Interceptação da radiação fotossinteticamente ativa na cultura do arroz de terras altas sob efeito de regulador de crescimento e densidades de semeadura

Pós-graduação em Agronomia - FEIS

Desempenho do método de Penman modificado por equação proposta de estimativa do saldo de radiação de ondas longas

Pós-graduação em Agronomia (Energia na Agricultura) - FCA

Modelos de Estimativa da Radiação Fotossinteticamente Ativa Global e Difusa em Função da Radiação de Ondas Curtas e do Índice de Claridade (kt)

O presente trabalho apresenta equações de estimativa da radiação fotossinteticamente ativa global () e difusa () em função das respectivas radiações global () e difusa () do espectro solar total, bem como a estimativa da fração PAR difusa da PAR global () em função do índice de transmissividade atmosférica (). A base de dados foi adquirida no período de 01/06/1999 a 31/09/2000 na Estação de Radiometria Solar da FCA-UNESP, Botucatu. Foram utilizados dados adicionais, diferentes dos utilizados na geração dos modelos, de forma a possibilitar uma validação adequada dos modelos propostos.

Desenvolvimento e caracterização de formulação cosmética contendo nanopartículas de dióxido de titânio para proteção solar

O protetor solar é um produto extremamente importante para proteger a pele da radiação ultravioleta proveniente do sol e capaz de reduzir a incidência de câncer de pele. Os filtros solares são divididos em orgânicos e inorgânicos e, dentre os inorgânicos, se encontra o TiO2 que atua refletindo, espalhando e absorvendo as radiações UV, além de ser fotoestável e de baixo potencial de irritabilidade dérmica. Neste trabalho foram desenvolvidas formulações cosméticas em forma de gel contendo nanopartículas de dióxido de titânio capazes de agir como fotoprotetores físicos e que mantem a transparência ao serem aplicados sobre uma superfície, como a pele. Foram desenvolvidos xerogéis a base de nanopartículas de TiO2 com tamanho e superfície controlados. A partir dessas nanopartículas foi possível preparar formulações cosméticas contendo nanopartículas redispersas de xerogéis a base de TiO2. Esses sistemas foram avaliados por testes de citotoxicidade e foi obtido um resultado favorável para a continuidade da pesquisa, sugerindo o uso deste material em humanos sem causar danos. Foram feitas as caracterizações físico químicas e estruturais. A análise de FPS indicou amplo espectro da formulação, o potencial zeta mostrou que é possível evitar aglomerações das nanopartículas em pHs utilizados para formulações tópicas, a reologia demonstrou que as formulações apresentam comportamento de recuperação da consistência e organização do material inicial após seu desarranjo durante o cisalhamento. As caracterizações serviram para obter um conhecimento da estrutura química e física das amostras que contém as nanopartículas de dióxido de titânio, para que seja possível fazer uma análise crítica e melhor qualificar o protetor solar desenvolvido.

Utilização do método numérico interpolador de Lagrange para correção de bases de dados de radiometria solar

This work explores the suitability of the Lagrange interpolating polynomial as a tool to estimate and correct solar databases. From the knowledge of the irradiance distribution over a day, a portion of it was removed for applying Lagrange interpolation polynomial. After generation of the estimates by interpolation, the assessment was made by MBE and RMSE statistical indicators. The application of Lagrange interpolating generated the following results: underestimation of 0.27% (MBE = -1.83 W/m2) and scattering of 0.51% (RMSE = 3.48 W/m2).

Influencia de la radiación solar y del amonio sobre la acumulación de sustancias antioxidantes en macroalgas marinas cultivadas en un sistema de biofiltración

Programa de doctorado de Gestión de recursos vivos marinos y medioambiente

Comparativa y Analisis de Variabilidad Espacial entre las Medidas de Radiacion Solar Terrestres (SIAR) y Satelitales (CMSAF)

El objetivo de este trabajo es el análisis comparativo de dos fuentes de irradiación solar para el territorio peninsular español, siguiendo la iniciativa de estudios previos para otras regiones. La primera de estas fuentes corresponde a medidas de irradiación global diaria en el plano horizontal realizadas por los piranómetros de la red de estaciones meteorológicas del Sistema de Información Agroclimática del Regadío (SIAR), perteneciente al Ministerio de Medio Ambiente, Rural y Marino. Esta red está compuesta por más de 360 estaciones ubicadas en once Comunidades Autónomas de la España peninsular. La otra fuente de comparación es un conjunto de imágenes de satélite proporcionadas por la iniciativa denominada ``The Satellite Application Facility on Climate Monitoring'' (CM-SAF).

