Mesons: ontologia

Este trabalho se intitula Mesons e propõe descrever e fundamentar uma nova teoria: a mesologia. Trata-se de uma teoria geral dos meios [mesons] e das mediações, uma ontologia dos meios, poderíamos dizer, cujo intuito é fornecer parâmetros conceituais para a compreensão de fenômenos bastante heterogêneos, sejam eles de ordem cultural ou natural, física ou metafísica. Essa abrangência é possível porque a mesologia se apoia em princípios cosmológicos e ontológicos para se fundamentar. Nesse sentido, um dos princípios fundamentais em torno dos quais a teoria dos mesons se articula é o binômio finito-infinito, entendido a partir da ontologia e da cosmologia. Por isso, esta tese leva o subtítulo de Ontologia, pois pretende delinear as premissas metateóricas elementares dessa teoria. Portanto, este é um trabalho eminentemente metaempírico, cujos objetos material e formal coincidem em um mesmo objeto conceitual: a demarcação epistemológica do conceito de mesons, bem como a exploração de diversos fenômenos que possam ser descritos e agenciados pela mesologia. A partir deste núcleo primário que é a definição da ontologia dos mesons, uma série de outros conceitos se dissemina, centrais para a compreensão da mesologia como um todo: mesons, meios, ser, vida, sapiens, ontologia, cosmologia, infinito, finito, heterarquia, heterogênese, antropia, antropofanias, antropogemas, transumano, holografia, holograma, mereografia, mereograma, pluriontologias, transferência, animismo, imaginal, tempestade, entre outros. Obviamente não pude analisar e estabilizar todos esses conceitos neste trabalho. E se não o fiz é também porque imagino este trabalho dedicado a delinear o ser dos mesons, ou seja, a ontologia dos meios, como o primeiro volume de um projeto maior, em diversos volumes, intitulado Mesons, e que abordará outros conceitos e outras noções, tais como cosmo, vida, forma, morte, sexualidade, em suas determinações e especificidades propriamente mesológicas.

Large port count high-speed optical switch fabric for use within datacenters [Invited]

This paper reviews advances in the technology of integrated semiconductor optical amplifier based photonic switch fabrics, with particular emphasis on their suitability for high performance network switches for use within a datacenter. The key requirements for large port count optical switch fabrics are addressed noting the need for switches with substantial port counts. The design options for a 16×16 port photonic switch fabric architecture are discussed and the choice of a Clos-tree design is described. The control strategy, based on arbitration and scheduling, for an integrated switch fabric is explained. The detailed design and fabrication of the switch is followed by experimental characterization, showing net optical gain and operation at 10 Gb/s with bit error rates lower than 10-9. Finally improvements to the switch are suggested, which should result in 100 Gb/s per port operation at energy efficiencies of 3 pJ/bit. © 2011 Optical Society of America.

Tunable electronic transport characteristics of surface-architecture-controlled ZnO nanowire field effect transistors.

Surface-architecture-controlled ZnO nanowires were grown using a vapor transport method on various ZnO buffer film coated c-plane sapphire substrates with or without Au catalysts. The ZnO nanowires that were grown showed two different types of geometric properties: corrugated ZnO nanowires having a relatively smaller diameter and a strong deep-level emission photoluminescence (PL) peak and smooth ZnO nanowires having a relatively larger diameter and a weak deep-level emission PL peak. The surface morphology and size-dependent tunable electronic transport properties of the ZnO nanowires were characterized using a nanowire field effect transistor (FET) device structure. The FETs made from smooth ZnO nanowires with a larger diameter exhibited negative threshold voltages, indicating n-channel depletion-mode behavior, whereas those made from corrugated ZnO nanowires with a smaller diameter had positive threshold voltages, indicating n-channel enhancement-mode behavior.

Direct observation of the structural component of the metal-insulator phase transition and growth habits of epitaxially grown VO2 nanowires.

We have grown epitaxially orientation-controlled monoclinic VO2 nanowires without employing catalysts by a vapor-phase transport process. Electron microscopy results reveal that single crystalline VO2 nanowires having a [100] growth direction grow laterally on the basal c plane and out of the basal r and a planes of sapphire, exhibiting triangular and rectangular cross sections, respectively. In addition, we have directly observed the structural phase transition of single crystalline VO2 nanowires between the monoclinic and tetragonal phases which exhibit insulating and metallic properties, respectively, and clearly analyzed their corresponding relationships using in situ transmission electron microscopy.