Fabricación y caracterización de wolframio nanoestructurado como material de primera pared en reactores de fusión nuclear

El trabajo que se llevará a cabo se basa en el desarrollo de nuevos materiales que sean capaces de resistir las condiciones extremas a las que estarían expuestos en el interior de un reactor de fusión nuclear, como son los altos choques térmicos y los altos flujos iónicos. Actualmente se está investigando en el potencial del wolframio nanoestructurado como material de primera pared (en inglés PFM: Plasma Facing Material). La principal ventaja de éste frente al wolframio masivo radica en su gran densidad de fronteras de grano que hacen que el material sea más resistente a la irradiación. El objetivo de este trabajo será la búsqueda de las condiciones óptimas para la fabricación de recubrimientos de wolframio nanoestructurado mediante la técnica de pulverización catódica ("sputtering") en diferentes configuraciones, continuo ("Direct Current Magnetron Sputtering" o DCMS) y/o pulsado ("High Power Impulse Magnetron Sputtering" o HiPIMS) y caracterizar sus propiedades como PFM mediante perfilometría, microscopía óptica, microscopía electrónica de barrido ("Scanning Electron Microscope" o SEM) y difracción de rayos X ("X-Ray Diffraction" o XRD). A su vez, se realizará un ensayo de implantación con un plasma pulsado de He para analizar los efectos de la irradiación en uno de los recubrimientos. Abstract: The work that will be carried out is based on the development of new materials capable of withstanding the extreme conditions that they will have to face inside a nuclear fusion reactor, such as high thermal loads and high ion fluxes. Currently, nanostructured tungsten potential is being investigated as a plasma facing material (PFM). The main advantage over coarse grain tungsten is its high density of grain boundaries which make the material more resistant to irradiation. The project´s main objective will be the search of the optimal conditions that will allow us to fabricate nanostructured tungsten thin films by using the sputtering technique in different configurations, such as DCMS (Direct Current Magnetron Sputtering) and/or HiPIMS (High Power Impulse Magetron Sputtering) and characterize their properties as a PFM by perfilometry, optical microscopy, SEM (Scanning Electron Microcopy) and XRD (X-Ray Diffracion) analysis. Moreover, an implantation test with a He pulsed plasma will be carried out to analyze the effects of irradiation on one of the coatings.

Processing of speech signals for physical and sensory disabilities.

Assistive technology involving voice communication is used primarily by people who are deaf, hard of hearing, or who have speech and/or language disabilities. It is also used to a lesser extent by people with visual or motor disabilities. A very wide range of devices has been developed for people with hearing loss. These devices can be categorized not only by the modality of stimulation [i.e., auditory, visual, tactile, or direct electrical stimulation of the auditory nerve (auditory-neural)] but also in terms of the degree of speech processing that is used. At least four such categories can be distinguished: assistive devices (a) that are not designed specifically for speech, (b) that take the average characteristics of speech into account, (c) that process articulatory or phonetic characteristics of speech, and (d) that embody some degree of automatic speech recognition. Assistive devices for people with speech and/or language disabilities typically involve some form of speech synthesis or symbol generation for severe forms of language disability. Speech synthesis is also used in text-to-speech systems for sightless persons. Other applications of assistive technology involving voice communication include voice control of wheelchairs and other devices for people with mobility disabilities.

Proteção de linhas de transmissão de sistemas VSC-HVDC utilizando limitadores de corrente de falta

Tecnologias HVDC que utilizam conversores do tipo fonte de tensão, o VSC-HVDC, ainda não são completamente difundidas e aplicadas no Brasil, em contraste com outros países que começaram a estudar e empregar este tipo de transmissão. Comparado com o HVDC tradicional, o VSC-HVDC é uma tecnologia de transmissão mais eficiente e pode superar deficiências encontradas na transmissão em corrente contínua convencional. O VSC-HVDC pode ser utilizado de maneira mais eficiente nas novas redes de energia, para alimentar ilhas, integração de geração eólica, renovação das linhas em centros urbanos, aplicações multiterminais e conexão com sistemas fracos. Por se tratar de uma tecnologia recente, o VSC-HVDC ainda não é amplamente adotado e uma das principais limitações da utilização destes sistemas é a sua fragilidade diante faltas na linha de corrente contínua. Neste contexto, limitadores de corrente de falta (LCF) podem ser utilizados para minimizar o impacto das faltas. A ação dos limitadores é benéfica ao sistema durante condições de falta, contudo, ainda assim é necessária a atuação do sistema de proteção para extinguir a condição faltosa. Portanto, este trabalho visa propor e avaliar um novo esquema de proteção que opere de maneira seletiva e confiável para sistemas VSC-HVDC na presença de LCF baseados em materiais supercondutores ou LCF indutivos. Para tanto, foram implementadas quatro funções de proteção tradicionais das linhas em CC, a saber: direcional de corrente, diferencial, sobrecorrente com restrição de tensão e ondas viajantes, e ainda, foi proposta uma nova função de proteção, a de condutância, a qual apresentou o menor tempo de identificação de falta, considerando as faltas mais severas. Adicionalmente, foi avaliado o comportamento destas funções quando o sistema apresenta os LCF em série com a linha. Foi demonstrado que é possível extrair os benefícios dos LCF sem deteriorar a qualidade dos resultados das funções de proteção, o que aumenta a segurança e confiabilidade dos sistemas VSC-HVDC, uma vez que os impactos das faltas são minimizados e as mesmas são identificadas em um curto intervalo de tempo.

Fundamentals of electronics.

"NAVPERS 93400 A."

Magnetic control of industrial motors /

Part 1. Alternating-current control devices and assemblies.--Part 2. Alternating-current controllers.--Part 3. Direct-current controllers.

Microstructure of MmM(5)/Mg multi-layer hydrogen storage films prepared by magnetron sputtering

Multi-layer hydrogen storage thin films with Mg and MmNi(3.5)(CoAlMn)(1.5) (here Mm denotes La-rich mischmetal) as alternative layers were prepared by direct current magnetron sputtering. Transmission electron microscopy investigation shows that the microstructure of the MmNi(3.5)(CoAlMn)(1.5) and Mg layers are significantly different although their deposition conditions are the same. The MmNi(3.5)(CoAlMn)(1.5) layer is composed of two regions: one is an amorphous region approximately 4 nm thick at the bottom of the layer and the other is a nanocrystalline region on top of the amorphous region. The Mg layer is also composed of two regions: one is a randomly orientated nanocrystalline region 50 nm thick at the bottom of the layer and the other is a columnar crystallite region on top of the nanocrystalline region. These Mg columnar crystallites have their [001] directions parallel to the growth direction and the average lateral size of these columnar crystallites is about 100 nm. A growth mechanism of the multi-layer thin films is discussed based on the experiment results. Wiley-Liss, Inc.