Diseño térmico preliminar del Instrumento PHI de Solar Orbiter

En este trabajo se describe el subsistema de control térmico de PHI y se presentan las predicciones de temperaturas obtenidas para los distintos casos de carga. Debido a la naturaleza de la órbita seguida por el satélite en el cual PHI va embarcado (Solar Orbiter), el ambiente en el cual va a tener que operar PHI será muy exigente, convirtiendo el diseño térmico en un auténtico desafío. Los resultados obtenidos muestran la viabilidad de PHI desde el punto de vista térmico, aunque indiscutiblemente el instrumento va a operar en un entorno térmico muy hostil.

Huerto solar fotovoltaico de 200Kw de potencia conectado a red en Trigueros

El objetivo del presente proyecto es la generación de energía eléctrica a partir de energía solar. Por ello se pretende realizar el pre-diseño de una instalación solar fotovoltaica de 200 kW de potencia conectada a la red nacional en la localidad de Trigueros (Huelva). El proyecto define las condiciones técnicas de la instalación a partir de la radiación solar registrada en la localización elegida. Además de incluir el estudio económico que indica la viabilidad del mismo. Como puntos a destacar en el proyecto, se puede tomar los datos obtenidos de generación eléctrica, los costes de ejecución de obra y por último la rentabilidad a medio plazo. Es necesaria una inversión inicial. Es importante la realización de este tipo de proyectos si queremos conseguir un sistema energético sostenible. Así como políticas que promuevan la eficiencia y el ahorro energético. No obstante, se debe seguir investigando para mejorar el aprovechamiento de la energía solar y del resto de energías renovables.

SIG y Visor Web de energía solar y eólica. Aplicación práctica en el País Vasco.

El proyecto es un Sistema de Información Geográfica y Visor web centrado en las energías renovables solar y eólica, contiene funcionalidad dirigida a facilitar elacceso de los ciudadanos y de las empresas del sector a la información de estas dos energías. Incorpora una herramienta de edición que pretende tener una base de datos actualizada de los parques solares y eólicos de España. Otra orientada al entorno urbano que permite saber la electricidad aproximada que se generaría en la cubierta de un edificio de Vitoria en función del panel solar que se instale en dicha cubierta. También se ha realizado un análisis espacial para encontrar los lugares óptimos para la instalación de paneles solares y eólicos en el País Vasco, se han publicado las capas resultado en el visor para que puedan acceder a ellas cualquier sociedad o empresa que le interese conocer este tipo de información. Para estos análisis se han tenido en cuenta estudios de diferentes universidades e informes de organizaciones como Greenpeace. No obstante, no deja de ser una propuesta objeto de posibles mejoras.

Research on intermediate band solar cells and development of experimental techniques for their characterization under concentrated illumination

