Electronic and structural properties of the (001) SrZrO3 surface

The structural and electronic properties of SrZrO3 selected surfaces were investigated by means of density functional theory applied to periodic calculations at B3LYP level. The relaxation effects for two symmetric and asymmetric terminations are analyzed. The electronic and energy band properties are discussed on the basis of band structure as well density of states. There is a more significant rumpling in the SrO as compared to the ZrO2 terminated surfaces. The calculated indirect gap is 4.856, 4.562, 4.637 eV for bulk, ZrO2 and asymmetric terminations, respectively. The gap becomes direct; 4.536 eV; for SrO termination. The contour in the (110) diagonal plane indicates a partial covalent character between Zr and 0 atoms for the SrO terminated surface. (c) 2007 Elsevier B.V. All rights reserved.

Hybrid reflections in InGaP/GaAs(001) by synchrotron radiation multiple diffraction

Hybrid reflections (HRs) involving substrate and layer planes (SL type) [Morelhao et al., Appl. Phys. Len. 73 (15), 2194 (1998)] observed in Chemical Beam Epitaxy (CBE) grown InGaP/GaAs(001) structures were used as a three-dimensional probe to analyze structural properties of epitaxial layers. A set of (002) rocking curves (omega-scan) measured for each 15 degrees in the azimuthal plane was arranged in a pole diagram in phi for two samples with different layer thicknesses (#A -58 nm and #B - 370 nm) and this allowed us to infer the azimuthal epilayer homogeneity in both samples. Also, it was shown the occurrence of (1 (1) over bar3) HR detected even in the thinner layer sample. Mappings of the HR diffraction condition (omega:phi) allowed to observe the crystal truncation rod through the elongation of HR shape along the substrate secondary reflection streak which can indicate in-plane match of layer/substrate lattice parameters. (C) 2009 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim

Carriers escape mechanisms in shallow InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal (001) GaAs substrates

We used photoluminescence spectroscopy in order to investigate the carriers escape mechanisms in In0.15Ga0.85As/GaAs quantum wells grown on top of nominal (001) and 2°-, 4°-and 6°-off (001) towards (111)A GaAs substrates. We described the escape processes using two models that fit the Arrhenius plot of the integrated PL intensity as a function of the inverse of the sample temperature. In the first model, we considered equal escape probability for electrons and holes. In the second one, we assumed that a single type of carrier can escape from the well. At high temperature, the first model fits the experimental data well, whereas, between 50 K and 100 K, the second model has to be taken into account to describe the data. We observed that the escape activation energy depends on the misorientation angle. An unusual behavior was noted when the full width at half maximum of the photoluminescence main emission was plotted as a function of the sample temperature. We showed that the escape process of the less-confined carriers drives this behavior. © 1999 Academic Press.

DOCPAL resúmenes sobre población en América Latina: 112-001

Contiene resúmenes bibliográficos de documentos sobre población y temas relacionados que se producen en América Latina y el Caribe, publicados entre 1984-1987.

PLANINDEX: 82-001

Contiene resumenes bibliograficos de documentos sobre planificacion y desarrollo en America Latina, recogidos y procesados en el marco del Sistema de Informacion para la Planificacion en America Latina y el Caribe (INFOPLAN).

CEPALINDEX: resúmenes 10-001

Publicado en julio de 1988

PLANINDEX: 91-001

Contiene resumenes bibliograficos de documentos sobre planificacion y desarrollo en America Latina, recogidos y procesados en el marco del Sistema de Informacion para la Planificacion en America Latina y el Caribe (INFOPLAN).

DOCPAL resúmenes sobre población en América Latina: 121-001

Contiene resúmenes bibliográficos de documentos sobre población y temas relacionados que se producen en América Latina y el Caribe, publicados entre 1985-1988.

DOCPAL resúmenes sobre población en América Latina: 122-001

Contiene resúmenes bibliográficos de documentos sobre población y temas relacionados que se producen en América Latina y el Caribe, publicados entre 1986-1988.

CEPALINDEX: resúmenes 11-001

Contiene resúmenes bibliográficos de documentos generados por el sistema de la CEPAL sobre desarrollo económico y social de América Latina y el Caribe. Los documentos analizados en este volumen corresponden a documentos de reuniones, informes anuales, libros, textos y artículos publicados durante 1988.

PLANINDEX: 92-001

Contiene resúmenes bibliográficos de documentos sobre planificación y desarrollo en América Latina, recogidos y procesados en el marco del Sistema de Información para la Planificación en América Latina y el Caribe (INFOPLAN).

DOCPAL resúmenes sobre población en América Latina: 131-001

Contiene resúmenes bibliográficos de documentos sobre población y temas relacionados que se producen en América Latina y el Caribe, publicados entre 1986-1989.

DOCPAL resúmenes sobre población en América Latina: 132-001

Contiene resúmenes bibliográficos de documentos sobre población y temas relacionados que se producen en América Latina y el Caribe, publicados entre 1986-1989.

PLANINDEX: 111-001

Contiene resúmenes bibliográficos de documentos sobre planificación y desarrollo en América Latina, recogidos y procesados en el marco del Sistema de Información para la Planificación en América Latina y el Caribe (INFOPLAN).

PLANINDEX: 101-001

Contiene resúmenes bibliográficos de documentos sobre planificación y desarrollo en América Latina, recogidos y procesados en el marco del Sistema de Información para la Planificación en América Latina y el Caribe (INFOPLAN).