Poços quânticos e transferência de elétrons

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Mecanismos de transporte elétrico excitados termicamente em Sn 'O IND. 2' dopado com Ce

Pós-graduação em Ciência e Tecnologia de Materiais - FC

O potêncial de poço duplo e a molécula de amônia

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Estudo da distribuição de espaçamentos de dubletos utilizando o modelo do bilhar anular

Pós-graduação em Física - IGCE

Estudo das propriedades elétricas não lineares de polímeros conjugados

Pós-graduação em Física - IGCE

Construção de uma junção Josephson em filmes finos supercondutores do sistema Bi1.8Pb0.4Sr2CaCu2Ox tratados termicamente em um forno microondas doméstico

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Batimentos quânticos dependentes do SPIN via STM

Pós-graduação em Ciência dos Materiais - FEIS

Estudo de filmes supercondutores para aplicações em dispositivos eletrônicos

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Investigação de contatos elétricos e propriedades de filmes finos de SnO2 dopados com os íons terras raras Eu3+ e Ce3+

Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)

Modelamento do transporte eletrônico em dispositivos moleculares

No presente trabalho, simulamos as propriedades de transporte e espectro de absorção do composto orgânico Vermelho de Etila. Este é o primeiro estudo teórico de um indicador específico de pH utilizado como nanodispositivo, com base na teoria quântica e no modelo de transporte não-difuso. A distribuição de carga ao longo da molécula é determinada através da técnica, Ab initio, como uma função de um campo elétrico externo. Baseado em um modelo de multiníveis ressonantes também calculamos a corrente como função da tensão de polarização. O acúmulo de carga e a corrente apresentam comportamento semelhante, como a condução do tipo ressonante e curvas carga-tensão e corrente-tensão assimétricas. Os principais resultados sugerem que o sistema presente poderia funcionar como um transistor molecular bi-direcional. Estendemos esta metodologia de análise para outro dispositivo molecular, mas composto de três terminais. Para este sistema, nossa descoberta principal é a resistência diferencial negativa (RDN) na carga Q como uma função do campo elétrico externo. Para explicar este efeito RDN, aplicamos um modelo capacitivo fenomenológico, também baseado em um sistema de multiníveis localizados (que podem ser os LUMOs – Lowest Unoccupied Molecular Orbital – Orbitais moleculares desocupados mais baixos). A capacitância descreve, por efeito de carregamento, a causa do bloqueio de Coulomb (BC) no transporte. Mostramos que o efeito BC dá origem a uma RDN para um conjunto adequado de parâmetros fenomenológicos como: taxa de tunelamento e energia de carregamento. O perfil da RDN obtida nas duas metodologias, ab initio e fenomenológica, estão em comum acordo.

Transporte eletrônico de nanofita de grafeno sob a influência de constrições e oxidação

Neste trabalho, investigamos os efeitos da funcionalização de grupos oxidativos sobre a estrutura de nanofitas de grafeno zigue-zague e também os efeitos de constrições, onde estes efeitos foram analisados por meio de transporte eletrônico via campo externo longitudinal. Nossos cálculos foram parametrizados pelo modelo semi-empírico de Huckel estendido-ETH, adotando-se o método das funções de Green de não equilíbrio- NEGF. As correntes foram calculadas via equação de Landauer que usa a função de transmissão da região espalhadora ao fluxo de elétrons com energia (E) vinda do eletrodo esquerdo. Por meio dessa abordagem, foi possível analisarmos o comportamento dos portadores de carga em cada um os dispositivos propostos, bem como, a natureza de tal comportamento. Verificaram-se nas curvas I(V) dois regimes de transporte: Ôhmico e NDR, verificando máximos de corrente e, também a tensão de limiar (VTh1tunelamento ressonante-DRT verificado pela relação pico/vale 7:1. Podemos concluir que nossa proposta de dispositivo está consoante aos resultados experimentais para nanodispositivos e que suas aplicabilidades não se restringirão diante dos estados de oxidação, sendo um fator positivo e que contribui para os aspectos fenomenológicos de transporte eletrônico em grafeno e para a fabricação de nanodispositivos de baixo custo.

O grafeno versus gás de elétrons 2d: filtro fano relativístico de spins por meio de pontas de afm e stm

Pós-graduação em Ciência dos Materiais - FEIS

Interferência de Fano e uma ligeira flutuação da marca Majorana

Pós-graduação em Ciência dos Materiais - FEIS

Modelo de poços quânticos para a transferência de elétrons

Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)

Efeito túnel multidimensional em reações nucleares

Pós-graduação em Física - IFT