Abstract This work is a contribution to the research and development of the intermediate band solar cell (IBSC), a high efficiency photovoltaic concept that features the advantages of both low and high bandgap solar cells. The resemblance with a low bandgap solar cell comes from the fact that the IBSC hosts an electronic energy band -the intermediate band (IB)- within the semiconductor bandgap. This IB allows the collection of sub-bandgap energy photons by means of two-step photon absorption processes, from the valence band (VB) to the IB and from there to the conduction band (CB). The exploitation of these low energy photons implies a more efficient use of the solar spectrum. The resemblance of the IBSC with a high bandgap solar cell is related to the preservation of the voltage: the open-circuit voltage (VOC) of an IBSC is not limited by any of the sub-bandgaps (involving the IB), but only by the fundamental bandgap (defined from the VB to the CB). Nevertheless, the presence of the IB allows new paths for electronic recombination and the performance of the IBSC is degraded at 1 sun operation conditions. A theoretical argument is presented regarding the need for the use of concentrated illumination in order to circumvent the degradation of the voltage derived from the increase in the recombi¬nation. This theory is supported by the experimental verification carried out with our novel characterization technique consisting of the acquisition of photogenerated current (IL)-VOC pairs under low temperature and concentrated light. Besides, at this stage of the IBSC research, several new IB materials are being engineered and our novel character¬ization tool can be very useful to provide feedback on their capability to perform as real IBSCs, verifying or disregarding the fulfillment of the “voltage preservation” principle. An analytical model has also been developed to assess the potential of quantum-dot (QD)-IBSCs. It is based on the calculation of band alignment of III-V alloyed heterojunc-tions, the estimation of the confined energy levels in a QD and the calculation of the de¬tailed balance efficiency. Several potentially useful QD materials have been identified, such as InAs/AlxGa1-xAs, InAs/GaxIn1-xP, InAs1-yNy/AlAsxSb1-x or InAs1-zNz/Alx[GayIn1-y]1-xP. Finally, a model for the analysis of the series resistance of a concentrator solar cell has also been developed to design and fabricate IBSCs adapted to 1,000 suns. Resumen Este trabajo contribuye a la investigación y al desarrollo de la célula solar de banda intermedia (IBSC), un concepto fotovoltaico de alta eficiencia que auna las ventajas de una célula solar de bajo y de alto gap. La IBSC se parece a una célula solar de bajo gap (o banda prohibida) en que la IBSC alberga una banda de energía -la banda intermedia (IB)-en el seno de la banda prohibida. Esta IB permite colectar fotones de energía inferior a la banda prohibida por medio de procesos de absorción de fotones en dos pasos, de la banda de valencia (VB) a la IB y de allí a la banda de conducción (CB). El aprovechamiento de estos fotones de baja energía conlleva un empleo más eficiente del espectro solar. La semejanza antre la IBSC y una célula solar de alto gap está relacionada con la preservación del voltaje: la tensión de circuito abierto (Vbc) de una IBSC no está limitada por ninguna de las fracciones en las que la IB divide a la banda prohibida, sino que está únicamente limitada por el ancho de banda fundamental del semiconductor (definido entre VB y CB). No obstante, la presencia de la IB posibilita nuevos caminos de recombinación electrónica, lo cual degrada el rendimiento de la IBSC a 1 sol. Este trabajo argumenta de forma teórica la necesidad de emplear luz concentrada para evitar compensar el aumento de la recom¬binación de la IBSC y evitar la degradación del voltage. Lo anterior se ha verificado experimentalmente por medio de nuestra novedosa técnica de caracterización consistente en la adquisicin de pares de corriente fotogenerada (IL)-VOG en concentración y a baja temperatura. En esta etapa de la investigación, se están desarrollando nuevos materiales de IB y nuestra herramienta de caracterizacin está siendo empleada para realimentar el proceso de fabricación, comprobando si los materiales tienen capacidad para operar como verdaderas IBSCs por medio de la verificación del principio de preservación del voltaje. También se ha desarrollado un modelo analítico para evaluar el potencial de IBSCs de puntos cuánticos. Dicho modelo está basado en el cálculo del alineamiento de bandas de energía en heterouniones de aleaciones de materiales III-V, en la estimación de la energía de los niveles confinados en un QD y en el cálculo de la eficiencia de balance detallado. Este modelo ha permitido identificar varios materiales de QDs potencialmente útiles como InAs/AlxGai_xAs, InAs/GaxIni_xP, InAsi_yNy/AlAsxSbi_x ó InAsi_zNz/Alx[GayIni_y]i_xP. Finalmente, también se ha desarrollado un modelado teórico para el análisis de la resistencia serie de una célula solar de concentración. Gracias a dicho modelo se han diseñado y fabricado IBSCs adaptadas a 1.000 soles.

Análisis de las Observaciones sub-hora de la Radiación Solar registrada por las Estaciones Meteorológicas Voluntarias de la red MeteoClimatic

