A trace element study of siderite-jasper banded iron formation in the 3.45 Ga Warrawoona Group, Pilbara Craton - Formation from hydrothermal fluids and shallow seawater

Shale-normalised rare earth element and yttrium (REE + Y) patterns for siderite-jasper couples in a banded iron formation of the 3.45 Ga Panorama Formation, Warrawoona Group, eastern Pilbara Craton, display distinct positive Y and Eu anomalies and weak positive La and Gd anomalies, combined with depleted light REE relative to middle and heavy REE. Ambient seawater and hydrothermal fluids are identified as major sources of REE + Y for the BIF. In the case of siderites, strong correlations between incompatible trace elements and trace element ratios diagnostic of seawater indicate variable input from a terrigenous source (e.g. volcanic ash). We propose a volcanic caldera setting as a likely depositional environment where jasper and siderite precipitated as alternating bands in response to episodic changes in ambient water chemistry. The episodicity was either driven by fluctuations in the intensity of hydrothermal activity or changes in magma chamber activity, which in turn controlled relative sea level. In this context, precipitation of jasper probably reflects background conditions during which seawater was saturated in silica due to evaporative conditions, while siderites were deposited most likely during intermittent periods of enhanced volcanic activity when seawater was more acidic due to the release of exhalative phases (e.g. CO2). © 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.

Influence of the sputtering flow regime on the structural properties and magnetic behavior of Fe-Ga thin films (Ga ∼ 30 at.%)

In this paper we analyze the structure of Fe-Ga layers with a Ga content of ∼30 at.% deposited by the sputtering technique under two different regimes. We also studied the correlation between the structure and magnetic behavior of the samples. Keeping the Ar pressure fixed, we modified the flow regime from ballistic to diffusive by increasing the distance between the target and the substrate. X-ray diffraction measurements have shown a lower structural quality when growing in the diffusive flow. We investigated the impact of the growth regime by means of x-ray absorption fine structure (XAFS) measurements and obtained signs of its influence on the local atomic order. Full multiple scattering and finite difference calculations based on XAFS measurements point to a more relevant presence of a disordered A2 phase and of orthorhombic Ga clusters on the Fe-Ga alloy deposited under a diffusive regime; however, in the ballistic sample, a higher presence of D0_3/B2 phases is evidenced. Structural characteristics, from local to long range, seem to determine the magnetic behavior of the layers. Whereas a clear in-plane magnetic anisotropy is observed in the film deposited under ballistic flow, the diffusive sample is magnetically isotropic. Therefore, our experimental results provide evidence of a correlation between flow regime and structural properties and its impact on the magnetic behavior of a rather unexplored compositional region of Fe-Ga compounds.

3.46 Ga Apex chert 'microfossils' reinterpreted as mineral artefacts produced during phyllosilicate exfoliation

We acknowledge the facilities, scientific and technical assistance of the Australian Microscopy & Microanalysis Research Facility at: Centre for Microscopy Characterisation and Analysis, The University of Western Australia; Electron Microscopy Unit, The University of New South Wales. These facilities are funded by the Universities, State and Commonwealth Governments. DW was funded by the European Commission and the Australian Research Council (FT140100321). This is ARC CCFS paper number XXX. We acknowledge Martin van Kranendonk, Owen Green, Cris Stoakes, Nicola McLoughlin, the late John Lindsay and the Geological Survey of Western Australia for fieldwork assistance, Thomas Becker for assistance with Raman microspectroscopy, Anthony Burgess from FEI for the preparation of one of the TEM wafers, and Russell Garwood, Tom Davies, Imran Rahman & Stephan Lautenschlager for training and advice on the SPIERS and AVIZO software suites. We thank Chris Fedo and an anonymous reviewer for comments that improved the manuscript.

3.46 Ga Apex chert 'microfossils' reinterpreted as mineral artefacts produced during phyllosilicate exfoliation

We acknowledge the facilities, scientific and technical assistance of the Australian Microscopy & Microanalysis Research Facility at: Centre for Microscopy Characterisation and Analysis, The University of Western Australia; Electron Microscopy Unit, The University of New South Wales. These facilities are funded by the Universities, State and Commonwealth Governments. DW was funded by the European Commission and the Australian Research Council (FT140100321). This is ARC CCFS paper number XXX. We acknowledge Martin van Kranendonk, Owen Green, Cris Stoakes, Nicola McLoughlin, the late John Lindsay and the Geological Survey of Western Australia for fieldwork assistance, Thomas Becker for assistance with Raman microspectroscopy, Anthony Burgess from FEI for the preparation of one of the TEM wafers, and Russell Garwood, Tom Davies, Imran Rahman & Stephan Lautenschlager for training and advice on the SPIERS and AVIZO software suites. We thank Chris Fedo and an anonymous reviewer for comments that improved the manuscript.

