB bus due to a better efficiency of the dll solution versus VISA solution. The PCB connected to the vehicle’s CAN bus receives commands from the base station PCB on a PC, and, acts in function of the command or execute actions like to inject packets into CAN bus or activate data logger. Also sends over RF the CAN frames present on the bus, which can be filtered, to avoid unnecessary radio emissions or overflowing the RF transceiver. This PCB consists of two basic pieces: A microcontroller with 32 bit architecture PIC32MX795F512L from Microchip and the radio transceiver integrated circuit CC110l from Texas Instruments. The PIC32MX795F512L has an integrated CAN and several peripherals like SPI controllers that are utilized to communicate with RF transceiver and SD Card. The USB controller on the PIC32 is utilized to store CAN data on a USB memory, and change notification peripheral is utilized like an external interrupt. Hardware for other peripherals is accessible. The software part of this PCB is coded in C with MPLAB from Microchip, and programming over PICkit 3 Programmer, also from Microchip. Some of his libraries have been modified to work properly with this project and other was created specifically for this project. In the phase for RF selection and design is made a study to clarify the general aspects of regulations for the this project in order to understand it and select the proper band, frequency, and radio transceiver for the activities developed in the project. From the different options available it selects a common use band ICM, with less regulation and free to emit with restrictions and disadvantages like high occupation. The transceiver utilized to transmit and receive the data CC110l is an integrated circuit which needs fewer components from Texas Instruments and it can be accessed through SPI bus. Basically is a state machine which changes his state whit commands received over an SPI bus or internal events. The transceiver has several programmable general purpose Inputs and outputs. These GPIOs are connected to PIC32 change notification input to generate an interrupt or connected to GPIO to MCP2210 USB-SPI bridge to inform to the base station for a packet received. A two pair of modules of CC110l radio module kit from different output power has been purchased which includes an antenna. This is to keep away from fabrication mistakes in RF hardware part or designs, although reference design and gerbers files are available on the webpage of the chip manufacturer. A neck bottle is present on the complete system, because the maximum data rate of CC110l transceiver is a half than CAN bus data rate, hence for high occupation of CAN bus is recommendable to filter the data or add more radio channels, because the buffers can’t sustain this load along the time. Unfortunately, during the development of the project, the relations with the INSIA, who develops the vehicle, was lost, for this reason, will be made impossible to test the final phases of the project like integration on the car, final test of integration, place of the antenna, enclosure of the electronics, connectors selection, etc. To test or evaluate the system, it was necessary to simulate the CAN bus with a hardware to feed the system with entry data. An early hardware prototype was adapted his software to send programed CAN frames at a fixed data rate and certain timing who simulate several levels of occupation of the CAN Bus. This CAN frames emulates the Bosch ECU MS3 Sport.