Implantación de un catálogo de actividades tutorizadas y evaluables como sistema vertebrador de recursos aplicables en los trabajos fin de título.

Resumen tomado de la publicación

Telecomunicación. 'Telecomunicación'.

Se describe el nuevo plan de estudios de Telecomunicación en la Universidad de Vigo. Organizado en 5 años, existen materias troncales comunes a todas las universidades y materias obligatorias, propias de cada universidad, además de asignaturas optativas. Dividido en 2 ciclos, en el segundo, que dura 2 años, existen las siguientes especializaciones: Comunicación, Electrónica y Telemática. En todas ellas, habrá de realizarse un proyecto fin de carrera. Por último, se realiza una breve descripción del panorama profesional.

Enxenería Química. 'Ingeniería Química'.

Se explica el perfil profesional y el plan de estudios de un Ingeniero Químico de la Universidad de Santiago de Compostela. Comprende 336 créditos repartidos en 2 ciclos de 3 y 2 años. Las materias impartidas tienen carácter troncal, optativo y obligatorio, siendo las del segundo ciclo más específicas. Al terminar los estudios se ha de realizar un proyecto fin de carrera.

Los Trabajos Fin de Grado : una herramienta para el desarrollo de competencias transversales en la Educaci??n Superior

Resumen basado en el de la publicaci??n

Diseño de un Amplificador de Bajo Ruido de Ultra Banda Ancha para un Receptor de UWB en CMOS 0.35 μm

Presentación del Proyecto Fin de Carrera titulado "Diseño de un Amplificador de Bajo Ruido de Ultra Banda Ancha para un Receptor de UWB en CMOS 0.35 μm"

Evaluación de Prestaciones de las Familias Lógicas ECLy CML Implementadas con HBTs

Memoria del Proyecto Fin de Carrera "Evaluación de Prestaciones de las Familias Lógicas ECLy CML Implementadas con HBTs"

Implementación de un Modelo para HFETs en SPICE3 de Berkeley

Memoria del Proyecto Fin de Carrera "Implementación de un Modelo para HFETs en SPICE3 de Berkeley"

Diseño, medida y verificación de un mezclador en CMOS 0.35 um para un receptor basado en el estándar IEEE 802.11a

Proyecto y presentación del Proyecto Fin de Carrera titulado "Diseño, medida y verificación de un mezclador en CMOS 0.35 um para un receptor basado en el estándar IEEE 802.11a"

Diseño de un mezclador pasivo en CMOS 0.35 um para un receptor basado en el estándar IEE802.11a

Memoria y presentación del Proyecto Fin de Carrera titulado "Diseño de un mezclador pasivo en CMOS 0.35 um para un receptor basado en el estándar IEE802.11a"

Diseño de un amplificador de bajo ruido realimentado para la banda de 3-10 GHz en tecnología BICMOS 0.35 μm

Proyecto y presentación del Proyecto Fin de Carrera titulado "Diseño de un Amplificador de Bajo Ruido Realimentado para la Banda de 3-10 GHz en Tecnología BICMOS 0.35 μm"

Diseño de un amplificador de bajo ruido (LNA) para el estándar inalámbrico UWB en tecnología SiGe 0.35 μm

Proyecto y presentación del Proyecto Fin de Carrera titulado "Diseño de un amplificador de bajo ruido (LNA) para el estándar inalámbrico UWB en tecnología SiGe 0.35 μm"

Diseño de un Amplificador de Bajo Ruido (LNA) en Tecnología SiGe 0,35 um para el estándar inalámbrico IEEE 802.11a

Proyecto y presentación del Proyecto Fin de Carrera titulado "Diseño de un Amplificador de Bajo Ruido (LNA) en Tecnología SiGe 0,35 um para el estándar inalámbrico IEEE 802.11a"

Diseño de un amplificador de bajo ruido (LNA) para un receptor basado en el estándar DVB‐H

Proyecto y presentación del Proyecto Fin de Carrera titulado "Diseño de un Amplificador de Bajo Ruido (LNA) para un receptor basado en el Estándar DVB‐H"

Diseño de un amplificador operacional totalmente integrado CMOS que funcione como driver para cargas capacitivas elevadas

Presentación del Proyecto Fin de Carrera titulado "Diseño de un Amplificador Operacional totalmente integrado CMOS que funcione como driver para cargas capacitivas elevadas"

Diseño de un amplificador distribuido para ultra wide band basado en HBT de la tecnología SIGE 0.35 μm de AMS

Memoria y presentación del Proyecto Fin de Carrera titulado "DISEÑO DE UN AMPLIFICADOR DISTRIBUIDO PARA ULTRA WIDE BAND BASADO EN HBT DE LA TECNOLOGÍA SIGE 0.35 μm DE AMS"