Understanding phosphorus diffusion into silicon in a MOVPE environment for III-V on silicon solar cells

Dual-junction solar cells formed by a GaAsP or GaInP top cell and a silicon bottom cell seem to be attractive candidates to materialize the long sought-for integration of III?V materials on silicon for photovoltaic applications. When manufacturing a multi-junction solar cell on silicon, one of the first processes to be addressed is the development of the bottom subcell and, in particular, the formation of its emitter. In this study, we analyze, both experimentally and by simulations, the formation of the emitter as a result of phosphorus diffusion that takes place during the first stages of the epitaxial growth of the solar cell. Different conditions for the Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) process have been evaluated to understand the impact of each parameter, namely, temperature, phosphine partial pressure, time exposure and memory effects in the final diffusion profiles obtained. A model based on SSupremIV process simulator has been developed and validated against experimental profiles measured by ECV and SIMS to calculate P diffusion profiles in silicon formed in a MOVPE environment taking in consideration all these factors.

ARXPS analysis of a GaAs/GaInP heterointerface with application in III-V multijunction solar cells

In this contribution, angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy is used to explore the extension and nature of a GaAs/GaInP heterointerface. This bilayer structure constitutes a very common interface in a multilayered III-V solar cell. Our results show a wide indium penetration into the GaAs layer, while phosphorous diffusion is much less important. The physico-chemical nature of such interface and its depth could deleteriously impact the solar cell performance. Our results probe the formation of spurious phases which may profoundly affect the interface behavior.

Optimization of the silicon subcell for III-V on silicon multijunction solar cells: key differences with conventional silicon technology

Dual-junction solar cells formed by a GaAsP or GaInP top cell and a silicon (Si) bottom cell seem to be attractive candidates to materialize the long sought-for integration of III-V materials on Si for photovoltaic (PV) applications. Such integration would offer a cost breakthrough for PV technology, unifying the low cost of Si and the efficiency potential of III-V multijunction solar cells. The optimization of the Si solar cells properties in flat-plate PV technology is well-known; nevertheless, it has been proven that the behavior of Si substrates is different when processed in an MOVPE reactor In this study, we analyze several factors influencing the bottom subcell performance, namely, 1) the emitter formation as a result of phosphorus diffusion; 2) the passivation quality provided by the GaP nucleation layer; and 3) the process impact on the bottom subcell PV properties.

Preliminary temperature Accelerated Life Test (ALT) on III-V commercial concentrator triple-junction solar cells

A quantitative temperature accelerated life test on sixty GaInP/GaInAs/Ge triple-junction commercial concentrator solar cells is being carried out. The final objective of this experiment is to evaluate the reliability, warranty period, and failure mechanism of high concentration solar cells in a moderate period of time. The acceleration of the degradation is realized by subjecting the solar cells at temperatures markedly higher than the nominal working temperature under a concentrator Three experiments at three different temperatures are necessary in order to obtain the acceleration factor which relates the time at the stress level with the time at nominal working conditions. . However, up to now only the test at the highest temperature has finished. Therefore, we can not provide complete reliability information but we have analyzed the life data and the failure mode of the solar cells inside the climatic chamber at the highest temperature. The failures have been all of them catastrophic. In fact, the solar cells have turned into short circuits. We have fitted the failure distribution to a two parameters Weibull function. The failures are wear-out type. We have observed that the busbar and the surrounding fingers are completely deteriorate

Creacion, antiguedad y privilegios de los titulos de Castilla

Sign.: []7, *-5*2, [calderón]1, 2[calderón]3, A-Z4, 2A-2Z4, 3A-3T4, 3V-3Z2, 4A-4C2

Tratado de la Nobleza de la Corona de Aragon : especialmente del Reyno de Valencia, comparada con la de Castilla, para ilustracion de la Real Cedula del Señor Don Luis I de 14 de Agosto de 1724

Contiene: Apendice y coleccion de los documentos y notas pertencientes al Tratado de la nobleza de la Corona de Aragon ..