MOVPE growth and characterization of Al(Ga)N and InAlN/AlGaN quantum wells for UV LED applications

The study of III-nitride materials (InN, GaN and AlN) gained huge research momentum after breakthroughs in the production light emitting diodes (LEDs) and laser diodes (LDs) over the past two decades. Last year, the Nobel Prize in Physics was awarded jointly to Isamu Akasaki, Hiroshi Amano and Shuji Nakamura for inventing a new energy efficient and environmental friendly light source: blue light-emitting diode (LED) from III-nitride semiconductors in the early 1990s. Nowadays, III-nitride materials not only play an increasingly important role in the lighting technology, but also become prospective candidates in other areas, for example, the high frequency (RF) high electron mobility transistor (HEMT) and photovoltaics. These devices require the growth of high quality III-nitride films, which can be prepared using metal organic vapour phase epitaxy (MOVPE). The main aim of my thesis is to study and develop the growth of III-nitride films, including AlN, u-AlGaN, Si-doped AlGaN, and InAlN, serving as sample wafers for fabrication of ultraviolet (UV) LEDs, in order to replace the conventional bulky, expensive and environmentally harmful mercury lamp as new UV light sources. For application to UV LEDs, reducing the threading dislocation density (TDD) in AlN epilayers on sapphire substrates is a key parameter for achieving high-efficiency AlGaNbased UV emitters. In Chapter 4, after careful and systematic optimisation， a working set of conditions, the screw and edge type dislocation density in the AlN were reduced to around 2.2×108 cm-2 and 1.3×109 cm-2 , respectively, using an optimized three-step process, as estimated by TEM. An atomically smooth surface with an RMS roughness of around 0.3 nm achieved over 5×5 µm 2 AFM scale. Furthermore, the motion of the steps in a one dimension model has been proposed to describe surface morphology evolution, especially the step bunching feature found under non-optimal conditions. In Chapter 5, control of alloy composition and the maintenance of compositional uniformity across a growing epilayer surface were demonstrated for the development of u-AlGaN epilayers. Optimized conditions (i.e. a high growth temperature of 1245 °C) produced uniform and smooth film with a low RMS roughness of around 2 nm achieved in 20×20 µm 2 AFM scan. The dopant that is most commonly used to obtain n-type conductivity in AlxGa1-xN is Si. However, the incorporation of Si has been found to increase the strain relaxation and promote unintentional incorporation of other impurities (O and C) during Si-doped AlGaN growth. In Chapter 6, reducing edge-type TDs is observed to be an effective appoach to improve the electric and optical properties of Si-doped AlGaN epilayers. In addition, the maximum electron concentration of 1.3×1019 cm-3 and 6.4×1018 cm-3 were achieved in Si-doped Al0.48Ga0.52N and Al0.6Ga0.4N epilayers as measured using Hall effect. Finally, in Chapter 7, studies on the growth of InAlN/AlGaN multiple quantum well (MQW) structures were performed, and exposing InAlN QW to a higher temperature during the ramp to the growth temperature of AlGaN barrier (around 1100 °C) will suffer a significant indium (In) desorption. To overcome this issue, quasi-two-tempeature (Q2T) technique was applied to protect InAlN QW. After optimization, an intense UV emission from MQWs has been observed in the UV spectral range from 320 to 350 nm measured by room temperature photoluminescence.