Enriquecer el conocimiento sobre la Radiación Solar (RS) a nivel del suelo es de gran interés para diferentes aplicaciones meteorológicas entre ellas el área de las energías renovables como la energía solar. La interpolación de observaciones de RS por estaciones en tierra, los sensores remotos y la ejecución de distintos modelos son algunas de las formas que existen para obtener valores de RS con continuidad espacial en el terreno. Aunque se sabe que los mejores valores de RS en la superficie son los observados por estaciones terrestres, este tipo de observaciones presentan como desventaja una baja distribución geográfica. En este trabajo se propone el uso de estaciones meteorológicas de voluntarios no oficiales (Meteoclimatic, Weather, Underground, Weather, Link, CWOP) las cuales son fuentes de Información Geográfica por Voluntarios (Volunteered Geographic Information - VGI) que proporcionan sus observaciones RS en tiempo real a través de Internet como una alternativa para densificar la disponibilidad y distribución espacial de las observaciones por RS a nivel superficial. En este trabajo se desarrolla una metodología que contempla tanto la recolección de las observaciones, como su alineación temporal para finalizar con el análisis de los datos indicando sus valores de incertidumbre a medida que se integra en una Base de Datos que integra las distintas fuentes de datos utilizadas. Los resultados indican que el error RS relativo entre las estimaciones por satélite y las observaciones en superficie no es constante a lo largo del día y por tanto debe analizarse mediante agrupaciones. También se ha observado que dicho error puede verse afectado por la localización de la estación meteorológica, en concreto se ha apreciado una relación directa entre el error relativo y la diferencia entre las longitudes de la ubicación de las estaciones superficiales en tierra y el satélite. Ésta misma comparación siguiere que es correcto considerar el uso de Meteoclimatic (la red Voluntaria tomada como piloto) como una fuente de observaciones de la RS importante al presentar un error esperado y aportar aproximadamente 10 veces más estaciones meteorológicas RS que la red oficial en España aportando un buen precedente para la integración de más redes voluntarias en la densificación de observaciones de la RS con estaciones en tierra.

