Réticulation de trypsine avec le glutaraldéhyde pour la cartographie peptidique par électrophorèse capillaire, chromatographie liquide et spectrométrie de masse

Mémoire numérisé par la Direction des bibliothèques de l'Université de Montréal.

Flash-Sintering and Characterization of La0.8Sr0.2Ga0.8Mg0.2O3-δ Electrolytes for Solid Oxide Fuel Cells

La_0.8Sr_0.2Ga_0.8Mg_0.2O_3-δ (LSGM), a promising electrolyte material for intermediate temperature solid oxide fuel cells, can be sintered to a fully dense state by a flash-sintering technique. In this work, LSGM is sintered by the current-limiting flash-sintering process at 690°C under an electric field of 100 V cm^-1, in comparison with up to 1400°C or even higher temperature in conventional furnace sintering. The resultant LSGM samples are investigated by scanning electron microscopy, X-ray diffraction, and electrochemical impedance spectroscopy. The SEM images exhibit well-densified microstructures while XRD results show that the perovskite structure after flash-sintering does not changed. EIS results show that the conductivity of LSGM sintered by the current-limiting flash-sintering process increases with sintering current density value. The conductivity of samples sintered at 120 mA mm^-2 reaches 0.049 σ cm^-1 at 800°C, which is approximate to the value of conventional sintered LSGM samples at 1400°C. Additionally, the flash-sintering process is interpreted by Joule heating theory. Therefore, the current-limiting flash-sintering technique is proved to be an energy-efficient and eligible approach for the densification of LSGM and other materials requiring high sintering temperature.

I Stormens Öga : En kvalitativ studie inspirerad av grundad teori, om väntade förändringar inom elitidrottsföreningar

Adapt or die. En omvärld i ständig rörelse ställer högre krav än någonsin på organisationer att utveckla sitt förändringsarbete och sättet man ser på förändringar, något som lett till att fenomenet "organisationsförändringar" blivit ett fokusområde för organisationsforskare. Inom denna forskning framhävs inte sällan vikten av att ta ställning till hur anställda tar emot, och påverkas av, detta förändringsarbete. En typ av förändringar som dock förblivit outforskade är väntade förändringar, förändringar där de anställda vet att en förändring kan komma att ske men inte när eller hur den kommer ske. Inom idrotten återfinns en viss typ av organisationer, elitidrottsföreningar, som ställs inför väntade förändringar med jämna mellanrum. Dessa situationer uppkommer när föreningarna omplaceras i det standardiserade seriesystem som återfinns i Sverige och ställs inför kraftigt omväxlande ekonomiska förutsättningar. För att kunna hantera denna osäkerhet förutsätts att organisationen konstant står redo att genomföra omvälvande förändringar, enbart baserat på föreningens sportsliga resultat. Syftet med uppsatsen är att skapa en förståelse för de anställdas reaktioner vid situationer av omplacering och väntad förändring. För att uppnå syftet utgick uppsatsen ifrån bristen på forskning och sökte, med hjälp av metoden Grundad teori, producera en serie väl underbyggda frågeställningar baserade i studiens fynd. Frågeställningarna producerades sedan via fyra semi-strukturerade intervjuer inom två olika elitidrottsföreningar. Resultatet visar på att en utbredd acceptans för väntade förändringar återfinns hos anställda inom elitidrottsföreningar. Uppsatsens fynd grundades i data från respondenterna och sammanställdes via en resultatmodell innehållandes en kärnkategori och fyra underkategorier. Uppsatsen erbjuder således, via metodvalet, en nyproducerad infallsvinkel på en situation som många organisationer inom idrotten – men även utanför – kan komma att ställas inför.

Comprendre et maîtriser le passage de type I à type II de puits quantiques d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) sur substrat de GaSb