Flash-Sintering and Characterization of La0.8Sr0.2Ga0.8Mg0.2O3-δ Electrolytes for Solid Oxide Fuel Cells

La_0.8Sr_0.2Ga_0.8Mg_0.2O_3-δ (LSGM), a promising electrolyte material for intermediate temperature solid oxide fuel cells, can be sintered to a fully dense state by a flash-sintering technique. In this work, LSGM is sintered by the current-limiting flash-sintering process at 690°C under an electric field of 100 V cm^-1, in comparison with up to 1400°C or even higher temperature in conventional furnace sintering. The resultant LSGM samples are investigated by scanning electron microscopy, X-ray diffraction, and electrochemical impedance spectroscopy. The SEM images exhibit well-densified microstructures while XRD results show that the perovskite structure after flash-sintering does not changed. EIS results show that the conductivity of LSGM sintered by the current-limiting flash-sintering process increases with sintering current density value. The conductivity of samples sintered at 120 mA mm^-2 reaches 0.049 σ cm^-1 at 800°C, which is approximate to the value of conventional sintered LSGM samples at 1400°C. Additionally, the flash-sintering process is interpreted by Joule heating theory. Therefore, the current-limiting flash-sintering technique is proved to be an energy-efficient and eligible approach for the densification of LSGM and other materials requiring high sintering temperature.

I Stormens Öga : En kvalitativ studie inspirerad av grundad teori, om väntade förändringar inom elitidrottsföreningar

Adapt or die. En omvärld i ständig rörelse ställer högre krav än någonsin på organisationer att utveckla sitt förändringsarbete och sättet man ser på förändringar, något som lett till att fenomenet "organisationsförändringar" blivit ett fokusområde för organisationsforskare. Inom denna forskning framhävs inte sällan vikten av att ta ställning till hur anställda tar emot, och påverkas av, detta förändringsarbete. En typ av förändringar som dock förblivit outforskade är väntade förändringar, förändringar där de anställda vet att en förändring kan komma att ske men inte när eller hur den kommer ske. Inom idrotten återfinns en viss typ av organisationer, elitidrottsföreningar, som ställs inför väntade förändringar med jämna mellanrum. Dessa situationer uppkommer när föreningarna omplaceras i det standardiserade seriesystem som återfinns i Sverige och ställs inför kraftigt omväxlande ekonomiska förutsättningar. För att kunna hantera denna osäkerhet förutsätts att organisationen konstant står redo att genomföra omvälvande förändringar, enbart baserat på föreningens sportsliga resultat. Syftet med uppsatsen är att skapa en förståelse för de anställdas reaktioner vid situationer av omplacering och väntad förändring. För att uppnå syftet utgick uppsatsen ifrån bristen på forskning och sökte, med hjälp av metoden Grundad teori, producera en serie väl underbyggda frågeställningar baserade i studiens fynd. Frågeställningarna producerades sedan via fyra semi-strukturerade intervjuer inom två olika elitidrottsföreningar. Resultatet visar på att en utbredd acceptans för väntade förändringar återfinns hos anställda inom elitidrottsföreningar. Uppsatsens fynd grundades i data från respondenterna och sammanställdes via en resultatmodell innehållandes en kärnkategori och fyra underkategorier. Uppsatsen erbjuder således, via metodvalet, en nyproducerad infallsvinkel på en situation som många organisationer inom idrotten – men även utanför – kan komma att ställas inför.

Comprendre et maîtriser le passage de type I à type II de puits quantiques d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) sur substrat de GaSb