MOVPE growth of III-V semiconductors on silicon for third generation solar cells

Esta Tesis trata sobre el desarrollo y crecimiento -mediante tecnología MOVPE (del inglés: MetalOrganic Vapor Phase Epitaxy)- de células solares híbridas de semiconductores III-V sobre substratos de silicio. Esta integración pretende ofrecer una alternativa a las células actuales de III-V, que, si bien ostentan el récord de eficiencia en dispositivos fotovoltaicos, su coste es, a día de hoy, demasiado elevado para ser económicamente competitivo frente a las células convencionales de silicio. De este modo, este proyecto trata de conjugar el potencial de alta eficiencia ya demostrado por los semiconductores III-V en arquitecturas de células fotovoltaicas multiunión con el bajo coste, la disponibilidad y la abundancia del silicio. La integración de semiconductores III-V sobre substratos de silicio puede afrontarse a través de diferentes aproximaciones. En esta Tesis se ha optado por el desarrollo de células solares metamórficas de doble unión de GaAsP/Si. Mediante esta técnica, la transición entre los parámetros de red de ambos materiales se consigue por medio de la formación de defectos cristalográficos (mayoritariamente dislocaciones). La idea es confinar estos defectos durante el crecimiento de sucesivas capas graduales en composición para que la superficie final tenga, por un lado, una buena calidad estructural, y por otro, un parámetro de red adecuado. Numerosos grupos de investigación han dirigido sus esfuerzos en los últimos años en desarrollar una estructura similar a la que aquí proponemos. La mayoría de éstos se han centrado en entender los retos asociados al crecimiento de materiales III-V, con el fin de conseguir un material de alta calidad cristalográfica. Sin embargo, prácticamente ninguno de estos grupos ha prestado especial atención al desarrollo y optimización de la célula inferior de silicio, cuyo papel va a ser de gran relevancia en el funcionamiento de la célula completa. De esta forma, y con el fin de completar el trabajo hecho hasta el momento en el desarrollo de células de III-V sobre silicio, la presente Tesis se centra, fundamentalmente, en el diseño y optimización de la célula inferior de silicio, para extraer su máximo potencial. Este trabajo se ha estructurado en seis capítulos, ordenados de acuerdo al desarrollo natural de la célula inferior. Tras un capítulo de introducción al crecimiento de semiconductores III-V sobre Si, en el que se describen las diferentes alternativas para su integración; nos ocupamos de la parte experimental, comenzando con una extensa descripción y caracterización de los substratos de silicio. De este modo, en el Capítulo 2 se analizan con exhaustividad los diferentes tratamientos (tanto químicos como térmicos) que deben seguir éstos para garantizar una superficie óptima sobre la que crecer epitaxialmente el resto de la estructura. Ya centrados en el diseño de la célula inferior, el Capítulo 3 aborda la formación de la unión p-n. En primer lugar se analiza qué configuración de emisor (en términos de dopaje y espesor) es la más adecuada para sacar el máximo rendimiento de la célula inferior. En este primer estudio se compara entre las diferentes alternativas existentes para la creación del emisor, evaluando las ventajas e inconvenientes que cada aproximación ofrece frente al resto. Tras ello, se presenta un modelo teórico capaz de simular el proceso de difusión de fosforo en silicio en un entorno MOVPE por medio del software Silvaco. Mediante este modelo teórico podemos determinar qué condiciones experimentales son necesarias para conseguir un emisor con el diseño seleccionado. Finalmente, estos modelos serán validados y constatados experimentalmente mediante la caracterización por técnicas analíticas (i.e. ECV o SIMS) de uniones p-n con emisores difundidos. Uno de los principales problemas asociados a la formación del emisor por difusión de fósforo, es la degradación superficial del substrato como consecuencia de su exposición a grandes concentraciones de fosfina (fuente de fósforo). En efecto, la rugosidad del silicio debe ser minuciosamente controlada, puesto que éste servirá de base para el posterior crecimiento epitaxial y por tanto debe presentar una superficie prístina para evitar una degradación morfológica y cristalográfica de las capas superiores. En este sentido, el Capítulo 4 incluye un análisis exhaustivo sobre la degradación morfológica de los substratos de silicio durante la formación del emisor. Además, se proponen diferentes alternativas para la recuperación de la superficie con el fin de conseguir rugosidades sub-nanométricas, que no comprometan la calidad del crecimiento epitaxial. Finalmente, a través de desarrollos teóricos, se establecerá una correlación entre la degradación morfológica (observada experimentalmente) con el perfil de difusión del fósforo en el silicio y por tanto, con las características del emisor. Una vez concluida la formación de la unión p-n propiamente dicha, se abordan los problemas relacionados con el crecimiento de la capa de nucleación de GaP. Por un lado, esta capa será la encargada de pasivar la subcélula de silicio, por lo que su crecimiento debe ser regular y homogéneo para que la superficie de silicio quede totalmente pasivada, de tal forma que la velocidad de recombinación superficial en la interfaz GaP/Si sea mínima. Por otro lado, su crecimiento debe ser tal que minimice la aparición de los defectos típicos de una heteroepitaxia de una capa polar sobre un substrato no polar -denominados dominios de antifase-. En el Capítulo 5 se exploran diferentes rutinas de nucleación, dentro del gran abanico de posibilidades existentes, para conseguir una capa de GaP con una buena calidad morfológica y estructural, que será analizada mediante diversas técnicas de caracterización microscópicas. La última parte de esta Tesis está dedicada al estudio de las propiedades fotovoltaicas