Les antimoniures sont des semi-conducteurs III-V prometteurs pour le développement de dispositifs optoélectroniques puisqu'ils ont une grande mobilité d'électrons, une large gamme spectrale d'émission ou de détection et offrent la possibilité de former des hétérostructures confinées dont la recombinaison est de type I, II ou III. Bien qu'il existe plusieurs publications sur la fabrication de dispositifs utilisant un alliage d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) qui émet ou détecte à une certaine longueur d'onde, les détails, à savoir comment sont déterminés les compositions et surtout les alignements de bande, sont rarement explicites. Très peu d'études fondamentales sur l'incorporation d'indium et d'arsenic sous forme de tétramères lors de l'épitaxie par jets moléculaires existent, et les méthodes afin de déterminer l'alignement des bandes des binaires qui composent ces alliages donnent des résultats variables. Un modèle a été construit et a permis de prédire l'alignement des bandes énergétiques des alliages d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) avec celles du GaSb pour l'ensemble des compositions possibles. Ce modèle tient compte des effets thermiques, des contraintes élastiques et peut aussi inclure le confinement pour des puits quantiques. De cette manière, il est possible de prédire la transition de type de recombinaison en fonction de la composition. Il est aussi montré que l'indium ségrègue en surface lors de la croissance par épitaxie par jets moléculaires d'In(x)Ga(1-x)Sb sur GaSb, ce qui avait déjà été observé pour ce type de matériau. Il est possible d'éliminer le gradient de composition à cette interface en mouillant la surface d'indium avant la croissance de l'alliage. L'épaisseur d'indium en surface dépend de la température et peut être évaluée par un modèle simple simulant la ségrégation. Dans le cas d'un puits quantique, il y aura une seconde interface GaSb sur In(x)Ga(1-x)Sb où l'indium de surface ira s'incorporer. La croissance de quelques monocouches de GaSb à basse température immédiatement après la croissance de l'alliage permet d'incorporer rapidement ces atomes d'indium et de garder la seconde interface abrupte. Lorsque la composition d'indium ne change plus dans la couche, cette composition correspond au rapport de flux d'atomes d'indium sur celui des éléments III. L'arsenic, dont la source fournit principalement des tétramères, ne s'incorpore pas de la même manière. Les tétramères occupent deux sites en surface et doivent interagir par paire afin de créer des dimères d'arsenic. Ces derniers pourront alors être incorporés dans l'alliage. Un modèle de cinétique de surface a été élaboré afin de rendre compte de la diminution d'incorporation d'arsenic en augmentant le rapport V/III pour une composition nominale d'arsenic fixe dans l'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y). Ce résultat s'explique par le fait que les réactions de deuxième ordre dans la décomposition des tétramères d'arsenic ralentissent considérablement la réaction d'incorporation et permettent à l'antimoine d'occuper majoritairement la surface. Cette observation montre qu'il est préférable d'utiliser une source de dimères d'arsenic, plutôt que de tétramères, afin de mieux contrôler la composition d'arsenic dans la couche. Des puits quantiques d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) sur GaSb ont été fabriqués et caractérisés optiquement afin d'observer le passage de recombinaison de type I à type II. Cependant, celui-ci n'a pas pu être observé puisque les spectres étaient dominés par un niveau énergétique dans le GaSb dont la source n'a pu être identifiée. Un problème dans la source de gallium pourrait être à l'origine de ce défaut et la résolution de ce problème est essentielle à la continuité de ces travaux.

Matematik i det mångkulturella klassrummet : En litteraturstudie om flerspråkiga elevers problemlösningsförmåga

Forskning visar att flerspråkiga elevers matematikresultat sjunker i takt med att antalet flerspråkiga elever ökar i klassrummen. Forskningsresultaten visar att flerspråkiga elever framförallt har svårt för problemlösningsuppgifter med mycket text. Frågan är om lärare har tillräckligt med kunskaper och resurser för att tillgodose alla elevers behov. Syftet med vår litteraturstudie är att undersöka vilka strategier lärare kan använda för att stödja flerspråkiga elever. Vidare tar litteraturstudien upp vad som är betydelsefullt för att flerspråkiga elever ska kunna utveckla sin problemlösningsförmåga. I denna litteraturstudie har vetenskapligt granskade texter sökts och upptäckts via användning av olika söktekniker och därefter analyserats. Sökmetoderna vi har använt är slumpmässig sökning, systematisk sökning och kedjesökning. I litteraturstudien förekommer avhandlingar, konferensbidrag, empiriska undersökningar och artiklar i vetenskapligt granskade tidskrifter. Resultatet av vår litteraturstudie visar att flerspråkiga elever påverkas av flera olika faktorer. Lärare har en betydande roll för att eleverna ska kunna utveckla problemlösningsförmågan i ämnet matematik. Vårt resultat tar upp aspekter som lärare i ett mångkulturellt klassrum bör ta hänsyn till i undervisningen. De aspekter som tas upp i litteraturstudien är huruvida lärare tar hänsyn till elevernas tidigare erfarenheter och deras kultur. Ett viktigt begrepp inom detta område som behandlas i litteraturstudien är det etnomatematiska perspektivet. Vidare visar litteraturstudiens resultat att de flerspråkiga elevernas tillgång till sitt modersmål är en väsentlig del för att utveckla matematiska färdigheter. Fortsättningsvis visar resultatet att lärares val av kontextanknutna uppgifter är avgörande för att flerspråkiga elever ska kunna se en helhet i matematiska textuppgifter. Slutligen visar resultatet att det är viktigt att flerspråkiga elever måste ges möjlighet att tala matematik och att lärare belyser viktiga matematiska begrepp i klassrummet. 