Ensayos de caracterización y puesta en marcha del sistema de ventilación

A la hora de construir un túnel y dotarlo de las instalaciones previstas se llevan a cabo una gran cantidad de ensayos para verificar que las condiciones reales del sistema se adaptan a las especificaciones de proyecto lo que debe ser especialmente riguroso en lo relativo a las instalaciones de ventilación, por su gran relevancia en los escenarios de incendio. La imagen que se tiene habitualmente sobre los ensayos de ventilación en túneles suele corresponderse a lo que se conoce como ensayos de fuego. En realidad, una gran parte de los ensayos realizados en un túnel no son más que verificaciones de la funcionalidad de todos los sistemas que en él existen. Sin embargo, a diferencia de lo que suele pensarse, una verificación exhaustiva de su comportamiento requiere periodos de tiempo considerables en la fase de puesta en marcha que han de ser previstos. Para considerar que los ensayos realizados aseguren, no sólo el funcionamiento de los equipos en modo local, es decir, trabajando independientemente del resto de equipos, sino dentro del conjunto de las instalaciones, los ensayos a realizar deben abarcar aspectos relacionados en gran parte con el sistema de control y que deben desarrollarse simultáneamente. De forma general, los ensayos sobre el sistema de ventilación incluyen las comprobaciones de los equipos de forma individual, de la capacidad para cumplir los requisitos exigidos (ensayos de caracterización) y su funcionalidad como sistema global del túnel. Un último paso sería la realización de los ensayos de humos fríos y calientes.

Características y problemática de los tabiques de separación entre cantones en sistemas de ventilación de tipo (semi-) transversal

El objetivo principal de la ventilación es garantizar las condiciones de explotación en servicio y de seguridad en caso de incendio en el interior del túnel. En la mayoría de los túneles de una cierta importancia esto se consigue mediante la disposición de instalaciones mecánicas de ventilación que permiten forzar el desplazamiento del aire de la forma deseada. Los principios de funcionamiento que pueden encontrarse en la práctica son muy diversos aunque pueden clasificarse según el comportamiento del aire en el interior del túnel (PIARC, Circular Francesa) o en función de si existen o no elementos de separación entre la zona reservada a la circulación de los vehículos y los conductos de ventilación (Recomendaciones suizas). Siguiendo este último principio de clasificación, los que no presentan losa intermedia son aquellos en los que se emplean aceleradores y/o pozos de ventilación para conseguir las condiciones adecuadas. En cuanto a los sistemas que presentan losa intermedia existen dos principalmente el transversal y el semitransversal. En los sistemas de tipo transversal, durante el funcionamiento en servicio, en un tramo determinado del túnel el aporte de aire fresco es el mismo que el de extracción de tal forma que, en condiciones de igualdad de presión entre sus extremos, no existe corriente longitudinal. En cuanto a la sección transversal, el conducto de aire viciado debe situarse en la parte superior ocupando la sección superior de la bóveda de tal forma que permita la extracción de humos en caso de incendio a través de exutorios. En cambio, el aporte de aire fresco se suele realizar mediante aberturas situadas al nivel de la calzada o en la parte superior (aunque es desaconsejable) alimentadas desde conductos que pueden ir situados bajo la calzada o compartiendo la sección superior, en cuyo caso se dispone un tabique de separación entre ambos. En los sistemas de tipo semitransversal, durante el funcionamiento en servicio, se pretende dar a cada zona del túnel la cantidad de aire fresco necesario para diluir los contaminantes que allí se producen. El aire fresco se introduce a lo largo de todo el túnel a través de una serie de aberturas que comunican un conducto auxiliar situado en un falso techo del túnel. El aire contaminado sale a través de las bocas. Para prevenir el caso de incendio este tipo de ventilación puede estar preparada para invertir el sentido del aire y pasar a una aspiración a lo largo del túnel o en zonas localizadas. En este caso se denomina semitransversal reversible. En el caso de túneles de gran longitud es habitual la subdivisión del túnel en zonas o cantones que son alimentados desde una misma estación de ventilación, para lo que es preciso dividir el conducto de distribución en dos o más partes, quedando una de las secciones destinada a la distribución de aire al interior del túnel y la otra como transición al siguiente cantón. En el caso de sistemas de ventilación de tipo semitransversal reversible cada uno de los conductos puede ser empleado tanto para el aporte de aire fresco (sobrepresión) como la extracción de humos en caso de incendio (subpresión). Si a esto se añade la disposición de sistemas de ventiladores redundantes que permitan el auxilio en caso de fallo de algún equipo, es necesaria la disposición de complejos sistemas de registros para conectar los ventiladores. El tabique de separación entre los conductos se ve por tanto sometido a diferencias de presiones según el modo de funcionamiento, por lo que son precisos distintos escenarios de hipótesis de carga.