de la célula inferior. En ella se analiza la evolución de los tiempos de vida de portadores minoritarios de la base durante dos etapas claves en el desarrollo de la estructura Ill-V/Si: la formación de la célula inferior y el crecimiento de las capas III-V. Este estudio se ha llevado a cabo en colaboración con la Universidad de Ohio, que cuentan con una gran experiencia en el crecimiento de materiales III-V sobre silicio. Esta tesis concluye destacando las conclusiones globales del trabajo realizado y proponiendo diversas líneas de trabajo a emprender en el futuro. ABSTRACT This thesis pursues the development and growth of hybrid solar cells -through Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE)- formed by III-V semiconductors on silicon substrates. This integration aims to provide an alternative to current III-V cells, which, despite hold the efficiency record for photovoltaic devices, their cost is, today, too high to be economically competitive to conventional silicon cells. Accordingly, the target of this project is to link the already demonstrated efficiency potential of III-V semiconductor multijunction solar cell architectures with the low cost and unconstrained availability of silicon substrates. Within the existing alternatives for the integration of III-V semiconductors on silicon substrates, this thesis is based on the metamorphic approach for the development of GaAsP/Si dual-junction solar cells. In this approach, the accommodation of the lattice mismatch is handle through the appearance of crystallographic defects (namely dislocations), which will be confined through the incorporation of a graded buffer layer. The resulting surface will have, on the one hand a good structural quality; and on the other hand the desired lattice parameter. Different research groups have been working in the last years in a structure similar to the one here described, being most of their efforts directed towards the optimization of the heteroepitaxial growth of III-V compounds on Si, with the primary goal of minimizing the appearance of crystal defects. However, none of these groups has paid much attention to the development and optimization of the bottom silicon cell, which, indeed, will play an important role on the overall solar cell performance. In this respect, the idea of this thesis is to complete the work done so far in this field by focusing on the design and optimization of the bottom silicon cell, to harness its efficiency. This work is divided into six chapters, organized according to the natural progress of the bottom cell development. After a brief introduction to the growth of III-V semiconductors on Si substrates, pointing out the different alternatives for their integration; we move to the experimental part, which is initiated by an extensive description and characterization of silicon substrates -the base of the III-V structure-. In this chapter, a comprehensive analysis of the different treatments (chemical and thermal) required for preparing silicon surfaces for subsequent epitaxial growth is presented. Next step on the development of the bottom cell is the formation of the p-n junction itself, which is faced in Chapter 3. Firstly, the optimization of the emitter configuration (in terms of doping and thickness) is handling by analytic models. This study includes a comparison between the different alternatives for the emitter formation, evaluating the advantages and disadvantages of each approach. After the theoretical design of the emitter, it is defined (through the modeling of the P-in-Si diffusion process) a practical parameter space for the experimental implementation of this emitter configuration. The characterization of these emitters through different analytical tools (i.e. ECV or SIMS) will validate and provide experimental support for the theoretical models. A side effect of the formation of the emitter by P diffusion is the roughening of the Si surface. Accordingly, once the p-n junction is formed, it is necessary to ensure that the Si surface is smooth enough and clean for subsequent phases. Indeed, the roughness of the Si must be carefully controlled since it will be the basis for the epitaxial growth. Accordingly, after quantifying (experimentally and by theoretical models) the impact of the phosphorus on the silicon surface morphology, different alternatives for the recovery of the surface are proposed in order to achieve a sub-nanometer roughness which does not endanger the quality of the incoming III-V layers. Moving a step further in the development of the Ill-V/Si structure implies to address the challenges associated to the GaP on Si nucleation. On the one hand, this layer will provide surface passivation to the emitter. In this sense, the growth of the III-V layer must be homogeneous and continuous so the Si emitter gets fully passivated, providing a minimal surface recombination velocity at the interface. On the other hand, the growth should be such that the appearance of typical defects related to the growth of a polar layer on a non-polar substrate is minimized. Chapter 5 includes an exhaustive study of the GaP on Si nucleation process, exploring different nucleation routines for achieving a high morphological and structural quality, which will be characterized by means of different microscopy techniques. Finally, an extensive study of the photovoltaic properties of the bottom cell and its evolution during key phases in the fabrication of a MOCVD-grown III-V-on-Si epitaxial structure (i.e. the formation of the bottom cell; and the growth of III-V layers) will be presented in the last part of this thesis. This study was conducted in collaboration with The Ohio State University, who has extensive experience in the growth of III-V materials on silicon. This thesis concludes by highlighting the overall conclusions of the presented work and proposing different lines of work to be undertaken in the future.