Comprendre et maîtriser le passage de type I à type II de puits quantiques d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) sur substrat de GaSb

Les antimoniures sont des semi-conducteurs III-V prometteurs pour le développement de dispositifs optoélectroniques puisqu'ils ont une grande mobilité d'électrons, une large gamme spectrale d'émission ou de détection et offrent la possibilité de former des hétérostructures confinées dont la recombinaison est de type I, II ou III. Bien qu'il existe plusieurs publications sur la fabrication de dispositifs utilisant un alliage d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) qui émet ou détecte à une certaine longueur d'onde, les détails, à savoir comment sont déterminés les compositions et surtout les alignements de bande, sont rarement explicites. Très peu d'études fondamentales sur l'incorporation d'indium et d'arsenic sous forme de tétramères lors de l'épitaxie par jets moléculaires existent, et les méthodes afin de déterminer l'alignement des bandes des binaires qui composent ces alliages donnent des résultats variables. Un modèle a été construit et a permis de prédire l'alignement des bandes énergétiques des alliages d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) avec celles du GaSb pour l'ensemble des compositions possibles. Ce modèle tient compte des effets thermiques, des contraintes élastiques et peut aussi inclure le confinement pour des puits quantiques. De cette manière, il est possible de prédire la transition de type de recombinaison en fonction de la composition. Il est aussi montré que l'indium ségrègue en surface lors de la croissance par épitaxie par jets moléculaires d'In(x)Ga(1-x)Sb sur GaSb, ce qui avait déjà été observé pour ce type de matériau. Il est possible d'éliminer le gradient de composition à cette interface en mouillant la surface d'indium avant la croissance de l'alliage. L'épaisseur d'indium en surface dépend de la température et peut être évaluée par un modèle simple simulant la ségrégation. Dans le cas d'un puits quantique, il y aura une seconde interface GaSb sur In(x)Ga(1-x)Sb où l'indium de surface ira s'incorporer. La croissance de quelques monocouches de GaSb à basse température immédiatement après la croissance de l'alliage permet d'incorporer rapidement ces atomes d'indium et de garder la seconde interface abrupte. Lorsque la composition d'indium ne change plus dans la couche, cette composition correspond au rapport de flux d'atomes d'indium sur celui des éléments III. L'arsenic, dont la source fournit principalement des tétramères, ne s'incorpore pas de la même manière. Les tétramères occupent deux sites en surface et doivent interagir par paire afin de créer des dimères d'arsenic. Ces derniers pourront alors être incorporés dans l'alliage. Un modèle de cinétique de surface a été élaboré afin de rendre compte de la diminution d'incorporation d'arsenic en augmentant le rapport V/III pour une composition nominale d'arsenic fixe dans l'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y). Ce résultat s'explique par le fait que les réactions de deuxième ordre dans la décomposition des tétramères d'arsenic ralentissent considérablement la réaction d'incorporation et permettent à l'antimoine d'occuper majoritairement la surface. Cette observation montre qu'il est préférable d'utiliser une source de dimères d'arsenic, plutôt que de tétramères, afin de mieux contrôler la composition d'arsenic dans la couche. Des puits quantiques d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) sur GaSb ont été fabriqués et caractérisés optiquement afin d'observer le passage de recombinaison de type I à type II. Cependant, celui-ci n'a pas pu être observé puisque les spectres étaient dominés par un niveau énergétique dans le GaSb dont la source n'a pu être identifiée. Un problème dans la source de gallium pourrait être à l'origine de ce défaut et la résolution de ce problème est essentielle à la continuité de ces travaux.

Ruchy gałek ocznych i gesty jako korelaty przetwarzania języka w tłumaczeniu konsekutywnym i symultanicznym

Wydział Anglistyki

A study on the deployment of GA in a grid computing framework

Dissertação de Mestrado, Engenharia Informática, Faculdade de Ciências e Tecnologia, Universidade do Algarve, 2015

Demonstration of (In, Ga)N/GaN Core-Shell Micro Light-Emitting Diodes Grown by Molecular Beam Epitaxy on Ordered MOVPE GaN Pillars

This work reports on the growth of (In, Ga)N core−shell micro pillars by plasma-assisted molecular beam epitaxy using an ordered array of GaN cores grown by metal organic vapor phase epitaxy as a template. Upon (In, Ga)N growth, core−shell structures with emission at around 3.0 eV are formed. Further, the fabrication of a core−shell pin structure is demonstrated.