Influence of PH3 exposure on silicon substrate morphology in the MOVPE growth of III-V on silicon multijunction solar cells

Dual-junction solar cells formed by a GaAsP or GaInP top cell and a silicon bottom cell seem to be attractive candidates to materialize the long sought-for integration of III-V materials on silicon for photovoltaic applications. One of the first issues to be considered in the development of this structure will be the strategy to create the silicon emitter of the bottom subcell. In this study, we explore the possibility of forming the silicon emitter by phosphorus diffusion (i.e. exposing the wafer to PH3 in a MOVPE reactor) and still obtain good surface morphologies to achieve a successful III-V heteroepitaxy as occurs in conventional III-V on germanium solar cell technology. Consequently, we explore the parameter space (PH3 partial pressure, time and temperature) that is needed to create optimized emitter designs and assess the impact of such treatments on surface morphology using atomic force microscopy. Although a strong degradation of surface morphology caused by prolonged exposure of silicon to PH3 is corroborated, it is also shown that subsequent anneals under H-2 can recover silicon surface morphology and minimize its RMS roughness and the presence of pits and spikes.

Decada legal, en que contrahidas a diez las Leyes de estos Reynos, se van poniendo por resumen, y baxo un contexto las de cada parte de la Decada : Tomo primero ; que contiene una idea de la legislacion ... mostrando las epocas de su formacion ... con las leyes Iª, IIª, IIIª y IVª de ella

Contiene: Leyes religiosa y regia de Castilla : primera y segunda de la Decada ; Leyes Magistratoria y Popular : tercera y quarta de la Decada

Bradyrhizobium sp. lmjc necesita un sistema de secreción tipo III para nodular eficientemente al altramuz valenciano (Lupinus Mariae-Josephae).

La mayoría de las leguminosas establecen una simbiosis con bacterias denominadas rizobios que fijan dinitrógeno en estructuras especializadas llamadas nódulos a cambio de fotosintatos. Existen varios elementos que hacen esta interacción específica y efectiva, entre ellos se encuentra la presencia, en algunos rizobios, de estructuras tubulares que introducen proteínas de la bacteria (efectores) en el citoplasma de células vegetales. En nuestro estudio de la interacción de la bacteria designada como Bradyrhizobium sp. LmjC con el altramuz valenciano L. mariae-josephae Pascual, hemos demostrado que existe uno de esos sistemas de secreción de tipo III y que éste es esencial para una simbiosis eficiente. Además hemos iniciado la caracterización de un posible efector denominado NopE y por último estamos estudiando otros rasgos fenotípicos de dicha bacteria como su resistencia a antibióticos, su crecimiento con distintas fuentes de carbono, su tiempo de generación y otras pruebas bioquímicas como la actividad ureasa.

Reales ordenanzas obtenidas por el gremio de cortantes de ... Valencia ... : Aprobadas por el ... Supremo Consejo de Castilla en 14 de Enero 1740 ..

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Copia del despacho del Real, y Supremo Consejo de Castilla, dado en Madrid à treinta de junio de mil setecientos cinquenta y uno, en que se aprueban las Ordenanzas hechas para el buen govierno de la Acequia de Mislata

Tit. tomado de encabezamiento de texto

Copia de la representacion de la Diputacion de Sanidad de esta ... ciudad de Valencia a la Suprema Junta con motivo de la epidemia de Tercianas padecida el otoño del año 1784 : de las cartas ... de la Cédula de los señores del Real Consejo de Castilla, que comprehende las Providencias tomadas, para su remedio, en virtud de Orden de S. M. ..

Contiene: Cedula de Carlos III, fechada en el Pardo a 13 de febrero 1785

Descripcion de los ornatos públicos con que la Corte de Madrid ha solemnizado la feliz exâltacion al trono de los reyes nuestros señores Don Carlos III [sic], y Doña Luisa de Borbon, y la jura del ... Señor Don Fernando, Principe de Asturias

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