Understanding and improving the chemical vapor deposition process for solar grade silicon production

Esta Tesis Doctoral se centra en la investigación del proceso de producción de polisilicio para aplicaciones fotovoltaicas (FV) por la vía química; mediante procesos de depósito en fase vapor (CVD). El polisilicio para la industria FV recibe el nombre de silicio de grado solar (SoG Si). Por un lado, el proceso que domina hoy en día la producción de SoG Si está basado en la síntesis, destilación y descomposición de triclorosilano (TCS) en un reactor CVD -denominado reactor Siemens-. El material obtenido mediante este proceso es de muy alta pureza, pero a costa de un elevado consumo energético. Así, para alcanzar los dos principales objetivos de la industria FV basada en silicio, bajos costes de producción y bajo tiempo de retorno de la energía invertida en su fabricación, es esencial disminuir el consumo energético de los reactores Siemens. Por otro lado, una alternativa al proceso Siemens considera la descomposición de monosilano (MS) en un reactor de lecho fluidizado (FBR). Este proceso alternativo tiene un consumo energético mucho menor que el de un reactor Siemens, si bien la calidad del material resultante es también menor; pero ésta puede ser suficiente para la industria FV. A día de hoy los FBR deben aún abordar una serie de retos para que su menor consumo energético sea una ventaja suficiente comparada con otras desventajas de estos reactores. En resumen, la investigación desarrollada se centra en el proceso de depósito de polysilicio por CVD a partir de TCS -reactor Siemens-; pero también se investiga el proceso de producción de SoG Si en los FBR exponiendo las fortalezas y debilidades de esta alternativa. Para poder profundizar en el conocimiento del proceso CVD para la producción de polisilicio es clave el conocimiento de las reacciones químicas fundamentales y cómo éstas influencian la calidad del producto resultante, al mismo tiempo que comprender los fenómenos responsables del consumo energético. Por medio de un reactor Siemens de laboratorio en el que se llevan a cabo un elevado número de experimentos de depósito de polisilicio de forma satisfactoria se adquiere el conocimiento previamente descrito. Se pone de manifiesto la complejidad de los reactores CVD y de los problemas asociados a la pérdidas de calor de estos procesos. Se identifican las contribuciones a las pérdidas de calor de los reactores CVD, éstas pérdidas de calor son debidas principalmente a los fenómenos de radiación y, conducción y convección vía gases. En el caso de los reactores Siemens el fenómeno que contribuye en mayor medida al alto consumo energético son las pérdidas de calor por radiación, mientras que en los FBRs tanto la radiación como el calor transferido por transporte másico contribuyen de forma importante. Se desarrolla un modelo teórico integral para el cálculo de las pérdidas de calor en reactores Siemens. Este modelo está formado a su vez por un modelo para la evaluación de las pérdidas de calor por radiación y modelos para la evaluación de las pérdidas de calor por conducción y convección vía gases. Se ponen de manifiesto una serie de limitaciones del modelo de pérdidas de calor por radiación, y se desarrollan una serie de modificaciones que mejoran el modelo previo. El modelo integral se valida por medio un reactor Siemens de laboratorio, y una vez validado se presenta su extrapolación a la escala industrial. El proceso de conversión de TCS y MS a polisilicio se investiga mediante modelos de fluidodinámica computacional (CFD). Se desarrollan modelados CFD para un reactor Siemens de laboratorio y para un prototipo FBR. Los resultados obtenidos mediante simulación son comparados, en ambos casos, con resultados experimentales. Los modelos desarrollados se convierten en herramientas para la identificación de aquellos parámetros que tienen mayor influencia en los procesos CVD. En el caso del reactor Siemens, ambos modelos -el modelo integral y el modelado CFD permiten el estudio de los parámetros que afectan en mayor medida al elevado consumo energético, y mediante su análisis se sugieren modificaciones para este tipo de reactores que se traducirían en un menor número de kilovatios-hora consumidos por kilogramo de silicio producido. Para el caso del FBR, el modelado CFD permite analizar el efecto de una serie de parámetros sobre la distribución de temperaturas en el lecho fluidizado; y dicha distribución de temperaturas está directamente relacionada con los principales retos de este tipo de reactores. Por último, existen nuevos conceptos de depósito de polisilicio; éstos se aprovechan de la ventaja teórica de un mayor volumen depositado por unidad de tiempo -cuando una mayor superficie de depósito está disponible- con el objetivo de reducir la energía consumida por los reactores Siemens. Estos conceptos se exploran mediante cálculos teóricos y pruebas en el reactor Siemens de laboratorio. ABSTRACT This Doctoral Thesis comprises research on polysilicon production for photovoltaic (PV) applications through the chemical route: chemical vapor deposition (CVD) process. PV polysilicon is named solar grade silicon (SoG Si). On the one hand, the besetting CVD process for SoG Si production is based on the synthesis, distillation, and decomposition of thriclorosilane (TCS) in the so called Siemens reactor; high purity silicon is obtained at the expense of high energy consumption. Thus, lowering the energy consumption of the Siemens process is essential to achieve the two wider objectives for silicon-based PV technology: low production cost and low energy payback time. On the other hand, a valuable variation of this process considers the use of monosilane (MS) in a fluidized bed reactor (FBR); lower output material quality is obtained but it may fulfil the requirements for the PV industry. FBRs demand lower energy consumption than Siemens reactors but further research is necessary to address the actual challenges of these reactors. In short, this work is centered in polysilicon CVD process from TCS -Siemens reactor-; but it also offers insights on the strengths and weaknesses of the FBR for SoG Si production. In order to aid further development in polysilicon CVD is key the understanding of the fundamental reactions and how they influence the product quality, at the same time as to comprehend the phenomena responsible for the energy consumption. Experiments conducted in a laboratory Siemens reactor prove the satisfactory operation of the prototype reactor, and allow to acquire the knowledge that has been described. Complexity of the CVD reactors is stated and the heat loss problem associated with polysilicon CVD is addressed. All contributions to the energy consumption of Siemens reactors and FBRs are put forward; these phenomena are radiation and, conduction and convection via gases heat loss. In a Siemens reactor the major contributor to the energy consumption is radiation heat loss; in case of FBRs radiation and heat transfer due to mass transport are both important contributors. Theoretical models for radiation, conduction and convection heat loss in a Siemens reactor are developed; shaping a comprehensive theoretical model for heat loss in Siemens reactors. Limitations of the radiation heat loss model are put forward, and a novel contribution to the existing model is developed. The comprehensive model for heat loss is validated through a laboratory Siemens reactor, and results are scaled to industrial reactors. The process of conversion of TCS and MS gases to solid polysilicon is investigated by means of computational fluid-dynamics models. CFD models for a laboratory Siemens reactor and a FBR prototype are developed. Simulated results for both CVD prototypes are compared with experimental data. The developed models are used as a tool to investigate the parameters that more strongly influence both processes. For the Siemens reactors, both, the comprehensive theoretical model and the CFD model allow to identify the parameters responsible for the great power consumption, and thus, suggest some modifications that could decrease the ratio kilowatts-hour per kilogram of silicon produced. For the FBR, the CFD model allows to explore the effect of a number of parameters on the thermal distribution of the fluidized bed; that is the main actual challenge of these type of reactors. Finally, there exist new deposition surface concepts that take advantage of higher volume deposited per time unit -when higher deposition area is available- trying to reduce the high energy consumption of the Siemens reactors. These novel concepts are explored by means of theoretical calculations and tests in the laboratory Siemens prototype.