Les antimoniures sont des semi-conducteurs III-V prometteurs pour le développement de dispositifs optoélectroniques puisqu'ils ont une grande mobilité d'électrons, une large gamme spectrale d'émission ou de détection et offrent la possibilité de former des hétérostructures confinées dont la recombinaison est de type I, II ou III. Bien qu'il existe plusieurs publications sur la fabrication de dispositifs utilisant un alliage d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) qui émet ou détecte à une certaine longueur d'onde, les détails, à savoir comment sont déterminés les compositions et surtout les alignements de bande, sont rarement explicites. Très peu d'études fondamentales sur l'incorporation d'indium et d'arsenic sous forme de tétramères lors de l'épitaxie par jets moléculaires existent, et les méthodes afin de déterminer l'alignement des bandes des binaires qui composent ces alliages donnent des résultats variables. Un modèle a été construit et a permis de prédire l'alignement des bandes énergétiques des alliages d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) avec celles du GaSb pour l'ensemble des compositions possibles. Ce modèle tient compte des effets thermiques, des contraintes élastiques et peut aussi inclure le confinement pour des puits quantiques. De cette manière, il est possible de prédire la transition de type de recombinaison en fonction de la composition. Il est aussi montré que l'indium ségrègue en surface lors de la croissance par épitaxie par jets moléculaires d'In(x)Ga(1-x)Sb sur GaSb, ce qui avait déjà été observé pour ce type de matériau. Il est possible d'éliminer le gradient de composition à cette interface en mouillant la surface d'indium avant la croissance de l'alliage. L'épaisseur d'indium en surface dépend de la température et peut être évaluée par un modèle simple simulant la ségrégation. Dans le cas d'un puits quantique, il y aura une seconde interface GaSb sur In(x)Ga(1-x)Sb où l'indium de surface ira s'incorporer. La croissance de quelques monocouches de GaSb à basse température immédiatement après la croissance de l'alliage permet d'incorporer rapidement ces atomes d'indium et de garder la seconde interface abrupte. Lorsque la composition d'indium ne change plus dans la couche, cette composition correspond au rapport de flux d'atomes d'indium sur celui des éléments III. L'arsenic, dont la source fournit principalement des tétramères, ne s'incorpore pas de la même manière. Les tétramères occupent deux sites en surface et doivent interagir par paire afin de créer des dimères d'arsenic. Ces derniers pourront alors être incorporés dans l'alliage. Un modèle de cinétique de surface a été élaboré afin de rendre compte de la diminution d'incorporation d'arsenic en augmentant le rapport V/III pour une composition nominale d'arsenic fixe dans l'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y). Ce résultat s'explique par le fait que les réactions de deuxième ordre dans la décomposition des tétramères d'arsenic ralentissent considérablement la réaction d'incorporation et permettent à l'antimoine d'occuper majoritairement la surface. Cette observation montre qu'il est préférable d'utiliser une source de dimères d'arsenic, plutôt que de tétramères, afin de mieux contrôler la composition d'arsenic dans la couche. Des puits quantiques d'In(x)Ga(1-x)As(y)Sb(1-y) sur GaSb ont été fabriqués et caractérisés optiquement afin d'observer le passage de recombinaison de type I à type II. Cependant, celui-ci n'a pas pu être observé puisque les spectres étaient dominés par un niveau énergétique dans le GaSb dont la source n'a pu être identifiée. Un problème dans la source de gallium pourrait être à l'origine de ce défaut et la résolution de ce problème est essentielle à la continuité de ces travaux.

Matematik i det mångkulturella klassrummet : En litteraturstudie om flerspråkiga elevers problemlösningsförmåga

Forskning visar att flerspråkiga elevers matematikresultat sjunker i takt med att antalet flerspråkiga elever ökar i klassrummen. Forskningsresultaten visar att flerspråkiga elever framförallt har svårt för problemlösningsuppgifter med mycket text. Frågan är om lärare har tillräckligt med kunskaper och resurser för att tillgodose alla elevers behov. Syftet med vår litteraturstudie är att undersöka vilka strategier lärare kan använda för att stödja flerspråkiga elever. Vidare tar litteraturstudien upp vad som är betydelsefullt för att flerspråkiga elever ska kunna utveckla sin problemlösningsförmåga. I denna litteraturstudie har vetenskapligt granskade texter sökts och upptäckts via användning av olika söktekniker och därefter analyserats. Sökmetoderna vi har använt är slumpmässig sökning, systematisk sökning och kedjesökning. I litteraturstudien förekommer avhandlingar, konferensbidrag, empiriska undersökningar och artiklar i vetenskapligt granskade tidskrifter. Resultatet av vår litteraturstudie visar att flerspråkiga elever påverkas av flera olika faktorer. Lärare har en betydande roll för att eleverna ska kunna utveckla problemlösningsförmågan i ämnet matematik. Vårt resultat tar upp aspekter som lärare i ett mångkulturellt klassrum bör ta hänsyn till i undervisningen. De aspekter som tas upp i litteraturstudien är huruvida lärare tar hänsyn till elevernas tidigare erfarenheter och deras kultur. Ett viktigt begrepp inom detta område som behandlas i litteraturstudien är det etnomatematiska perspektivet. Vidare visar litteraturstudiens resultat att de flerspråkiga elevernas tillgång till sitt modersmål är en väsentlig del för att utveckla matematiska färdigheter. Fortsättningsvis visar resultatet att lärares val av kontextanknutna uppgifter är avgörande för att flerspråkiga elever ska kunna se en helhet i matematiska textuppgifter. Slutligen visar resultatet att det är viktigt att flerspråkiga elever måste ges möjlighet att tala matematik och att lärare belyser viktiga matematiska begrepp i klassrummet.