Lattice pulling effect and strain relaxation in axial (In, Ga)N/GaN nanowire heterostructures grown on GaN-buffered Si(111) substrate

Transmission electron microscopy and spatially resolved electron energy-loss spectroscopy have been applied to investigate the indium distribution and the interface morphology in axial (In,Ga)N/GaN nanowire heterostructures. The ordered axial (In,Ga)N/GaN nanowire heterostructures with an indium concentration up to 80% are grown by molecular beam epitaxy on GaN-buffered Si(111) substrates. We observed a pronounced lattice pulling effect in all the nanowire samples given in a broad transition region at the interface. The lattice pulling effect becomes smaller and the (In,Ga)N/GaN interface width is reduced as the indium concentration is increased in the (In,Ga)N section. The result can be interpreted in terms of the increased plastic strain relaxation via the generation of the misfit dislocations at the interface.

Electron tomography of (In,Ga)N insertions in GaN nanocolumns grown on semi-polar (11(2)over-bar2) GaN templates

We present results of scanning transmission electron tomography on GaN/(In,Ga)N/GaN nanocolumns (NCs) that grew uniformly inclined towards the patterned, semi-polar GaN( 112̄ 2 ) substrate surface by molecular beam epitaxy. For the practical realization of the tomographic experiment, the nanocolumn axis has been aligned parallel to the rotation axis of the electron microscope goniometer. The tomographic reconstruction allows for the determination of the three-dimensional indium distribution inside the nanocolumns. This distribution is strongly interrelated with the nanocolumn morphology and faceting. The (In,Ga)N layer thickness and the indium concentration differ between crystallographically equivalent and non-equivalent facets. The largest thickness and the highest indium concentration are found at the nanocolumn apex parallel to the basal planes.

GA-ANN Short-Term Electricity Load Forecasting

This paper presents a methodology for short-term load forecasting based on genetic algorithm feature selection and artificial neural network modeling. A feed forward artificial neural network is used to model the 24-h ahead load based on past consumption, weather and stock index data. A genetic algorithm is used in order to find the best subset of variables for modeling. Three data sets of different geographical locations, encompassing areas of different dimensions with distinct load profiles are used in order to evaluate the methodology. The developed approach was found to generate models achieving a minimum mean average percentage error under 2 %. The feature selection algorithm was able to significantly reduce the number of used features and increase the accuracy of the models.

Infrared and infrared emission spectroscopy of gallium oxide α-GaO(OH) nanostructures

Infrared spectroscopy has been used to study nano to micro sized gallium oxyhydroxide α-GaO(OH), prepared using a low temperature hydrothermal route. Rod-like α-GaO(OH) crystals with average length of ~2.5 μm and width of 1.5 μm were prepared when the initial molar ratio of Ga to OH was 1:3. β-Ga2O3 nano and micro-rods were prepared through the calcination of α-GaO(OH) The initial morphology of α-GaO(OH) is retained in the β-Ga2O3 nanorods. The combination of infrared and infrared emission spectroscopy complimented with dynamic thermal analysis were used to characterise the α-GaO(OH) nanotubes and the formation of β-Ga2O3 nanorods. Bands at around 2903 and 2836 cm-1 are assigned to the -OH stretching vibration of α-GaO(OH) nanorods. Infrared bands at around 952 and 1026 cm-1 are assigned to the Ga-OH deformation modes of α-GaO(OH). A significant number of bands are observed in the 620 to 725 cm-1 region and are assigned to GaO stretching vibrations.

A Penalty-based Genetic Algorithm for QoS-AwareWeb Service Composition with Inter-Service Dependencies and Conflicts

In Web service based systems, new value-added Web services can be constructed by integrating existing Web services. A Web service may have many implementations, which are functionally identical, but have different Quality of Service (QoS) attributes, such as response time, price, reputation, reliability, availability and so on. Thus, a significant research problem in Web service composition is how to select an implementation for each of the component Web services so that the overall QoS of the composite Web service is optimal. This is so called QoS-aware Web service composition problem. In some composite Web services there are some dependencies and conflicts between the Web service implementations. However, existing approaches cannot handle the constraints. This paper tackles the QoS-aware Web service composition problem with inter service dependencies and conflicts using a penalty-based genetic algorithm (GA). Experimental results demonstrate the effectiveness and the scalability of the penalty-based GA.