Life cycle assessment of concentrated solar power (CSP) and the influence of hybridising with natural gas

Purpose Concentrating Solar Power (CSP) plants based on parabolic troughs utilize auxiliary fuels (usually natural gas) to facilitate start-up operations, avoid freezing of HTF and increase power output. This practice has a significant effect on the environmental performance of the technology. The aim of this paper is to quantify the sustainability of CSP and to analyse how this is affected by hybridisation with different natural gas (NG) inputs. Methods A complete Life Cycle (LC) inventory was gathered for a commercial wet-cooled 50 MWe CSP plant based on parabolic troughs. A sensitivity analysis was conducted to evaluate the environmental performance of the plant operating with different NG inputs (between 0 and 35% of gross electricity generation). ReCiPe Europe (H) was used as LCA methodology. CML 2 baseline 2000 World and ReCiPe Europe E were used for comparative purposes. Cumulative Energy Demands (CED) and Energy Payback Times (EPT) were also determined for each scenario. Results and discussion Operation of CSP using solar energy only produced the following environmental profile: climate change 26.6 kg CO2 eq/KWh, human toxicity 13.1 kg 1,4-DB eq/KWh, marine ecotoxicity 276 g 1,4-DB eq/KWh, natural land transformation 0.005 m2/KWh, eutrophication 10.1 g P eq/KWh, acidification 166 g SO2 eq/KWh. Most of these impacts are associated with extraction of raw materials and manufacturing of plant components. The utilization NG transformed the environmental profile of the technology, placing increasing weight on impacts related to its operation and maintenance. Significantly higher impacts were observed on categories like climate change (311 kg CO2 eq/MWh when using 35 % NG), natural land transformation, terrestrial acidification and fossil depletion. Despite its fossil nature, the use of NG had a beneficial effect on other impact categories (human and marine toxicity, freshwater eutrophication and natural land transformation) due to the higher electricity output achieved. The overall environmental performance of CSP significantly deteriorated with the use of NG (single score 3.52 pt in solar only operation compared to 36.1 pt when using 35 % NG). Other sustainability parameters like EPT and CED also increased substantially as a result of higher NG inputs. Quasilinear second-degree polynomial relationships were calculated between various environmental performance parameters and NG contributions. Conclusions Energy input from auxiliary NG determines the environmental profile of the CSP plant. Aggregated analysis shows a deleterious effect on the overall environmental performance of the technology as a result of NG utilization. This is due primarily to higher impacts on environmental categories like climate change, natural land transformation, fossil fuel depletion and terrestrial acidification. NG may be used in a more sustainable and cost-effective manner in combined cycle power plants, which achieve higher energy conversion efficiencies.